电子部件的制造方法、及显示装置的制造方法与流程

1.本发明涉及一种电子部件的制造方法，其是从在具有粘合剂层的转印用基板上配置有芯片部件的转印用层叠体，将芯片部件转印至驱动电路基板上的电子部件的制造方法，该制造方法减少粘合剂层的残渣，并且能够以良好的成品率对芯片部件进行转印。另外，本发明涉及一种显示装置的制造方法，该方法包括该电子部件的制造方法。


背景技术：

2.微型led显示器是如下显示装置：构成像素的一个个芯片为微细的发光二极管(led、light emitting diode)芯片，该微型led芯片自发光而显示图像。微型led显示器由于对比度高，响应速度快，而且不需要在液晶显示器、有机el显示器等中使用的滤色器等，所以也能够薄型化，因而作为新一代的显示装置受到瞩目。
3.在微型led显示器中，以平面状且高密度铺设有多个微型led芯片。制造这样的微型led显示器时，进行如下工序：从在具有粘合剂层的转印用基板上配置有多个微型led芯片的转印用层叠体上，将微型led芯片转印至驱动电路基板上，并电连接的工序。
4.在微型led芯片的转印工序中，在使转印用层叠体的配置有led芯片的面、与驱动电路基板的形成有电极的面相向的状态下，将微型led芯片从转印用层叠体剥离并进行转印。
5.作为将微型led芯片从转印用层叠体剥离的方法，例如已知有：通过从转印用层叠体的基板的背面向粘合剂层聚焦照射激光，从而将微型led芯片剥离的方法(例如，专利文献1)。另外，还已知有下述方法：使用配合有热膨胀性粒子、热膨胀性微型胶囊等的粘合剂层，将转印用层叠体与驱动电路基板热压接，使热膨胀性粒子、热膨胀性微型胶囊等发生热膨胀，由此，使粘合剂层变形，降低粘接面积，将微型led芯片剥离的方法(例如，专利文献2、3)。
6.现有技术文献
7.专利文献
8.专利文献1：日本特开2019-138949号公报
9.专利文献2：日本特开2019-15899号公报
10.专利文献3：日本特开2003-7986号公报


技术实现要素：

11.发明所要解决的问题
12.然而，在如专利文献1～3中记载的那样的照射激光的方法或使用热膨胀性粒子、热膨胀性微型胶囊等的方法中，存在粘合剂层的残渣附着于微型led芯片的问题。另外，在使用热膨胀性粒子、热膨胀性微型胶囊等的方法中，由于通过粘合剂层的变形将微型led芯片剥离，所以还存在难以以良好的成品率在驱动电路基板上转印微型led芯片的问题。
13.本发明的目的在于，提供一种电子部件的制造方法，其是从在具有粘合剂层的转
印用基板上配置有芯片部件的转印用层叠体，将芯片部件转印至驱动电路基板上的电子部件的制造方法，该制造方法减少粘合剂层的残渣、并且能够以良好的成品率对芯片部件进行转印。另外，本发明的目的在于，提供一种显示装置的制造方法，该方法包括该电子部件的制造方法。
14.用于解决问题的手段
15.本发明涉及一种电子部件的制造方法，该方法具有：使在具有含有气体产生剂的粘合剂层的转印用基板上配置有芯片部件的转印用层叠体、与驱动电路基板靠近，使上述芯片部件与上述驱动电路基板的位置对齐的工序(1)；和对上述含有气体产生剂的粘合剂层施加刺激，将上述芯片部件从上述转印用层叠体转印至上述驱动电路基板上的工序(2)。
16.以下，详细叙述本发明。
17.本发明人对以下内容进行了研究：从在具有粘合剂层的转印用基板上配置有芯片部件的转印用层叠体、将芯片部件转印至驱动电路基板上的电子部件的制造方法中，使用含有气体产生剂的粘合剂层，对该含有气体产生剂的粘合剂层施加刺激，由此将芯片部件从转印用层叠体剥离并进行转印。本发明人发现，根据这样的方法，减少了粘合剂层的残渣、并且能够以良好的成品率对芯片部件进行转印，从而完成了本发明。
18.在图1、6及7中示出示意性地表示本发明的电子部件的制造方法的工序的一例的图。以下，参照图1、6及7对本发明的电子部件的制造方法进行说明。
19.在本发明的电子部件的制造方法中，首先进行工序(1)：使在具有含有气体产生剂的粘合剂层的转印用基板上配置有芯片部件的转印用层叠体、与驱动电路基板靠近，使上述芯片部件与上述驱动电路基板的位置对齐。
20.在图1示出示意性地表示本发明的电子部件的制造方法中的工序(1)的一例的图。在上述工序(1)中，如图1所示，使在转印用基板9上配置有芯片部件1的转印用层叠体6、与驱动电路基板7靠近，使芯片部件1与驱动电路基板7的位置对齐。在图1中，芯片部件1及驱动电路基板7分别具有电极1a及电极7a。
21.需要说明的是，在图1中，转印用基板9是由支撑体5、及至少具有含有气体产生剂的粘合剂层的双面粘合带4构成的层叠体。然而，在本发明的电子部件的制造方法中，转印用基板不限定于这样的构成。
22.上述转印用层叠体在具有含有气体产生剂的粘合剂层的转印用基板上配置有芯片部件。
23.上述芯片部件没有特别限定，例如可举出：微型led芯片、图片传感器的光学芯片等。需要说明的是，上述芯片部件为微型led芯片，另外，包括本发明的电子部件的制造方法的显示装置的制造方法也是本发明之一。
24.在上述转印用层叠体中，在上述转印用基板的含有气体产生剂的粘合剂层上配置有上述芯片部件。
25.在本发明的电子部件的制造方法中，通过使用上述含有气体产生剂的粘合剂层，并通过在后述的工序(2)中，对上述含有气体产生剂的粘合剂层施加刺激，从而将上述芯片部件从上述转印用基板剥离，由此能够减少上述含有气体产生剂的粘合剂层的残渣，并且以良好的成品率对上述芯片部件进行转印。
26.上述转印用基板只要具有含有气体产生剂的粘合剂层就没有特别限定，例如，可
以是在基材的一面层叠有含有气体产生剂的粘合剂层的单面粘合带。即，不具有支撑体等，这样的单面粘合带本身就是上述转印用基板。
