一种低中子吸收的低密度中熵合金及其制备方法和应用

技术特征：
1.一种低中子吸收的低密度中熵合金，其特征在于，成分配比为ti
avb
zr
c
nb
d
，其中a b c d＝1；(3.4a 0.38b-7.1c-7d)2<0.5％；0.35≤a≤0.5，0.1≤b≤0.3，0.1≤c≤0.3，0.1≤d≤0.3。2.权利要求1所述低中子吸收的低密度中熵合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将ti、v、zr和nb四种原料放入熔炼炉坩埚中；抽真空并通入惰性气体；先对ti进行真空电弧熔炼，然后将所有原料电弧熔炼至熔化且均匀混合，冷却后再熔炼，重复冷却再熔炼的步骤，制得低中子吸收的低密度中熵合金。3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，将ti、v、zr和nb四种原料放入熔炼炉坩埚中时按照熔点由低到高的顺序放入。4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述抽真空的真空度低于5
×
10-3
pa。5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，熔炼炉内惰性气体的压力低于标准大气压，高于10-3
pa。6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，冷却再熔炼步骤的重复次数为4～6次。7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，电弧熔炼的电流高于300a。8.权利要求1所述低中子吸收的低密度中熵合金在制备中子散射样品盒中的应用。

技术总结
本发明公开了一种低中子吸收的低密度中熵合金及其制备方法和应用，属于中熵合金技术领域。所述低中子吸收的低密度中熵合金成分配比为Ti


技术研发人员：贾延东 贾岳飞 王刚
受保护的技术使用者：上海大学
技术研发日：2022.10.20
技术公布日：2023/1/13