电子发射陶瓷的制作方法

技术特征：
1.一种电子发射陶瓷，包含至少>70vol％的c12a7-电子盐和一定比例的zr、hf、v、nb、ta、cr、mo、w、mn、re、fe、ru、os、ni、pd、pt、cu、ag、au、zn、cd、in、sn、sb、te、ti、pb或bi作为单独的金属或作为这些金属相互间和/或与ti的混合物或化合物或合金，其中金属的比例在>0和<30vol％之间，并且所述陶瓷的密度为陶瓷理论密度的至少85％，并且所述陶瓷包含0至最多10vol％的与生产相关的杂质、掺杂剂、助剂和/或添加剂。2.根据权利要求1所述的电子发射陶瓷，其中70至90vol％、有利地75至90vol％的c12a7电子盐存在于陶瓷中。3.根据权利要求1所述的电子发射陶瓷，其中存在5至<30vol％、有利地5至20vol％、更有利地10至15vol％的金属。4.根据权利要求1所述的电子发射陶瓷，其中形成金属的渗流网络。5.根据权利要求1所述的电子发射陶瓷，其中所述陶瓷的密度为陶瓷理论密度的＞95％。6.根据权利要求1所述的电子发射陶瓷，其中惰性金属、有利地mo、w、nb、ta、re、au、pt、pd作为金属存在。7.根据权利要求1所述的电子发射陶瓷，其中单独的金属或金属合金作为金属存在。8.根据权利要求1所述的电子发射陶瓷，其中碱土金属元素、如sr和/或ba作为与生产相关的杂质、掺杂剂、助剂和/或添加剂存在。

技术总结
本发明涉及陶瓷领域，并与电子发射陶瓷有关，以及如何将其用作太空旅行系统中电子发射的阴极材料。本发明的目的是提供一种电子发射陶瓷，它在改善温度传导性的同时，还具有持续的电子发射。本发明的目的是通过一种电子发射陶瓷实现的，该陶瓷含有至少>70vol.％的C12A7-电子盐和一定比例的Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Re、Fe、Ru、Os、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、In、Sn、Sb、Te、Tl、Pb或Bi作为金属和/或含有Ti，其中金属的比例在>0和<30vol.其中，金属的比例在>0到<30vol.％之间，陶瓷的密度至少为陶瓷理论密度的85％，陶瓷含有0到最大10vol.％的工艺杂质。10vol.％的工艺杂质。10vol.％的工艺杂质。


技术研发人员：K
受保护的技术使用者：弗劳恩霍夫应用研究促进协会
技术研发日：2021.03.17
技术公布日：2022/11/18