dlc膜的脱膜方法
技术领域
1.本发明涉及光学镀膜脱膜领域，具体涉及一种dlc膜的脱膜方法。
背景技术：
2.红外锗镜片在镀dlc膜后常出现膜层上有指纹、脏污等不良，此时需要对镜片进行脱膜处理，把已经镀上的dlc膜脱掉，再处理好镜片重新镀膜。dlc膜属于类金刚石膜有较强的硬度和耐摩擦耐腐蚀性。常用的dlc脱膜方法是使用药液浸泡，利用药液与dlc产生化学反应来去除膜层。常规的脱膜方法需要使用化学药剂对环境危害较大，偶尔还会出现脱膜不净有残留的现象。
技术实现要素：
3.鉴于现有技术中存在的问题，本公开的目的在于提供一种dlc膜的脱膜方法。
4.为了实现上述目的，本公开提供了一种dlc膜的脱膜方法，其包括：在真空环境下利用等离子体发生器对氧气和氩气混合气体进行电离，产生的氧离子和氩离子在电场的作用下加速轰击dlc膜中的碳原子，其中氧离子与碳原子发生化学反应生成二氧化碳气体，抽去反应生成的二氧化碳，经过不断的化学反应进行dlc膜脱膜。
5.在一些实施例中，所脱膜的产品为镀完dlc膜的锗镜片。
6.在一些实施例中，所述等离子体发生器为射频电源，频率为13.56mhz。
7.在一些实施例中，所述dlc膜脱膜前的条件为真空状态，真空度小于5.0
×
10-3
pa。
8.在一些实施例中，所述氧气和氩气的混合气体的氧压比例为10/1。
9.在一些实施例中，在真空环境下压力抽至小于5.0
×
10-3
pa后再通入10/1混合的氧气和氩气的混合体，使真空维持在1-10pa。
10.在一些实施例中，在真空环境下通入氧氩混合气体后打开射频电源，功率设定为600-1000w，设定时间为1200-2000s。
11.本公开的有益效果如下：
12.本公开的方法通过化学反应生成物为二氧化碳气体，不会对环境产生巨大污染，避免了化学药液污染严重的问题，同时通过化学反应不会在镜片表面产生残留物，镜片退镀效果良好。
具体实施方式
13.下面详细说明本申请的dlc膜的脱膜方法。
14.本申请公开一种dlc膜的脱膜方法，其包括：在真空环境下利用等离子体发生器对氧气和氩气混合气体进行电离，产生的氧离子和氩离子在电场的作用下加速轰击dlc膜中的碳原子，其中氧离子与碳原子发生化学反应生成二氧化碳气体，抽去反应生成的二氧化碳，经过不断的化学反应进行dlc膜脱膜。
15.在一些实施例中，所脱膜的产品为镀完dlc膜的锗镜片。
16.在一些实施例中，所述等离子体发生器为射频电源，频率为13.56mhz。
17.在一些实施例中，所述dlc膜脱膜前的条件为真空状态，真空度小于5.0
×
10-3
pa。
18.在一些实施例中，所述氧气和氩气的混合气体的氧压比例为10/1。电离后氩离子开始轰击膜层，氧离子开始和碳原子产生化学反应，生成二氧化碳气体。
19.在一些实施例中，在真空环境下压力抽至小于5.0
×
10-3
pa后再通入10/1混合的氧气和氩气的混合体，使真空维持在1-10pa。当真空低于1帕化学反应不明显退膜速度较慢，当真空大于10帕离子轰击过于强烈容易造成镜片刻蚀。
20.在一些实施例中，在真空环境下通入氧氩混合气体后打开射频电源，功率设定为600-1000w，设定时间为1200-2000s。
21.[测试]
[0022]
实施例1
[0023]
(1)将需脱膜的锗镜片放置在腔体下极板上；
[0024]
(2)将腔体抽气至5.0
×
10-3
pa压力；
[0025]
(3)将腔体通入60sccm流量的氧气和6sccm的氩气，腔体压力维持在1pa；
[0026]
(4)开启频率为13.56mhz的rf射频电源，设置电源功率600w，持续电离时间2000s；
[0027]
