切割芯片接合薄膜及半导体装置的制造方法与流程

1.本发明涉及例如制造半导体装置时使用的切割芯片接合薄膜、及使用该切割芯片接合薄膜来制造半导体装置的半导体装置的制造方法。


背景技术：

2.以往，已知有半导体装置的制造中使用的切割芯片接合薄膜。这种切割芯片接合薄膜例如具备：切割带、层叠于该切割带并且与晶圆粘接的芯片接合片。切割带具有基材层和与芯片接合片接触的粘合剂层。这种切割芯片接合薄膜在半导体装置的制造中例如如下所述地使用。
3.制造半导体装置的方法通常具备：利用高集成的电子电路在晶圆的单面侧形成电路面的前工序、和从形成有电路面的晶圆切出芯片并进行组装的后工序。
4.后工序例如具有：切割工序，在晶圆上形成用于将晶圆割断为小的芯片(die)的脆弱部位；安装工序，将晶圆的与电路面处于相反侧的面贴附于芯片接合片从而将晶圆固定于切割带；扩展工序，将形成有脆弱部位的晶圆与芯片接合片一起割断从而扩大芯片彼此的间隔；拾取工序，在芯片接合片与粘合剂层间进行剥离从而将贴附有芯片接合片的状态的芯片(die)取出；芯片接合工序，将贴附有芯片接合片的状态的芯片(die)借助芯片接合片粘接于被粘物；和固化工序，对粘接于被粘物的芯片接合片进行热固化处理。半导体装置例如经过这些工序来制造。
5.在如上所述的半导体装置的制造方法中，例如在上述的拾取工序中，为了使得将芯片接合片与芯片一起剥离时的剥离性良好，已知分别规定了粘合剂层的加热前的凝胶分数和加热后的凝胶分数的切割芯片接合薄膜(例如，专利文献1)。
6.详细而言，专利文献1中记载的切割芯片接合薄膜中，粘合剂层由包含基础聚合物和热交联剂的粘合剂组合物形成，并且该粘合剂层为加热前的凝胶分数不足90重量％、且加热后的凝胶分数变化为90重量％以上的粘合剂层。
7.利用专利文献1中记载的切割芯片接合薄膜，能够容易地将芯片接合片从固化的粘合剂层剥离，能够将芯片与芯片接合片一起拾取。
8.现有技术文献
9.专利文献
10.专利文献1：日本特开2009-135377号公报


技术实现要素：

11.发明要解决的问题
12.但是，关于具有良好的拾取性的切割芯片接合薄膜，还不能说进行了充分的研究。
13.因此，本发明的课题在于，提供具有良好的拾取性的切割芯片接合薄膜。另外，本发明的课题还在于，提供能够发挥良好的拾取性的半导体装置的制造方法。
14.用于解决问题的方案
15.为了解决上述课题，本发明的切割芯片接合薄膜的特征在于，其具备：切割带，其具有基材层及重叠于该基材层的粘合剂层；以及重叠于该切割带的芯片接合片，
16.前述粘合剂层包含丙烯酸类共聚物，所述丙烯酸类共聚物在分子中作为单体单元至少具有：(甲基)丙烯酸烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元，
17.前述丙烯酸类共聚物中，前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的一部分具有自由基聚合性碳-碳双键，
18.前述丙烯酸类共聚物中，相对于前述(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份，包含前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元30摩尔份以上且60摩尔份以下，前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的50摩尔％以上且95摩尔％以下含有前述自由基聚合性碳-碳双键。
19.另外，本发明的半导体装置的制造方法具备：
20.割断工序，将形成有电路面的晶圆割断为芯片；和
21.拾取工序，将上述的切割芯片接合薄膜的贴附于前述粘合剂层的前述芯片接合片与前述芯片一起从前述粘合剂层剥离。
附图说明
22.图1为将本实施方式的切割芯片接合薄膜沿厚度方向切断的截面图。
23.图2a为示意性地示出半导体装置的制造方法中的隐形切割工序的状态的截面图。
24.图2b为示意性地示出半导体装置的制造方法中的隐形切割工序的状态的截面图。
25.图2c为示意性地示出半导体装置的制造方法中的隐形切割工序的状态的截面图。
26.图2d为示意性地示出半导体装置的制造方法中的背面研磨工序的状态的截面图。
27.图3a为示意性地示出半导体装置的制造方法中的安装工序的状态的截面图。
28.图3b为示意性地示出半导体装置的制造方法中的安装工序的状态的截面图。
29.图4a为示意性地示出半导体装置的制造方法中的低温下的扩展工序的状态的截面图。
30.图4b为示意性地示出半导体装置的制造方法中的低温下的扩展工序的状态的截面图。
31.图4c为示意性地示出半导体装置的制造方法中的低温下的扩展工序的状态的截面图。
32.图5a为示意性地示出半导体装置的制造方法中的常温下的扩展工序的状态的截面图。
33.图5b为示意性地示出半导体装置的制造方法中的常温下的扩展工序的状态的截面图。
34.图6为示意性地示出半导体装置的制造方法中的拾取工序的状态的截面图。
35.图7为示意性地示出半导体装置的制造方法中的芯片接合工序的状态的截面图。
36.图8为示意性地示出半导体装置的制造方法中的引线接合工序的状态的截面图。
37.图9为示意性地示出半导体装置的制造方法中的密封工序的状态的截面图。
38.图10为表示半导体芯片及芯片接合片翘曲的状态的一例的截面示意图。
39.附图标记说明
40.1：切割芯片接合薄膜、
41.10：芯片接合片、
42.20：切割带、
43.21：基材层、22：粘合剂层。
具体实施方式
44.以下，参照附图对本发明的切割芯片接合薄膜的一实施方式进行说明。需要说明的是，附图中的图为示意图，未必与实物中的纵横的长度比相同。
45.本实施方式的切割芯片接合薄膜1如图1所示，具备：切割带20、和层叠于该切割带20的粘合剂层22(后述)并且与半导体晶圆粘接的芯片接合片10。
46.利用本实施方式的切割芯片接合薄膜、及后述的半导体装置的制造方法，能够发挥良好的拾取性。
47.对于本实施方式的切割芯片接合薄膜1，在使用时，通过照射活性能量射线(例如紫外线)，粘合剂层22进行固化。详细而言，在半导体晶圆粘接于一个面的芯片接合片10与贴合于该芯片接合片10的另一面的粘合剂层22层叠的状态下，至少对粘合剂层22照射紫外线等。例如，从配置基材层21的一侧照射紫外线等，从而经过基材层21的紫外线等到达至粘合剂层22。通过紫外线等的照射，粘合剂层22进行固化。
48.在照射后粘合剂层22进行固化，由此能够降低粘合剂层22的粘合力，因此，能够在照射后从粘合剂层22比较容易地使芯片接合片10(粘接有半导体晶圆的状态)剥离。芯片接合片10在半导体装置的制造中粘接于电路基板或半导体芯片等被粘物。
49.《切割芯片接合薄膜的切割带》
50.上述的切割带20通常为长条片，直到使用为止以卷绕的状态保管。本实施方式的切割芯片接合薄膜1粘贴于具有比要割断处理的硅晶圆大一圈的内径的圆环状的框并切割而使用。
51.上述的切割带20具备基材层21和重叠于该基材层21的粘合剂层22。
52.本实施方式中，粘合剂层22例如包含：丙烯酸类共聚物、异氰酸酯化合物和聚合引发剂。
53.粘合剂层22可以具有5μm以上且40μm以下的厚度。粘合剂层22的形状及大小通常与基材层21的形状及大小相同。
54.粘合剂层22包含丙烯酸类共聚物，所述丙烯酸类共聚物在分子中至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元作为单体单元。
55.丙烯酸类共聚物中，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的一部分具有自由基聚合性碳-碳双键。丙烯酸类共聚物中，相对于(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份，包含含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元30摩尔份以上且60摩尔份以下，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的50摩尔％以上且95摩尔％以下含有自由基聚合性碳-碳双键。
56.需要说明的是，本说明书中，“(甲基)丙烯酸酯”的表述表示甲基丙烯酸酯(methacrylate)及丙烯酸酯(acrylate)中的至少一者。“(甲基)丙烯酸”这样的术语也同样。
57.上述的丙烯酸类共聚物在分子中至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯单元和含交联性
基团的(甲基)丙烯酸酯单元作为单体单元。单体单元为构成丙烯酸类共聚物的主链的单元。换言之，单体单元源自用于使丙烯酸类共聚物聚合的单体。上述的丙烯酸类共聚物中的各侧链包含在构成主链的各单体单元中。
58.上述的(甲基)丙烯酸烷基酯单元源自(甲基)丙烯酸烷基酯单体。换言之，(甲基)丙烯酸烷基酯单体进行聚合反应后的分子结构为(甲基)丙烯酸烷基酯单元。“烷基”这样的表述表示对(甲基)丙烯酸进行酯键合的烃部分。
59.(甲基)丙烯酸烷基酯单元中的烷基部分(烃)可以为饱和烃，也可以为不饱和烃。
60.(甲基)丙烯酸烷基酯单元中的烷基部分(烃)可以为直链状烃、可以以为支链状烃、也可以包含环状结构。
