太阳能电池及光伏组件的制作方法

1.本技术实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。


背景技术：

2.影响太阳能电池性能（例如光电转换效率）的原因包括光学损失以及电学损失，光学损失包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失等，电学损失包括半导体表面及体内的光生载流子复合、半导体和金属栅线的接触电阻以及金属和半导体的接触电阻等的损失。
3.为了减少太阳能电池的电学损失以及光学损失，一般需要对太阳能电池的背面进行抛光工艺。背面抛光工艺主要是利用湿化学法对背面硼掺杂金字塔绒面结构进行抛光处理，增加光的内反射，降低载流子表面复合速率，提升电池光电转换效率。在背面抛光工艺中，晶硅电池背面抛光面形貌有利于长波段光的背反射和后续形成在背面膜层的均匀性，对太阳能电池的效率提升具有重要作用。背面抛光工艺可以优化太阳能电池性能，但影响该类型太阳能电池性能的因素仍然较多，因此，开发高效的钝化接触太阳能电池具有重要的意义。


技术实现要素：

4.本技术实施例提供一种太阳能电池及光伏组件，至少有利于提升太阳能电池的光电转换效率。
5.根据本技术一些实施例，本技术实施例一方面提供一种太阳能电池，包括：基底，所述基底的表面具有间隔排布的第一区以及第二区，至少一个所述第一区包括：第一部以及第二部；掺杂层，所述掺杂层位于所述第一部邻近所述基底的表面的基底内，所述掺杂层的掺杂浓度大于所述基底的掺杂浓度；导电层，所述导电层位于所述第一区的表面；钝化层，所述钝化层位于所述导电层与所述第二区的表面；多个沿第一方向间隔排布的电极，所述电极沿第二方向延伸，每一所述电极与所述第二部正对，所述电极设置于所述导电层远离所述基底的一侧，并与所述导电层电连接。
6.在一些实施例中，所述导电层的导电类型与所述基底的导电类型相同；所述太阳能电池还包括：隧穿介质层，所述隧穿介质层位于所述基底与所述导电层之间，且位于所述掺杂层与所述导电层之间。
7.在一些实施例中，所述隧穿介质层内具有重掺杂部，所述重掺杂部与所述第一部正对。
8.在一些实施例中，所述重掺杂部的掺杂浓度小于或等于所述掺杂层的掺杂浓度。
9.在一些实施例中，所述基底内掺杂n型掺杂元素或者p型掺杂元素的一者，所述导电层内掺杂n型掺杂元素或者p型掺杂元素的另一者。
10.在一些实施例中，所述导电层的材料与所述基底的材料相同。
11.在一些实施例中，所述导电层掺杂浓度小于所述掺杂层的掺杂浓度。
12.在一些实施例中，所述掺杂层的掺杂浓度为1e
20
~5e
21
cm-3
。
13.在一些实施例中，所述第一区包括两个所述第一部，所述第二部位于相邻的所述第一部之间。
14.在一些实施例中，沿所述第一方向，两个所述第一部的宽度相等。
15.在一些实施例中，沿所述第一方向，所述掺杂层朝向所述电极的侧面和相邻的所述电极朝向所述掺杂层的侧面之间的第一间距大小，与所述电极和所述导电层接触面的宽度大小成正比。
16.在一些实施例中，所述第一间距小于或等于所述电极与所述导电层接触面的宽度的1/10。
17.在一些实施例中，沿所述第一方向，所述导电层的宽度与所述导电层和所述电极接触面的宽度的差值为预设值；所述第一部的宽度与所述预设值的比值范围为0.1~0.9。
18.在一些实施例中，所述第一部的宽度范围为20μm~500μm。
19.在一些实施例中，所述基底包括正对的第一表面以及第二表面，所述掺杂层位于所述第一表面内和/或第二表面内。
20.在一些实施例中，沿垂直于所述基底表面的方向，所述第二区远离所述基底的顶面低于所述第一区的顶面。
21.在一些实施例中，所述第一区的顶面与所述第二区的顶面的高度差范围为1~20μm。
22.在一些实施例中，所述第一区具有第一纹理结构，所述第一纹理结构至少包括一个第一凸起结构；所述第二区具有第二纹理结构，所述第二纹理结构至少包括一个第二凸起结构；所述第一凸起结构的顶面一维尺寸小于所述第二凸起结构的顶面一维尺寸；或者，单位面积内，所述第一凸起结构的数量大于等于所述第二凸起结构的数量。
23.根据本技术一些实施例，本技术实施例另一方面还提供一种光伏组件，包括：电池串，所述电池串由多个如上述实施例任一项所述太阳能电池连接而成；封装层，所述封装层用于覆盖所述电池串的表面；盖板，所述盖板用于覆盖所述封装层远离所述电池串的表面。
24.本技术实施例提供的技术方案至少具有以下优点：本技术实施例提供的技术方案中，通过设置掺杂层位于第一部，且掺杂层的掺杂浓度高于基底的掺杂浓度，与在电极对准的整体区域均设置掺杂层，即电极正对的区域也有掺杂层相比，降低了第二部的饱和电流密度，从而提升开路电压；高浓度的掺杂层可以增强从基底体内收集电流的能力，从而可以抵消路径增长导致的电流传输不畅的问题。此外，本技术实施例并不在第二部区域设置掺杂部，在第一部设置掺杂部，可以避免位于电极下方的掺杂元素浓度过大时，可能导致基底的禁带宽度收缩，甚至太阳能电池的开路电压降低的问题，有效避免电场衰退的现象。第二部所对准的电极区域的掺杂浓度小，可以避免导电层的掺杂浓度过大或者掺杂层的掺杂浓度过大时导致的高掺杂效应（例如隧穿效应产生复合电流）。
附图说明
25.一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图进行示例性说明，这些示例性说明并不构成对实施例的限定，除非有特别申明，附图中的图不构成比例限制；为了更清楚地说
明本技术实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
