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一种葱兰鳞茎袋内扦插快繁及促成栽培方法

2022-11-23 14:16:35 来源:中国专利 TAG:


1.本发明涉及葱兰栽培技术领域,具体涉及一种葱兰鳞茎袋内扦插快繁及促成栽培方法。


背景技术:

2.葱兰(zephyranthes candida)别称葱莲、玉帘、白花菖蒲连、韭菜莲、肝风草。原产于南美洲,是石蒜科(amaryllidaceae)葱莲属(zephyranthes)多年生球根草本花卉,其鳞茎均呈卵状,叶数枚,线形,簇生,花茎纤细,中空,花单生于花茎顶端,呈漏斗状,花被片6,花柱细长。葱兰因花大、花期长、分布广泛、栽培管理简单粗放,极具园林应用价值,常作林下地被、盆栽花卉、花坛缘栽材料等。近年来,葱兰的市场需求量不断增加,种植面积不断扩大,但生产上并没有一套快速扩繁的方法。对于球根花卉而言,人工繁殖法被长期用来加快种球的无性繁殖生产,以解决自然分生较慢的问题。葱兰的繁殖方法主要有分株繁殖、播种繁殖、组织培养等,分株繁殖系数非常低,而且长期进行分株繁殖容易导致病毒积累、品种退化和分瓣现象的增加。播种繁殖成球周期长,后代易发生变异,发芽不整齐,且实生苗生长发育周期长,故主要用于育种。组织培养虽然繁殖系数大、周期短,但成本较高,而鳞片扦插繁殖方法简单、繁殖系数大、开花快,是葱兰、韭兰最应开发利用的繁殖方法。
3.目前,关于葱兰的具体繁殖方法,如《熊琴,付素静,鲁万贵.葱兰愈伤组织诱导及植株再生[j].北方农业学报,2019,47(05):82-85.》所公开的以葱兰种子作为外植体进行组织培养的方法,其研究结果表明,低浓度的2,4-d单独使用对葱兰种子愈伤组织的诱导效果不明显,ms 2,4-d(0.2mg/l)处理葱兰种子愈伤组织诱导率仅为3.3%;复合使用6-ba后,葱兰种子愈伤组织和丛生芽的诱导率明显增加,ms 2,4-d(0.4mg/l) 6-ba(0.2mg/l)处理葱兰种子愈伤组织诱导率为90.0%,ms 6-ba(1.0mg/l) naa(1.0mg/l)处理葱兰丛生芽诱导率为66.7%,由此说明,该方法中用于诱导葱兰种子愈伤组织的最佳培养基是ms 2,4-d(0.4mg/l) 6-ba(0.2mg/l),诱导葱兰丛生芽的最佳培养基是ms 6-ba(1.0mg/l) naa(1.0mg/l)。该方法采用组织培养方式繁殖,具有成本高、速度慢以及需要专业组织培养实验室等缺点。
[0004]
又如《邓祖丽颖,袁秀云.葱兰的离体培养及再生体系研究[j].中国农学通报,2013,29(13):140-144.》所公开的利用葱兰叶片、鳞叶和顶芽作为外植体进行愈伤组织和植株再生体系研究方法,其研究结果表明,顶芽为最适外植体;丛生芽诱导和增殖的最适培养基为ms tdz(0.5mg/l) naa(0.1mg/l),其次是ms 6-ba(0.5mg/l) naa(0.1mg/l);生根培养基为1/2ms iba(0.5mg/l),生根率为100%,为葱兰的工厂化生产提供技术参考。该方法采用组织培养方式进行繁殖,具有顶芽外植体不易获得、顶芽数量少、繁殖周期长、需要专业组织培养实验室等缺点。
[0005]
再如《刘立波,龚孝斐,罗艳.不同基质和种球特性对葱兰分株繁殖的影响[j].南方农业,2021,15(31):158-161.》所公开的采用不同基质(园土、河沙、泥炭、蛭石、珍珠岩)与不同种球特性(1茎1球、2茎1球、3茎1球、4茎1球、5茎1球)对葱兰进行分球繁殖,其研究结