61.(甲基)丙烯酸烷基酯单元中的烷基部分(烃)的碳数可以为8以上且22以下、也可以为9以上且22以下。
62.上述的丙烯酸类共聚物优选包含烷基部分的碳数为8以上的长链烷基(甲基)丙烯酸酯单元作为(甲基)丙烯酸烷基酯单元，更优选包含烷基部分为饱和烃且为碳数8以上且22以下的烃的长链饱和烷基(甲基)丙烯酸酯单元。
63.上述的丙烯酸类共聚物中，优选分子中的全部单体单元中碳数8以上的长链烷基(甲基)丙烯酸酯单元所占的比例(摩尔换算)最高，更优选碳数9以上的长链烷基(甲基)丙烯酸酯单元所占的比例(摩尔换算)最高。例如，全部单体单元中，长链烷基(甲基)丙烯酸酯单元以摩尔换算计可以占50％以上且80以下％。
64.长链饱和烷基(甲基)丙烯酸酯单元优选在分子中不含苯环、以及醚键(-ch
2-o-ch
2-)、-oh基、及-cooh基等极性基团中的任意者。长链饱和烷基(甲基)丙烯酸酯单元中，烷基部分不含c及h以外的原子，可以为由8以上且12以下的碳原子构成的饱和直链状烃、或饱和支链状烃。
65.通过使上述的丙烯酸类共聚物包含长链饱和烷基(甲基)丙烯酸酯单元，从而能够发挥更良好的拾取性。
66.上述的丙烯酸类共聚物优选包含烷基部分的碳数为8以上且10以下的饱和支链状烷基(甲基)丙烯酸酯单元、及烷基部分的碳数为12以上且14以下的饱和直链状烷基(甲基)丙烯酸酯单元作为上述的(甲基)丙烯酸烷基酯单元。由此，能够发挥更良好的拾取性。
67.上述的饱和支链状烷基(甲基)丙烯酸酯单元的烷基部分(烃部分)的结构只要为饱和支链状烷基结构即可，可以为异(iso)结构、仲(sec)结构、新(neo)结构、或叔(tert)结构。
68.具体而言，作为饱和支链状烷基(甲基)丙烯酸酯单元，可举出(甲基)丙烯酸异庚酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异硬脂酯的各单元等。这些之中，从能够发挥更良好的拾取性的方面出发，优选(甲基)丙烯酸异壬酯单元及(甲基)丙烯酸2-乙基己酯单元中的至少一者。
69.上述的饱和直链状烷基(甲基)丙烯酸酯单元的烷基部分(烃部分)的结构为饱和直链状烷基结构即可。
70.具体而言，作为饱和直链状烷基(甲基)丙烯酸酯单元，可举出(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕榈酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸
山嵛酯等各单元。
71.上述的丙烯酸类共聚物中，作为上述(甲基)丙烯酸烷基酯单元，可以单独包含1种、或者可以包含2种以上。
72.上述的丙烯酸类共聚物优选包含选自由(甲基)丙烯酸2-乙基己酯单元、(甲基)丙烯酸异壬酯单元、及(甲基)丙烯酸月桂酯单元组成的组中的至少1种作为(甲基)丙烯酸烷基酯单元。特别优选将(甲基)丙烯酸2-乙基己酯单元及(甲基)丙烯酸异壬酯单元中的至少一者与(甲基)丙烯酸月桂酯单元组合。由此，能够发挥更良好的拾取性。
73.含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元具有可以通过氨基甲酸酯化反应而形成氨基甲酸酯键的羟基、或可以通过自由基反应而进行聚合的聚合性基团。更详细而言，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元具有未反应的羟基或作为聚合性基团的自由基聚合性碳-碳双键中的任一者。换言之，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元的一部分具有未反应的羟基，另一部分(其他全部)不具有羟基但具有自由基聚合性碳-碳双键。
74.上述的丙烯酸类共聚物中，作为含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元，具有在碳数4以下的烷基部分键合有羟基的含羟基(甲基)丙烯酸酯单元。粘合剂层22包含异氰酸酯化合物的情况下，异氰酸酯化合物的异氰酸酯基与含羟基(甲基)丙烯酸酯单元的羟基能够容易地反应。
75.通过使粘合剂层22中预先共存具有含羟基(甲基)丙烯酸酯单元的丙烯酸类共聚物和异氰酸酯化合物，从而能够使粘合剂层22适度地固化。因此，丙烯酸类共聚物能够充分凝胶化。因此，粘合剂层22能够维持形状并且发挥粘合性能。
76.含羟基(甲基)丙烯酸酯单元优选为在碳数2以上且4以下的烷基部分键合有oh基的含羟基c2～c4烷基(甲基)丙烯酸酯单元。“c2～c4烷基”这样的表述表示对(甲基)丙烯酸进行酯键合的烃部分及其碳数。换言之，含羟基c2～c4烷基(甲基)丙烯酸类单体表示(甲基)丙烯酸与碳数2以上且4以下的醇(通常为2元醇)进行酯键合而成的单体。
77.c2～c4烷基的烃部分通常为饱和烃。例如，c2～c4烷基的烃部分为直链状饱和烃或支链状饱和烃。c2～c4烷基的烃部分优选不包含含有氧(o)、氮(n)等的极性基团。
78.作为含羟基c2～c4烷基(甲基)丙烯酸酯单元，例如，可举出(甲基)丙烯酸羟基乙酯、(甲基)丙烯酸羟基丙酯、(甲基)丙烯酸羟基正丁酯、或(甲基)丙烯酸羟基异丁酯等(甲基)丙烯酸羟基丁酯的各单元。需要说明的是，羟基(-oh基)可以键合于烃部分的末端的碳(c)，也可以键合于烃部分的末端以外的碳(c)。
79.上述的丙烯酸类共聚物包含在侧链具有自由基聚合性碳-碳双键(聚合性不饱和双键)的聚合性(甲基)丙烯酸酯单元作为含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元。
80.聚合性(甲基)丙烯酸酯单元具体而言具有下述分子结构：含异氰酸酯基(甲基)丙烯酸类单体的异氰酸酯基与上述含羟基(甲基)丙烯酸酯单元中的羟基进行氨基甲酸酯键合而得的分子结构。
81.上述的丙烯酸类共聚物包含含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元的自由基聚合性碳-碳双键，从而能够在拾取工序(后面详细叙述)之前通过活性能量射线(紫外线等)的照射使粘合剂层22固化。例如，可以通过紫外线等活性能量射线的照射，由光聚合引发剂产生自由基，通过该自由基的作用，使丙烯酸类共聚物彼此进行交联反应。由此，能够使照射前的粘合剂层22的粘合力在照射后降低。而且，能够使芯片接合片10从粘合剂层22良好地
剥离。
82.需要说明的是，作为活性能量射线，采用紫外线、辐射线、电子束。
83.聚合性(甲基)丙烯酸酯单元可以通过在丙烯酸类共聚物的聚合反应之后通过氨基甲酸酯化反应来制备。例如，在(甲基)丙烯酸烷基酯单体与含羟基(甲基)丙烯酸类单体的共聚后，使含羟基(甲基)丙烯酸酯单元的一部分中的羟基与含异氰酸酯基聚合性单体的异氰酸酯基进行氨基甲酸酯化反应，由此可以得到聚合性(甲基)丙烯酸酯单元。
84.上述的含异氰酸酯基(甲基)丙烯酸类单体优选在分子中具有1个异氰酸酯基并且具有1个(甲基)丙烯酰基。作为所述单体，例如，可举出2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯。
85.本实施方式中，上述的丙烯酸类共聚物可以包含上述的单体单元以外的单体单元。例如，可以包含(甲基)丙烯酰基吗啉、n-乙烯基-2-吡咯烷酮、或丙烯腈等各单元。
86.粘合剂层22中包含的丙烯酸类共聚物中，上述的各单元(各结构单元)可以通过1h-nmr、
13
c-nmr等nmr分析、热分解gc/ms分析、及红外光谱法等来确认。需要说明的是，丙烯酸类共聚物中的上述单元的摩尔比例通常根据使丙烯酸类共聚物聚合时的配混量(投入量)来算出。
87.上述的丙烯酸类共聚物中，相对于(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份，优选包含含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元30摩尔份以上且60摩尔份以下，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的50摩尔％以上且95摩尔％以下如上所述地形成氨基甲酸酯键。换言之，上述的丙烯酸类共聚物优选的是，相对于(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份，包含含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元30摩尔份以上且60摩尔份以下，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的50摩尔％以上且95摩尔％以下为具有自由基聚合性碳-碳双键的聚合性(甲基)丙烯酸酯单元。由此，能够维持芯片接合片10与进行固化前的粘合剂层22的粘合力，另一方面，能够使芯片接合片10与固化后的粘合剂层22的剥离性更良好。因此，能够发挥更良好的拾取性。
88.上述的丙烯酸类共聚物中，优选相对于(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份，包含聚合性(甲基)丙烯酸酯单元25摩尔份以上且55摩尔份以下，更优选包含28摩尔份以上。由此，能够维持芯片接合片10与进行固化前的粘合剂层22的粘合力，另一方面，能够使芯片接合片10与固化后的粘合剂层22的剥离性更良好。因此，能够发挥更良好的拾取性。