26.图1为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第一种局部剖面结构示意图；图2为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一区的第一种示例；图3为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一区的第二种示例；图4为本技术一些实施例提供的太阳能电池中载流子的传输示意图；图5为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第二种局部剖面结构示意图；图6为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第三种局部剖面结构示意图；图7为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第四种局部剖面结构示意图；图8为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一纹理结构的第一种结构示意图；图9为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一纹理结构的第二种结构示意图；图10为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第二纹理结构的第一种结构示意图；图11为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第二纹理结构的第二种结构示意图；图12为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一表面的扫描电镜图；图13为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第五种局部剖面结构示意图；图14为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一区的第三种示例；图15为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一区的第四种示例；图16为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第六种局部剖面结构示意图；图17为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第七种局部剖面结构示意图；图18为本技术一些实施例提供的光伏组件的一种结构示意图。
具体实施方式
27.由背景技术可知，相关技术的太阳能电池的光电转换率欠佳。
28.分析发现，导致光电转换效率欠佳的原因之一在于，常规电池为避免电极无法与导电层对准的关系，通常设置导电层的宽度大于电极的宽度以使电极所接触的区域为掺杂区，降低接触电阻。但在金属电极靠近基底的一侧，载流子或者电流可以直接从基底一侧至金属电极一侧纵向传输到金属电极，电流传输更顺畅；但在金属电极左右两侧，且导电层覆盖的区域，电流需要通过导电层横向传输到金属电极，路径增长导致电流传输不畅。
29.本技术实施例提供一种太阳能电池，通过设置掺杂层位于第一部，且掺杂层的掺杂浓度高于基底的掺杂浓度，与在电极对准的整体区域均设置掺杂层，即电极正对的区域也有掺杂层相比，降低了第二部的饱和电流密度，从而提升开路电压；高浓度的掺杂层可以增强从基底体内收集电流的能力，从而可以抵消路径增长导致的电流传输不畅的问题。此外，本技术实施例并不在第二部区域设置掺杂部，在第一部设置掺杂部，可以避免位于电极下方的掺杂元素浓度过大时，可能导致基底的禁带宽度收缩，甚至太阳能电池的开路电压
降低的问题，有效避免电场衰退的现象。第二部所对准的电极区域的掺杂浓度小，可以避免导电层的掺杂浓度过大或者掺杂层的掺杂浓度过大时导致的高掺杂效应。
30.下面将结合附图对本技术的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本技术各实施例中，为了使读者更好地理解本技术而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本技术所要求保护的技术方案。
31.图1为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第一种局部剖面结构示意图；图2为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一区的第一种示例；图3为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一区的第二种示例；图4为本技术一些实施例提供的太阳能电池中载流子的传输示意图。
32.根据本技术一些实施例，参考图1至图4，本技术实施例一方面提供一种太阳能电池，包括：基底100，基底100的表面具有间隔排布的第一区110以及第二区120，至少一个第一区110包括：第一部111以及第二部112；掺杂层103，掺杂层103位于第一部111邻近基底100的表面的基底100内，掺杂层103的掺杂浓度大于基底100的掺杂浓度；导电层104，导电层104位于第一区110的表面；钝化层105，钝化层105位于导电层104与第二区120的表面；多个沿第一方向x间隔排布的电极141，电极141沿第二方向延伸，每一电极141与第二部112正对，电极141设置于导电层104远离基底100的一侧，并与导电层104电连接。
33.基底100为吸收入射光子而产生光生载流子的区域。在一些实施例中，基底100为硅基底，可以包括单晶硅、多晶硅、非晶硅或微晶硅中的一种或多种。在一些实施例中，基底100的材料还可以为碳化硅、有机材料或多元化合物。多元化合物可以包括但不限于钙钛矿、砷化镓、碲化镉、铜铟硒等材料。示例性地，本技术中基底100为单晶硅基底。
34.在一些实施例中，基底100的正面为受光面，吸收入射光，基底100的背面为背光面，背光面与受光面相对设置。基底100内具有掺杂元素，掺杂元素类型为n型或者p型，n型元素可以为磷（p）元素、铋（bi）元素、锑（sb）元素或砷（as）元素等
ⅴ
族元素，p型元素可以为硼（b）元素、铝（al）元素、镓（ga）元素或铟（in）元素等ⅲ族元素。例如，当基底100为p型基底时，其内部掺杂元素类型为p型。又例如，当基底100为n型基底时，其内部掺杂元素类型为n型。