果表明,不同基质对葱兰增殖与生长影响较大,河沙、蛭石等疏松基质更有利于葱兰的增殖与生长;当种球含茎数低时,其成活率较高达90%以上,随着种球含茎数的增加,其成活率逐渐下降至60%-70%,表明种球含茎数少,更有利于葱兰种植成活,种球含茎数多,更有利于葱兰增殖。该方法中,葱兰采用分株繁殖,分株繁殖具有季节性和年限性要求,通常在春季进行,2-3年分一次株,且分株繁殖系数非常低。同时,分株繁殖会使各个子球携带病害,如葱兰炭疽病、赤斑病和黄化病等,这些病害严重影响葱兰生长和开花,分株繁殖容易导致病毒积累、品种退化和分瓣现象增加,造成观赏性下降,甚至导致死亡。
[0006]
葱兰还可以采用播种繁殖(实生繁殖),但是葱兰属于石蒜属植物,石蒜属植物种子自然结实率低,种子成熟性差,从播种到成苗一般需要数月甚至1年,播种繁殖成球周期长,同时播种发芽不整齐,幼苗通常播种后3-4年以上才能开花,实生苗生长发育周期长,且会产生性状分离,后代易发生变异,具有观赏特性不稳定的缺点。
[0007]
另外,常规其他植物的扦插方法通常采用穴盘配合小拱棚进行,需要单独人员进行湿度、基质水分、温度和通风等技术环节的控制,具有环境条件控制严格、费时费工等缺点。
[0008]
目前,关于葱兰鳞茎袋内扦插快速繁殖及促成栽培的方法和相关研究尚未见报道。


技术实现要素:

[0009]
为了解决现有葱兰繁殖方法存在的繁殖成本高、繁殖系数低、繁殖周期长、分瓣现象和品质不稳定的问题以及需要较多人工和管护的问题,本发明提供一种葱兰鳞茎袋内扦插快繁及促成栽培方法。
[0010]
本发明为解决技术问题所采用的技术方案如下:
[0011]
本发明的一种葱兰鳞茎袋内扦插快繁及促成栽培方法,包括以下步骤:
[0012]
步骤一、葱兰种球选择
[0013]
选择直径大于1.5cm的葱兰种球,且无病虫害、生长健壮;
[0014]
步骤二、葱兰鳞茎选择
[0015]
去除葱兰种球最外部枯萎腐烂的鳞片,选用无受伤、无病害的外部两层鳞茎作为扦插用外植体;
[0016]
步骤三、葱兰鳞茎前处理
[0017]
将步骤二中所选的外层鳞茎用流水冲洗后,置于消毒液中进行消毒处理,再用纯净水冲洗干净后置于阴凉处阴干5天-7天,直至鳞茎外表伤口干缩、边缘稍皱,使伤口初步愈合;
[0018]
步骤四、葱兰鳞茎2分法切分
[0019]
用灭菌处理后的刀片将步骤三中处理好的葱兰鳞茎沿着竖向方向平均分为两块,每块鳞茎均带有鳞茎盘;
[0020]
步骤五、葱兰鳞茎生长调节剂处理
[0021]
将步骤四中切分好的葱兰鳞茎浸泡于生长调节剂中,取出后置于阴凉通风处阴干;
[0022]
步骤六、扦插基质选择及处理
[0023]
扦插基质选用珍珠岩与腐质土的混合物,扦插基质烘干后自然降温,并采用消毒液浇透后进行控水,直至水分不再流出后摊开阴干,扦插基质含水率控制在12
±
2%;
[0024]
步骤七、袋内扦插及管理
[0025]
10月中旬,将步骤五中处理好的葱兰鳞茎与步骤六中处理好的扦插基质充分混合,放入自封袋内,将自封袋置于阴凉处,温室温度控制在25
±
3℃;
[0026]
步骤八、葱兰扦插幼苗养护管理
[0027]
1个月后,葱兰鳞茎底部生长出多枚小种球,并生长出叶片;采用底部带排水孔的育苗盘进行育苗,栽培基质采用草炭土、珍珠岩、腐熟鹿粪的混合物,在育苗盘中先放入3cm-5cm深的栽培基质并压实,然后将葱兰幼苗连同扦插基质一起撒入并摊铺均匀,使葱兰幼苗与栽培基质充分接触,最后用剩余栽培基质填满育苗盘;使用噁霉灵3000倍液缓慢浇灌,对栽培基质进行充分杀菌;