27.另外，上述转印用基板如图1所示，可以是由支撑体、及至少具有含有气体产生剂的粘合剂层的双面粘合带构成的层叠体。从制造上的处理性的观点考虑，上述转印用基板优选为由支撑体、及至少具有含有气体产生剂的粘合剂层的双面粘合带构成的层叠体。上述支撑体没有特别限定，例如可举出：玻璃基板、金属基板、有机基板等。
28.上述至少具有含有气体产生剂的粘合剂层的双面粘合带没有特别限定，优选除含有气体产生剂的粘合剂层(芯片部件侧粘合剂层)以外，进一步具有支撑体侧粘合剂层。即，上述至少具有含有气体产生剂的粘合剂层的双面粘合带优选为具有含有气体产生剂的粘合剂层和支撑体侧粘合剂层的双面粘合带。
29.在图2中示出示意性地表示在本发明的电子部件的制造方法中使用的至少具有含有气体产生剂的粘合剂层的双面粘合带的一例的剖面图。
30.图2所示的双面粘合带4是层叠有含有气体产生剂的粘合剂层(芯片部件侧粘合剂层)4b和支撑体侧粘合剂层4a、且不具有基材的双面粘合带。虽未图示，但在含有气体产生剂的粘合剂层(芯片部件侧粘合剂层)4b上配置芯片部件，将支撑体侧粘合剂层4a贴合于支撑体而使用。
31.在上述转印用基板具备上述支撑体、及具有上述含有气体产生剂的粘合剂层和支撑体侧粘合剂层的双面粘合带的情况下，具有上述含有气体产生剂的粘合剂层和支撑体侧粘合剂层的双面粘合带优选满足以下几点。即，将上述含有气体产生剂的粘合剂层相对于sus板的180
°
方向的剥离力设为fb、并将上述支撑体侧粘合剂层相对于sus板的180
°
方向的剥离力设为fa时，优选fa＞fb，并且fa为1n/英寸以上。
32.通过使fa＞fb、并且fa为1n/英寸以上，能够抑制上述支撑体与上述双面粘合带的剥离，并且将上述芯片部件容易地剥离。由此，能够以更高的成品率将上述芯片部件转印。
33.上述fa的更优选的下限为2n/英寸，进一步优选的下限为5n/英寸。上述fa的上限没有特别限定，实质上的上限为50n/英寸左右。
34.上述fb没有特别限定，优选的上限为0.3n/英寸。如果上述fb为0.3n/英寸以下，则能够将上述芯片部件容易地剥离，能够以更高的成品率将上述芯片部件转印。上述fb的更优选的上限为0.2n/英寸，进一步优选的上限为0.1n/英寸。上述fb的下限为没有特别限定，从抑制无意的脱落、并且通过气体产生将上述芯片部件剥离而没有残渣的观点、以及降低对上述芯片部件施加的剥离应力的观点考虑等，优选的下限为0.02n/英寸。
35.需要说明的是，在上述含有气体产生剂的粘合剂层及上述支撑体侧粘合剂层为固化型粘合剂层的情况下，fb及fa是指通过光照射等固化后的剥离力。作为通过光照射使上述含有气体产生剂的粘合剂层及上述支撑体侧粘合剂层固化的方法，例如可举出：使用超高压汞紫外线照射器，以累积照射量成为2000mj/cm2的方式对粘合剂层照射365nm的紫外线的方法。此时的照射强度没有特别限定，优选为50～500mw/cm2。
36.作为fb及fa的测定方法，例如可举出：使用autograph(岛津制作所公司制造)，在温度23℃、相对湿度50％的环境下，以300mm/min的拉伸速度沿着180
°
方向将双面粘合带剥离，并测定剥离力的方法。
37.通过使上述含有气体产生剂的粘合剂层含有气体产生剂，对上述含有气体产生剂
的粘合剂层施加刺激而产生气体，由此，能够在上述含有气体产生剂的粘合剂层与上述芯片部件之间产生基于气体而形成的间隙，将上述芯片部件容易地剥离。其结果是，能够减少上述含有气体产生剂的粘合剂层的残渣，并且以良好的成品率对上述芯片部件进行转印。另外，在更优选的方式中，通过对上述含有气体产生剂的粘合剂层施加刺激而产生气体，从而上述芯片部件从上述含有气体产生剂的粘合剂层剥离，能够在剥离应力不易施加于上述芯片部件的状态下或通过自然落下来进行转印。
38.上述气体产生剂没有特别限定，优选为通过光、热、电磁波或电子束等的刺激产生气体的气体产生剂。作为上述光，例如可举出：紫外线、激光等。其中，优选为通过光而产生气体的气体产生剂。
39.通过上述刺激而产生气体的气体产生剂没有特别限定，可以适当地使用偶氮化合物、叠氮化合物、羧酸化合物或四唑化合物。
40.作为上述偶氮化合物，例如可举出：2，2
’‑
偶氮双-(n-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2
’‑
偶氮双{2-甲基-n-[1，1-双(羟基甲基)-2-羟基乙基]丙酰胺}、2，2
’‑
偶氮双{2-甲基-n-[2-(1-羟基丁基)]丙酰胺}、2，2
’‑
偶氮双[2-甲基-n-(2-羟基乙基)丙酰胺]、2-偶氮双[n-(2-丙烯基)-2-甲基丙酰胺]、2，2
’‑
偶氮双(n-丁基-2-甲基丙酰胺)、2，2
’‑
偶氮双(n-环己基-2-甲基丙酰胺)、2，2
’‑
偶氮双[2-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氢氯化物、2，2
’‑
偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二氢氯化物、2，2
’‑
偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]二硫酸盐二水合物(日文：
ジサルフエイトジハイドロレート
)、2，2
’‑
偶氮双[2-(3，4，5，6-四氢嘧啶-2-基)丙烷]二氢氯化物、2，2
’‑
偶氮双{2-[1-(2-羟基乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}二氢氯化物、2，2
’‑