89.本实施方式中，切割带20的粘合剂层22还可以包含的异氰酸酯化合物在分子中具有多个异氰酸酯基。通过使异氰酸酯化合物在分子中具有多个异氰酸酯基，从而能够使粘合剂层22中的丙烯酸类共聚物间的交联反应进行。详细而言，通过使异氰酸酯化合物的一方的异氰酸酯基与丙烯酸类共聚物的羟基反应、使另一方的异氰酸酯基与其他的丙烯酸类共聚物的羟基反应，能够使借助异氰酸酯化合物的交联反应进行。
90.需要说明的是，异氰酸酯化合物也可以为经过氨基甲酸酯化反应等而合成的化合物。
91.作为异氰酸酯化合物，例如，可举出脂肪族二异氰酸酯、脂环族二异氰酸酯、或芳香脂肪族二异氰酸酯等二异氰酸酯。
92.进而，作为异氰酸酯化合物，例如，可举出二异氰酸酯的二聚体、三聚体等聚合多异氰酸酯、多亚甲基多亚苯基多异氰酸酯。
93.此外，作为异氰酸酯化合物，例如，可举出使过剩量的上述异氰酸酯化合物与含活
性氢化合物反应而成的多异氰酸酯。作为含活性氢化合物，可举出含活性氢低分子量化合物、含活性氢高分子量化合物等。
94.需要说明的是，作为异氰酸酯化合物，也可以使用脲基甲酸酯化多异氰酸酯、双缩脲化多异氰酸酯等。
95.上述的异氰酸酯化合物可以单独使用1种或组合使用2种以上。
96.作为上述的异氰酸酯化合物，优选芳香族二异氰酸酯与含活性氢低分子量化合物的反应产物。芳香族二异氰酸酯的反应产物由于异氰酸酯基的反应速度比较缓慢，因此可抑制包含该反应产物的粘合剂层22过度地固化。作为上述的异氰酸酯化合物，优选在分子中具有3个以上的异氰酸酯基。
97.粘合剂层22中包含的聚合引发剂为能够利用施加的热能、光能来引发聚合反应的化合物。通过使粘合剂层22包含聚合引发剂，从而在对粘合剂层22赋予热能、光能时能够使丙烯酸类共聚物间的交联反应进行。详细而言，能够使具有包含自由基聚合性碳-碳双键的聚合性(甲基)丙烯酸酯单元的丙烯酸类共聚物间开始聚合性基团彼此的聚合反应，从而使粘合剂层22固化。由此，能够使粘合剂层22的粘合力降低，在拾取工序(后面详细叙述)中，能够从固化的粘合剂层22将芯片接合片10容易地剥离。
98.作为聚合引发剂，例如，采用光聚合引发剂或热聚合引发剂等。作为聚合引发剂，可以使用通常的市售制品。
99.粘合剂层22还可以包含上述成分以外的其他成分。作为其他成分，例如，可举出增粘剂、增塑剂、填充剂、防老剂、抗氧化剂、紫外线吸收剂、光稳定剂、耐热稳定剂、抗静电剂、表面活性剂、轻剥离化剂等。其他成分的种类及用量可以根据目的来适当地选择。
100.粘合剂层22利用活性能量射线进行了固化后的表面弹性模量优选为50mpa以上且不足431mpa、更优选大于50mpa、进一步优选为65mpa以上、特别优选大于100mpa。由此，能够发挥更良好的拾取性。需要说明的是，为了测定表面弹性模量而进行的粘合剂层22的固化处理条件在后面进行说明。
101.上述的表面弹性模量例如可以通过提高构成上述的丙烯酸类共聚物的聚合性(甲基)丙烯酸酯单元的比例来提高。另一方面，也可以通过降低构成上述的丙烯酸类共聚物的聚合性(甲基)丙烯酸酯单元的比例来降低上述的弹性模量。
102.上述的表面弹性模量(拉伸弹性模量)在以下的测定条件下测定。
103.固化处理条件：高压汞灯60mw/cm2、照射强度300mj/cm2的紫外线
104.测定装置：纳米压痕仪(hysitron inc.制“triboindenter”)
105.使用压头：berkovich(三角锥)
106.测定方法：单一压入测定
107.测定温度：室温
108.压入深度：1μm
109.测定次数：10次(算出平均值)
110.详细而言，在切割芯片接合薄膜中，在芯片接合片10与粘合剂层22不重叠的粘合剂层22的露出部分(例如参照图1)取出测定用样品。通常，所述露出部分的表面被可剥离的剥离片(后面详细叙述)覆盖。在附着有剥离片的状态下，在露出部分切出沿厚度方向切断的断片。具体而言，切出在厚度方向看边长为1cm左右的正方形状的粘合剂层及基材层。确
认粘合剂层与剥离片充分密合。使用日东精机制的商品名“um-810”(高压汞灯、60mw/cm2)，从基材层侧照射强度300mj/cm2的紫外线而使粘合剂层固化。将固化的粘合剂层固定于支撑体，将附着于粘合剂层的剥离片剥离。然后，对附着有剥离片的粘合剂层的表面实施纳米压痕测定。
111.本实施方式中，重叠于粘合剂层22的基材层21可以为单层结构，也可以具有层叠结构。
112.基材层21的各层例如为金属箔、纸、布等纤维片、橡胶片、树脂薄膜等。
113.作为构成基材层21的纤维片，可举出纸、织布、无纺布等。
114.作为树脂薄膜的材质，例如，可举出聚乙烯(pe)、聚丙烯(pp)、乙烯-丙烯共聚物等聚烯烃；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(eva)、离聚物树脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(无规、交替)共聚物等乙烯的共聚物；聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚对苯二甲酸丁二醇酯(pbt)等聚酯；聚丙烯酸酯；聚氯乙烯(pvc)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(pps)；脂肪族聚酰胺、全芳香族聚酰胺(芳纶)等聚酰胺；聚醚醚酮(peek)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏氯乙烯；abs(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素或纤维素衍生物；含有机硅高分子；含氟高分子等。这些可以单独使用1种或组合使用2种以上。
115.基材层21优选由树脂薄膜等高分子材料构成。
116.基材层21具有树脂薄膜的情况下，树脂薄膜可以实施拉伸处理等，控制伸长率等变形性。
117.为了提高与粘合剂层22的密合性，可以对基材层21的表面实施表面处理。作为表面处理，例如，可采用铬酸处理、臭氧暴露、火焰暴露、高压电击暴露、离子化辐射线处理等基于化学方法或物理方法的氧化处理等。另外，可以实施利用锚固涂布剂、底漆、粘接剂等涂布剂的涂布处理。
118.基材层21可以为单层，也可以由多个层(例如3层)构成。基材层21的厚度(总厚度)可以为80μm以上且150μm以下。
119.为了赋予剥离性，可以利用例如有机硅系树脂、氟系树脂等脱模剂(剥离剂)等对基材层21的背面侧(不重叠粘合剂层22的一侧)实施脱模处理。
120.从能够从背面侧对粘合剂层22施加紫外线等活性能量射线的方面出发，基材层21优选为透光性(紫外线透过性)的树脂薄膜等。
121.上述的切割带20在使用前的状态下可以具备覆盖粘合剂层22的一个面(粘合剂层22的不与基材层21重叠的面)的剥离片。剥离片用于保护粘合剂层22，在将芯片接合片10贴附于粘合剂层22前剥离。
122.作为剥离片，例如，可以使用利用有机硅系的剥离剂、长链烷基系的剥离剂、氟系的剥离剂、硫化钼等剥离剂进行了表面处理的塑料薄膜或纸等。
123.需要说明的是，剥离片可以用作用于支撑粘合剂层22的支撑材料。特别是在将粘合剂层22重叠于基材层21上时适合使用剥离片。详细而言，在剥离片与粘合剂层22层叠的状态下将粘合剂层22重叠于基材层21，重叠后将剥离片剥离(转印)，由此能够使粘合剂层22重叠于基材层21。
124.本实施方式的切割芯片接合薄膜1在使用前的状态下可以具备覆盖芯片接合片10
的一个面(芯片接合片10的不与粘合剂层22重叠的面)的剥离片。剥离片用于保护芯片接合片10，在即将将被粘物(例如半导体晶圆)贴附于芯片接合片10之前剥离。
125.该剥离片可以用作用于支撑芯片接合片10的支撑材料。剥离片在将芯片接合片10重叠于粘合剂层22时适合使用。详细而言，在剥离片与芯片接合片10层叠的状态下将芯片接合片10重叠于粘合剂层22，在重叠后将剥离片剥离(转印)，由此能够将芯片接合片10重叠于粘合剂层22。
126.《切割芯片接合薄膜的芯片接合片》
127.芯片接合片10如图1所示，重叠于上述切割带20的粘合剂层22。芯片接合片10包含在分子中具有通过热固化处理而引起交联反应的交联性基团的含交联性基团的丙烯酸类聚合物。
128.上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物为(甲基)丙烯酸酯单体至少进行聚合而成的高分子化合物。
129.上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物通常在侧链具有上述的交联性基团。上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物可以在侧链的末端具有上述的交联性基团。需要说明的是，上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物可以在主链的两端中的至少一端具有上述的交联性基团。
130.上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物在分子中具有的交联性基团只要为通过热固化处理而引起交联反应的官能团，就没有特别限定。