[0028]
步骤九、葱兰扦插幼苗人工低温休眠
[0029]
于第二年4月中旬将在温室中生长6个月的葱兰幼苗连同下部球茎一同挖出,减掉上部子叶和下部根系,将处理好的葱兰球茎置于阴凉处阴干后放入自封袋内,至于4℃冰箱中冷藏促进葱兰球茎休眠,休眠至6月中旬;
[0030]
步骤十、葱兰球茎休眠解除及夏季露地移栽养护管理
[0031]
将冷藏休眠后的葱兰球茎进行露地移栽,移栽地选择地势较高处,苗床中均匀撒入氯氟
·
噻虫胺;将葱兰球茎采用0.5%多菌灵浸泡,浸泡完毕后沥干水分,置于阴凉通风处阴干;阴干后进行种植;
[0032]
步骤十一、葱兰种球露地栽培管理
[0033]
葱兰球茎露地定植后不进行浇灌,自然降雨即可满足水分需求,定期清除杂草,待葱兰长出地上部分后,确保充足光照,每两周喷施一次磷酸二氢钾1000倍液,直至当年开花后停止喷施。
[0034]
作为优选的实施方式,步骤三和步骤六中,所述消毒液采用50%百菌清可湿性粉剂800倍液。
[0035]
作为优选的实施方式,步骤四中,切分前将刀片用75%酒精浸泡10秒-15秒进行灭菌处理;每切分10片葱兰鳞茎后将刀片用75%酒精浸泡10秒-15秒进行灭菌处理。
[0036]
作为优选的实施方式,步骤五中,所述生长调节剂采用浓度150mg/l-250mg/l的abt溶液。
[0037]
作为优选的实施方式,步骤六中,所述珍珠岩与腐质土的体积比为(0.5-1.5):(0.5-1.5)。
[0038]
作为优选的实施方式,步骤六中,将扦插基质放入烘干箱中烘干,烘干温度为90℃-100℃,烘干时间为50min-65min。
[0039]
作为优选的实施方式,步骤七中,每1l扦插基质混入90块-110块切分好的葱兰鳞茎。
[0040]
作为优选的实施方式,步骤八中,所述草炭土、珍珠岩、腐熟鹿粪的体积比为(2.5-3.5):(0.5-1.5):(0.3-0.7)。
[0041]
作为优选的实施方式,步骤十中,每平方米苗床均匀撒入2.5g-3.5g氯氟
·
噻虫胺。
[0042]
作为优选的实施方式,步骤十一中,按照5.0cm
×
5.0cm的株行距进行种植,种植深度为10cm。
[0043]
本发明的有益效果是:
[0044]
本发明的一种葱兰鳞茎袋内扦插快繁及促成栽培方法,采用鳞茎2分法扦插方式可有效解决葱兰组织培养方法中外植体不易获得的缺点,解决了葱兰2-3年才能分株一次的问题;采用植物生长调节剂和扦插基质(珍珠岩:腐质土(体积比)=1:1)来解决葱兰组织培养方法中存在的成本高和需要专业组织培养实验室的缺点;采用袋内扦插方式解决常规扦插方法中需要人工随时控制温度、湿度等环境条件的问题;采用1次人工低温促成休眠与解休眠环节解决葱兰实生苗、组培苗和普通扦插苗开花周期晚的问题。
[0045]
本发明采用2分法分割葱兰外层和内层鳞片,并采用自封袋进行袋内扦插,获得的葱兰幼苗进行1次人工低温促成栽培,缩短自然休眠时间、延长幼苗生长时间,并且由原来的3年开花缩减到2年即可开花,大大缩短了葱兰的繁育周期,同时采用袋内扦插的方式可以无需调节室内温湿度、通风等环境条件,大大降低了传统扦插时管理的难度。
具体实施方式
[0046]
本发明的一种葱兰鳞茎袋内扦插快繁及促成栽培方法,具体包括以下步骤:
[0047]
