SiP模组的封装方法与流程

技术特征：
1.一种sip模组的封装方法，其中，所述sip模组包括封装基板、设置于所述封装基板上的电子器件；所述电子器件的高度低于5mm；所述封装方法包括：控制具有多个可被独立控制喷胶组件沿一水平方向直线往返移动且以喷孔垂直朝向于水平放置的所述封装基板的方式向所述封装基板喷射第一胶液，直至形成将所述电子器件包覆在内部的覆盖所述封装基板的封装层。2.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，其中，在喷胶状态下，将所述喷胶组件定位在高于最高的电子器件的位置，并控制所述喷胶组件与最高的电子器件之间的间距小于2mm。3.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，其中，在喷胶状态下，所述喷胶组件与所述封装基板的相对高度保持不变。4.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，其中，还包括：控制所述喷胶组件沿一水平方向直线往返移动且以喷孔垂直朝向于所述封装基板的方式向所述封装基板喷射与所述第一胶液材质不同的第二胶液，直至形成将至少部分面积的所述封装层覆盖的覆盖部。5.如权利要求4所述的sip模组的封装方法，其中，还包括：控制所述喷胶组件向所述封装基板喷射第三胶液，直至形成将所述封装层和所述覆盖部包覆在其内部的外包层。6.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，其中，还包括：控制所述喷胶组件向所述封装层喷射导电材质的第二胶液，直至形成将所述封装层包覆在其内部的导电层。7.如权利要求4或6所述的sip模组的封装方法，其中，相对于所述封装基板，所述喷胶组件在喷射所述第一胶液时的相对高度与在喷射所述第二胶液时的相对高度保持不变。8.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，其中，还包括：控制所述喷胶组件沿一水平方向直线往返移动且以喷孔垂直朝向于所述封装层顶面的方式喷射第四胶液，直至形成位于所述封装层顶部的标识部。9.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，其中，所述电子器件包括第一器件；所述封装方法包括：控制喷胶组件对低于所述第一器件的区域进行喷射直至喷胶高度与所述第一器件齐平，然后以覆盖第一器件和已喷胶区域的方式继续喷射；将所述封装基板上的所述电子器件按照从低至高逐个高度执行对所述第一器件的喷胶步骤，直至形成将所有所述电子器件包覆在内部的封装层。10.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，其中，包括：控制所述喷胶组件在一水平方向上直线往返移动地向所述封装基板喷射第一预定层数的胶液；停止喷胶预定时间后固化所述封装基板上的胶液，之后再向所述封装基板喷射第二预定层数的胶液。11.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，其中，包括：控制所述喷胶组件在一水平方向上直线往返移动地向所述封装基板的边缘喷射胶液直至形成围绕电子器件的预定高度的封装围栏；控制所述喷胶组件在所述水平方向上直线往返移动地向所述封装围栏内喷射胶液直至将所述封装围栏填平，固化形成将所述电子器件包覆在内部的封装层。12.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，其中，包括：在向所述封装基板喷胶的同时对所述封装基板上的胶液固化，在喷胶固化过程中所述封装基板的位置固定不动。13.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，其中，在40℃~50℃下所述第一胶液粘度范围为1cp~500cp。
14.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，其中，还包括：对喷胶结束后的所述封装层进行外表面整平的整平工序。15.如权利要求14所述的sip模组的封装方法，其中，在所述整平工序之后还具有对整平后的封装层进行固化的二次固化工序。16.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，其中，在喷胶状态下，所述喷胶组件的移动速度可调。17.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，其中，单个所述喷孔的喷射速率为每秒至少2000滴胶液，单滴胶液量为1皮升~200皮升。18.如权利要求1所述的sip模组的封装方法，所述喷胶组件还设有与其一同运动的第一固化灯源组件；其中，在所述封装方法中，控制所述固化灯源组件向所述封装基板照射以固化所述封装基板上的胶液。19.如权利要求18所述的sip模组的封装方法，包括：同步固化工序，控制所述第一固化灯源组件与所述喷胶组件以同步直线往返移动地方式向所述封装基板照射以固化封装基板上的胶液，直至形成封装层；独立固化工序，控制与所述第一固化灯源组件不同的第二固化灯源组件向所述封装基板的所述封装层照射以二次固化所述封装层；其中，所述第二固化灯源组件的光强大于所述第一固化灯源组件的光强。

技术总结
本申请公开一种SiP模组的封装方法，涉及封装技术领域。所述SiP模组包括封装基板、设置于所述封装基板上的电子器件；所述电子器件的高度低于5mm；所述封装方法包括：控制具有多个可被独立控制喷胶组件沿一水平方向直线往返移动且以喷孔垂直朝向于水平放置的所述封装基板的方式向所述封装基板喷射第一胶液，直至形成将所述电子器件包覆在内部的覆盖所述封装基板的封装层。本说明书所提供的SiP模组的封装方法，适用于低高度的SiP模组的可靠封装。适用于低高度的SiP模组的可靠封装。适用于低高度的SiP模组的可靠封装。


技术研发人员：朱建晓
受保护的技术使用者：苏州康尼格电子科技股份有限公司
技术研发日：2022.10.09
技术公布日：2023/1/31