偶氮双[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷]、2，2
’‑
偶氮双(2-甲基丙脒)氢氯化物、2，2
’‑
偶氮双(2-氨基丙烷)二氢氯化物、2，2
’‑
偶氮双[n-(2-羧基酰基)-2-甲基-丙脒]、2，2
’‑
偶氮双{2-[n-(2-羧基乙基)脒]丙烷}、2，2
’‑
偶氮双(2-甲基丙酰胺肟)、2，2
’‑
偶氮双(2-甲基丙酸)二甲酯、2，2
’‑
偶氮双异丁酸二甲酯、4，4
’‑
偶氮双(4-氰基碳酸)(日文：4，4
’‑アゾビス
(4
‑シアンカルボニツクアシツド
))、4，4
’‑
偶氮双(4-氰基戊酸)、2，2
’‑
偶氮双(2，4，4-三甲基戊烷)等。
[0041]
作为上述叠氮化合物，例如可举出：3-叠氮甲基-3-甲基氧杂环丁烷、对苯二甲基叠氮(日文：
テレフタルアジド
)、对叔丁基苯甲酰叠氮、通过将3-叠氮甲基-3-甲基氧杂环丁烷开环聚合而得到的缩水甘油基叠氮聚合物等具有叠氮基的聚合物等。
[0042]
作为上述羧酸化合物，例如可举出：苯乙酸、联苯乙酸、三苯乙酸或其盐等。
[0043]
作为上述四唑化合物，例如可举出：1h-四唑、5-苯基-1h-四唑、5，5-偶氮双-1h-四唑或其盐等。
[0044]
上述气体产生剂的含量没有特别限定，相对于构成上述含有气体产生剂的粘合剂层的粘合剂100重量份的优选的下限为1重量份，优选的上限为100重量份。如果上述气体产生剂的含量为1重量份以上，则上述含有气体产生剂的粘合剂层具有充分的气体产生性，能够进一步减少粘合剂层的残渣，并且以良好的成品率对上述芯片部件进行转印。如果上述气体产生剂的含量为100重量份以下，则上述含有气体产生剂的粘合剂层具有充分的粘合性，能够抑制上述芯片部件的无意的脱落。上述气体产生剂的含量的更优选的下限为3重量份，更优选的上限为50重量份。
[0045]
构成上述含有气体产生剂的粘合剂层的粘合剂没有特别限定，可以为非固化型的
粘合剂或固化型的粘合剂中的任意粘合剂。具体而言，例如可举出：橡胶系粘合剂、丙烯酸系粘合剂、乙烯基烷基醚系粘合剂、硅酮系粘合剂、聚酯系粘合剂、聚酰胺系粘合剂、氨基甲酸酯系粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物系粘合剂等。其中，从粘合力的调节容易的方面出发，优选为丙烯酸系粘合剂，更优选为丙烯酸系的固化型粘合剂。
[0046]
作为上述固化型粘合剂，可举出通过光照射进行交联及固化的光固化型粘合剂、通过加热进行交联及固化的热固化型粘合剂等。其中，从在后述的工序(b)之前或之后通过光照射而固化，提高储能模量，由此能够进一步减少上述含有气体产生剂的粘合剂层的残渣，以良好的成品率对上述芯片部件进行转印的方面出发，优选为光固化型粘合剂，更优选为紫外线固化型粘合剂。即，上述含有气体产生剂的粘合剂层优选为光固化型粘合剂层，更优选为紫外线固化型粘合剂层。
[0047]
作为上述光固化型粘合剂，例如可举出：以聚合性聚合物作为主成分且含有光聚合引发剂的粘合剂。作为上述热固化型粘合剂，例如可举出：以聚合性聚合物作为主成分且含有热聚合引发剂的粘合剂。
[0048]
上述聚合性聚合物例如可以如下获得：预先合成在分子内具有官能团的(甲基)丙烯酸系聚合物(以下称为含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物)，使在分子内具有与上述的官能团进行反应的官能团、和自由基聚合性的不饱和键的化合物(以下称为含官能团不饱和化合物)进行反应而获得。
[0049]
上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物例如可以通过如下方式获得：使烷基的碳原子数通常在2～18的范围的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯、含官能团单体、以及根据需要使用的能与它们共聚的其它改性用单体进行共聚。
[0050]
上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的重均分子量没有特别限定，通常为20万～200万左右。
[0051]
需要说明的是，重均分子量可以利用凝胶渗透色谱来确定，例如，使用hsp gel hr mb-m 6.0
×
150mm作为色谱柱，使用thf作为洗脱液，在40℃下进行测定，并通过聚苯乙烯标准来确定。
[0052]
作为上述含官能团单体，例如可举出：丙烯酸、甲基丙烯酸等含羧基单体、丙烯酸羟基乙酯、甲基丙烯酸羟基乙酯等含羟基单体、丙烯酸缩水甘油酯、甲基丙烯酸缩水甘油酯等含环氧基单体。另外，作为上述含官能团单体，例如还可以举出丙烯酸异氰酸乙酯、甲基丙烯酸异氰酸乙酯等含异氰酸酯基单体、丙烯酸氨基乙酯、甲基丙烯酸氨基乙酯等含氨基单体等。
[0053]
作为上述能共聚的其它改性用单体，例如可举出：乙酸乙烯酯、丙烯腈、苯乙烯等一般的用于(甲基)丙烯酸系聚合物的各种单体。
[0054]
为了得到上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物，使原料单体在聚合引发剂的存在下进行自由基反应即可。作为使上述原料单体进行自由基反应的方法、即作为聚合方法，可利用现有公知的方法，例如可举出：溶液聚合(沸点聚合或定温聚合)、乳液聚合、悬浮聚合、本体聚合等。
[0055]
