有源矩阵基板和液晶显示装置的制作方法

技术特征：
1.一种有源矩阵基板，具有在行方向和列方向上配置成矩阵状的多个像素区域，上述有源矩阵基板的特征在于，具备：基板；多个栅极总线，其支撑于上述基板的主面，并且在上述行方向上延伸；多个源极总线，其支撑于上述基板的主面，并且在上述列方向上延伸；多个氧化物半导体tft，其与上述多个像素区域中的每一个像素区域相对应地配置；以及多个像素电极，其配置在上述多个像素区域中的每一个像素区域，上述多个栅极总线包含相互相邻配置的第1栅极总线和第2栅极总线，上述多个源极总线包含相互相邻配置的第1源极总线和第2源极总线，上述多个像素区域包含由上述第1源极总线、上述第2源极总线、上述第1栅极总线以及上述第2栅极总线划定的第1像素区域，上述多个像素电极包含配置在上述第1像素区域的第1像素电极，上述多个氧化物半导体tft包含与上述第1像素区域相对应的第1氧化物半导体tft，上述第1氧化物半导体tft具有：氧化物半导体层，其包含沟道区域和电阻率比上述沟道区域小的低电阻区域，上述低电阻区域包含分别位于上述沟道区域的两侧的第1区域和第2区域，上述第1区域电连接到上述第1源极总线，上述第2区域电连接到上述第1像素电极；以及栅极电极，其电连接到上述第1栅极总线，上述第1氧化物半导体tft中的上述氧化物半导体层的上述低电阻区域在从上述基板的法线方向来看时横穿上述第1源极总线而延伸到别的像素区域，并与配置在上述别的像素区域的别的像素电极隔着绝缘层部分地重叠。2.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，上述多个像素区域还包含与上述第1像素区域隔着上述第1栅极总线在上述列方向上相邻的第2像素区域，上述第1氧化物半导体tft中的上述氧化物半导体层的上述低电阻区域在从上述基板的法线方向来看时横穿上述第1栅极总线而经过上述第2像素区域延伸到上述别的像素区域，并与配置在上述第2像素区域的第2像素电极隔着绝缘层部分地重叠。3.根据权利要求1或2所述的有源矩阵基板，其中，上述别的像素区域与上述第1像素区域在斜方向上相邻。4.根据权利要求1所述的有源矩阵基板，其中，上述别的像素区域与上述第1像素区域在上述行方向上相邻。5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述别的像素电极经由与上述别的像素区域相对应的别的氧化物半导体tft电连接到与上述第1源极总线不同的别的源极总线。6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述别的像素电极经由与上述别的像素区域相对应的别的氧化物半导体tft电连接到上述第1源极总线。7.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其中，
上述第2像素电极经由与上述第2像素区域相对应的第2氧化物半导体tft电连接到上述第1源极总线。8.根据权利要求2所述的有源矩阵基板，其中，上述第2像素电极经由与上述第2像素区域相对应的第2氧化物半导体tft电连接到上述第2源极总线。9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述第1像素电极具有与上述第1源极总线和上述第2源极总线中的至少一方隔着绝缘层重叠的部分。10.根据权利要求1至9中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，在上述第1氧化物半导体tft中，上述氧化物半导体层位于上述栅极电极与上述基板之间，上述低电阻区域在从上述基板的法线方向来看时，是上述氧化物半导体层中的与上述栅极电极或上述第1栅极总线不重叠的区域。11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述有源矩阵基板还包含以与上述多个像素电极隔着电介质层部分地重叠的方式配置的共用电极。12.根据权利要求11所述的有源矩阵基板，其中，上述多个像素电极位于上述共用电极与上述基板之间。13.