35.在一些实施例中，基底100包括正对的第一表面101（例如，背光面）以及第二表面102（例如，受光面）。以掺杂层103位于第一表面101内作为示例，则基底100的第二表面102内具有发射极108，发射极108具有与基底100不同的掺杂元素类型。且发射极108表面可以具有绒面结构，以使基底100的第二表面102对入射光线的反射率较小，从而对光线的吸收利用率较大。
36.在一些实施例中，第一区110的位置与电极141在基底100的正投影的位置对应，且第一区110的面积大于等于电极141的面积，以保证电极141可以与第一区110的对准，第一区110上的导电层104可以为重掺杂区，即由于离子的扩散，第一区110的基底100的掺杂浓度可以大于第二区120的基底100的掺杂浓度。如此，电极141正对的区域为重掺杂区，降低电极141与导电层104之间的接触电阻，掺杂离子可以作为载流子，从而增加载流子的数量以及载流子的迁移率，有利于提高太阳能电池的光电转换效率。第二区120所在的基底100为轻掺杂区，降低基底100表面的复合速率，提升电池光电转换效率。
37.可以理解的是，第一区110的基底100的宽度设置也不宜过大，第一区110的基底100的宽度过大可能影响第二区120的基底100表面的膜的完整性以及均匀性，减小光的内反射，从而不利于提升载流子表面复合速率以及太阳能电池的光电转换效率。
38.在一些实施例中，沿第一方向x，第一区110的宽度为电极141与导电层104接触面的宽度的1倍~3倍，通过控制第一区110的宽度的范围，保证电极141所接触的表面为高掺杂的导电层104，降低电极141与导电层104之间的接触电阻，提升电极141的导电传输速率；第二区120上的膜层完整，减少复合中心，提升光的内反射以及膜层的钝化效果。第一区110的基底100的宽度为20μm~50μm；第一区110的宽度还可以为20μm~40μm、30μm~50μm、20μm~47μm或者25μm~40μm。示例性的，第一区110的宽度可以为20.3μm、33μm、35μm、45μm或者49μm。
39.在一些实施例中，如图1所示，第一区110与第二区120的平面为抛光面，即经过溶液抛光或者激光抛光形成一个完整的平面，这里的平面指的是粗糙度较小，或者粗糙度小于等于0.4的平面。指的说明的是，粗糙度可以为表面粗糙度或者粗糙度ra。表面粗糙度指的是指加工表面具有的较小间距（1mm以下）和微小峰谷不平度。表面粗糙度属于微观几何形状误差。粗糙度ra指的是在一个取样长度中，相对于平均线的z向偏差量的绝对值的算术平均值。粗糙度可以通过比较法、光切法、干涉法以及针描法测量。
40.在一些实施例中，为保证电极141接触的区域均为重掺杂区域，通常会设置第一区110的宽度大于电极141的宽度，由此第一区110可以包括第一部111以及第二部112，第一部111为电极不正对的区域，但第一部111上具有隧穿介质层107以及导电层104，第二部112为电极141正对的区域。值得说明的是，这里的正对指的是，电极141在基底100的正投影与第二部112的轮廓或者面积范围基本重合或者偏差小于20%。
41.在一些实施例中，沿第一方向x上，第一部111与第二部112的范围比值可以按照太阳能电池的实际设置进行设置，第一部111与第二部112的范围比值用于保证电极141的宽度设置的适中，收集电流的能力较强且电学损失较小；还用于保证第二区120的范围适中，沉积在导电层104以及第二区120上的膜层的完整性较好，具有较高的钝化效果。
42.在一些实施例中，沿第一方向x上，第一部111的宽度范围为20μm~500μm，第一部111的宽度范围可以作为常规中的电极的宽度的横向方向的偏差值，此范围可以保证电极对准时可以具有部分偏差，且电极141正对的区域可以均为高掺杂区域，降低电极141的接触电阻。此范围保证第一区110的整体宽度或者所占比例不会过大，光在基底表面的载流子复合中心的面积不会过大，形成在基底100表面的膜层的完整性以及致密性较好，提升太阳能电池的钝化效果。最后，此范围保证了位于其上的掺杂层103的宽度可以设置较大，传输通道的面积较大，提升载流子的传输速率以提升电池效率。
43.在一些实施例中，沿第一方向x上，第一部111的宽度范围为20μm~400μm、20μm~250μm或者20μm~100μm，此范围缩短了第一区110的占比，减少了光学损失；位于第一部111的高浓度的掺杂层103可以增强从基底100体内收集电流的能力，从而可以抵消路径增长导致的电流传输不畅的问题。第一部111的宽度可以为20μm、48μm、69μm、98μm、138μm或者209μm。
44.在一些实施例中，沿第一方向x，掺杂层103朝向电极141的侧面和相邻的电极141朝向掺杂层103的侧面之间的第一间距l大小，与电极141和导电层104接触面的宽度大小成正比。即电极141与导电层104接触面所在的宽度越大，电极141在导电层104内吸收电流所产生的旋涡的面积也就越大，掺杂层103的掺杂浓度较大，掺杂层103与旋涡所在的区域重
叠或者重叠的面积较大时，可以会影响太阳能电池的开路电压，导致电场衰退。反之，第一间距l与电极141和导电层104接触面的宽度大小成正比，当电极141和导电层104接触面的宽度较大时，第一间距l也就越大，减小旋涡与掺杂层103重叠或者重叠面积以保证开路电压处于较大的范围。
45.在一些实施例中，第一间距l小于或等于电极141与导电层104接触面的宽度的1/10，如此，可以在有限的第一区范围内，保证位于第一部111的掺杂层103的面积适当，即载流子传输路径的面积，载流子传输路径的面积越大，太阳能电池的光电转换效率越大。
46.在一些实施例中，沿第一方向x，导电层104的宽度与导电层104和电极141接触面的宽度的差值为预设值；第一部111的宽度与预设值的比值范围为0.1~0.9。沿第一方向x，电极141与导电层104的侧面齐平，以最大限度的降低导电层104的材料的浪费，但在实际的操作中，如图3所示，电极141与导电层104的侧面并不会完全齐平，电极141会偏导电层104的中轴线一些，从而出现部分既不属于第一部111也不属于第二部112的区域。第一部111的宽度与预设值的比值范围可以保证电极141与导电层104的对准，不会出现偏移的问题。