131.作为交联性基团，例如，可举出羟基或羧基等。这些交联性基团能够与环氧基或异氰酸酯基发生交联反应。例如，分子中具有羟基或羧基中的至少一者的上述含交联性基团的丙烯酸类聚合物能够与分子中具有环氧基或异氰酸酯基的化合物(例如，后述的环氧树脂等)间发生交联反应。
132.另外，作为交联性基团，例如可举出环氧基或异氰酸酯基等。这些交联性基团能够与羟基、羧基发生交联反应。例如，分子中具有环氧基或异氰酸酯基中的至少一者的上述含交联性基团的丙烯酸类聚合物能够与分子中具有羟基或羧基中的至少一者的化合物(例如，后述的酚醛树脂等)间进行交联反应。
133.本实施方式中，芯片接合片10中包含的含交联性基团的丙烯酸类聚合物优选含有羧基或环氧基中的至少一者作为交联性基团。由此，能够使芯片接合片10更好地粘接于被粘物。
134.需要说明的是，为了更充分地发挥固化(后面详细叙述)后对被粘物的粘接性，对芯片接合片10要求在固化后具有较高的内聚力的性能。为了提高固化后的内聚力，芯片接合片10中包含的有机成分彼此必须充分进行交联反应，从而使得芯片接合片10充分进行固化。为了使固化充分进行，含交联性基团的丙烯酸类聚合物优选具有环氧基(缩水甘油基)或羧基等反应性较高的官能团。
135.上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物中，含交联性基团的单体的结构单元所占的比例可以为0.1质量％以上且60.0质量％以下、可以为0.5质量％以上且40.0质量％以下、更优选可以为1.0质量％以上且30.0质量％以下、进一步优选可以为3.0质量％以上且20.0质量％以下。
136.通过使上述的比例为0.1质量％以上，从而能够使芯片接合片10进行热固化处理
时的固化更充分地进行。另一方面，通过使上述的比例为60.0质量％以下，从而能够适度地抑制含交联性基团的丙烯酸类聚合物的交联反应性从而提高经时稳定性。
137.上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物在分子中具有羟基或羧基作为交联性基团的情况下，含交联性基团的丙烯酸类聚合物中，含交联性基团的单体的结构单元所占的比例可以为0.1质量％以上且20.0质量％以下、可以为0.5质量％以上且10.0质量％以下、更优选可以为0.8质量％以上且15.0质量％以下、进一步优选可以为1.0质量％以上且10.0质量％以下。
138.上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物在分子中具有环氧基作为交联性基团的情况下，含有环氧基的结构单元在含交联性基团的丙烯酸类聚合物中所占的比例可以为5质量％以上且60质量％以下、可以为6质量％以上且40质量％以下、更优选可以为7质量％以上且20质量％以下。
139.需要说明的是，结构单元为聚合得到含交联性基团的丙烯酸类聚合物时的单体(例如丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸羟基乙酯等)进行聚合后的源自各单体的结构。以下同样。
140.本实施方式的芯片接合片10可以包含1种含交联性基团的丙烯酸类聚合物、或者可以包含多种(例如2种)含交联性基团的丙烯酸类聚合物。
141.例如，芯片接合片10包含2种含交联性基团的丙烯酸类聚合物的情况下，2种含交联性基团的丙烯酸类聚合物中的一方的交联性基团与另一方的交联性基团彼此互相发生交联反应。具体而言，分子中具有羟基或羧基中的至少一者作为交联性基团的含交联性基团的丙烯酸类聚合物与分子中具有环氧基或异氰酸酯基中的至少一者作为交联性基团的含交联性基团的丙烯酸类聚合物可以彼此进行交联反应。
142.上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物例如可以通过使用自由基聚合引发剂的通常的聚合方法来合成。
143.上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物优选在分子中的结构单元中包含以质量比例计最多的(甲基)丙烯酸烷基酯单体的结构单元。作为该(甲基)丙烯酸烷基酯单体，例如，可举出烷基(烃基)的碳数为1以上且18以下的c1～c18烷基(甲基)丙烯酸酯单体。
144.作为(甲基)丙烯酸烷基酯单体，例如，可举出饱和直链状烷基(甲基)丙烯酸酯单体、饱和支链状烷基(甲基)丙烯酸酯单体等。
145.作为饱和直链状烷基(甲基)丙烯酸酯单体，可举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸正丙酯、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸正庚酯、(甲基)丙烯酸正辛酯、(甲基)丙烯酸正壬酯、(甲基)丙烯酸正癸酯、(甲基)丙烯酸十三烷基酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸肉豆蔻酯、(甲基)丙烯酸棕榈酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯等。需要说明的是，直链状烷基部分的碳数优选为2以上且8以下。
146.作为饱和支链状烷基(甲基)丙烯酸酯单体，可举出(甲基)丙烯酸异庚酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯等。需要说明的是，烷基部分可以具有异(iso)结构、仲(sec)结构、新(neo)结构、或叔(tert)结构中的任意者。
147.上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物包含源自能与(甲基)丙烯酸烷基酯单体共聚的含交联性基团的单体的结构单元。
148.本实施方式中，上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物为至少(甲基)丙烯酸烷基
酯单体与含交联性基团的单体进行共聚而成的丙烯酸类聚合物。换言之，上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物具有(甲基)丙烯酸烷基酯单体的结构单元与含交联性基团的单体的结构单元以无规的顺序连接而成的构成。
149.作为上述含交联性基团的单体，例如，可举出含羧基(甲基)丙烯酸类单体、酸酐(甲基)丙烯酸类单体、含羟基(hydroxyl)(甲基)丙烯酸类单体、含环氧基(缩水甘油基)(甲基)丙烯酸类单体、含异氰酸酯基(甲基)丙烯酸类单体、含磺酸基(甲基)丙烯酸类单体、含磷酸基(甲基)丙烯酸类单体、丙烯酰胺、丙烯腈等含官能团单体等。需要说明的是，上述含交联性基团的单体可以在分子中具有醚基或酯基等。
150.上述含交联性基团的丙烯酸类聚合物优选为：
151.选自由含羧基(甲基)丙烯酸类单体、含羟基(甲基)丙烯酸类单体、含环氧基(甲基)丙烯酸类单体、及含异氰酸酯基(甲基)丙烯酸类单体组成的组中的至少1种含交联性基团的单体与(甲基)丙烯酸烷基酯(特别是烷基部分的碳数为8以下的(甲基)丙烯酸烷基酯)的共聚物。
152.作为含羧基(甲基)丙烯酸类单体，例如，可举出(甲基)丙烯酸、单(2-(甲基)丙烯酰氧基乙基)琥珀酸酯单体等。需要说明的是，羧基可以配置于单体结构的末端部分、也可以键合于末端部分以外的烃。
153.作为含羟基(甲基)丙烯酸类单体，例如，可举出(甲基)丙烯酸羟基乙酯单体、(甲基)丙烯酸羟基丙酯单体、(甲基)丙烯酸羟基丁酯单体等。需要说明的是，羟基可以配置于单体结构的末端部分，也可以键合于末端部分以外的烃。
154.作为含环氧基(甲基)丙烯酸类单体，例如，可举出(甲基)丙烯酸缩水甘油酯单体、(甲基)丙烯酸4-羟基丁酯缩水甘油醚等。需要说明的是，环氧基可以配置于单体结构的末端部分，也可以键合于末端部分以外的烃。
155.作为含异氰酸酯基(甲基)丙烯酸类单体，例如，可举出2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、1,1-(双丙烯酰氧基甲基)乙基异氰酸酯、2-丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、2-(2-甲基丙烯酰氧基乙基氧基)乙基异氰酸酯等。
156.芯片接合片10可以包含上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物以外的成分。例如，芯片接合片10还可以包含热固化性树脂、或上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物以外的热塑性树脂中的至少一者。
157.作为热固化性树脂，例如，可举出环氧树脂、酚醛树脂、氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固化性聚酰亚胺树脂等。作为上述热固化性树脂，可采用仅1种或2种以上。
158.作为上述环氧树脂，例如，可举出双酚a型、双酚f型、双酚s型、溴化双酚a型、氢化双酚a型、双酚af型、联苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、邻甲酚酚醛清漆型、三羟基苯基甲烷型、四酚基乙烷型、乙内酰脲型、异氰脲酸三缩水甘油酯型、或缩水甘油胺型的各环氧树脂。