在用于得到上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的自由基反应中使用的聚合引发剂没有特别限定，例如可举出：有机过氧化物、偶氮化合物等。作为上述有机过氧化物，例如可举出：1，1-双(叔己基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷、过氧化新戊酸叔己酯、过氧化新
戊酸叔丁酯、2，5-二甲基-2，5-双(2-乙基己酰基过氧化)己烷、过氧化-2-乙基己酸叔己酯、过氧化-2-乙基己酸叔丁酯、过氧化异丁酸叔丁酯、过氧化-3，5，5-三甲基己酸叔丁酯、过氧化月桂酸叔丁酯等。作为上述偶氮化合物，例如可举出：偶氮双异丁腈、偶氮双环己烷腈等。这些聚合引发剂可以单独使用，也可以组合使用两种以上。
[0056]
作为与上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物反应的含官能团不饱和化合物，可以根据上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团使用与上述含官能团单体同样的化合物。例如，在上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团为羧基的情况下，可以使用含环氧基单体、含异氰酸酯基单体。在上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团为羟基的情况下，可以使用含异氰酸酯基单体。在上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团为环氧基的情况下，可以使用含羧基单体、丙烯酰胺等含酰胺基单体。在上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的官能团为氨基的情况下，可以使用含环氧基单体。
[0057]
上述光固化型粘合剂所含有的光聚合引发剂例如可举出：通过照射250～800nm的波长的光而活化的物质。作为这样的光聚合引发剂，例如可举出：甲氧基苯乙酮等苯乙酮衍生物化合物、苯偶姻丙醚、苯偶姻异丁醚等苯偶姻醚系化合物、苄基二甲基缩酮、苯乙酮二乙基缩酮等缩酮衍生物化合物、氧化膦衍生物化合物。另外，还可以举出：双(η5-环戊二烯基)二茂钛衍生物化合物、二苯甲酮、米蚩酮、氯代噻吨酮、十二烷基噻吨酮、二甲基噻吨酮、二乙基噻吨酮、α-羟基环己基苯基酮、2-羟甲基苯基丙烷等。这些光聚合引发剂可以单独使用，也可以组合使用两种以上。
[0058]
作为上述热固化型粘合剂所含有的热聚合引发剂，可举出：通过热而分解、产生使聚合固化开始的活性自由基的物质。具体而言，例如可举出：过氧化二枯基、二叔丁基过氧化物、过氧化苯甲酸叔丁酯、叔丁基过氧化氢、过氧化苯甲酰、过氧化氢异丙苯、过氧化氢二异丙苯、过氧化氢对孟烷、二叔丁基过氧化物等。
[0059]
上述热聚合引发剂的市售品没有特别限定，例如可举出perbutyl d、perbutyl h、perbutyl p、perpenta(日文：
パーペンタ
)h(以上均由日油公司制造)等。这些热聚合引发剂可以单独使用，也可以组合使用两种以上。
[0060]
上述含有气体产生剂的粘合剂层可以进一步含有自由基聚合性的多官能低聚物或单体。通过含有自由基聚合性的多官能低聚物或单体，上述含有气体产生剂的粘合剂层的光固化性及热固化性提高。
[0061]
上述多官能低聚物或单体没有特别限定，优选重均分子量为1万以下。从基于光照射或加热的上述含有气体产生剂的粘合剂层的三维网状化更高效地进行的方面出发，优选上述多官能低聚物或单体的重均分子量为5000以下、且分子内的自由基聚合性的不饱和键数量为2～20个。
[0062]
作为上述多官能低聚物或单体，例如可举出：三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、及它们的甲基丙烯酸酯等。另外，作为上述多官能低聚物或单体，例如还可以举出：1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、市售的低聚酯丙烯酸酯(日文：
オリゴエステルアクリレート
)、及它们的甲基丙烯酸酯等。这些多官能低聚物或单体可以单独使用，也可以组合使用两种以上。
[0063]
上述含有气体产生剂的粘合剂层可以进一步含有气相二氧化硅等无机填料。通过
含有无机填料，上述含有气体产生剂的粘合剂层的凝聚力提高，能够以充分的粘合力贴附于被粘附物，能够将被粘附物充分固定。
[0064]
上述含有气体产生剂的粘合剂层优选含有交联剂。通过含有交联剂，上述含有气体产生剂的粘合剂层的凝聚力提高，能够以充分的粘合力贴附于被粘附物，能够将被粘附物充分固定。
[0065]
上述交联剂没有特别限定，例如可举出：异氰酸酯系交联剂、环氧系交联剂、氮丙啶系交联剂、金属螯合物系交联剂等。其中，从粘合力进一步提高的方面出发，优选为异氰酸酯系交联剂。
[0066]
相对于构成上述含有气体产生剂的粘合剂层的粘合剂100重量份，上述交联剂的含量优选为0.01重量份以上且20重量份以下。通过使上述交联剂的含量在上述范围内，能够使上述粘合剂适度交联，提高粘合力。从进一步提高粘合力的观点考虑，上述交联剂的含量的更优选的下限为0.05重量份，更优选的上限为15重量份，进一步优选的下限为0.1重量份，进一步优选的上限为10重量份。
[0067]
上述含有气体产生剂的粘合剂层可以含有增塑剂、树脂、表面活性剂、蜡、微粒填充剂等公知的添加剂。这些添加剂可以单独使用，也可以组合使用两种以上。
[0068]
上述含有气体产生剂的粘合剂层的凝胶分数优选为20重量％以上且小于95重量％。通过使上述凝胶分数为上述范围内，能够以充分的粘合力贴附于被粘附物，能够将被粘附物充分固定。从使粘合力良好的观点考虑，上述粘合剂层的凝胶分数更优选为30重量％以上，更优选为90重量％以下。
