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一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置的制作方法

2023-01-01 17:32:30 来源:中国专利 TAG:


1.本实用新型涉及石墨棒喷砂技术领域,具体为一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置。


背景技术:

2.石墨材质既具有良好的导电性能,且具有良好的离子吸附性能,在半导体离子注入设备中广泛应用。同时,石墨材质的微观层状结构和多孔疏松结构造成该类部件的硬度小、脆性大等特点,从而使其在维护保养的过程中难度较大。其中比较有代表性的是棒状的石墨部件,简称石墨棒,而石墨棒维护时通常会对其进行喷砂操作。
3.但是,现有的石墨棒在喷砂时,常会由于自身的结构特征导致其在作业时出现滑动、碰撞等情况,导致产品损伤进而导致瑕疵品的产出,且装置难以对不同尺寸大小的石墨棒进行装夹;因此,不满足现有的需求,对此我们提出了一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置。


技术实现要素:

4.本实用新型的目的在于提供一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置,以解决上述背景技术中提出的石墨棒在喷砂时,常会由于自身的结构特征导致其在作业时出现滑动、碰撞等情况,导致产品损伤进而导致瑕疵品的产出,且装置难以对不同尺寸大小的石墨棒进行装夹等问题。
5.为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置,包括第一支架,所述第一支架的一侧均活动安装有第二支架,所述第一支架的表面均固定安装有连接杆,所述第一支架和第二支架的顶端表面均设有支撑槽,所述支撑槽的内部均活动安装有石墨棒。
6.优选的,所述石墨棒的两端均固定安装有石墨棒支撑杆,所述石墨棒支撑杆均活动卡入支撑槽的内部,所述石墨棒支撑杆的表面均活动安装有定位销,所述定位销的底端表面均固定安装有定位板。
7.优选的,所述第二支架的表面均设有连接槽,所述连接杆均活动卡入连接槽的内部。
8.优选的,所述连接杆的表面均设有两个定位槽,所述定位板的表面均设有两个定位槽,所述定位板与连接杆均通过定位槽螺栓螺纹连接。
9.优选的,所述石墨棒支撑杆的表面均设有支撑杆通孔,所述定位销均活动贯穿支撑杆通孔的内部延伸至石墨棒支撑杆的顶端位置。
10.优选的,所述第一支架和第二支架的外表面均活动安装有固定托盘,所述固定托盘靠近第一支架和第二支架表面的两端处均设有限位槽,所述第一支架和第二支架均与固定托盘通过限位槽螺栓螺纹连接。
11.优选的,所述固定托盘表面的两端处均设有装配槽。
12.与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
13.1、本实用新型通过固定托盘的设置,使装置在使用时,可通过固定托盘将第一支架和第二支架进行限位,防止装置在喷砂时,表面的石墨棒会由于生产作业或者产品装配的过程中产生变形、晃动等造成的产品损伤问题。通过第一支架和第二支架的配合,使装置在对石墨棒进行加工时,可将石墨棒的两端分别卡入支撑槽的内部,从而确保产品装配之后只能在有限的空间中晃动;
14.2、本实用新型通过定位销和定位板的配合,使装置在装夹石墨棒时,保证石墨棒的两端在装配在喷砂装置的第一支架和第二支架上之后不会向两端进行滑动,同时定位板的重力作用可以避免产品在作业过程中产生明显的晃动或滚动,提高产品的作业效率。通过连接杆和连接槽的配合,使装置在装夹石墨棒时,可通过向两侧移动第一支架或第二支架从而使支撑槽的内径尺寸增大,进而可使装置方便的对不同种类或尺寸大小的石墨棒进行装夹,提高装置的使用范围。
附图说明
15.图1为本实用新型整体的结构示意图;
16.图2为本实用新型整体的剖面正视图;
17.图3为本实用新型整体的剖面侧视图;
18.图4为本实用新型定位销的剖面侧视图。
19.图中:1、第一支架;2、第二支架;3、支撑槽;4、连接杆;5、连接槽;6、石墨棒;7、石墨棒支撑杆;8、定位销;9、定位板;10、定位槽;11、固定托盘;12、限位槽;13、装配槽;14、支撑杆通孔。
具体实施方式
20.下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。
21.请参阅图1至图4,本实用新型提供的一种实施例:一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置,包括第一支架1,第一支架1的一侧均活动安装有第二支架2,第一支架1的表面均固定安装有连接杆4,第一支架1和第二支架2的顶端表面均设有支撑槽3,支撑槽3的内部均活动安装有石墨棒6,通过第一支架1和第二支架2的配合,使装置在对石墨棒6进行加工时,可将石墨棒6的两端分别卡入支撑槽3的内部,从而确保产品装配之后只能在有限的空间中晃动。
22.进一步,石墨棒6的两端均固定安装有石墨棒支撑杆7,石墨棒支撑杆7均活动卡入支撑槽3的内部,石墨棒支撑杆7的表面均活动安装有定位销8,定位销8的底端表面均固定安装有定位板9,石墨棒支撑杆7的表面均设有支撑杆通孔14,定位销8均活动贯穿支撑杆通孔14的内部延伸至石墨棒支撑杆7的顶端位置。
23.通过采用上述技术方案,通过定位销8和定位板9的配合,使装置在装夹石墨棒6时,保证石墨棒6的两端在装配在喷砂装置的第一支架1和第二支架2上之后不会向两端进行滑动,同时定位板9的重力作用可以避免产品在作业过程中产生明显的晃动或滚动,提高
产品的作业效率。
24.进一步,第二支架2的表面均设有连接槽5,连接杆4均活动卡入连接槽5的内部,连接杆4的表面均设有两个定位槽10,定位板9的表面均设有两个定位槽10,定位板9与连接杆4均通过定位槽10螺栓螺纹连接。
25.通过采用上述技术方案,通过连接杆4和连接槽5的配合,使装置在装夹石墨棒6时,可通过向两侧移动第一支架1或第二支架2从而使支撑槽3的内径尺寸增大,进而可使装置方便的对不同种类或尺寸大小的石墨棒6进行装夹,提高装置的使用范围。
26.进一步,第一支架1和第二支架2的外表面均活动安装有固定托盘11,固定托盘11靠近第一支架1和第二支架2表面的两端处均设有限位槽12,第一支架1和第二支架2均与固定托盘11通过限位槽12螺栓螺纹连接,固定托盘11表面的两端处均设有装配槽13。
27.通过采用上述技术方案,通过固定托盘11的设置,使装置在使用时,可通过固定托盘11将第一支架1和第二支架2进行限位,防止装置在喷砂时,表面的石墨棒6会由于生产作业或者产品装配的过程中产生变形、晃动等造成的产品损伤问题。
28.对于本领域技术人员而言,显然本实用新型不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本实用新型的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本实用新型。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本实用新型的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本实用新型内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。