(5)电离结束后腔体通气取出脱膜好的镜片。
[0028]
退膜后锗镜片表面无明显残留。
[0029]
实施例2
[0030]
(1)将需脱膜的锗镜片放置在腔体下极板上；
[0031]
(2)将腔体抽气至5.0
×
10-3
pa压力；
[0032]
(3)将腔体通入80sccm流量的氧气和8sccm的氩气，腔体压力维持在4pa；
[0033]
(4)开启频率为13.56mhz的rf射频电源，设置电源功率800w，持续电离时间1600s；
[0034]
(5)电离结束后腔体通气取出脱膜好的镜片。
[0035]
退膜后锗镜片表面无明显残留。
[0036]
实施例3
[0037]
(1)将需脱膜的锗镜片放置在腔体下极板上；
[0038]
(2)将腔体抽气至5.0
×
10-3
pa压力；
[0039]
(3)将腔体通入100sccm流量的氧气和10sccm的氩气，腔体压力维持在10pa；
[0040]
(4)开启频率为13.56mhz的rf射频电源，设置电源功率800w，持续电离时间1600s；
[0041]
(5)电离结束后腔体通气取出脱膜好的镜片。
[0042]
退膜后锗镜片表面无明显残留。
[0043]
以上对本申请做了详尽的描述，其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本申请的内容并加以实施，并不能以此限制本申请的保护范围，凡根据本申请的精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本申请的包括范围内。
技术特征：
1.一种dlc膜的脱膜方法，其包括：在真空环境下利用等离子体发生器对氧气和氩气混合气体进行电离，产生的氧离子和氩离子在电场的作用下加速轰击dlc膜中的碳原子，其中氧离子与碳原子发生化学反应生成二氧化碳气体，抽去反应生成的二氧化碳，经过不断的化学反应进行dlc膜脱膜。2.根据权利要求1所述的dlc膜的脱膜方法，其特征在于，所脱膜的产品为镀完dlc膜的锗镜片。3.根据权利要求1所述的dlc膜的脱膜方法，其特征在于，所述等离子体发生器为射频电源，频率为13.56mhz。4.根据权利要求1所述的dlc膜的脱膜方法，其特征在于，所述dlc膜脱膜前的条件为真空状态，真空度小于5.0
×
10-3
pa。5.根据权利要求1所述的dlc膜的脱膜方法，其特征在于，所述氧气和氩气的混合气体的氧压比例为10/1。6.根据权利要求1所述的dlc膜的脱膜方法，其特征在于，在真空环境下压力抽至小于5.0
×
10-3
pa后再通入10/1混合的氧气和氩气的混合体，使真空维持在1-10pa。7.根据权利要求1所述的dlc膜的脱膜方法，其特征在于，在真空环境下通入氧氩混合气体后打开射频电源，功率设定为600-1000w，设定时间为1200-2000s。
技术总结
本申请公开一种DLC膜的脱膜方法，其包括：在真空环境下利用等离子体发生器对氧气和氩气混合气体进行电离，产生的氧离子和氩离子在电场的作用下加速轰击DLC膜中的碳原子，其中氧离子与碳原子发生化学反应生成二氧化碳气体，抽去反应生成的二氧化碳，经过不断的化学反应进行DLC膜脱膜。本公开的方法通过化学反应生成物为二氧化碳气体，不会对环境产生巨大污染，避免了化学药液污染严重的问题，同时通过化学反应不会在镜片表面产生残留物，镜片退镀效果良好。镀效果良好。
技术研发人员：戴辉 尹士平 刘克武 郭晨光 王奎 李长东
受保护的技术使用者：安徽光智科技有限公司
技术研发日：2022.08.29
技术公布日：2022/11/29
技术领域