159.酚醛树脂可以用作环氧树脂的固化剂。作为酚醛树脂，例如，可举出酚醛清漆型酚醛树脂、甲阶酚醛(resol)型酚醛树脂、聚对氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。
160.作为酚醛清漆型酚醛树脂，例如，可举出苯酚酚醛清漆树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚酚醛清漆树脂、叔丁基苯酚酚醛清漆树脂、壬基苯酚酚醛清漆树脂等。
161.酚醛树脂的羟基当量[g/eq]例如可以为90以上且220以下。
[0162]
作为上述酚醛树脂，可采用仅1种或2种以上。
[0163]
本实施方式中，芯片接合片10可以包含彼此进行交联反应的上述含交联性基团的丙烯酸类聚合物和热固化性树脂。另外，芯片接合片10可以包含彼此进行交联反应的多种含交联性基团的丙烯酸类聚合物。
[0164]
例如，芯片接合片10可以包含含羧基丙烯酸类聚合物、或含羟基丙烯酸类聚合物作为含交联性基团的丙烯酸类聚合物，并且可以包含环氧树脂作为热固化性树脂。由此，含交联性基团的丙烯酸类聚合物的羧基或羟基能够与环氧树脂的环氧基进行交联反应从而使芯片接合片10充分固化。
[0165]
作为芯片接合片10中可包含的上述含交联性基团的丙烯酸类聚合物以外的热塑性树脂，例如，可举出天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁二烯橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、6-聚酰胺树脂、6,6-聚酰胺树脂等聚酰胺树脂、苯氧基树脂、分子中不含交联性官能团的丙烯酸类树脂、pet、pbt等饱和聚酯树脂、聚酰胺酰亚胺树脂、氟树脂等。
[0166]
作为上述热塑性树脂，可采用仅1种或2种以上。
[0167]
相对于芯片接合片10的总质量100质量份，上述含交联性基团的丙烯酸类聚合物的含有比例优选为8质量份以上且100质量份以下、更优选为30质量份以上、进一步优选为40质量份以上。
[0168]
芯片接合片10中，相对于除填料以外的有机成分(例如，上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物、热固化性树脂、固化催化剂等、硅烷偶联剂、染料)100质量份，上述含交联性基团的丙烯酸类聚合物的含有比例优选为15质量份以上且100质量份以下、更优选为40质量份以上且95质量份以下、进一步优选为60质量份以上。需要说明的是，通过使芯片接合片10中的热固化性树脂的含有率变化，能够调整芯片接合片10的弹性、粘性。
[0169]
另一方面，相对于上述有机成分100质量份，热固化性树脂的含有比例可以为40质量份以下。
[0170]
芯片接合片10可以含有填料，也可以不含有填料。通过改变芯片接合片10中的填料的量，能够更容易地调整芯片接合片10的弹性及粘性。进而，能够调整芯片接合片10的导电性、导热性、弹性模量等物性。
[0171]
作为填料，可举出无机填料及有机填料。作为填料，优选无机填料。
[0172]
作为无机填料，例如，可举出包含氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、钙氧化物、镁氧化物、铝氧化物、氮化铝、氮化硼、结晶质二氧化硅、非晶质二氧化硅等二氧化硅等的填料。另外，作为无机填料的材质，可举出铝、金、银、铜、镍等金属单质、合金等。也可以为硼酸铝晶须、无定形炭黑、石墨等填料。填料的形状可以为球状、针状、片状等各种形状。作为填料，可采用上述的仅1种或2种以上。
[0173]
芯片接合片10包含填料的情况下，上述填料的含有率可以为芯片接合片10的总质量的50质量％以下、可以为40质量％以下、也可以为30质量％以下。需要说明的是，上述填料的含有率也可以为例如10质量％以上。
[0174]
芯片接合片10根据需要可以包含其他成分。作为上述其他成分，例如，可举出固化催化剂、阻燃剂、硅烷偶联剂、离子捕捉剂、染料等。
[0175]
作为阻燃剂，例如，可举出三氧化锑、五氧化锑、溴化环氧树脂等。
[0176]
作为硅烷偶联剂，例如，可举出β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷等。
[0177]
作为离子捕捉剂，例如，可举出水滑石类、氢氧化铋、苯并三唑等。
[0178]
作为上述其他添加剂，可采用仅1种或2种以上。
[0179]
从容易调整弹性及粘性的方面出发，芯片接合片10优选包含上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物、热固化性树脂、及填料。
[0180]
芯片接合片10的厚度没有特别限定，例如为1μm以上且200μm以下。所述厚度可以为3μm以上且150μm以下、也可以为5μm以上且100μm以下。需要说明的是，芯片接合片10为层叠体的情况下，上述的厚度为层叠体的总厚度。
[0181]
芯片接合片10例如如图1所示，可以具有单层结构。本说明书中，单层是指仅具有由相同组合物形成的层。多个由相同组合物形成的层层叠的状态也是单层。
[0182]
另一方面，芯片接合片10例如可以具有由2种以上不同的组合物分别形成的层层叠而成的多层结构。芯片接合片10具有多层结构的情况下，构成芯片接合片10的至少1层包含上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物，根据需要还可以包含热固化性树脂。
[0183]
接着，对本实施方式的芯片接合片10及切割芯片接合薄膜1的制造方法进行说明。
[0184]
《切割芯片接合薄膜的制造方法》
[0185]
本实施方式的切割芯片接合薄膜1的制造方法具备：
[0186]
制作芯片接合片10的工序；
[0187]
制作切割带20的工序；和
[0188]
使制造的芯片接合片10与切割带20重叠的工序。
[0189]
《制作芯片接合片的工序》
[0190]
制作芯片接合片10的工序具有：
[0191]
树脂组合物制备工序，制备用于形成芯片接合片10的树脂组合物；和
[0192]
芯片接合片形成工序，由树脂组合物形成芯片接合片10。
[0193]
树脂组合物制备工序中，例如，将上述的含交联性基团的丙烯酸类聚合物、以及环氧树脂、环氧树脂的固化催化剂、酚醛树脂、或溶剂中的任意者混合，使各树脂溶解于溶剂，由此制备树脂组合物。通过使溶剂的量变化，能够调整组合物的粘度。需要说明的是，作为这些树脂，可以使用市售的制品。
[0194]
芯片接合片形成工序中，例如，将如上所述制备的树脂组合物涂布于剥离片。作为涂布方法，没有特别限定，例如，采用辊涂覆、丝网涂覆、凹版涂覆等通常的涂布方法。接着，根据需要，通过脱溶剂处理、固化处理等，使涂布的组合物固化，形成芯片接合片10。
[0195]
《制作切割带的工序》
[0196]
制作切割带的工序具备：
[0197]
合成丙烯酸类共聚物的合成工序；
[0198]
粘合剂层制作工序，使溶剂从粘合剂组合物中挥发从而制作粘合剂层22，所述粘合剂组合物包含上述丙烯酸类共聚物、异氰酸酯化合物、聚合引发剂、溶剂和根据目的适宜追加的其他成分；
[0199]
制作基材层21的基材层制作工序；和
[0200]
层叠工序，使粘合剂层22和基材层21贴合，从而使基材层21和粘合剂层22层叠。
[0201]
合成工序中，例如，使上述的饱和支链状烷基(甲基)丙烯酸酯单体和含羟基(甲基)丙烯酸类单体进行自由基聚合，由此合成丙烯酸类共聚物中间体。
[0202]
自由基聚合可以通过通常的方法来进行。例如，使上述的各单体溶解于溶剂，边加热边进行搅拌，添加聚合引发剂，由此可以合成丙烯酸类共聚物中间体。为了调整丙烯酸类共聚物的分子量，可以在链转移剂的存在下进行聚合。
[0203]
接着，使丙烯酸类共聚物中间体中包含的、含羟基(甲基)丙烯酸酯单元的一部分羟基与含异氰酸酯基聚合性单体的异氰酸酯基通过氨基甲酸酯化反应进行键合。由此，含羟基(甲基)丙烯酸酯单元的一部分成为含有自由基聚合性碳-碳双键的聚合性(甲基)丙烯酸酯单元。
[0204]
氨基甲酸酯化反应可以通过通常的方法来进行。例如，在溶剂及氨基甲酸酯化催化剂的存在下边加热边对丙烯酸类共聚物中间体和含异氰酸酯基聚合性单体进行搅拌。由此，能够使含异氰酸酯基聚合性单体的异氰酸酯基氨基甲酸酯键合于丙烯酸类共聚物中间体的羟基的一部分。
[0205]
粘合剂层制作工序中，例如，使丙烯酸类共聚物、异氰酸酯化合物、和聚合引发剂溶解于溶剂，制备粘合剂组合物。通过使溶剂的量变化，能够调整组合物的粘度。接着，将粘合剂组合物涂布于剥离片。作为涂布方法，例如，采用辊涂覆、丝网涂覆、凹版涂覆等通常的涂布方法。通过对涂布的组合物实施脱溶剂处理、固化处理等，由此使涂布的粘合剂组合物固化，制作粘合剂层22。
[0206]
基材层制作工序中，可以通过通常的方法进行制膜从而制作基材层。作为进行制膜的方法，例如，可举出压延制膜法、有机溶剂中的流延法、密闭体系中的吹胀挤出法、t模挤出法、干式层压法等。也可以采用共挤出成形法。需要说明的是，作为基材层21，可以使用市售的薄膜等。
[0207]
层叠工序中，使重叠于剥离片的状态的粘合剂层22与基材层21重叠而层叠。需要说明的是，剥离片可以在直到使用前为止为重叠于粘合剂层22的状态。
[0208]
