压膜结构、压膜系统及压膜方法与流程

技术特征：
1.一种压膜结构，其特征在于，包括：壳体，内部具有第一腔室和第二腔室；载台，设置于所述第一腔室内；挠性件，连接于所述第二腔室，并与所述第二腔室合围形成一密闭空间，所述挠性件适于受到所述密闭空间内的压力而朝向所述载台膨胀；气体管路，连通所述密闭空间；控制器，电性连接所述气体管路，用于在一次压膜过程中对所述密闭空间内的压力进行至少两次循环控制，单次所述循环控制包括控制气体经气体管路对密闭空间加压，保持恒定压力达到预设时长后再降压。2.根据权利要求1所述的压膜结构，其特征在于，在各次循环控制中，加压所达到的压力值相同或不同。3.根据权利要求1所述的压膜结构，其特征在于，在各次循环控制中，降压所达到的压力值相同或不同。4.根据权利要求1所述的压膜结构，其特征在于，在各次循环控制中，降压所达到的压力值大于0或等于0或小于0。5.根据权利要求1所述的压膜结构，其特征在于，所述气体管路包括进气管路、排气管路和抽真空管路；在对所述密闭空间加压时，所述控制器控制所述进气管路开启，气体经所述进气管路进入所述密闭空间；在对所述密闭空间降压时，所述控制器控制所述排气管路开启，所述密闭空间内的气体经所述排气管路排出；或者控制抽真空管路开启，所述密闭空间内的气体经所述抽真空管路排出。6.根据权利要求5所述的压膜结构，其特征在于，所述进气管路和所述排气管路合并为一条进排气管路，所述进排气管路包括进气端、排气阀、第一开关阀，所述第一开关阀经管路连通所述密闭空间；所述排气阀包括第一端、第二端和第三端，所述第一端连接所述进气端，所述第二端连接所述第一开关阀，所述第三端为排气端；当气体由所述进气端进入所述第一端时，气体由所述第一端经所述排气阀内部进入所述第二端；当所述密闭空间内的气体经所述第一开关阀进入所述第二端时，气体由所述第二端经所述排气阀内部进入所述第三端以排出。7.根据权利要求6所述的压膜结构，其特征在于，所述进气端与所述排气阀之间还设置有电空比例阀。8.根据权利要求7所述的压膜结构，其特征在于，所述抽真空管路包括抽气端和第二开关阀，所述第二开关阀经管路连通所述密闭空间。9.根据权利要求8所述的压膜结构，其特征在于，所述抽真空管路还包括第三开关阀，所述第三开关阀的一端连接所述抽气端，另一端连通所述第一腔室。10.根据权利要求1所述的压膜结构，其特征在于，所述挠性件连接于所述第二腔室底部。11.根据权利要求10所述的压膜结构，其特征在于，所述挠性件的中心轴垂直于所述载
台的承载面。12.根据权利要求1所述的压膜结构，其特征在于，所述载台为吸附平台。13.一种压膜系统，其特征在于，包括：如权利要求1-12任一项所述的压膜结构；待压合膜，设置于所述第一腔室和第二腔室之间；基材，设置于所述载台上；所述挠性件在受到所述密闭空间内的压力时，朝向所述载台膨胀，以挤压所述待压合膜和所述基材。14.一种压膜方法，其特征在于，应用于如权利要求1-12任一项所述的压膜结构，所述方法包括：将基材放置于所述载台的承载面上，将待压合膜铺设于所述第一腔室和第二腔室之间；对所述挠性件与第二腔室合围而成的密闭空间以及所述第一腔室抽真空；通过控制所述气体管路中的气体流向，对所述密闭空间内的压力进行至少两次循环控制；其中，单次循环控制包括：控制气体经所述气体管路对密闭空间加压，以使所述挠性件朝向所述载台膨胀，挤压所述待压合膜和所述基材，在保持恒定压力达到预设时长后再降压。

技术总结
本申请涉及半导体技术领域，具体公开一种压膜结构、压膜系统及压膜方法。结构包括壳体、载台、挠性件、气体管路及控制器。壳体内部具有第一腔室和第二腔室；载台设置于第一腔室内；挠性件连接于第二腔室，并与第二腔室合围形成一密闭空间，挠性件适于受到密闭空间内的压力而朝向载台膨胀；气体管路连通密闭空间；控制器用于在一次压膜过程中对密闭空间内的压力进行至少两次循环控制，单次循环控制包括控制气体经气体管路对密闭空间加压，保持恒定压力达到预设时长后再降压。上述多段加压压膜的方式可对待压合膜与基材进行多次压合，可有效提高压合效果，尤其对高深宽比孔洞具有良好的填覆效果，进而提高了产品性能和可靠性。进而提高了产品性能和可靠性。进而提高了产品性能和可靠性。


技术研发人员：巫碧勤 林盛裕 张景南 彭俊昇 万航
受保护的技术使用者：南京屹立芯创半导体科技有限公司
技术研发日：2022.10.09
技术公布日：2022/12/16