1.本发明涉及光学镀膜脱膜领域，具体涉及一种dlc膜的脱膜方法。
背景技术：
2.红外锗镜片在镀dlc膜后常出现膜层上有指纹、脏污等不良，此时需要对镜片进行脱膜处理，把已经镀上的dlc膜脱掉，再处理好镜片重新镀膜。dlc膜属于类金刚石膜有较强的硬度和耐摩擦耐腐蚀性。常用的dlc脱膜方法是使用药液浸泡，利用药液与dlc产生化学反应来去除膜层。常规的脱膜方法需要使用化学药剂对环境危害较大，偶尔还会出现脱膜不净有残留的现象。
技术实现要素：
3.鉴于现有技术中存在的问题，本公开的目的在于提供一种dlc膜的脱膜方法。
4.为了实现上述目的，本公开提供了一种dlc膜的脱膜方法，其包括：在真空环境下利用等离子体发生器对氧气和氩气混合气体进行电离，产生的氧离子和氩离子在电场的作用下加速轰击dlc膜中的碳原子，其中氧离子与碳原子发生化学反应生成二氧化碳气体，抽去反应生成的二氧化碳，经过不断的化学反应进行dlc膜脱膜。
5.在一些实施例中，所脱膜的产品为镀完dlc膜的锗镜片。
6.在一些实施例中，所述等离子体发生器为射频电源，频率为13.56mhz。
7.在一些实施例中，所述dlc膜脱膜前的条件为真空状态，真空度小于5.0
×
10-3
pa。
8.在一些实施例中，所述氧气和氩气的混合气体的氧压比例为10/1。
9.在一些实施例中，在真空环境下压力抽至小于5.0
×
10-3
pa后再通入10/1混合的氧气和氩气的混合体，使真空维持在1-10pa。
10.在一些实施例中，在真空环境下通入氧氩混合气体后打开射频电源，功率设定为600-1000w，设定时间为1200-2000s。
11.本公开的有益效果如下：
12.本公开的方法通过化学反应生成物为二氧化碳气体，不会对环境产生巨大污染，避免了化学药液污染严重的问题，同时通过化学反应不会在镜片表面产生残留物，镜片退镀效果良好。
具体实施方式
13.下面详细说明本申请的dlc膜的脱膜方法。
14.本申请公开一种dlc膜的脱膜方法，其包括：在真空环境下利用等离子体发生器对氧气和氩气混合气体进行电离，产生的氧离子和氩离子在电场的作用下加速轰击dlc膜中的碳原子，其中氧离子与碳原子发生化学反应生成二氧化碳气体，抽去反应生成的二氧化碳，经过不断的化学反应进行dlc膜脱膜。
15.在一些实施例中，所脱膜的产品为镀完dlc膜的锗镜片。
16.在一些实施例中，所述等离子体发生器为射频电源，频率为13.56mhz。
17.在一些实施例中，所述dlc膜脱膜前的条件为真空状态，真空度小于5.0
×
10-3
pa。
18.在一些实施例中，所述氧气和氩气的混合气体的氧压比例为10/1。电离后氩离子开始轰击膜层，氧离子开始和碳原子产生化学反应，生成二氧化碳气体。
19.在一些实施例中，在真空环境下压力抽至小于5.0
×
10-3
pa后再通入10/1混合的氧气和氩气的混合体，使真空维持在1-10pa。当真空低于1帕化学反应不明显退膜速度较慢，当真空大于10帕离子轰击过于强烈容易造成镜片刻蚀。
20.在一些实施例中，在真空环境下通入氧氩混合气体后打开射频电源，功率设定为600-1000w，设定时间为1200-2000s。
21.[测试]
[0022]
实施例1
[0023]
(1)将需脱膜的锗镜片放置在腔体下极板上；
[0024]
(2)将腔体抽气至5.0
×
10-3
pa压力；
[0025]
(3)将腔体通入60sccm流量的氧气和6sccm的氩气，腔体压力维持在1pa；
[0026]
(4)开启频率为13.56mhz的rf射频电源，设置电源功率600w，持续电离时间2000s；
[0027]
(5)电离结束后腔体通气取出脱膜好的镜片。
[0028]
