晶圆级微透镜阵列的压印固化设备、制造方法及应用与流程

技术特征：
1.一种晶圆级微透镜阵列的压印固化设备，其特征在于，包括具有图形化微结构的压印模具、可编辑uv固化光源以及测量模块，所述的可编辑uv固化光源包括：uv灯，用于发射紫外光;匀光系统,用于将所述的uv灯发出的光均匀地照射在数字微镜芯片上;dlp投影模块，包括可编程数字控制器和数字微镜芯片，所述的dlp投影模块用于提供一光强可调、照射图案、照射面积以及曝光时间可调的照射光束；所述的测量模块用于采集纳米压印材料的收缩量，所述的dlp投影模块被配置为能够根据所述的测量模块反馈的收缩量调整所述的照射光束的光强、照射图案、照射面积和曝光时间中的至少一个参数。2.根据权利要求1所述的压印固化设备，其特征在于：所述的压印固化设备还包括固定平台以及设置在固定平台上的z轴伸缩补偿机构，所述的压印模具固定安装在z轴伸缩补偿机构上，并可沿光轴方向移动。3.根据权利要求2所述的压印固化设备，其特征在于：所述的测量模块采集所述的纳米压印材料在光轴方向上的收缩量。4.根据权利要求3所述的压印固化设备，其特征在于：所述的压印固化设备还包括计算机系统，所述的计算机系统与所述的测量模块、dlp投影模块以及z轴伸缩补偿机构分别通讯连接，所述的计算机系统还包括处理器和存储器，所述的存储器内预存有计算机程序，所述的处理器被配置为执行所述的计算机程序以实现：向所述的dlp投影模块提供一投影信息，以发射照射光束使部分纳米压印材料固化；检测所述的纳米压印材料在光轴方向上的收缩量；基于所述的收缩量调整所述的投影信息的参数，以保证所述的纳米压印材料的收缩量始终小于等于设定收缩量阈值，所述的参数包括光强、照射图案、照射面积以及曝光时间中的一种或两种以上；多次照射直至所述的纳米压印材料被全部固化。5.根据权利要求1所述的压印固化设备，其特征在于：所述的可编辑uv固化光源还包括成像系统，所述的成像系统用于将所述的数字微镜芯片反射的光线放大后出射。6.一种晶圆级微透镜阵列的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：1）.提供一带有图形化微结构的压印模具，用所述的压印模具对涂布在透明基底上的uv纳米压印材料进行压印，所述的基底垂直于一光轴方向设置；2）.提供一可编辑uv固化光源；3）.提供一投影信息，所述的投影信息包含预定照射光束的光强、照射图案、照射面积以及曝光时间信息；4）.响应于所述的投影信息,所述的可编辑uv固化光源对所述的uv纳米压印材料渐进照射，使所述的uv纳米压印材料逐步固化；5）.分离所述的压印模具与所述的uv纳米压印材料。7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于：还包括在步骤3中，实时采集所述的uv纳米压印材料在光轴方向上的收缩量，以及基于所述的收缩量调整所述的投影信息，使所述的收缩量始终小于等于设定收缩量阈值。8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：当所述的收缩量大于预定收缩量阈值时，调整所述的投影信息的参数，以降低所述的uv纳米压印材料的固化速度。9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于：当所述的收缩量大于预定收缩量阈值
时，调低光强度、减小照射面积和减少曝光时间中的任意一种或两种以上。10.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：步骤3中，所述的渐进照射是在沿光轴方向逐层照射固化所述的纳米压印材料。11.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：步骤3中，所述的渐进照射是在垂直于光轴的平面上划分多个区域，对所述的纳米压印材料逐个区域进行照射。12.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：步骤3中，所述的渐进照射是对所述的压印模具上的若干个微结构进行分批照射。13.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于：步骤3中，对应于各所述微结构的照射光束的照射面积是逐渐增加的。14.根据权利要求13所述的制造方法，其特征在于：步骤3中，对应于各所述微结构的照射光束的是从各所述微结构的中央向边缘逐渐照射的。15.可编辑uv固化光源在纳米压印固化设备中的应用，其特征在于,所述的可编辑uv固化光源为dlp投影光源，所述的应用是采用可编辑uv固化光源渐进照射并分步固化纳米压印材料，以实现纳米压印材料的可控收缩。16.根据权利要求15所述的应用，其特征在于：通过调节所述的可编辑uv固化光源出射光的照射面积、照射强度或曝光时间调节纳米压印材料的固化速度和收缩量。

技术总结
本发明涉及一种晶圆级微透镜阵列的压印固化设备、晶圆级微透镜阵列的制造方法，以及可编辑UV固化光源在纳米压印领域中的应用，是通过可编辑UV固化光源，以数字方式对纳米压印材料的固化速度、固化能量、固化深度进行控制实现逐层固化、分步、分区固化，采用本申请的压印固化设备和制造方法获得的晶圆级微透镜阵列，具有面型精度高、固化缺陷低、产品可靠性和可重复性高的优点。可重复性高的优点。可重复性高的优点。


技术研发人员：欧跃 陈耀 杨剑宏
受保护的技术使用者：苏州晶方光电科技有限公司
技术研发日：2022.09.15
技术公布日：2022/11/18