技术特征:
1.一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置,包括第一支架(1),其特征在于:所述第一支架(1)的一侧均活动安装有第二支架(2),所述第一支架(1)的表面均固定安装有连接杆(4),所述第一支架(1)和第二支架(2)的顶端表面均设有支撑槽(3),所述支撑槽(3)的内部均活动安装有石墨棒(6)。2.根据权利要求1所述的一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置,其特征在于:所述石墨棒(6)的两端均固定安装有石墨棒支撑杆(7),所述石墨棒支撑杆(7)均活动卡入支撑槽(3)的内部,所述石墨棒支撑杆(7)的表面均活动安装有定位销(8),所述定位销(8)的底端表面均固定安装有定位板(9)。3.根据权利要求1所述的一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置,其特征在于:所述第二支架(2)的表面均设有连接槽(5),所述连接杆(4)均活动卡入连接槽(5)的内部。4.根据权利要求2所述的一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置,其特征在于:所述连接杆(4)的表面均设有两个定位槽(10),所述定位板(9)的表面均设有两个定位槽(10),所述定位板(9)与连接杆(4)均通过定位槽(10)螺栓螺纹连接。5.根据权利要求2所述的一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置,其特征在于:所述石墨棒支撑杆(7)的表面均设有支撑杆通孔(14),所述定位销(8)均活动贯穿支撑杆通孔(14)的内部延伸至石墨棒支撑杆(7)的顶端位置。6.根据权利要求1所述的一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置,其特征在于:所述第一支架(1)和第二支架(2)的外表面均活动安装有固定托盘(11),所述固定托盘(11)靠近第一支架(1)和第二支架(2)表面的两端处均设有限位槽(12),所述第一支架(1)和第二支架(2)均与固定托盘(11)通过限位槽(12)螺栓螺纹连接。7.根据权利要求6所述的一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置,其特征在于:所述固定托盘(11)表面的两端处均设有装配槽(13)。

技术总结
本实用新型公开了一种半导体离子注入设备石墨棒部品的喷砂装置,包括第一支架,所述第一支架的一侧均活动安装有第二支架,所述第一支架的表面均固定安装有连接杆,所述第一支架和第二支架的顶端表面均设有支撑槽,所述支撑槽的内部均活动安装有石墨棒。本实用新型通过固定托盘的设置,使装置在使用时,可通过固定托盘将第一支架和第二支架进行限位,防止装置在喷砂时,表面的石墨棒会由于生产作业或者产品装配的过程中产生变形、晃动等造成的产品损伤问题。通过第一支架和第二支架的配合,使装置在对石墨棒进行加工时,可将石墨棒的两端分别卡入支撑槽的内部,从而确保产品装配之后只能在有限的空间中晃动。只能在有限的空间中晃动。只能在有限的空间中晃动。


技术研发人员:惠朝先 汤高
受保护的技术使用者:广州富乐德科技发展有限公司
技术研发日:2022.07.26
技术公布日:2022/12/30
再多了解一些

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