退膜后锗镜片表面无明显残留。
[0029]
实施例2
[0030]
(1)将需脱膜的锗镜片放置在腔体下极板上；
[0031]
(2)将腔体抽气至5.0
×
10-3
pa压力；
[0032]
(3)将腔体通入80sccm流量的氧气和8sccm的氩气，腔体压力维持在4pa；
[0033]
(4)开启频率为13.56mhz的rf射频电源，设置电源功率800w，持续电离时间1600s；
[0034]
(5)电离结束后腔体通气取出脱膜好的镜片。
[0035]
退膜后锗镜片表面无明显残留。
[0036]
实施例3
[0037]
(1)将需脱膜的锗镜片放置在腔体下极板上；
[0038]
(2)将腔体抽气至5.0
×
10-3
pa压力；
[0039]
(3)将腔体通入100sccm流量的氧气和10sccm的氩气，腔体压力维持在10pa；
[0040]
(4)开启频率为13.56mhz的rf射频电源，设置电源功率800w，持续电离时间1600s；
[0041]
(5)电离结束后腔体通气取出脱膜好的镜片。
[0042]
退膜后锗镜片表面无明显残留。
[0043]
以上对本申请做了详尽的描述，其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本申请的内容并加以实施，并不能以此限制本申请的保护范围，凡根据本申请的精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本申请的包括范围内。
技术特征：
1.一种dlc膜的脱膜方法，其包括：在真空环境下利用等离子体发生器对氧气和氩气混合气体进行电离，产生的氧离子和氩离子在电场的作用下加速轰击dlc膜中的碳原子，其中氧离子与碳原子发生化学反应生成二氧化碳气体，抽去反应生成的二氧化碳，经过不断的化学反应进行dlc膜脱膜。2.根据权利要求1所述的dlc膜的脱膜方法，其特征在于，所脱膜的产品为镀完dlc膜的锗镜片。3.根据权利要求1所述的dlc膜的脱膜方法，其特征在于，所述等离子体发生器为射频电源，频率为13.56mhz。4.根据权利要求1所述的dlc膜的脱膜方法，其特征在于，所述dlc膜脱膜前的条件为真空状态，真空度小于5.0
×
10-3
pa。5.根据权利要求1所述的dlc膜的脱膜方法，其特征在于，所述氧气和氩气的混合气体的氧压比例为10/1。6.根据权利要求1所述的dlc膜的脱膜方法，其特征在于，在真空环境下压力抽至小于5.0
×
10-3
pa后再通入10/1混合的氧气和氩气的混合体，使真空维持在1-10pa。7.根据权利要求1所述的dlc膜的脱膜方法，其特征在于，在真空环境下通入氧氩混合气体后打开射频电源，功率设定为600-1000w，设定时间为1200-2000s。
技术总结
本申请公开一种DLC膜的脱膜方法，其包括：在真空环境下利用等离子体发生器对氧气和氩气混合气体进行电离，产生的氧离子和氩离子在电场的作用下加速轰击DLC膜中的碳原子，其中氧离子与碳原子发生化学反应生成二氧化碳气体，抽去反应生成的二氧化碳，经过不断的化学反应进行DLC膜脱膜。本公开的方法通过化学反应生成物为二氧化碳气体，不会对环境产生巨大污染，避免了化学药液污染严重的问题，同时通过化学反应不会在镜片表面产生残留物，镜片退镀效果良好。镀效果良好。
技术研发人员：戴辉 尹士平 刘克武 郭晨光 王奎 李长东
受保护的技术使用者：安徽光智科技有限公司
技术研发日：2022.08.29
技术公布日：2022/11/29
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