步骤一、葱兰种球选择
[0048]
选择直径大于1.5cm的葱兰种球,且无病虫害、生长健壮;
[0049]
步骤二、葱兰鳞茎选择
[0050]
去除葱兰种球最外部枯萎腐烂的鳞片,选用无受伤、无病害的外部两层鳞茎作为扦插用外植体;
[0051]
步骤三、葱兰鳞茎前处理
[0052]
将步骤二中所选的外层鳞茎用流水冲洗30min后,置于消毒液(优选的,消毒液采用50%百菌清可湿性粉剂800倍液)中进行消毒处理30min,再用纯净水冲洗干净后置于阴凉处阴干5天-7天,直至鳞茎外表伤口干缩、边缘稍皱,使伤口初步愈合,防止扦插过程中病菌感染,降低腐烂率;
[0053]
步骤四、葱兰鳞茎2分法切分
[0054]
切分前将切分用的刀片用75%酒精浸泡10秒-15秒进行灭菌处理;用灭菌处理后的刀片将步骤三中处理好的葱兰鳞茎沿着葱兰鳞茎竖向方向平均分为两块,每块鳞茎均带有鳞茎盘;每切分10片葱兰鳞茎后将刀片用75%酒精浸泡10秒-15秒进行灭菌处理;
[0055]
步骤五、葱兰鳞茎生长调节剂处理
[0056]
将步骤四中切分好的葱兰鳞茎浸泡于生长调节剂(优选的,生长调节剂采用浓度150mg/l-250mg/l的abt溶液,使用无菌水配制)中,取出后置于阴凉通风处阴干24h;
[0057]
步骤六、扦插基质选择及处理
[0058]
扦插基质选用珍珠岩与腐质土的混合物,珍珠岩与腐质土的体积比优选为(0.5-1.5):(0.5-1.5);将扦插基质放入烘干箱中进行烘干后自然降温,烘干温度优选为90℃-100℃,烘干时间优选为50min-65min;扦插前采用消毒液(优选的,消毒液采用50%百菌清可湿性粉剂800倍液)浇透后进行控水,直至水分不再流出后摊开阴干24h,扦插基质含水率控制在12
±
2%左右;
[0059]
步骤七、袋内扦插及管理
[0060]
10月中旬于温室中,将步骤五中处理好的葱兰鳞茎与步骤六中处理好的扦插基质充分混合,每1l扦插基质混入90块-110块切分好的葱兰鳞茎,混合好后放入9号自封袋(尺寸为:长28cm
×
宽20cm)内,封闭好自封袋,将自封袋置于阴凉处,温室温度控制在25
±
3℃;
[0061]
步骤八、葱兰扦插幼苗养护管理
[0062]
约1个月后,葱兰鳞茎底部生长出多枚小种球,并生长出叶片;葱兰新出幼苗较细弱,因此需采用底部带排水孔的育苗盘(尺寸为:54cm
×
27cm
×
6cm)进行育苗,栽培基质采用草炭土、珍珠岩、腐熟鹿粪的混合物,草炭土、珍珠岩、腐熟鹿粪的体积比优选为(2.5-3.5):(0.5-1.5):(0.3-0.7);在育苗盘中先放入3cm-5cm深的栽培基质并压实,然后将葱兰幼苗连同扦插基质一起撒入并摊铺均匀,使葱兰幼苗与栽培基质充分接触,最后用剩余栽培基质填满育苗盘;使用噁霉灵3000倍液缓慢浇灌,对栽培基质进行充分杀菌,预防猝倒病;由于采用育苗盘种植,杂草较少,少量杂草采用人工清除即可;
[0063]
步骤九、葱兰扦插幼苗人工低温休眠
[0064]
于第二年4月中旬将在温室中生长6个月的葱兰幼苗连同下部球茎一同挖出,减掉上部子叶和下部根系,将处理好的葱兰球茎置于阴凉处阴干24h后放入自封袋内,至于4℃冰箱中冷藏促进葱兰球茎休眠,休眠60天至6月中旬;
[0065]
步骤十、葱兰球茎休眠解除及夏季露地移栽养护管理
[0066]
于6月中旬将冷藏休眠后的葱兰球茎进行露地移栽,移栽地选择地势较高处,防止积水;苗床尺寸为宽2.0m
×