需要说明的是，为了促进交联剂与丙烯酸类共聚物的反应、另外为了促进交联剂与基材层21的表面部分的反应，可以在层叠工序之后、在50℃环境下实施48小时的熟化处理工序。
[0209]
通过这些工序，能够制造切割带20。
[0210]
《使芯片接合片10和切割带20重叠的工序》
[0211]
使芯片接合片10和切割带20重叠的工序中，将芯片接合片10贴附于如上所述地制造的切割带20的粘合剂层22。
[0212]
所述贴附中，从切割带20的粘合剂层22及芯片接合片10分别将剥离片剥离，以芯片接合片10与粘合剂层22直接接触的方式使两者贴合。例如，可以通过压接进行贴合。贴合时的温度没有特别限定，例如为30℃以上且50℃以下，优选为35℃以上且45℃以下。贴合时的线压没有特别限定，优选为0.1kgf/cm以上且20kgf/cm以下、更优选为1kgf/cm以上且10kgf/cm以下。
[0213]
经过上述的工序，如上所述地制造的切割芯片接合薄膜1例如用作用于制造半导体装置(半导体集成电路)的辅助用具。以下，对半导体装置的制造方法(切割芯片接合薄膜
的使用方法)进行说明。
[0214]
《半导体装置的制造方法(制造半导体装置时的切割芯片接合薄膜的使用方法)》
[0215]
半导体装置的制造方法中，通常，从形成有电路面的半导体晶圆将芯片切出并进行组装。此时，本实施方式的切割芯片接合薄膜作为制造辅助用具使用。
[0216]
本实施方式的半导体装置的制造方法具备：
[0217]
割断工序，将形成有电路面的晶圆(半导体晶圆)割断为芯片；和
[0218]
拾取工序，将上述的切割芯片接合薄膜的贴附于前述粘合剂层的前述芯片接合片与前述芯片一起从前述粘合剂层剥离。
[0219]
本实施方式的半导体装置的制造方法中，割断工序例如具有：隐形切割工序，利用激光在贴附有背面研磨带的半导体晶圆的内部形成脆弱部分，进行通过割断处理将半导体晶圆加工成芯片(die)的准备；背面研磨工序，对贴附有背面研磨带的半导体晶圆进行研削从而使厚度减薄；安装工序，将厚度变薄的半导体晶圆的一面(例如，与电路面处于相反侧的面)贴附于芯片接合片10，将半导体晶圆固定于切割带20；和扩展工序，对切割带20进行拉伸，由此将半导体晶圆割断而制作芯片(die)，扩大芯片彼此的间隔。
[0220]
拾取工序中，对芯片接合片10与粘合剂层22间进行剥离，从而在贴附有芯片接合片10的状态下将半导体芯片(die)取出。
[0221]
本实施方式的半导体装置的制造方法进而具有：芯片接合工序，将贴附于半导体芯片(die)的芯片接合片10粘接于被粘物；固化工序，使粘接于被粘物的芯片接合片10固化；引线接合工序，利用引线将半导体芯片(die)中的电子电路的电极与被粘物进行电连接；和密封工序，利用热固化性树脂对被粘物上的半导体芯片(die)及引线进行密封。
[0222]
隐形切割工序为所谓sdbg(stealth dicing before grinding，研磨前隐形切割)工艺中的工序。隐形切割工序中，如图2a～图2c所示，在半导体晶圆w的内部形成用于将形成有电路面的图案晶圆割断为芯片(die)的脆弱部分。详细而言，将背面研磨带g贴附于半导体晶圆w的电路面(参照图2a)。在贴附有背面研磨带g的状态下实施基于研削垫k的研削加工(预背面研磨加工)直至半导体晶圆w变为规定的厚度(参照图2b)。对厚度变薄的半导体晶圆w照射激光，由此在半导体晶圆w的内部形成脆弱部分(参照图2c)。
[0223]
可以实施半切割工序来代替隐形切割工序。半切割工序为所谓dbg(dicing before grinding，研磨前切割)工艺中的工序。
[0224]
半切割工序中，为了通过割断处理将半导体晶圆加工成芯片(die)，在半导体晶圆形成槽后，对半导体晶圆进行研削从而减薄厚度。
[0225]
具体而言，半切割工序中，实施用于将形成有电路面的晶圆割断成芯片(die)的半切割加工。更具体而言，在半导体晶圆的与电路面处于相反侧的面贴附晶圆加工用带。另外，将切割环安装于晶圆加工用带。在贴附有晶圆加工用带的状态下形成分割用的槽。在形成有槽的面上贴附背面研磨带，另一方面，将开始贴附的晶圆加工用带剥离。
[0226]
本实施方式的切割芯片接合薄膜如上所述，优选在用于将半导体晶圆割断从而制造半导体芯片的sdbg(stealth dicing before grinding)工艺或dbg(dicing before grinding)工艺中使用。
[0227]
背面研磨工序中，如图2d所示，对贴附有背面研磨带g的状态的半导体晶圆w进而实施研削加工，减薄半导体晶圆w的厚度直到变为通过后面的割断处理制作的芯片(die)的
厚度为止。例如，可以以经上述半切割加工的半导体晶圆w不单片化的方式实施研削加工直到变为规定的厚度。若这样实施研削加工，则通过后面的扩展工序(特别是低温扩展工序)，在将半导体晶圆w割断为芯片的同时，也割断芯片接合片10。另一方面，也可以实施研削加工直到经上述半切割加工的半导体晶圆w单片化为止。若这样实施研削加工，则在后面的扩展工序(特别是低温扩展工序)中，例如，在扩大相邻的芯片彼此的间隔的同时，将芯片接合片10割断。
[0228]
安装工序中，如图3a～图3b所示，将半导体晶圆w固定于切割带20。详细而言，在切割带20的粘合剂层22安装切割环r、并且在露出的芯片接合片10的面上贴附如上所述通过切削加工而厚度变薄了的半导体晶圆w(参照图3a)。接着，从半导体晶圆w将背面研磨带g剥离(参照图3b)。
[0229]
可以在扩展工序之前通过例如激光的照射将芯片接合片10割断。具体而言，通过上述的切削加工对半导体晶圆w进行单片化的情况下，可以通过激光的照射将重叠于半导体晶圆进行单片化而成的芯片并且还未被割断的芯片接合片10切断。然后，可以通过扩展工序，扩大相邻的芯片彼此的间隔。
[0230]
扩展工序中，如图4a～图4c所示，扩大通过割断制作的半导体芯片(die)x彼此的间隔。详细而言，在切割带20的粘合剂层22安装切割环r后，固定于扩展装置的保持具h(参照图4a)。将扩展装置所具备的顶起构件u从切割芯片接合薄膜1的下侧顶起，由此对切割芯片接合薄膜1进行拉伸以在面方向扩展(参照图4b)。由此，在特定的温度条件下将半导体晶圆w割断。上述温度条件例如为-20～0℃，优选为-15～0℃、更优选为-10～-5℃。通过使顶起构件u下降，从而将扩展状态解除(参照图4c，目前为止为低温扩展工序)。
[0231]
进而，在扩展工序中，如图5a～图5b所示，在更高的温度条件下(例如10℃～25℃)下，对切割带20进行拉伸以使面积扩大。由此，使在割断后相邻的半导体芯片x沿薄膜面的面方向分离，进而扩大切口(间隔)(常温扩展工序)。
[0232]
需要说明的是，实施上述dbg工艺的情况下，扩展工序中，可以采用在低温下将芯片接合片割断的方式，或者可以采用用激光对芯片接合片进行切割的方式。用激光对芯片接合片进行切割的情况下，有时对芯片接合片进行切割后进而在低温下进行扩展工序。
[0233]
拾取工序之前，例如从基材层21侧对重叠于基材层21的粘合剂层22照射紫外线，由此对粘合剂层22实施固化处理(固化处理工序)。
[0234]
拾取工序中，如图6所示，将贴附有芯片接合片10的状态的半导体芯片x从切割带20的粘合剂层22剥离。详细而言，使销构件p上升，隔着切割带20将拾取对象的半导体芯片x顶起。利用吸附治具j来保持顶起的半导体芯片x。
[0235]
通过使用上述的本实施方式的切割芯片接合薄膜，从而拾取工序中能够发挥良好的拾取性。
[0236]
芯片接合工序中，将贴附有芯片接合片10的状态的半导体芯片x粘接于被粘物z。芯片接合工序中，例如如图7所示，有时多次将贴附有芯片接合片10的状态的半导体芯片x堆叠。像这样，制造芯片埋入型的半导体装置(fod[film on die]型半导体装置)时，为了将半导体芯片埋入，可以使用芯片接合片10。
[0237]
固化工序中，为了提高芯片接合片10中包含的上述含交联性基团的丙烯酸类聚合物中的交联性基团(例如环氧基)的反应活性而进行芯片接合片10的固化，例如在100℃以
上且180℃以下的温度下进行加热处理。
[0238]
引线接合工序中，如图8所示，对半导体芯片x(die)和被粘物z进行加热、并且用引线l进行连接。因此，芯片接合片10中包含的上述含交联性基团的丙烯酸类聚合物中的交联性基团通过加热而再次具有反应活性，芯片接合片10的固化反应得以进行。
[0239]
需要说明的是，引线接合工序中，有时对芯片接合片10沿厚度方向施加压缩力。
[0240]
密封工序中，如图9所示，利用环氧树脂等热固化性树脂m对半导体芯片x(die)与芯片接合片10进行密封。密封工序中，为了使热固化性树脂m的固化反应进行，例如在100℃以上且180℃以下的温度下进行加热处理。
[0241]
需要说明的是，在近年的半导体产业中，随着集成化技术的进一步的进展，强烈希望更薄的半导体芯片(例如20μm以上且50μm以下的厚度)、及更薄的芯片接合片(例如1μm以上且40μm以下、优选7μm以下、更优选5μm以下的厚度)。
[0242]
在这样薄的半导体芯片的一个表面形成有电子电路。若在薄的半导体芯片的一个面形成电子电路，则半导体芯片不耐受内部应力、会稍微发生变形(翘曲等)，伴随该变形，芯片接合片也会产生翘曲(参照图10)。
[0243]