[0069]
需要说明的是，在上述含有气体产生剂的粘合剂层为固化型粘合剂层的情况下，上述凝胶分数是指通过光照射等而固化前的凝胶分数。
[0070]
上述含有气体产生剂的粘合剂层在施加刺激前的储能模量为1.0
×
104pa以上。如果施加上述刺激前的储能模量为1.0
×
104pa以上，则能够充分保持上述芯片部件，而且能够进一步减少上述含有气体产生剂的粘合剂层的残渣，以更良好的成品率对上述芯片部件进行转印。施加上述刺激前的储能模量的更优选的下限为5.0
×
104pa。从充分保持上述芯片部件、且使剥离良好的观点考虑，关于施加上述刺激前的储能模量的上限，优选的上限为5.0
×
107pa，更优选的上限为5.0
×
106pa，进一步优选的上限为1.0
×
106pa。
[0071]
需要说明的是，在上述含有气体产生剂的粘合剂层为固化型粘合剂层的情况下，施加上述刺激前的储能模量是指通过光照射等使其固化前、且施加刺激前的储能模量。
[0072]
上述含有气体产生剂的粘合剂层的施加上述刺激前的储能模量例如可以如下进行测定。
[0073]
以厚度成为400μm的方式制作仅上述含有气体产生剂的粘合剂层的测定样品。对于该测定样品，使用粘弹性光谱仪(dva-200、it计测控制公司制造、或其同等品)在剪切模式、升温速度10℃/分钟、频率10hz的条件下进行测定。将此时的23℃下的储能模量设为施加刺激前的储能模量。
[0074]
上述含有气体产生剂的粘合剂层的厚度没有特别限定，优选为200μm以下。如果上述厚度为200μm以下，则能够进一步减少上述含有气体产生剂的粘合剂层的残渣，并且对上述芯片部件进行转印。上述厚度的更优选的上限为50μm，进一步优选的上限为20μm。上述厚度的下限为没有特别限定，从保持上述芯片部件、并且使剥离良好的观点考虑，优选的下限
为2μm，更优选的下限为5μm。
[0075]
构成上述支撑体侧粘合剂层的粘合剂没有特别限定，可以使用与构成上述含有气体产生剂的粘合剂层的粘合剂同样的粘合剂。其中，从耐热性优异、粘合力的调节容易的方面出发，优选为丙烯酸系粘合剂。
[0076]
作为上述丙烯酸系粘合剂，可举出以(甲基)丙烯酸系聚合物作为主成分的粘合剂。上述(甲基)丙烯酸系聚合物可以与上述含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物同样地通过例如下述方式而获得：使烷基的碳原子数通常在2～18的范围的丙烯酸烷基酯和/或甲基丙烯酸烷基酯、以及进一步根据需要使用的能与它们共聚的其它改性用单体进行共聚。
[0077]
上述至少具有含有气体产生剂的粘合剂层的双面粘合带可以是具有基材的支撑类型，也可以是不具有基材的无支撑类型。
[0078]
具体而言，例如，在具有基材的支撑类型的情况下，可以是在基材的一面具有上述含有气体产生剂的粘合剂层(芯片部件侧粘合剂层)、且在基材的另一面具有上述支撑体侧粘合剂层的双面粘合带。在不具有基材的无支撑类型的情况下，可以是上述含有气体产生剂的粘合剂层(芯片部件侧粘合剂层)与上述支撑体侧粘合剂层层叠而成的双面粘合带。
[0079]
上述基材的材料没有特别限制，优选为耐热性的材料。作为上述基材的材料，例如可举出：聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚缩醛、聚酰胺、聚碳酸酯、聚苯醚、聚对苯二甲酸丁二醇酯、超高分子量聚乙烯、间同立构聚苯乙烯、聚芳酯、聚砜、聚醚砜、聚苯硫醚、聚醚醚酮、聚酰亚胺、聚醚酰亚胺、氟树脂、液晶聚合物等。其中，从耐热性优异的方面出发，优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯。
[0080]
上述基材的厚度没有特别限定，优选的下限为5μm，优选的上限为188μm。通过使上述基材的厚度在上述范围内，能够制成具有适度的硬挺度(日文：
コシ
)、且处理性优异的双面粘合带。上述基材的厚度的更优选的下限为12μm，更优选的上限为125μm。
[0081]
上述芯片部件向上述转印用基板上的配置方法没有特别限定，例如可举出：在上述转印用基板的上述含有气体产生剂的粘合剂层上直接配置上述芯片部件的方法；从排列有上述芯片部件的临时层叠体，将上述芯片部件转印配置于上述转印用基板的方法等。从生产率的观点考虑，优选从排列有上述芯片部件的临时层叠体，将上述芯片部件转印配置于上述转印用基板的方法。
[0082]
从排列有上述芯片部件的临时层叠体，将上述芯片部件转印配置于上述转印用基板的方法没有特别限定，例如可举出包含以下工序(a)、工序(b)及工序(c)的方法。
[0083]
即，首先，进行准备排列有上述芯片部件的临时层叠体的工序(a)。接着，进行将上述临时层叠体的排列有上述芯片部件的面贴合于上述转印用基板的上述含有气体产生剂的粘合剂层的工序(b)。进一步地，进行将构成上述临时层叠体的临时基板与上述芯片部件剥离而得到在上述转印用基板上配置有上述芯片部件的转印用层叠体的工序(c)。
[0084]
在上述工序(a)中，准备排列有上述芯片部件的临时层叠体。
[0085]
在图3中示出示意性地表示在本发明的电子部件的制造方法中使用的临时层叠体的一例的剖面图。在图3所示出的临时层叠体3中，表面具有电极1a的多个芯片部件1以具有电极1a的一面进行接触的方式排列于临时基板2上。
[0086]
上述芯片部件通常经过下述芯片部件制造工序来制造，该工序包括：在经由临时固定用粘合剂层临时固定于玻璃基板等支撑体的状态下，在表面形成电极的工序等。然后，