高0.2m,每平方米苗床均匀撒入2.5g-3.5g氯氟
·
噻虫胺,预防蛴螬危害,苗床中土壤在种植前应去除碎石、杂草等垃圾;种植前将葱兰球茎采用0.5%多菌灵浸泡1h,浸泡完毕后沥干水分,置于阴凉通风处阴干1h,确保种球表面无水分;阴干后进行种植,按照5.0cm
×
5.0cm的株行距进行种植,种植深度为10cm;
[0067]
步骤十一、葱兰种球露地栽培管理
[0068]
葱兰球茎露地定植后不进行浇灌,自然降雨即可满足水分需求,防治葱兰球茎腐烂,只要定期清除杂草即可,待葱兰长出地上部分后,确保充足光照,每两周喷施一次磷酸二氢钾1000倍液,直至当年开花后停止喷施。
[0069]
下面将结合本发明实施例,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0070]
1材料与方法
[0071]
1.1试验时间
[0072]
2021年5月进行葱兰鳞片扦插工作,扦插1个月后对扦插鳞片进行相关数据的测定整理分析工作。
[0073]
1.2试验器材与试剂
[0074]
育苗杯、小铁锹、塑料花盆、容量瓶、烧杯、电子分析天平、塑料薄膜、高温烘干箱、喷水壶、手术剪刀、镊子、水桶、50%百菌清可湿性粉剂800倍溶液、萘乙酸(naa)、吲哚丁酸(iba)、吲乙
·
萘乙酸(abt)。
[0075]
1.3葱兰种球处理
[0076]
选取葱兰种球直径大于1.5cm的无病虫害、生长健壮的鳞茎,去除葱兰种球最外部枯萎腐烂的鳞片,选用无受伤、无病害的外部两层鳞茎作为扦插用外植体,并用流动的自来水冲洗30min后置于50%百菌清可湿性粉剂800倍液中消毒30min,然后用纯净水冲洗干净后置于阴凉处阴干5-7天,直至鳞茎外表伤口干缩、边缘稍皱,以达到伤口的初步愈合,防止扦插过程中病菌感染从而降低腐烂率。
[0077]
切分前将切分用的刀片用75%酒精浸泡10秒-15秒进行灭菌处理;用灭菌处理后的刀片将处理好的葱兰鳞茎沿着葱兰鳞茎竖向方向平均切割成二等分、三等分、四等分,每块鳞茎均带有鳞茎盘;将葱兰鳞茎切割成二等分后只取外层鳞片(最外部的两层)、中层鳞片(居中的两层)、内层鳞片(最里面的两层);每切分10片葱兰鳞茎后将刀片用75%酒精浸泡10秒-15秒进行灭菌处理后再次使用。
[0078]
1.4基质、试剂准备
[0079]
将细河沙用50%百菌清可湿性粉剂800倍溶液淘洗干净后晾干;将草炭土、腐质土、珍珠岩分别置于95℃的高温烘干箱中灭菌60min后取出自然阴干;使用无菌水配制配制150mg/l iba溶液、150mg/l naa溶液、200mg/l abt溶液备用。
[0080]
1.5试验方法
[0081]
1.5.1不同发育层鳞片
[0082]
设置3个处理,将葱兰鳞片按照着生位置划分为外层、中层、内层三个等级,每个处理分别选用5个鳞片,重复3次,共用45个鳞片;鳞茎切割方式为二等分,扦插基质为草炭土,用200mg/l abt溶液浸泡30min进行催根处理。
[0083]
1.5.2不同扦插基质
[0084]
设置3个处理,将灭菌完成后的各备用扦插基质按照珍珠岩:腐殖土(体积比)=1:1、珍珠岩:草炭土(体积比)=1:1、纯细河沙的方式进行配制,各备用扦插基质均采用50%百菌清可湿性粉剂800倍液浇透后进行控水;每个处理分别选用5个二等分鳞茎块,重复3次,共用45个鳞茎块;用200mg/l abt溶液浸泡30min进行催根处理。
[0085]
1.5.3不同植物生长调节剂
[0086]