47.在一些实施例中，掺杂层103的掺杂浓度为1e
20
~5e
21
cm-3
，掺杂层103的掺杂浓度还可以为3e
20
~5e
21
cm-3
、1e
20
~1e
21
cm-3
、8e
20
~5e
21
cm-3
或者3e
20
~3e
21
cm-3
。掺杂层103的掺杂浓度可以为1.5e
20
cm-3
、3.8e
20
cm-3
、8.3e
21
cm-3
、3e
21
cm-3
或者5e
21
cm-3
。此浓度范围可以保证掺杂层103的掺杂浓度既大于基底100的掺杂浓度又大于导电层104的掺杂浓度，不会导致基底100的掺杂浓度过大引起的基底禁带宽度收缩的问题，保证开路电压的稳定性。掺杂层103的掺杂浓度大于基底100的掺杂浓度时，掺杂层103与基底100之间形成高低结，从而在掺杂层103与基底100之间构成内建电场，较高掺杂的掺杂层103表面形成正空间电荷，较低掺杂的基底100表面构成负空间电荷，使基底100内的多数载流子容易漂移至高掺杂的掺杂层103，有利于提升电池的输出电流。同时由于内建电场的存在，基底100与掺杂层103之间存在势垒，从而阻挡高掺杂的多数载流子往低掺杂的基底100漂移。
48.在一些实施例中，掺杂层103的掺杂浓度大于导电层104的掺杂浓度时，掺杂层103的掺杂元素迁移至隧穿介质层107以及导电层104，建立一个载流子的传输通道，提升载流子的传输速率。当掺杂层103的掺杂浓度为1e
20
~5e
21
cm-3
时，导电层104的掺杂浓度范围为5e
19
~1e
21 cm-3
。例如，掺杂层103的掺杂浓度为3e
20
~5e
21
cm-3
时，导电层104的掺杂浓度范围为8e
19
~8e
20 cm-3
；掺杂层103的掺杂浓度为1e
20
~2e
21
cm-3
时，导电层104的掺杂浓度范围为5e
19
~4e
20 cm-3
。
49.在一些实施例中，掺杂层103的材料与基底100的材料相同时，掺杂层103与基底100可以视为同一层原始基底，掺杂层103位于原始基底邻近第一表面101的区域内，掺杂层103的材料与基底100的材料相同，可以避免由于不同材料的电导率对光生载流子的消耗，掺杂层103与基底100之间不具有界面态缺陷，从而导致部分载流子复合，降低电池效率。
50.在一些实施例中，导电层104的导电类型与基底100的导电类型相同；太阳能电池还包括：隧穿介质层107，隧穿介质层107位于基底100与导电层104之间，且位于掺杂层103与导电层104之间。太阳能电池通过该隧穿介质层107以及导电层104形成钝化接触结构，则太阳能电池为隧穿氧化层钝化接触电池（tunnel oxide passivated contact，topcon），可以包括双面隧穿氧化层钝化接触电池（第一表面以及第二表面均具有隧穿介质层以及导电层）或单面隧穿氧化层钝化接触电池（第一表面或第二表面具有隧穿介质层以及导电层）。
示例性地，太阳能电池为单面隧穿氧化层钝化接触电池，且太阳能电池的背光面（第一表面101）具有隧穿氧化层钝化层。
51.在一些实施例中，隧穿介质层107的材料可以包括但不限于氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、本征非晶硅和本征多晶硅等具有隧穿作用的电介质材料。隧穿介质层107的厚度可以为0.5nm~2.5nm，可选地，隧穿介质层107的厚度为0.5nm~2nm，优选地，隧穿介质层107的厚度为0.5nm~1.2nm。导电层104的材料可以为多晶半导体、非晶半导体或微晶半导体的至少一种，优选地，导电层104的材料包括多晶硅、非晶硅或微晶硅中的至少一种。导电层104的厚度范围为40nm~150nm，可选地，导电层104的厚度范围为60nm~90nm，导电层104的厚度范围可以保证导电层104的光学损失较小以及隧穿介质层107的界面钝化效果较好，从而提升电池效率。示例性地，本技术实施例中导电层104的材料为多晶硅，导电层104的厚度为80nm。
52.图5为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第二种局部剖面结构示意图。
53.如图5所示，在一些实施例中，第一区110还具有由于导电层104扩散至基底100表面而形成的掺杂部106，掺杂部106的掺杂浓度大于基底100的掺杂浓度，有利于提高载流子的运输效率，有利于提高开路电压以及电流的传输效率，从而有利于提升太阳能电池的光电转换效率。掺杂部106的掺杂浓度为2e
20
cm-3
~2e
21
cm-3
。掺杂部106的掺杂浓度还可以为2e
20
~1e
21
cm-3
、5e
20
~2e
21
cm-3
、3.8e
20
~1e
21
cm-3
或者2e
20
~9e
20
cm-3
。掺杂部106的掺杂浓度可以为2e
20
cm-3
、4.8e
20
cm-3
、6.3e
20
cm-3
、9.8e
20
cm-3
或者2e
21
cm-3
。
54.在一些实施例中，掺杂部106也是扩散层，可以通过单独的扩散工艺（在掺杂部106表面直接掺杂）形成，也可以在形成导电层104或者掺杂层103时的扩散工艺的掺杂元素穿透到基底形成部分高于基底100掺杂浓度的掺杂部，也可以是两者的结合形成的。
55.图6为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第三种局部剖面结构示意图。
56.如图6所示，在一些实施例中，隧穿介质层107内具有重掺杂部121，重掺杂部121与第一部111正对。重掺杂部121是由于掺杂层103扩散至隧穿介质层107内形成的区域重掺杂区，重掺杂部121的掺杂浓度大于隧穿介质层107中除重掺杂部121以外的掺杂浓度，提升载流子从基底100到掺杂层103、再到重掺杂部121，直至被电极141的路径吸收的运输效率，有利于提高开路电压以及电流的传输效率，从而有利于提升太阳能电池的光电转换效率。例如掺杂元素为磷元素，隧穿介质层107中磷元素含量增加，由于磷元素再次扩散到隧穿介质层107中，使得隧穿介质层107阻挡多数载流子的能力下降，增强了多数载流子电流的传输能力。