一种有源矩阵基板，具有多个像素区域，具备基板、以及支撑于上述基板的主面的多个栅极总线和多个源极总线，上述多个源极总线包含相互相邻配置的第1源极总线和第2源极总线，上述有源矩阵基板的特征在于，上述多个像素区域中的每一个像素区域具有：像素电极；氧化物半导体tft，其电连接到上述像素电极；以及共用电极，其隔着电介质层与上述像素电极部分地重叠，上述氧化物半导体tft具有：氧化物半导体层，其包含沟道区域和电阻率比上述沟道区域小的低电阻区域，上述低电阻区域包含分别位于上述沟道区域的两侧的第1区域和第2区域，上述第1区域电连接到上述多个源极总线中的1个源极总线，上述第2区域电连接到上述像素电极；以及栅极电极，其电连接到上述多个栅极总线中的1个栅极总线，上述多个像素区域包含第1像素区域、第2像素区域以及第3像素区域，上述第1像素区域和上述第2像素区域的上述像素电极经由上述氧化物半导体tft电连接到上述第1源极总线，上述第3像素区域的上述像素电极经由上述第3像素区域的上述氧化物半导体tft电连接到与上述第1源极总线不同的第2源极总线，上述第1像素区域的像素电极包含：第1部分，其与上述第2像素区域的上述氧化物半导体tft的上述低电阻区域隔着绝缘层重叠；以及第2部分，其与上述第3像素区域的上述氧化物半导体tft的上述低电阻区域隔着绝缘层重叠。14.一种有源矩阵基板，具有在行方向和列方向上配置成矩阵状的多个像素区域，上述有源矩阵基板的特征在于，具备：基板；多个栅极总线，其支撑于上述基板的主面，并且在上述行方向上延伸；
多个源极总线，其支撑于上述基板的主面，并且在上述列方向上延伸；多个氧化物半导体tft，其与上述多个像素区域中的每一个像素区域相对应地配置；以及多个像素电极，其配置在上述多个像素区域中的每一个像素区域，上述多个栅极总线包含相互相邻配置的第1栅极总线和第2栅极总线，上述多个源极总线包含相互相邻配置的第1源极总线和第2源极总线，上述多个像素区域包含由上述第1源极总线、上述第2源极总线、上述第1栅极总线以及上述第2栅极总线划定的第1像素区域，上述多个像素电极包含配置在上述第1像素区域的第1像素电极，上述多个氧化物半导体tft包含与上述第1像素区域相对应的第1氧化物半导体tft，上述第1氧化物半导体tft具有：氧化物半导体层，其包含沟道区域、以及分别位于上述沟道区域的两侧的第1区域和第2区域，上述第1区域电连接到上述第1源极总线，上述第2区域电连接到上述第1像素电极；以及栅极电极，其电连接到上述第1栅极总线，上述第1像素电极具有与上述第1源极总线和上述第2源极总线中的至少一方隔着绝缘层重叠的部分。15.根据权利要求14所述的有源矩阵基板，其中，在从上述基板的法线方向来看时，上述第1像素电极的上述部分的上述行方向上的宽度是上述第1源极总线和上述第2源极总线中的上述至少一方的宽度的1/2以上。16.根据权利要求1至15中的任意一项所述的有源矩阵基板，其中，上述氧化物半导体层包含in-ga-zn-o系半导体。17.根据权利要求16所述的有源矩阵基板，其中，上述in-ga-zn-o系半导体包含结晶质部分。18.一种液晶显示装置，其特征在于，具备：权利要求1至17中的任意一项所述的有源矩阵基板；相对基板，其配置为与上述有源矩阵基板相对；以及液晶层，其设置在上述有源矩阵基板与上述相对基板之间。

技术总结
提供一种能抑制显示质量的下降的有源矩阵基板。有源矩阵基板包含：第1像素区域，其由相互相邻的第1和第2源极总线、以及相互相邻的第1和第2栅极总线划定；以及第1像素电极和第1氧化物半导体，其与第1像素区域相对应，第1氧化物半导体TFT具有氧化物半导体层和电连接到第1栅极总线的栅极电极，氧化物半导体层包含：沟道区域；以及低电阻区域，其包含分别位于沟道区域的两侧的第1区域和第2区域，低电阻区域在从基板的法线方向来看时横穿第1源极总线而延伸到别的像素区域，并与配置在别的像素区域的别的像素电极隔着绝缘层部分地重叠。的别的像素电极隔着绝缘层部分地重叠。的别的像素电极隔着绝缘层部分地重叠。


技术研发人员：西村淳 田川晶 岩濑泰章 竹内洋平
受保护的技术使用者：夏普显示科技株式会社
技术研发日：2022.05.11
技术公布日：2022/11/22