外延结晶生长用自立基板及功能元件的制作方法

技术特征：
1.一种外延结晶生长用自立基板，是包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或者它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的外延结晶生长用自立基板，所述外延结晶生长用自立基板的特征在于，所述自立基板具有氮极性面和13族元素极性面，所述氮极性面呈凸状翘曲，在所述氮极性面的外周部设置有倒角部。2.根据权利要求1所述的外延结晶生长用自立基板，其特征在于，所述氮极性面的翘曲的曲率半径为 5m以上且 65m以下。3.根据权利要求1或2所述的外延结晶生长用自立基板，其特征在于，在所述氮极性面的所述外周部的整周设置有所述倒角部。4.根据权利要求1～3中的任一项所述的外延结晶生长用自立基板，其特征在于，在所述13族元素极性面的外周部设置有倒角部。5.根据权利要求1～4中的任一项所述的外延结晶生长用自立基板，其特征在于，所述13族元素极性面呈凹状翘曲。6.根据权利要求1～5中的任一项所述的外延结晶生长用自立基板，其特征在于，所述13族元素极性面的翘曲的曲率半径的绝对值小于所述氮极性面的翘曲的曲率半径的绝对值。7.根据权利要求1～6中的任一项所述的外延结晶生长用自立基板，其特征在于，所述13族元素极性面的偏角分布为0.25
°
以下。8.根据权利要求1～7中的任一项所述的外延结晶生长用自立基板，其特征在于，所述13族元素极性面为镜面加工面。9.根据权利要求1～8中的任一项所述的外延结晶生长用自立基板，其特征在于，所述自立基板的所述氮极性面端的开口宽度为70μm以上且所述自立基板的厚度的二分之一以下。10.根据权利要求1～9中的任一项所述的外延结晶生长用自立基板，其特征在于，所述自立基板的所述氮极性面的所述外周部处的所述倒角部的高度为所述自立基板的厚度的二十分之一以上且二分之一以下。11.一种功能元件，其特征在于，具有：权利要求1～10中的任一项所述的外延结晶生长用自立基板；以及功能层，该功能层设置在所述自立基板的所述13族元素极性面上。12.根据权利要求11所述的功能元件，其特征在于，所述功能元件具有发光功能。

技术总结
在包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或者它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的外延结晶生长用自立基板的基础上，防止在使外延结晶生长的工序中在自立基板或外延结晶发生开裂。包含从氮化镓、氮化铝、氮化铟或者它们的混晶中选择的13族元素氮化物结晶的外延结晶生长用自立基板21具有氮极性面21a和13族元素极性面21b。氮极性面21a呈凸状翘曲，在氮极性面21a的外周部21c设置有倒角部21c。的外周部21c设置有倒角部21c。的外周部21c设置有倒角部21c。


技术研发人员：坂井正宏 吉野隆史
受保护的技术使用者：日本碍子株式会社
技术研发日：2021.02.19
技术公布日：2023/2/3