57.图7为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第四种局部剖面结构示意图；图8为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一纹理结构的第一种结构示意图；图9为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一纹理结构的第二种结构示意图；图10为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第二纹理结构的第一种结构示意图；图11为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第二纹理结构的第二种结构示意图；图12为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一表面的扫描电镜图。
58.如图7至图12所示，在一些实施例中，沿垂直于基底100表面的方向，第二区120远离基底100的顶面低于第一区110的顶面。通过对第一区110的顶面与第二区120顶面的高度差的设计使第一区110作为电极141对准的基础，且高度差的侧壁可以增加第一表面101的
反射面，从而提升太阳能电池背面的光学内反射效果。其中，第一区110的顶面指的是第一纹理结构的底面或者第一纹理结构与基底100相接触的表面，第二区120的顶面指的是第二纹理结构的底面或者第二纹理结构与基底100相接触的表面。
59.在一些实施例中，第一区110的顶面与第二区120的顶面的高度差h范围为1μm~20μm，优选地，高度差h范围为1μm~10μm、1μm~15μm、5μm~20μm或者5μm~15μm。如此，高度差h范围，一方面可以作为光学识别第一区110以及第二区120和电极141对准的基础，且高度差的侧壁可以增加第一表面101的反射面，从而提升太阳能电池背面的光学内反射效果；但高度差较大，一方面使电池整体的厚度整体增加，不利于提升太阳能电池的集成度；或者第二区120的抛光度过大，太阳能电池的基底100的厚度太薄，有可能使载流子发生隧穿效应，从第一表面101迁移到第二表面102。
60.在一些实施例中，第二区120包括两个第一子区131以及位于第一子区131之间的第二子区132，第一子区131的延伸方向与第一方向x相交，第二子区132的延伸方向与第一方向x平行，第一子区131位于第一区110与第二子区132之间。即第二区120可以视为以第一区110的表面作为基准面，朝向基底100的第二表面凹陷的凹槽或者沟槽，包括内壁面（第一子区131）以及底部（第二子区132），如此，增加的第一子区131增加了基底100的表面积，形成在基底100表面的钝化膜的面积更大，钝化膜的钝化效果更好。进一步地，第一子区131的延伸方向与第一方向x之间的夹角a为锐角或者钝角。即第一子区131的表面相对第二子区132的表面为斜面，斜面或者凹槽可以促使形成在第二区120上的钝化层105的致密性较好，提升钝化效果，且斜面增加光的内反射，提升电池效率。
61.在一些实施例中，第一区110具有第一纹理结构，第一纹理结构为绒面结构，绒面结构的斜面可以增加入射光的内反射，从而使入射光在绒面结构中多次反射最终被基底所吸收，提升光电转换效率。第一纹理结构可以为任意与平整面不同的形貌结构，例如由多个凹槽组成的纹理结构、由多个凸起组成的结构或者凹槽与凸起共同组成的纹理结构。
62.在一些实施例中，第一纹理结构至少包括一个第一凸起结构123，沿垂直于第一表面101的方向，第一凸起结构123远离第一表面101的顶面与靠近第一表面101的底面的第一厚度h1大于等于2μm。第一凸起结构123的高度较高，一方面，在固定的底面积（第一凸起结构123与基底100的第一表面101相接触的面积）下，高度的增加可以增加斜面面积，电极141与导电层104之间的接触面积同样增加；斜面面积的增加同样可以增加入射光的内反射率，降低光学损失，提升光电转换效率。
63.在一些实施例中，第一凸起结构123指的是具有多边形顶面的平台凸起结构，也可以视为金字塔结构的顶部被削掉部分厚度，从而形成的多边形顶面的平台凸起结构。可以理解的是，金字塔结构的顶部削掉的方向与基底表面相平行或者不平行均可以形成第一凸起结构123。平台凸起结构与常规设计中的金字塔结构或者背面为抛光面形貌，顶面的面积比金字塔结构的顶部面积大，利于后续形成的膜层的沉积，提升钝化效果；平台凸起结构较抛光面形貌，通过斜面增加光的内反射率，且降低基底与电极的接触电阻，提升电池效率。平台凸起结构的侧面与基底表面形成夹角，入射光可以从任一个平台凸起结构反射到另一个平台凸起结构，从而由平台凸起结构形成的绒面的减反效果较好，即减少光的反射率，提高短路电流isc，从而提高电池的光电转换效率；平台凸起结构的顶面为多边形平面，易于后续膜层的沉积，从而使后续形成的膜层的缺陷较少，从而提高太阳能电池的钝化效果。在
一些实施例中，第一凸起结构123包括类平台凸起结构或者其它具有斜面以及顶面的凸起结构。其中，多边形平面可以为四边形平面、五边形平面或者任意形状的平面，且多边形平面可以为规则形状的平面或者不规则形状的平面。
64.在一些实施例中，第一凸起结构123的顶面平均一维尺寸w1指的是，在第一区110的范围内，随意指定某一区域，检测这一区域内各个第一凸起结构123的顶面一维尺寸，最终取平均值。由此可以知道的是，第一凸起结构123的顶面平均一维尺寸w1指的是一个区域平均值的范围，并不是第一区110内所有第一凸起结构123的顶面一维尺寸的所有范围，且第一区110内所有第一凸起结构的顶面一维尺寸的所有范围一般大于平均值的范围。为示例说明，图8和图9中各第一凸起结构123的形貌相同，一维尺寸等于平均一维尺寸w1。