上述扩展工序中，特别是在常温扩展工序中，由于用较强的力对切割带20沿面方向进行拉伸，因此若在芯片中有翘曲，则切割带20与芯片接合片10会剥离从而产生所谓芯片浮起现象。为了抑制该芯片浮起，在扩展工序中，切割带20与芯片接合片10间需要较高的粘合力。另一方面，拾取工序中，要求能够从切割带20容易地将芯片接合片10剥离(良好的拾取性)。为了发挥该相反的性能，例如，以切割带20的粘合剂层22能够通过活性能量射线的照射而固化的方式设计切割带20。具体而言，扩展工序中的割断用的低温扩展工序和用于确保芯片-芯片间距离的常温扩展工序在照射活性能量射线前、在粘合剂层22具有较高的粘合力的状态下实施。另一方面，在拾取工序之前对粘合剂层22照射活性能量射线，从而使粘合剂层22的粘合力降低。
[0244]
照射活性能量射线时，通常在粘合剂层22的面方向产生照射量的不均等。为了减小照射量的不均所引起的对粘合力降低的影响，常常过量地照射活性能量射线。但是，过量地照射活性能量射线时，会相应地产生多余的热。芯片接合片10会因产生的热而软化。由此，芯片接合片10对切割带20更强地密合，即使在活性能量射线的照射后，有时芯片接合片10的剥离力也变高、拾取性恶化。为了抑制由热导致的这样的芯片接合片10的密合性的上升，本实施方式中，相对地增加粘合剂层22中包含的上述丙烯酸类共聚物中的自由基聚合性碳-碳双键的含量。由此，提高通过活性能量射线而固化后的粘合剂层22的弹性。因此，粘合剂层22与芯片接合片10的密合性减弱，另外，伴随固化而发生的体积收缩量变得比较大。这样，本实施方式中，基于活性能量射线照射的固化后的粘合剂层22不怎么受到来自芯片接合片10的润湿的影响，可抑制与芯片接合片10的密合性。
[0245]
本实施方式的切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法如上述例示所示，本发明不限定于上述例示的切割芯片接合薄膜等。
[0246]
即，通常的切割芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法中使用的各种形态可以在不损害本发明效果的范围内采用。
[0247]
通过本说明书公开的事项包含以下的内容。
[0248]
(1)
[0249]
一种切割芯片接合薄膜，其具备：
[0250]
切割带，其具有基材层及重叠于该基材层的粘合剂层；以及
[0251]
重叠于该切割带的芯片接合片，
[0252]
前述粘合剂层包含丙烯酸类共聚物，所述丙烯酸类共聚物在分子中作为单体单元至少具有：(甲基)丙烯酸烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元，
[0253]
前述丙烯酸类共聚物中，前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的一部分具有自由基聚合性碳-碳双键，
[0254]
前述丙烯酸类共聚物中，相对于前述(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份，包含前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元30摩尔份以上且60摩尔份以下，前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的50摩尔％以上且95摩尔％以下含有前述自由基聚合性碳-碳双键。
[0255]
(2)
[0256]
根据上述(1)所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述丙烯酸类共聚物中，相对于前述(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份，包含含有前述自由基聚合性碳-碳双键的前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元28摩尔份以上且55摩尔份以下。
[0257]
(3)
[0258]
根据上述(1)或(2)所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述粘合剂层利用活性能量射线进行了固化后的表面弹性模量大于50mpa且不足431mpa。
[0259]
(4)
[0260]
根据上述(3)所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述弹性模量大于100mpa。
[0261]
(5)
[0262]
根据上述(1)至(4)中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述丙烯酸类共聚物包含烷基部分的碳数为8以上的长链烷基(甲基)丙烯酸酯单元作为前述(甲基)丙烯酸烷基酯单元，
[0263]
前述丙烯酸类共聚物中含有的全部单体单元中前述长链烷基(甲基)丙烯酸酯单元所占的比例以摩尔换算计最高。
[0264]
(6)
[0265]
根据上述(5)所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述丙烯酸类共聚物包含烷基部分的碳数为9以上的长链烷基(甲基)丙烯酸酯单元作为前述长链烷基(甲基)丙烯酸酯单元，并且该长链烷基(甲基)丙烯酸酯单元所占的比例在全部单体单元中以摩尔换算计最高。
[0266]
(7)
[0267]
根据上述(1)至(6)中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述丙烯酸类共聚物含有含羟基(甲基)丙烯酸酯单元和具有自由基聚合性碳-碳双键(聚合性不饱和双键)的聚合性(甲基)丙烯酸酯单元作为前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元，
[0268]
并且，前述丙烯酸类共聚物含有烷基部分的碳数为8以上且10以下的饱和支链状烷基(甲基)丙烯酸酯单元和烷基部分的碳数为12以上且14以下的饱和直链状烷基(甲基)丙烯酸酯单元作为前述(甲基)丙烯酸烷基酯单元。
[0269]
(8)
[0270]
根据上述(1)至(7)中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述丙烯酸类共聚
物含有含羟基(甲基)丙烯酸酯单元和具有自由基聚合性碳-碳双键(聚合性不饱和双键)的聚合性(甲基)丙烯酸酯单元作为前述含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元，
[0271]
前述丙烯酸类共聚物中，以摩尔换算计，前述聚合性(甲基)丙烯酸酯单元的含有比例比前述含羟基(甲基)丙烯酸酯单元的含有比例高。
[0272]
(9)
[0273]
根据上述(1)至(8)中任一项所述的切割芯片接合薄膜，其中，前述芯片接合片包含含交联性基团的丙烯酸类聚合物，
[0274]
前述含交联性基团的丙烯酸类聚合物含有羧基或环氧基中的至少一者作为交联性基团。
[0275]
(10)
[0276]
一种半导体装置的制造方法，其具备：
[0277]
割断工序，将形成有电路面的晶圆(图案晶圆)割断为芯片；和
[0278]
拾取工序，将上述(1)至(9)中任一项所述的切割芯片接合薄膜的贴附于前述粘合剂层的前述芯片接合片与前述芯片一起从前述粘合剂层剥离。
[0279]
[实施例]
[0280]
接着，通过实验例更详细地对本发明进行说明，但本发明不限定于这些。
[0281]
如下制造切割带。另外，使该切割带与芯片接合片贴合，制造切割芯片接合薄膜。
[0282]
《切割带的制作》
[0283]
(丙烯酸类共聚物的原料单体)
[0284]
·
丙烯酸2-羟基乙酯(hea)
[0285]
·
甲基丙烯酸2-羟基乙酯(hema)
[0286]
·
丙烯酸异壬酯(ina)
[0287]
·
丙烯酸2-乙基己酯(2eha)
[0288]
·
丙烯酰基吗啉(acmo)
[0289]
·
丙烯酸月桂酯(la)
[0290]
(实施例1)～(实施例4)/(比较例1及2)
[0291]
在具备冷凝管、氮气导入管、温度计及搅拌装置的反应容器中，以成为表1所示的配方组成的方式放入各原料。相对于单体的合计100质量份，使用偶氮双异丁腈(aibn)0.2重量份作为热聚合引发剂。以全部单体的浓度成为规定浓度(例如35质量％)的方式加入乙酸乙酯作为反应溶剂。在氮气气流中在62℃进行规定时间(例如3小时)的聚合反应处理、进而在75℃进行规定时间(例如4小时)的聚合反应处理，得到丙烯酸类共聚物的中间体。
[0292]
各实施例及各比较例中，聚合时的单体浓度、聚合时间分别如表2所示。
[0293]
在包含如上所述制备的丙烯酸类共聚物的中间体的液体中，以相对于hea及hema的合计、按摩尔换算计成为表1所示的量的方式加入2-甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯(以下，也称为moi)。例如，实施例1中，以相对于聚合时配混的含羟基(甲基)丙烯酸酯单体按摩尔换算计moi成为92％的量的方式添加moi。另外，添加相对于moi添加量为0.5质量％的二月桂酸二丁基锡作为反应催化剂。然后，在空气气流中在50℃下进行12小时加成反应处理(氨基甲酸酯化反应处理)，得到丙烯酸类共聚物。
[0294]
接着，相对于丙烯酸类共聚物100质量份，加入下述的配混成分，制备粘合剂溶液。