设置3个处理,将二等分鳞茎块分别置于150mg/l iba溶液、150mg/l naa溶液、200mg/l abt溶液中浸泡30min后放置阴凉通风处阴干24h;每个处理分别选用5个鳞茎块,重复3次,共用45个鳞茎块,扦插基质为草炭土。
[0087]
1.5.4不同鳞茎切割方式
[0088]
将切分用的刀片在75%的酒精中浸泡10秒-15秒进行灭菌处理,将处理好的葱兰鳞茎用灭菌后的刀片沿着葱兰鳞茎竖向方向平均分为二等分、三等分、四等分,将鳞茎块置于200mg/l abt溶液中浸泡30min进行催根处理,之后放置阴凉通风处阴干24h;每个处理分别选用5个鳞茎块,重复3次,共用45个鳞茎块,扦插基质为草炭土。
[0089]
1.6袋内扦插、管理及数据测定
[0090]
扦插采用袋内扦插方式进行,将处理好的草炭土和处理好的鳞茎充分混合,混合好后放入9号(长28cm
×
宽20cm)自封袋内,封闭好自封袋;将自封袋放置于阴凉处,温度控制在25
±
3℃;扦插后30d,每个处理每次重复随机抽取两个鳞片或鳞茎块统计数据,统计结果用spss软件分析后,绘制三线表进行不同处理间的比较工作。测定项目包括成活数、成活率、生根数、生根率、平均根长、生叶数、生叶率、平均叶长。
[0091]
2结果与分析
[0092]
2.1不同发育层鳞片对扦插的影响
[0093]
表1不同发育层鳞片对葱兰鳞片扦插的影响
[0094][0095]
注:同列数据后不同小写字母表示差异显著性分析p<0.05。
[0096]
由表1可知,葱兰不同位置取材的鳞片,扦插的生长状况有很大的差异。外层与中、内层鳞片在成活率、生根率、生叶率、平均叶长上的差异显著,而内层与外、中层鳞片在平均根长上的差异显著。第一,在成活率方面,外层>中层>内层,对应的数值为100%>67%>50%。第二,在生根率方面的情况与成活率方面的情况完全一致。第三,在平均根长方面,外层>中层>内层,对应的数值为10.13>9.98>2.73。第四,在生叶率方面,外层>中层>内层,对应的数值为100%>50%>33%。第五,在平均叶长方面,外层>中层>内层,对应的数值为10.59>2.75>2.61。综上所述,外层鳞片在成活率、生根率、平均根长、生叶率、平均叶长上的表现最好,中层鳞片的各项表现居中,内层鳞片的各项表现最差。
[0097]
2.2不同扦插基质对扦插的影响
[0098]
表2不同扦插基质对葱兰鳞片扦插的影响
[0099][0100][0101]
注:同列数据后不同小写字母表示差异显著性分析p<0.05。
[0102]
由表2可知,葱兰鳞片在不同的扦插基质中,扦插的生长状况有很大的差异。第一,在成活率与生根率方面,三种基质的情况完全一致,数值都是100%。第二,在平均根长方面,珍珠岩:草炭土(体积比)=1:1与纯细河沙、珍珠岩:腐质土(体积比)=1:1相比差异性显著,具体为珍珠岩:腐质土(体积比)=1:1>纯细河沙>珍珠岩:草炭土(体积比)=1:1,对应的数值为12.22>12.16>5.68。第三,在生叶率方面,三种基质之间没有显著性差异,具体为珍珠岩:草炭土(体积比)=1:1>珍珠岩:腐质土(体积比)=1:1>纯细河沙,对应的数值为100%>83%>66%。第四,在平均叶长方面,纯细河沙与珍珠岩:腐质土(体积比)=1:1、珍珠岩:草炭土(体积比)=1:1的差异性显著,具体为珍珠岩:腐质土(体积比)=1:1>珍珠岩:草炭土(体积比)=1:1>纯细河沙,对应的数值为8.74>8.55>1.64。综上所述,珍珠岩:腐质土(体积比)=1:1在平均根长上的表现最好,虽然生叶率不如珍珠岩:草炭土(体积比)=1:1,但是在平均叶长上优于珍珠岩:草炭土(体积比)=1:1,而纯细河沙在平均根长、生叶率、平均叶长上的表现均不如珍珠岩:腐质土(体积比)=1:1,纯细河沙与珍珠岩:草炭土(体积比)=1:1相比,纯细河沙只有平均根长优于珍珠岩:草炭土(体积比)=1:1,而生叶率与平均叶长均不如珍珠岩:草炭土=1:1。