65.值得说明的是，一维尺寸指的是，如图12所示，第一凸起结构123的顶面图形中两个对角之间的距离。在一些实施例中，一维尺寸也可以为顶面图形两个侧边之间的距离。
66.在一些实施例中，第一凸起结构123的顶面平均一维尺寸w1范围为0.5μm~20μm，优选地，w1范围为5μm~20μm、0.5μm~15μm、1μm~18μm或者10μm~20μm。例如，w1可以为1μm、3.8μm、7.3μm、10.6μm或者15μm。
67.如图9所示，在一些实施例中，第一纹理结构的表面具有第三纹理结构，第三纹理结构包括至少一个第三凸起结构124，第三凸起结构124位于第一凸起结构123表面。第三凸起结构124的形貌可以为金字塔结构、类金字塔结构、平台凸起结构或者其他具有斜面的凸起结构。第三凸起结构124可以由激光技术在第一纹理结构表面制备而得，增加了第一纹理结构的复合中心以及粗糙度，从而使位于其上的导电层104与电极141之间的接触面更多，降低电极141与导电层104之间的接触电阻以提升电池效率。
68.在一些实施例中，一个第一凸起结构123的表面堆叠至少两个第三凸起结构124，增加第一区110与电极141的接触面积，进一步增加第一区110的粗糙度，以提升电池效率。进一步地，第一凸起结构123的顶面平均一维尺寸w1大于第三凸起结构124的顶面平均一维尺寸w3。
69.在一些实施例中，第三凸起结构124的顶面与底面之间的高度h3小于或等于2μm；第三凸起结构124的顶面平均一维尺寸w3范围为0.01μm ~5μm，优选地，第三凸起结构124的顶面平均一维尺寸w3为0.01μm~3μm、0.1μm~5μm、0.1μm~4μm或者0.01μm~3μm。例如，第三凸起结构124的顶面平均一维尺寸w3为0.02μm、0.13μm、0.59μm、1.3μm或者5μm。第三凸起结构124的底面平均一维尺寸范围为5μm ~60μm，优选地，第三凸起结构124的底面平均一维尺寸范围为5μm~55μm、10μm~60μm、30μm~40μm或者30μm~60μm。例如，第三凸起结构124的底面平均一维尺寸范围为5μm、18μm、31μm、43μm或者52μm。
70.在一些实施例中，如图10和图11所示，第二区120具有第二纹理结构，第二纹理结构至少包括一个第二凸起结构125，第二凸起结构125的顶面平均一维尺寸w2范围为5μm ~50μm，优选地，w2范围为20μm~50μm、5μm~40μm、10μm~40μm或者30μm~50μm。例如，w2可以为6μm、13.8μm、27.6μm、30.9μm或者45μm。
71.第二凸起结构125的设置构思与第一凸起结构123的设置构思相同或相似，即第二凸起结构125为多边形顶面的平台凸起结构。在一些实施例中，第二凸起结构还包括类平台凸起结构或者其它具有斜面以及顶面的凸起结构。
72.在一些实施例中，第二凸起结构125的顶面平均一维尺寸w2的定义与第一凸起结
构123的顶面平均一维尺寸w1的定义相同或相似，在这里不过多赘述。
73.在一些实施例中，第二凸起结构125的表面具有第四纹理结构，第四纹理结构包括至少一个第四凸起结构126，第四凸起结构126位于第二凸起结构125表面。第四凸起结构126的形貌可以为金字塔结构、类金字塔结构、平台凸起结构或者其他具有斜面的凸起结构。第四凸起结构126可以由激光技术在第二纹理结构表面制备而得，增加了第二纹理结构的粗糙度，增加第二区120的内反射率，以提升电池效率。
74.在一些实施例中，一个第二凸起结构125的表面堆叠至少两个第四凸起结构126，增加第二区120的内反射率。第二凸起结构125的顶面平均一维尺寸w2大于第四凸起结构126的顶面平均一维尺寸。
75.在一些实施例中，第四凸起结构126的顶面与底面之间的高度小于或等于2μm；第四凸起结构126的顶面平均一维尺寸范围为0.01μm ~5μm，优选地，第四凸起结构126的顶面平均一维尺寸为0.01μm~3μm、0.1μm~5μm、0.1μm~4μm或者0.01μm~3μm。例如，第四凸起结构126的顶面平均一维尺寸为0.02μm、0.13μm、0.59μm、1.3μm或者5μm。
76.在一些实施例中，沿垂直于第一表面101的方向，第一凸起结构123远离基底100的顶面与底面之间的第一厚度h1（参考图8），大于，第二凸起结构125远离基底100的顶面与底面之间的第二厚度h2（参考图10）。第一区110的第一纹理结构的粗糙度大于第二区120的第二纹理结构的粗糙度。值得说明的是，第一凸起结构123与基底100接触的底面的平均一维尺寸等于第二凸起结构125与基底100接触的底面的平均一维尺寸，第一凸起结构123与第二凸起结构125可以由同一初始纹理结构制备而来，且第一凸起结构123的抛光程度弱于第二凸起结构125的抛光程度。
77.在一些实施例中，第一凸起结构123的顶面一维尺寸小于第二凸起结构125的顶面一维尺寸，两者在光学识别上具有差别，由此可以通过差别实现电极141的自对准，避免电极141发生偏移，进而可以避免后续焊带的偏移，提升电池性能。
78.在一些实施例中，单位面积内，第一凸起结构123的数量大于等于第二凸起结构125的数量。由于第二区120的抛光程度大于第一区110的抛光程度，部分位于第二区120的初始纹理结构被刻蚀掉，因此，第二凸起结构125的数量小于第一凸起结构123的数量。
79.图13为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第五种局部剖面结构示意图；图14为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一区的第三种示例；图15为本技术一些实施例提供的太阳能电池中第一区的第四种示例。
80.在一些实施例中，参考图13~图15，第一区110包括两个第一部111，第二部112位于相邻的第一部111之间。电极141位于第一区110的中心区域（轴线所在的区域），电极141与导电层104之间可以完全对准，可以避免电极141出现偏移导致的电学损失。此外，两个第一部意味着可以在两个第一部111设置两个掺杂层103，建立两个载流子的传输通道，减少了并未位于掺杂层103附近的载流子的传输路径，减少电学损失，从而提升电池效率。