将所制造的多个上述芯片部件在贴合于临时基板后，从临时固定用粘合剂层及支撑体剥离，由此排列于临时基板上。
[0087]
上述临时基板没有特别限定，例如可举出：玻璃基板、金属基板、有机基板等。上述临时基板优选具有用于使上述芯片部件配制于该临时基板上的粘合剂层。优选用于配置上述芯片部件的粘合剂层与上述芯片部件之间的剥离力比较小。
[0088]
接着，在上述工序(b)中，将上述临时层叠体的排列有上述芯片部件的面贴合于上述转印用基板的上述含有气体产生剂的粘合剂层。
[0089]
在图4中示出示意性地表示本发明的电子部件的制造方法中的工序(b)的一例的图。在上述工序(b)中，如图4所示，将在临时基板2上排列有芯片部件1的临时层叠体的排列有芯片部件1的面贴合于转印用基板9上的含有气体产生剂的粘合剂层。即，将芯片部件1的背面贴合至转印用基板9上的含有气体产生剂的粘合剂层。
[0090]
需要说明的是，在图4中，转印用基板9是由支撑体5、及至少具有含有气体产生剂的粘合剂层的双面粘合带4构成的层叠体。然而，在本发明的电子部件的制造方法中，转印用基板不限定于这样的构成。
[0091]
将上述临时层叠体的排列有上述芯片部件的面贴合于上述转印用基板的上述含有气体产生剂的粘合剂层的方法没有特别限定，例如使用倒装芯片接合机(例如，fc-3000、东丽工程公司制造、或其同等品)即可。
[0092]
接着，在上述工序(c)中，使上述临时基板与上述芯片部件剥离，得到在上述转印用基板上配置有上述芯片部件的转印用层叠体。
[0093]
在图5中示出了示意性地表示本发明的电子部件的制造方法中的工厅(c)的一例的图。在上述工厅(c)中，通过使上述临时基板与上述芯片部件剥离，从而得到了如图5所示的在转印用基板9上配置有芯片部件1的转印用层叠体6。
[0094]
使上述临时基板与上述芯片部件剥离的方法没有特别限定，例如，通过将上述临时基板剥离从而从上述芯片部件剥离即可。
[0095]
在上述工序(1)中，使如此得到的转印用层叠体与驱动电路基板靠近，使上述芯片部件与上述驱动电路基板的位置对齐。
[0096]
使上述芯片部件与上述驱动电路基板的位置对齐的方法没有特别限定，例如使用倒装芯片接合机(例如，fc-3000、东丽工程公司制造、或其同等品)即可。
[0097]
在上述工序(1)中，上述芯片部件与上述驱动电路基板可以如图1所示那样分离，也可以相接。从抑制由上述芯片部件与上述驱动电路基板的接触导致的破损的观点考虑，优选上述芯片部件与上述驱动电路基板分离。
[0098]
在本发明的电子部件的制造方法中，在上述工序(1)之后，进行对上述含有气体产生剂的粘合剂层施加刺激、将上述芯片部件从上述转印用层叠体转印至上述驱动电路基板上的工序(2)。
[0099]
由此，将上述芯片部件与上述驱动电路基板连接。
[0100]
上述驱动电路基板没有特别限定，通常在上述驱动电路基板的表面形成粘接剂层来实现与上述芯片部件的连接及导通，优选上述驱动电路基板在表面具有各向异性导电膜、各向异性导电粘接剂。在上述工序(2)中，优选将上述芯片部件上的电极与上述驱动电路基板上的电极电连接。
[0101]
在上述工序(2)中，可以对上述含有气体产生剂的粘合剂层整体施加刺激，也可以对上述含有气体产生剂的粘合剂层的每个要进行剥离的芯片部件区域施加刺激。在对上述含有气体产生剂的粘合剂层整体施加刺激的情况下，从能够将多个上述芯片部件一起转印的方面考虑是优选的，在对上述含有气体产生剂的粘合剂层的每个要进行剥离的芯片部件区域施加刺激的情况下，从选择性地仅对目标上述芯片部件进行转印的方面考虑是优选的。
[0102]
需要说明的是，在上述含有气体产生剂的粘合剂层为固化型粘合剂层的情况下，例如，可以同时进行通过光照射等使上述含有气体产生剂的粘合剂层固化、以及对上述含有气体产生剂的粘合剂层施加刺激。
[0103]
在图6中示出了示意性地表示本发明的电子部件的制造方法中的工序(2)的一例的图。在上述工序(2)中，例如，如图6所示，通过例如紫外线对至少具有含有气体产生剂的粘合剂层的双面粘合带4的含有气体产生剂的粘合剂层整体施加刺激，使芯片部件1从转印用基板9剥离，将芯片部件1转印至驱动电路基板7上。
[0104]
在图7中示出了示意性地表示本发明的电子部件的制造方法中的工序(2)的另一例的图。在上述工序(2)中，例如，如图7所示，通过例如由光照射装置8照射的光8a对至少具有含有气体产生剂的粘合剂层的双面粘合带4的含有气体产生剂的粘合剂层的每个要进行剥离的芯片部件区域施加刺激，使芯片部件1从转印用基板9剥离，将芯片部件1转印至驱动电路基板7上。
[0105]
在本发明的电子部件的制造方法中，通过对上述含有气体产生剂的粘合剂层施加刺激，从而使上述芯片部件从上述转印用基板剥离，由此能够减少上述含有气体产生剂的粘合剂层的残渣，并且以良好的成品率对上述芯片部件进行转印。
[0106]
对上述含有气体产生剂的粘合剂层施加的刺激没有特别限定，优选为光、热、电磁波或电子束。上述光没有特别限定，优选为紫外线或激光。特别是在对上述含有气体产生剂的粘合剂层整体施加刺激的情况下，优选为紫外线，在对上述含有气体产生剂的粘合剂层的每个要进行剥离的芯片部件区域施加刺激的情况下，优选使激光或紫外线聚光并进行照射。
[0107]
发明效果
[0108]
根据本发明，能够提供一种电子部件的制造方法，其是从在具有粘合剂层的转印用基板上配置有芯片部件的转印用层叠体，将芯片部件转印至驱动电路基板上的电子部件的制造方法，该制造方法减少粘合剂层的残渣、并且能够以良好的成品率对芯片部件进行转印。另外，根据本发明，能够提供包含该电子部件的制造方法的显示装置的制造方法。
附图说明
[0109]
