一种倾斜微纳结构的制备方法

技术特征：
1.一种倾斜微纳结构的制备方法，其特征在于：其包括如下步骤：步骤s1，在基底上制备待刻蚀材料膜层；步骤s2，在待刻蚀材料膜层上制备图案化掩模层；步骤s3，将步骤s2制备了图案化掩模层的样品放在槽型载件的斜面上，将槽型载件放置于干法刻蚀机台腔体的下电极上，斜面朝上，进行刻蚀；所述槽型载件内，斜面与水平面的夹角为5
°‑
70
°
，所述槽型载件的开口上覆盖隔离网；步骤s4，移除残余的掩模层。2.根据权利要求1所述的倾斜微纳结构的制备方法，其特征在于： 步骤s3在刻蚀过程中，通入氩气，所述氩气的流量为1sccm-40sccm。3.根据权利要求2所述的倾斜微纳结构的制备方法，其特征在于：步骤s3中，所述干法刻蚀机台的射频源功率为50 w-400w。4.根据权利要求1所述的倾斜微纳结构的制备方法，其特征在于：所述斜面与水平面的夹角为5
°‑
70
°
。5.根据权利要求1~4任意一项所述的倾斜微纳结构的制备方法，其特征在于：所述干法刻蚀机台为感应耦合等离子体刻蚀设备或反应离子刻蚀设备。6.根据权利要求5所述的倾斜微纳结构的制备方法，其特征在于：所述刻蚀材料膜层采用电子束蒸镀、化学气相沉积或旋涂的方法制备获得。7.根据权利要求6所述的倾斜微纳结构的制备方法，其特征在于：所述图案化掩模层包含光刻胶掩膜膜层或硬掩模膜层。

技术总结
本发明提供了一种倾斜微纳结构的制备方法，其包括如下步骤：步骤S1，在基底上制备待刻蚀材料膜层；步骤S2，在待刻蚀材料膜层上制备图案化掩模层；步骤S3，将步骤S2制备了图案化掩模层的样品放在槽型载件的斜面上，将槽型载件放置于干法刻蚀机台腔体的下电极上，斜面朝上，进行刻蚀；所述槽型载件内，斜面与水平面的夹角为5


技术研发人员：肖淑敏 刘怡麟 王雨杰 宋清海
受保护的技术使用者：哈尔滨工业大学（深圳）
技术研发日：2022.08.16
技术公布日：2022/11/29