放射治疗设备和磁共振引导的放射治疗系统的制作方法

技术特征：
1.一种放射治疗设备，其特征在于，包括：电子枪和束流偏转单元，所述束流偏转单元呈曲形，用于在磁场内对所述电子枪输出的电子束进行加速。2.如权利要求1所述的放射治疗设备，其特征在于，所述束流偏转单元各处的曲率不完全相同。3.如权利要求2所述的放射治疗设备，其特征在于，所述束流偏转单元靠近所述电子枪一端的曲率大于所述束流偏转单元远离所述电子枪一端的曲率。4.如权利要求1所述的放射治疗设备，其特征在于，所述束流偏转单元包括串联排列的至少两个加速腔，所述至少两个加速腔的曲率从靠近所述电子枪的位置起向外依次递减。5.如权利要求4所述的放射治疗设备，其特征在于，电子束穿过所述至少两个加速腔的其中之一的偏转角度范围为0
°
～15
°
6.如权利要求4所述的放射治疗设备，其特征在于，所述至少两个加速腔包括靠近所述电子枪的位置起向外依次排列的第一加速腔、第二加速腔、第三加速腔和第四加速腔。7.如权利要求6所述的放射治疗设备，其特征在于，电子束穿过所述第一加速腔的第一偏转角度范围为0
°
～10
°
；电子束穿过所述第二加速腔的第二偏转角度范围为0
°
～15
°
；电子束穿过所述第三加速腔的第三偏转角度范围为0
°
～5
°
；电子束穿过所述第四加速腔的第四偏转角度范围为0
°
～5
°
。8.如权利要求1所述的放射治疗设备，其特征在于，所述束流偏转单元的长度范围为200mm～400mm。9.如权利要求1所述的放射治疗设备，其特征在于，电子束穿过所述束流偏转单元的偏转角度范围为0
°
～30
°
。10.如权利要求1所述的放射治疗设备，其特征在于，所述磁场强度范围为0gs～50gs。11.如权利要求1所述的放射治疗设备，其特征在于，所述电子枪为射频电子枪。12.如权利要求11所述的放射治疗设备，其特征在于，所述射频电子枪包括设置在所述束流偏转单元内的热阴极。13.如权利要求12所述的放射治疗设备，其特征在于，所述热阴极设置在所述束流偏转单元靠近所述电子枪的一端。14.一种磁共振引导放射治疗系统，其特征在于，包括放射治疗设备和磁共振成像设备；所述放射治疗设备包括电子枪以及束流偏转单元，所述束流偏转单元呈曲形，用于在一定磁场强度范围内对所述电子枪输出的电子束进行加速；所述磁共振成像设备包括：主磁体，其包括沿轴同轴布置的至少两个主磁场线圈；以及至少两个屏蔽线圈，其包括沿所述轴同轴布置的第一屏蔽线圈、第二屏蔽线圈和屏蔽线圈组，其中，所述屏蔽线圈组位于所述第一屏蔽线圈和所述第二屏蔽线圈之间。15.如权利要求14所述的放射治疗系统，其特征在于，所述屏蔽线圈组包括沿所述轴同轴布置的第一线圈组和第二线圈组；所述第一线圈组或所述第二线圈组包括第一线圈和第二线圈。
16.如权利要求15所述的放射治疗系统，其特征在于，所述第一线圈内电流的方向与所述第二线圈内电流的方向相反；和/或所述第一线圈或所述第二线圈的半径大于所述至少两个主磁场线圈的半径；和/或所述第一线圈的半径大于所述第二线圈的半径。17.一种磁共振引导的放射治疗系统，所述系统包括放射治疗设备和磁共振成像设备，其特征在于，所述磁共振成像设备包括：至少两个主磁线圈；至少两个磁屏蔽线圈；以及环形低温恒温器，其中所述至少两个主磁线圈和所述至少两个磁屏蔽线圈沿所述环形低温恒温器的轴同轴布置，所述至少两个磁屏蔽线圈设置在比所述至少两个主磁线圈距所述轴更大的半径处，所述环形低温恒温器包括与所述轴同轴的至少一个外壁和至少一个内壁，所述环形低温恒温器还包括介于所述至少一个外壁和所述至少一个内壁之间的环形凹槽，所述环形凹槽具有在所述至少一个外壁上形成的开口；所述放射治疗设备包括电子枪和曲形束流偏转单元，所述束流偏转单元用于在一定磁场强度范围内对所述电子枪发射的电子束进行加速；所述束流偏转单元至少部分位于所述环形低温恒温器的所述环形凹槽内；第一屏蔽结构，被配置用于为所述电子枪和所述束流偏转单元中的至少一个提供磁屏蔽；以及与所述第一屏蔽结构基本相同的至少一个第二屏蔽结构，所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构分别位于所述环形凹槽内的选定圆周位置。18.如权利要求17所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少一个第二屏蔽结构位于所述第一磁屏蔽结构相对于所述轴的相对圆周位置处。19.根据权利要求17所述的放射治疗系统，其特征在于，所述电子枪和所述曲形束流偏转单元至少部分地被所述第一屏蔽结构包围。20.根据权利要求17所述的放射治疗系统，其特征在于，所述至少一个第二屏蔽结构包括多于两个第二屏蔽结构，并且所述第一屏蔽结构和所述至少一个第二屏蔽结构均匀分布在所述环形凹槽内。

技术总结
一种放射治疗设备(100、320)和磁共振引导的放射治疗系统(300、400、500、600、700)。所述放射治疗设备(100、320)可包括电子枪(110)和曲形束流偏转单元(120、409、509、609、709)。所述束流偏转单元(120、409、509、609、709)用于在一定磁场强度范围(B0)内对所述电子枪(110)输出的电子束进行加速。所述磁共振引导的放射治疗系统(300、400、500、600、700)可包括放射治疗设备(100、320)和磁共振成像设备(310)。320)和磁共振成像设备(310)。320)和磁共振成像设备(310)。


技术研发人员：汪鹏 贺守波 倪成 潘刚 程鹏
受保护的技术使用者：上海联影医疗科技股份有限公司
技术研发日：2020.06.17
技术公布日：2022/11/18