图1是示意性地表示本发明的电子部件的制造方法中的工序(1)的一例的图。
[0110]
图2是示意性地表示在本发明的电子部件的制造方法中使用的至少具有含有气体产生剂的粘合剂层的双面粘合带的一例的剖面图。
[0111]
图3是示意性地表示在本发明的电子部件的制造方法中使用的临时层叠体的一例的剖面图。
[0112]
图4是示意性地表示本发明的电子部件的制造方法中的工序(b)的一例的图。
[0113]
图5是示意性地表示本发明的电子部件的制造方法中的工序(c)的一例的图。
[0114]
图6是示意性地表示本发明的电子部件的制造方法中的工序(2)的另一例的图。
[0115]
图7是示意性地表示本发明的电子部件的制造方法中的工序(2)的另一例的图。
具体实施方式
[0116]
以下，举出实施例对本发明的方式更详细地进行说明，但本发明不仅限定于这些实施例。
[0117]
((甲基)丙烯酸系聚合物a的合成)
[0118]
准备具备温度计、搅拌机、冷凝管的反应器。在该反应器内加入作为(甲基)丙烯酸烷基酯的丙烯酸2-乙基己酯51重量份、丙烯酸异冰片酯37重量份、作为含官能团单体的丙烯酸1重量份、甲基丙烯酸羟基乙酯19重量份、月桂基硫醇0.01重量份、以及乙酸乙酯80重量份后，对反应器进行加热，开始回流。接着，在上述反应器内添加作为聚合引发剂的1，1-双(叔己基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷0.01重量份，在回流下开始聚合。接下来，在聚合开始1小时后及2小时后也分别添加0.01重量份的1，1-双(叔己基过氧化)-3，3，5-三甲基环己烷，进一步在聚合开始4小时后添加过氧化新戊酸叔丁酯0.05重量份，使聚合反应继续。然后，聚合开始8小时后，得到固体成分55重量％、重均分子量60万的含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的乙酸乙酯溶液。
[0119]
相对于得到的包含含官能团(甲基)丙烯酸系聚合物的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，添加甲基丙烯酸2-异氰酸根合乙酯12重量份进行反应，得到(甲基)丙烯酸系聚合物a。
[0120]
(构成芯片部件侧粘合剂层的粘合剂溶液a的制备)
[0121]
相对于所得到的(甲基)丙烯酸系聚合物a的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合了交联剂(s-dine(日文：
エスダイン
)固化剂ua、sekisui fuller公司制造)1.25重量份、光引发剂(omnirad651、toyotsu chemiplas公司制造)1重量份、及气体产生剂(vam-110、富士胶片和光纯药公司制造)20重量份。由此，得到构成芯片部件侧粘合剂层的粘合剂的乙酸乙酯溶液。
[0122]
(构成芯片部件侧粘合剂层的粘合剂溶液b的制备)
[0123]
相对于丙烯酸系聚合物(sk dyne(日文：
ダイン
)1495c、综研化学公司制造)的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合交联剂(s-dine固化剂ua、sekisui fuller公司制造)2重量份，得到构成芯片部件侧粘合剂层的粘合剂的乙酸乙酯溶液。
[0124]
(构成支撑体侧粘合剂层的粘合剂溶液c的制备)
[0125]
相对于丙烯酸系聚合物(sk dyne 1604n、综研化学公司制造)的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合交联剂(s-dine固化剂ua、sekisui fuller公司制造)1重量份，得到构成支撑体侧粘合剂层的粘合剂的乙酸乙酯溶液。
[0126]
(构成支撑体侧粘合剂层的粘合剂溶液d的制备)
[0127]
相对于丙烯酸系聚合物(sk dyne 1495c、综研化学公司制造)的乙酸乙酯溶液的树脂固体成分100重量份，混合交联剂(s-dine固化剂ua、sekisui fuller公司制造)0.5重量份，得到构成支撑体侧粘合剂层的粘合剂的乙酸乙酯溶液。
[0128]
(实施例1)
[0129]
(1)双面粘合带的制造
[0130]
用刮刀将所得到的构成芯片部件侧粘合剂层的粘合剂溶液a涂敷于实施了脱模处理后的pet膜(ns-50-c、nakamoto packs公司制造)上，使得干燥被膜的厚度成为10μm，在常温下静置10分钟。然后，使用预先加热至110℃的烘箱，在110℃下加热5分钟，使涂敷溶液干燥，得到芯片部件侧粘合剂层。
[0131]
同样地，用刮刀将所得到的构成支撑体侧粘合剂层的粘合剂溶液c涂敷于实施了脱模处理后的pet膜(ns-50-ma、nakamoto packs公司制造)上，使得干燥被膜的厚度成为10μm，在常温下静置10分钟。然后，使用预先加热至110℃的烘箱，在110℃下加热5分钟，使涂敷溶液干燥，得到支撑体侧粘合剂层。通过将芯片部件侧粘合剂层与支撑体侧粘合剂层贴合，从而得到双面粘合带。
[0132]
(2)fa的测定
[0133]
用乙醇清洗厚度1mm的sus板的表面，充分干燥。将预先切成宽25mm、长10cm的双面粘合带的支撑体侧粘合剂层侧的隔离件剥离，使2kg的辊往复1次，贴附于sus板，得到层叠体。然后，将芯片部件侧粘合剂层侧的隔离件剥离，使2kg的辊往复1次而将厚度50μm的pet膜(lumirror s10、东丽公司制造)粘贴于上述层叠体，得到测定用样品。
[0134]
