半导体结构的制作方法

技术特征：
1.一种半导体结构，其特征是，该半导体结构包括：从一基板突出的一半导体鳍；一栅极结构，与该半导体鳍接合；一层间介电层，设置在该基板上方并相邻该栅极结构，其中该栅极结构的一顶面低于层间介电层的一顶面；一第一金属层，直接接触该栅极结构的该顶面；一第二金属层，设置在该第一金属层上方，其中该第一金属层设置在该第二金属层的一底面和一侧壁表面上，其中该第二金属层的该底面具有一凹形轮廓，且其中该第二金属层在成分上不同于该第一金属层；以及一栅极接触，设置在该第二金属层上方。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征是，该第二金属层的一顶面具有一凸形轮廓。3.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征是，还包括一第二层间介电层，设置在该第二金属层上方，其中该第二层间介电层的一部分设置在该第一金属层的一侧壁和该第二金属层的一侧壁之间。4.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征是，该第一金属层包括氮化钛、氮化钽或上述的组合。5.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征是，该第二金属层包括钨。6.如权利要求1或2所述的半导体结构，其特征是，还包括一气隙，设置于该第一金属层的一侧壁与该第二金属层的一侧壁之间。7.一种半导体结构，其特征是，该半导体结构包括：从一半导体基板延伸的一鳍；一栅极堆叠，设置在该鳍的一通道区上方；一胶层，接触该栅极堆叠的一顶面；一含钨覆盖层，设置在该胶层上方，其中该胶层围绕该含钨覆盖层的一底面和一侧壁表面；以及一接触部件，设置在该含钨覆盖层的一顶面上。8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征是，该鳍包括多个半导体层，且其中该栅极堆叠的一底部与多个所述半导体层交错。9.如权利要求7或8所述的半导体结构，其特征是，该含钨覆盖层和该栅极堆叠两者包括多个氟原子。10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征是，该栅极堆叠包括铝，且其中多个所述氟原子选择性与该栅极堆叠中的铝键结。

技术总结
一种半导体结构，包括从基板突出的半导体鳍；栅极结构，与半导体鳍接合。半导体结构还包括层间电介质(ILD)层，设置在基板上方并相邻栅极结构，其中栅极结构的顶面低于层间介电层的顶面；第一金属层，直接接触栅极结构的顶面；第二金属层设置在第一金属层上方，其中第一金属层设置在第二金属层的底面和侧壁表面上，其中第二金属层的底面具有凹形轮廓，且其中第二金属层在成分上不同于第一金属层；以及栅极接触，设置在第二金属层上方。设置在第二金属层上方。设置在第二金属层上方。


技术研发人员：王唯诚 邱诗航 刘冠廷 徐志安 陈嘉伟 陈建豪
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.07.04
技术公布日：2022/12/9