[0103]
2.3不同植物生长调节剂对扦插的影响
[0104]
表3不同植物生长调节剂对葱兰鳞片扦插的影响
[0105][0106]
注:同列数据后不同小写字母表示差异显著性分析p<0.05。
[0107]
由表3可知,葱兰鳞片经过不同的植物生长调节剂处理后,扦插的生长状况有很大的差异。150mg/l iba与200mg/l abt、150mg/l naa在平均根长、生叶率、平均叶长上的差异性显著。第一,在成活率与生根率方面,三种植物生长调节剂的情况完全一致,数值都是100%。第二,在平均根长方面,150mg/l iba>200mg/l abt>150mg/l naa,对应的数值为13.04>5.07>4.00。第三,在生叶率方面,150mg/l iba最高,达到了100%,而150mg/l naa与200mg/l abt相同,数值均为50%。第四,在平均叶长方面,150mg/l iba>200mg/l abt>150mg/l naa,对应的数值为10.30>3.86>3.08。综上所述,150mg/l iba在平均根长、生叶率、平均叶长上的表现最好,而150mg/l naa与200mg/l abt相比,二者在生叶率相同的基础上,200mg/labt的平均根长与平均叶长均优于150mg/l naa。
[0108]
2.4不同鳞茎切割方式对扦插的影响
[0109]
表4不同鳞茎切割方式对葱兰鳞片扦插的影响
[0110][0111]
注:同列数据后不同小写字母表示差异显著性分析p<0.05。
[0112]
由表4可知,葱兰鳞茎经过不同切割方式的处理,扦插的生长状况有很大的差异。第一,在成活率与生根率方面,三种切割方式的情况完全一致,数值都是100%。第二,在平均根长方面,三种切割方式之间没有显著性差异,具体为二等分>三等分>四等分,对应的数值为9.97>9.24>8.99。第三,在生叶率方面,四等分与二等分、三等分的差异性显著,数值为100%,二等分与三等分相等,数值均为50%。第四,在平均叶长方面,二等分与三等分、四等分的差异性显著,具体为二等分>三等分>四等分,对应的数值为11.01>3.82>3.75。综上所述,虽然四等分在生叶率方面表现最好,但是其在平均根长与平均叶长上的表现均不如二等分与三等分,与此同时,二等分与三等分相比,在生叶率相同的基础之上,二等分的平均根长与平均叶长均大于三等分。
[0113]
本发明公开了一种葱兰鳞茎袋内扦插快繁及促成栽培方法,本领域技术人员可以借鉴本文内容,适当改进工艺参数实现。特别需要指出的是,所有类似的替换和改动对本领域技术人员来说是显而易见的,它们都被视为包括在本发明。本发明的产品已经通过较佳实施例进行了描述,相关人员明显能在不脱离本发明内容、精神和范围内对本文所述的产品进行改动或适当变更与组合,来实现和应用本发明技术。
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