然后，使用超高压汞紫外线照射器，以累积照射量成为2000mj/cm2的方式对测定用样品照射365nm的紫外线。以照射强度成为100mw/cm2的方式调节照度。使用autograph(岛津制作所公司制造)，在温度23℃、相对湿度50％的环境下，以300mm/min的拉伸速度沿着180
°
方向将双面粘合带剥离，对剥离力fa进行测定。需要说明的是，关于对测定样品照射紫外线前的剥离力，也同样地进行测定。
[0135]
(3)fb的测定
[0136]
将双面粘合带的支撑体侧粘合剂层侧的隔离件剥离并粘贴厚度50μm的pet膜(lumirror s10、东丽公司制造)后，将芯片部件侧粘合剂层侧的隔离件剥离，贴附于sus板，制作测定用样品。除此以外，与上述fa的测定同样地进行测定。
[0137]
(4)照射紫外线前的储能模量的测定
[0138]
以厚度成为400μm的方式制作仅为芯片部件侧粘合剂层的测定样品。对于该测定样品，使用粘弹性光谱仪(dva-200、it计测控制公司制造)在剪切模式、升温速度10℃/分钟、频率10hz的条件下进行测定。将此时的23℃下的储能模量作为施加刺激前(通过紫外线的照射使其固化前、且施加刺激前)的储能模量。
[0139]
(5)芯片部件对支撑体的贴合(转印用层叠体的制作)
[0140]
使用层压装置(atm-812、takatori公司制造)，将双面粘合带的支撑体侧粘合剂层侧的隔离件剥离，将双面粘合带与支撑体(石英玻璃)贴合，得到转印用基板。
[0141]
然后，将转印用基板中的双面粘合带的芯片部件侧粘合剂层侧的隔离件剥离，使用倒装芯片接合机(fc-3000、东丽工程公司制造)，将si芯片(1cm见方、厚度700μm)载置于芯片部件侧粘合剂层上，得到转印用层叠体。
[0142]
(6)芯片部件的转印
[0143]
作为驱动电路基板，使用在表面具有粘接层(相对于sus板的180
°
方向的剥离力为0.2n/英寸)的基板。使转印用层叠体的芯片表面与驱动电路基板相接，除此以外，与图1同样地操作，进行芯片部件与驱动电路基板的位置对齐。然后，使用高压汞紫外线照射装置
(gwsm-300r、takatori公司制造)，以累积照射量成为2000mj/cm2的方式从支撑体侧对芯片部件侧粘合剂层整体照射365nm的紫外线，对芯片部件侧粘合剂层整体施加刺激而产生气体，同时使芯片部件侧粘合剂层固化(整面照射)。以照射强度成为100mw/cm2的方式调节照度。照射后，将转印用基板提起，进行了芯片部件的转印。
[0144]
(实施例2)
[0145]
将芯片部件侧粘合剂层及支撑体侧粘合剂层的厚度分别变更为25μm，除此以外，与实施例1同样地进行芯片部件的转印。
[0146]
(实施例3)
[0147]
使用构成芯片部件侧粘合剂层的粘合剂溶液b，除此以外，与实施例1同样地进行芯片部件的转印。
[0148]
(实施例4)
[0149]
与实施例1同样地制造双面粘合带。使用点uv照射装置(ls5、hamamatsu photonics公司制造)使紫外线聚光于1cm见方来代替对芯片部件侧粘合剂层整体照射(整面照射)紫外线，以照射强度成为500mw/cm2的方式对芯片部件侧粘合剂层的每个要进行剥离的芯片部件区域照射10秒钟，除此以外，与实施例1同样地进行芯片部件的转印。
[0150]
(实施例5)
[0151]
使用构成支撑体侧粘合剂层粘合剂溶液d，除此以外，与实施例1同样地进行芯片部件的转印。
[0152]
《评价》
[0153]
对于实施例，通过以下的方法进行评价。将结果示于表1。
[0154]
(1)转印的成品率评价
[0155]
进行5次上述(6)的芯片部件的转印，将5次全部可转印的情况设为
○
、将即便有1次未能转印的情况设为
×
。
[0156]
(2)残渣的评价
[0157]
通过光学显微镜(vhx-500f、keyence公司制造)对上述(6)的芯片部件的转印后的芯片部件进行观察，对残渣的附着进行评价。对于每个芯片部件，将0.1mm以上的残胶部位为1个以下的情况设为
◎
，将为2个以上且5个以下的情况设为
○
，将5个以上或剥离不良而未能观察的情况设为
×
。
[0158]
(3)芯片部件与双面粘合带的剥离评价(自然落下次数的测定)
[0159]
设置成转印用层叠体的芯片表面与驱动电路基板分离1cm，进行芯片部件与驱动电路基板的位置对齐，除此以外，与实施例(上述(6)的芯片部件的转印)同样地进行芯片部件的转印。进行5次评价，测定能够确认紫外线照射后的芯片部件从芯片部件侧粘合剂层自然剥离(落下)、而转印至驱动电路基板的次数(落下次数)。
[0160]
[表1]
[0161][0162]
产业上的可利用性
[0163]
根据本发明，能够提供一种电子部件的制造方法，其是从在具有粘合剂层的转印
用基板上配置有芯片部件的转印用层叠体，将芯片部件转印至驱动电路基板上的电子部件的制造方法，该制造方法能够减少粘合剂层的残渣，并且以良好的成品率对芯片部件进行转印。另外，根据本发明，能够提供一种显示装置的制造方法，其包括该电子部件的制造方法。
[0164]
附图标记说明
[0165]1ꢀꢀꢀ
芯片部件
[0166]
1a
ꢀꢀ
电极
[0167]2ꢀꢀꢀ
临时基板
[0168]3ꢀꢀꢀ
临时层叠体
[0169]4ꢀꢀꢀ
至少具有含有气体产生剂的粘合剂层的双面粘合带
[0170]
4a
ꢀꢀ
支撑体侧粘合剂层
[0171]
4b
ꢀꢀ
含有气体产生剂的粘合剂层(芯片部件侧粘合剂层)
[0172]5ꢀꢀꢀ
支撑体
[0173]6ꢀꢀꢀ
转印用层叠体
[0174]7ꢀꢀꢀ
驱动电路基板
[0175]
7a
ꢀꢀ
电极
[0176]8ꢀꢀꢀ
光照射装置
[0177]
8a
ꢀꢀ
光
[0178]9ꢀꢀꢀ
转印用基板