[0295]
·
光聚合引发剂：表1所示的量
[0296]
(制品名“omnirad 127d”、igm株式会社制)
[0297]
·
多异氰酸酯化合物：表1所示的量
[0298]
(制品名“coronate l”、东曹株式会社制)
[0299]
·
抗氧化剂：表1所示的量
[0300]
(制品名“irganox1010”、basf japan ltd.制)
[0301]
将如上所述制备的粘合剂溶液涂布于实施了有机硅处理的pet剥离衬垫的处理面上，在120℃下进行2分钟加热干燥，形成厚度10μm的粘合剂层。
[0302]
接着，使粘合剂层与基材层(聚烯烃薄膜(125μm厚)gunze limited制制品名“funcrare ned#125”)贴合，在50℃下保存24小时，制造切割带。
[0303]
《芯片接合片的制作》
[0304]
·
丙烯酸类聚合物：100质量份
[0305]
(制品名“teisan resin sg-80h”、质均分子量：350000、
[0306]
含环氧基、玻璃化转变温度tg：11℃、nagase chemtex corporation制)
[0307]
·
酚醛树脂：14质量份
[0308]
(制品名“mehc-7851ss”，23℃下为固体、明和化成株式会社制)
[0309]
·
二氧化硅填料：69质量份
[0310]
(制品名“se2050-mcv”、平均粒径500nm、admatechsco.,ltd.制)
[0311]
将上述的各原料加入至规定量的甲乙酮并混合，制备总固体成分浓度20质量％的粘接剂组合物溶液。接着，使用涂抹器，在具有实施了有机硅脱模处理的面的pet剥离衬垫(隔离体)的有机硅脱模处理面上涂布粘接剂组合物，形成涂膜。对该涂膜在130℃下实施2分钟的加热干燥，在pet剥离衬垫(隔离体)上制作厚度10μm的芯片接合片。
[0312]
《切割芯片接合薄膜的制造》
[0313]
将芯片接合片冲裁成直径330mm的圆形状，制作圆形状的芯片接合片。在室温下，使用层压机，使圆形状的芯片接合片与切割带贴合，由此制造切割芯片接合薄膜。
[0314]
《切割芯片接合薄膜的物性测定》
[0315]
对各实施例及各比较例的切割芯片接合薄膜如下地测定各物性。
[0316]
[紫外线照射后的粘合剂层的表面弹性模量]
[0317]
上述粘合剂层的表面弹性模量的测定方法的详细情况如上所述。将表面弹性模量的测定结果示于表1。
[0318]
[粘合剂层与芯片接合片之间的剥离力(紫外线照射后)]
[0319]
通过t型剥离试验测定剥离力。如下地制作测定用样品。
[0320]
从芯片接合片将pet剥离衬垫(隔离体)剥离，使芯片接合片的一个面露出。将背衬胶带(制品名“elp bt315”日东电工株式会社制)贴合于露出的面。使用日东精机株式会社制的高压汞灯(制品名“um-810”60mw/cm2)，从基材层侧照射强度150mj/cm2的紫外线而使粘合剂层固化。然后，以成为宽度50mm
×
长度120mm的尺寸的方式切出粘合剂层，作为测定用样品。对制作的测定用样品，使用拉伸试验器(例如，制品名“autograph agx-v”、岛津制作所株式会社制)，实施t型剥离试验。试验条件为温度25℃、拉伸速度300mm/分钟。
[0321]
[粘合剂层与芯片接合片之间的剥离力(紫外线过量照射后)]
[0322]
照射强度1000mj/cm2的紫外线使粘合剂层固化，除此以外，与上述的方法同样地操作，测定剥离力。
[0323]
将各实施例及各比较例中的芯片接合片的组成及物性示于表1。需要说明的是，上述moi的异氰酸酯基与含羟基(甲基)丙烯酸酯单元的羟基以几乎100％的反应效率进行氨基甲酸酯化反应。因此，丙烯酸类共聚物中的含羟基(甲基)丙烯酸酯单元的摩尔％及聚合性(甲基)丙烯酸酯单元的摩尔％分别可以基于合成丙烯酸类共聚物时的配混量来算出。
[0324]
[表1]
[0325][0326]
[表2]
[0327] 实施例1实施例2实施例3实施例4比较例1比较例2
聚合时单体浓度[质量％]35353333404062℃处理时间[h]35666375℃处理时间[h]422224
[0328]
如下操作，对如上所述地制造的切割芯片接合薄膜的性能进行评价。
[0329]
《性能评价(基于拾取试验的拾取性)》
[0330]
对经割断的状态的带芯片接合片的半导体芯片评价拾取性。如下得到经割断的状态的带芯片接合片的半导体芯片。
[0331]
具体而言，在通过半切割加工形成有分割用的槽(10mm
×
10mm)的12英寸的裸晶圆(直径300mm、厚度55μm)的、形成有分割用的槽的面贴附背面研磨带。然后，使用背面研磨机(disco株式会社制、型号dgp8760)，对上述12英寸的裸晶圆的面(与贴附有前述背面研磨带的一侧处于相反侧的面)进行研削至深度25μm为止。由此，得到经背面研磨的裸晶圆。在经背面研磨的裸晶圆的与背面研磨带的贴附面相反的一侧贴附各例的切割芯片接合薄膜的芯片接合片。这样得到带切割芯片接合薄膜的裸晶圆。通过扩展工序将该带切割芯片接合薄膜的裸晶圆割断。需要说明的是，对于扩展工序，在将前述背面研磨带从裸晶圆剥离的状态下使用芯片分离装置(商品名“die separator dds2300、disco inc.制”来实施。另外，扩展工序中，进行冷扩展后进行常温扩展。
[0332]
冷扩展如下来实施。具体而言，在室温下，在贴附于裸晶圆的切割芯片接合薄膜的粘合剂层上的框贴接区域，贴附直径12英寸的sus制环框(disco inc.制)。然后，将贴附有sus制环框的裸晶圆安装于芯片分离装置。利用该芯片分离装置的冷扩展单元对切割芯片接合薄膜的切割带进行扩展，由此进行冷扩展。此时的条件设为扩展温度-15℃、扩展速度100mm/秒、扩展量7mm。需要说明的是，冷扩展后，半导体晶圆被单个化(单片化)为多个半导体芯片。另外，芯片接合片也被单个化为与半导体芯片相当的尺寸。由此，得到多个带芯片接合片的半导体芯片。
[0333]
常温扩展在冷扩展后如下来实施。使用上述的芯片分离装置的常温扩展单元，对切割芯片接合薄膜的切割带进行扩展，由此进行常温扩展。此时的条件设为扩展温度23
±
2℃、扩展速度1mm/秒、扩展量10mm。对常温扩展后的切割带在温度200℃、时间20秒的条件下实施加热收缩处理。
[0334]
使切割带加热收缩后，使用具有拾取机构的装置(制品名“die bonder spa-300”、新川株式会社制)，实施经单个化的带芯片接合片的半导体芯片的拾取试验。所述拾取试验中，将基于销构件的顶起速度设为1mm/秒、将顶起量设为2000μm。需要说明的是，拾取试验在使粘合剂层固化后进行。固化处理通过使用组装于芯片分离装置的紫外线照射单元(高压汞灯、70mw/cm2)、从基材层侧照射1000mj/cm2的紫外线来进行。
[0335]
拾取试验对5个带芯片接合片的半导体芯片来实施。拾取性的评价基准如下。
[0336]
◎
(良好)：
[0337]
5个带芯片接合片的半导体芯片全部能够拾取。
[0338]
〇：(略微良好)
[0339]
5个带芯片接合片的半导体芯片中的3个或4个能够拾取。
[0340]
×
(差)：
[0341]
5个带芯片接合片的半导体芯片中的3个以上不能拾取。
[0342]
根据上述的评价结果可确认，实施例的切割芯片接合薄膜与比较例的切割芯片接合薄膜相比，在拾取性方面是良好的。
[0343]
实施例的切割芯片接合薄膜的粘合剂层中，包含丙烯酸类共聚物，所述丙烯酸类共聚物在分子中至少具有(甲基)丙烯酸烷基酯单元和含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元作为单体单元，丙烯酸类共聚物中，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的一部分具有自由基聚合性碳-碳双键，丙烯酸类共聚物中，相对于(甲基)丙烯酸烷基酯单元100摩尔份，包含含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元30摩尔份以上且60摩尔份以下，含交联性基团的(甲基)丙烯酸酯单元中的50摩尔％以上且95摩尔％以下具有自由基聚合性碳-碳双键。
[0344]
通过在半导体装置的制造中使用具有这样的构成的实施例的切割芯片接合薄膜，能够效率良好地制造半导体装置。在半导体装置的制造中，在拾取工序之前例如对粘合剂层照射紫外线等活性能量射线，由此对粘合剂层实施固化处理。此时，为了充分实施固化处理，有时过量地照射活性能量射线。因此，粘合剂层中产生必要以上的热，热传递至芯片接合片。由此，芯片接合片软化，变得容易对粘合剂层润湿(接触面积大)。此时，通过如上述实施例所示使丙烯酸类共聚物包含较多的羟基及自由基聚合性碳-碳双键这两者，从而伴随粘合剂层的固化而发生的收缩变得比较大，能够充分减少与芯片接合片的接触面积。可认为，像这样，粘合剂层不易受到热所带来的来自芯片接合片的润湿的影响。
[0345]
另外，通过如上述实施例那样使丙烯酸类共聚物包含较多的羟基及自由基聚合性碳-碳双键这两者，从而固化后的粘合剂层的弹性模量变得比较高。可认为，粘合剂层也由此不易受到由热带来的来自芯片接合片的润湿的影响。
[0346]
产业上的可利用性
[0347]
本发明的切割芯片接合薄膜例如适合作为制造半导体装置(半导体集成电路)时的辅助用具使用。