81.在一些实施例中，沿第一方向x，两个第一部111的宽度相等。一方面，位于两个第一部111上的掺杂层103的大小可以设置相同，制备掺杂层103的工艺步骤由此可以简单化；可以在电极141两侧的基底内建立两个载流子的传输通道，减少了位于第二区120以及第二部112之间的载流子的传输路径，减少电学损失，从而提升电池效率。
82.可以理解的是，上述“两个第一部的宽度相等”中的“相等”指的是实质相等，实质
相等包括完全相等以及上下波动（即偏差）20%范围内。
83.在一些实施例中，当第一表面101为背光面，钝化层105可以视为后钝化层。钝化层105可以为单层结构或叠层结构，钝化层105的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化钛、氧化铪或氧化铝等材料中的一种或多种。
84.在一些实施例中，钝化层105包括氧化铝层、氧化硅层、氮化硅层或者氮氧化硅层的至少一者。太阳能电池还包括层叠在钝化层105表面的减反射层122（参考图7），减反射层122（参考图7）的材料包括氮化硅或者氮氧化硅。利用氮化硅或者氮氧化硅的高折射率减小入射光的反射。
85.电极141沿第二方向延伸，电极141为太阳能电池的栅线，用于收集并汇总太阳能电池的电流。电极141可以由烧穿型浆料烧结而成。电极141的材料可以为铝、银、金、镍、钼或铜的一种或多种。在一些情况下，电极141是指细栅线或指状栅线，以区别于主栅线或者汇流条。电极141为背面电极或者下电极。电极141为正电极或者负电极的一者。
86.在一些实施例中，太阳能电池还包括：第一钝化层109，第一钝化层109位于发射极108远离基底100的表面，当第二表面102为受光面，第一钝化层109视为前钝化层；多个间隔设置的第一电极142，且第一电极142贯穿第一钝化层109且与发射极108接触。
87.在一些实施例中，第一钝化层109可以为单层结构或叠层结构，第一钝化层109的材料可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳氮氧化硅、氧化钛、氧化铪或氧化铝等材料中的一种或多种。
88.第一电极142可以由烧穿型浆料烧结而成。第一电极142与发射极108的接触可以为局域接触或完全接触。第一电极142的材料可以为铝、银、镍、金、钼或铜的一种或多种。在一些实施例中，第一电极142为上电极或正面电极，第一电极142为正电极或负电极的另一者。在一些情况下，第一电极142是指细栅线或指状栅线，以区别于主栅线或者汇流条。
89.此外，第一方向x与第二方向可以互相垂直，也可以存在小于90度的夹角，例如，60度、45度、30度等，第一方向x与第二方向不为同一方向即可。本技术实施例为了便于说明和理解，以第一方向x与第二方向互相垂直为例进行说明，在具体的应用中，可以根据实际需要和应用场景，对第一方向x和第二方向之间的夹角设置进行调整，本技术实施例对此不做限制。
90.本技术实施例提供一种太阳能电池，通过设置掺杂层103位于第一部111，且掺杂层103的掺杂浓度高于基底100的掺杂浓度，与在电极141对准的整体区域设置掺杂层，即电极141正对的区域也有掺杂层103相比，降低了第二部112的饱和电流密度，从而提升开路电压；高浓度的掺杂层103可以增强从基底100体内收集电流的能力，从而可以抵消路径增长导致的电流传输不畅的问题。
91.图16为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第六种局部剖面结构示意图；上述一些实施例是以掺杂层位于第一表面内进行说明，本技术一些实施例还提供一种掺杂层位于第二表面内的太阳能电池，以下将参考图16做详细说明，其中与上述实施例相同的元件在这里不再过多赘述。
92.参考图16，太阳能电池包括：基底200，基底200的表面具有间隔排布的第一区210以及第二区220，至少一个第一区210包括：第一部211以及第二部212；掺杂层203，掺杂层203位于第一部211邻近基底200的第二表面202的基底200内，掺杂层203的掺杂浓度大于基
底200的掺杂浓度；导电层204，导电层204位于第一区210的表面；钝化层205，钝化层205位于导电层204与第二区220的表面；多个沿第一方向x间隔排布的电极242，电极242沿第二方向延伸，每一电极242与第二部212正对，电极242设置于导电层204远离基底200的一侧，并与导电层204电连接。
93.在一些实施例中，掺杂层203位于第二表面202内。掺杂层203作为发射极208的一部分，通过与在电极242对准的整体区域设置掺杂层，即电极242正对的区域也有掺杂层203相比，降低了第二部212的饱和电流密度，从而提升开路电压；高浓度的掺杂层203可以增强从基底200体内收集电流的能力，从而可以抵消路径增长导致的电流传输不畅的问题。
94.在一些实施例中，导电层204的材料与基底200的材料相同。导电层204位于靠近第二表面202的基底200内。导电层204为发射极208的一部分。导电层204的掺杂浓度大于发射极208的掺杂浓度，电极242所对准的区域为重掺杂区域，降低了电极242的接触电阻，发射极208的掺杂浓度较小，降低了基底的表面复合速率，提升电池效率。
95.在一些实施例中，基底200内掺杂n型掺杂元素或者p型掺杂元素的一者，导电层204内掺杂n型掺杂元素或者p型掺杂元素的另一者。导电层204作为发射极208的一部分，发射极208与基底200建立pn结，受光照时，基底200对光子的本征吸收和非本征吸收都将产生光生载流子。p区的光生电子和n区的光生空穴和结区的电子空穴对（少子）扩散到结电场附近时能在内建电场作用下漂移过结。光生电子被拉向n区，光生空穴被拉向p区，由此产生了电流。
