半导体装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：一鳍状物，自一基板延伸，其中该鳍状物包括多个半导体通道层；以及一栅极介电层，围绕每一多个所述半导体通道层，其中多个所述半导体通道层的一最顶部的半导体通道层的上表面上的该栅极介电层的第一厚度，大于该最顶部的半导体通道层之下的另一半导体通道层的表面上的该栅极介电层的第二厚度。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该最顶部的半导体通道层的上表面上的该栅极介电层的第一厚度，等于该最顶部的半导体通道层的横向表面上的该栅极介电层的第三厚度。3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该最顶部的半导体通道层的上表面上的该栅极介电层的第一厚度，等于该最顶部的半导体通道层的横向表面与下表面上的该栅极介电层的第三厚度。4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该另一半导体通道层的表面上的该栅极介电层的第二厚度，大于多个所述半导体通道层的一最底部的半导体通道层的表面上的该栅极介电层的第三厚度。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，该另一半导体通道层包括一中间半导体通道层，其夹设于该最顶部的半导体通道层与该最底部的半导体通道层之间。6.一种半导体装置，其特征在于，包括：一鳍状物单元，包括多个外延层；一混合鳍状物，与该鳍状物单元相邻，其中多个所述外延层各自与该混合鳍状物隔有一距离；以及一栅极介电层，包覆该半导体装置的一通道区中的每一多个所述外延层，其中多个所述外延层的一最顶部的外延层的第一表面上的该栅极介电层的第一厚度，大于该最顶部的外延层之下的多个所述外延层的至少一外延层的第二表面上的该栅极介电层的第二厚度。7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，该最顶部的外延层的第一表面包括该最顶部的外延层的上表面。8.如权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，该最顶部的外延层的第三表面上的该栅极介电层的第三厚度等于该最顶部的外延层的第一表面上的该栅极介电层的第一厚度。9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，该最顶部的外延层的第三表面包括该最顶部的外延层的横向表面或该最顶部的外延层的下表面。10.如权利要求6或7所述的半导体装置，其特征在于，该最顶部的外延层之下的该至少一外延层的第二表面上的该栅极介电层的第二厚度，大于多个所述外延层的一最底部的外延层的第三表面上的该栅极介电层的第三厚度。

技术总结
本实用新型提出一种半导体装置。半导体装置与相关方法可用于形成栅极结构。半导体装置包括鳍状物自基板延伸。鳍状物包括多个半导体通道层。半导体装置还包括栅极介电层，围绕每一半导体通道层。半导体通道层的最顶部的半导体通道层的上表面上的栅极介电层的第一厚度，大于最顶部的半导体通道层之下的另一半导体通道层的表面上的栅极介电层的第二厚度。通道层的表面上的栅极介电层的第二厚度。通道层的表面上的栅极介电层的第二厚度。


技术研发人员：游国丰 陈建豪 许智育 李致葳 陈健源
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2022.07.04
技术公布日：2022/12/9