96.在一些实施例中，如图16所示，太阳能电池的第一表面201具有隧穿介质层207，隧穿介质层207位于第一区210的第一表面201上；掺杂导电层214，掺杂导电层214位于隧穿介质层207远离第一表面201的表面上，掺杂导电层214的导电类型与基底200的导电类型相同；第二钝化层213，第二钝化层213位于掺杂导电层214以及第二区220的第一表面201；第二电极241，第二电极241贯穿第二钝化层213与掺杂导电层214接触。
97.可以理解的是，钝化层205的设置与上述实施例的第一钝化层109（参考图1）的设置相同或相似；电极242的设置与上述实施例的第一电极142（参考图1）的设置相同或相似；第二钝化层213的设置与上述实施例的钝化层105（参考图1）的设置相同或相似；第二电极241的设置与上述实施例的电极141（参考图1）的设置相同或相似；在这不过多赘述。
98.此外，上述实施例中掺杂层、第一部、第二部以及导电层等相关的设置，本技术实施例中的掺杂层、第一部、第二部以及导电层等也具有相同的设置构思，例如，第一区可以具有两个第一部。
99.图17为本技术一些实施例提供的太阳能电池的第七种局部剖面结构示意图。
100.相应地，本技术一些实施例还提供一种包括掺杂层位于第一表面内以及第二表面内的太阳能电池，以下将参考图17做详细说明，其中与上述实施例相同的元件在这里不再过多赘述。
101.参考图17，太阳能电池包括：基底300，基底300的表面具有间隔排布的第一区310以及第二区320，至少一个第一区310包括：第一部311以及第二部312；第一掺杂层303，第一掺杂层303位于第一部311邻近基底300的第一表面301的基底300内，第一掺杂层303的掺杂浓度大于基底300的掺杂浓度；第一导电层304，第一导电层304位于第一区310的表面；第三钝化层305，第三钝化层305位于第一导电层304与第二区320的表面；多个沿第一方向x间隔
排布的第三电极341，第三电极341沿第二方向延伸，每一第三电极341与第二部312正对，第三电极341设置于第一导电层304远离基底300的一侧，并与第一导电层304电连接；第二掺杂层313，第二掺杂层313位于第一部311邻近基底300的第二表面302的基底300内，第二掺杂层313的掺杂浓度大于基底300的掺杂浓度；第二导电层314，第二导电层314位于第一区310的表面；第四钝化层315，第四钝化层315位于第二导电层314与第二区320的表面；多个沿第一方向x间隔排布的第四电极342，第四电极342沿第二方向延伸，每一第四电极342与第二部312正对，第四电极342设置于第二导电层314远离基底300的一侧，并与第二导电层314电连接。
102.在一些实施例中，太阳能电池还包括掺杂部306，掺杂部306与上述实施例中的掺杂部106（参考图5）具有相同的设置，例如掺杂部306有第一导电层304扩散而形成；隧穿介质层307，隧穿介质层307位于第一表面301与第一导电层304之间，隧穿介质层307具有与上述实施例中的隧穿介质层107（参考图6）相同的设置，例如隧穿介质层307具有重掺杂部121（参考图6）。
103.可以理解的是，反射极308的设置与上述实施例的发射极108（参考图1）的设置相同或相似；第四钝化层315的设置与上述实施例的第一钝化层109（参考图1）的设置相同或相似；第四电极342的设置与上述实施例的第一电极142（参考图1）的设置相同或相似；第三钝化层305的设置与上述实施例的钝化层105（参考图1）的设置相同或相似；第三电极341的设置与上述实施例的电极141（参考图1）的设置相同或相似；在这不过多赘述。
104.此外，上述实施例中掺杂层、第一部、第二部以及导电层等相关的设置，本技术实施例中的第一掺杂层、第二掺杂部、第一部、第二部、第二导电层以及第一导电层等也具有相同的设置构思，例如，第一区可以具有两个第一部。
105.图18为本技术一些实施例提供的光伏组件的一种结构示意图。
106.相应地，本技术实施例还提供一种光伏组件，参考图18，光伏组件包括：电池串，电池串由多个上述实施例提供的太阳能电池40连接而成；封装层41，封装层41用于覆盖电池串的表面；盖板42，盖板42用于覆盖封装层41远离电池串的表面。太阳能电池40以整片或者多分片的形式电连接形成多个电池串，多个电池串以串联和/或并联的方式进行电连接。
107.具体地，在一些实施例中，多个电池串之间可以通过导电带电连接。封装层41包括第一封装层411以及第二封装层412，第一封装层411覆盖太阳能电池40的正面或者背面的其中一者，第二封装层覆盖太阳能电池40的正面或者背面的另一者，具体地，第一封装层411或第二封装层412的至少一者可以为聚乙烯醇缩丁醛（polyvinyl butyral，简称pvb）胶膜、乙烯-乙酸乙烯共聚物（eva）胶膜、聚乙烯辛烯共弹性体（poe）胶膜或者聚对苯二甲酸乙二醇酯（pet）胶膜等有机封装胶膜。在一些实施例中，盖板42可以为玻璃盖板、塑料盖板等具有透光功能的盖板。具体地，盖板42朝向封装层41的表面可以为凹凸表面，从而增加入射光线的利用率。盖板42包括第一盖板421以及第二盖板422，第一盖板421与第一封装层411相对，第二盖板422与第二封装层412相对。
108.本技术虽然以较佳实施例公开如上，但并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本技术构思的前提下，都可以做出若干可能的变动和修改，因此本技术的保护范围应当以本技术权利要求所界定的范围为准。此外，本技术说明书的实施例以及所示出的附图仅为示例说明，并非本技术权利要求所保护的全部范围。
109.本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本技术的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本技术的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本技术的精神和范围内，均可作各种改动与修改，因此本技术的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。