电子部件及其制造方法与流程

1.本发明涉及电子部件及其制造方法，特别是涉及具有在基板上交替层叠有多个导体层和多个绝缘层的结构的电子部件及其制造方法。


背景技术：

2.专利文献1中公开了一种lc滤波器，其具有在基板上形成有电容器和电感器的结构。在专利文献1所记载的lc滤波器中，将电容器的下部电极和构成电感器的线圈图案配置于相同的导体层。
3.[现有技术文献]
[0004]
专利文献1：日本特开2008-34626号公报


技术实现要素：

[0005]
[发明所要解决的技术问题]
[0006]
然而，在将电容器的下部电极和线圈图案配置于相同的导体层的情况下，若为了提高线圈的q值而加厚线圈图案的导体厚度的话，则电容器的下部电极的导体厚度也必然变厚。因此，难以在下部电极上高精度地形成上部电极，存在电容器的偏差变大的问题。
[0007]
因此，本发明的目的在于，在集成了如电容器那样要求较高的加工精度的元件和如电感器那样要求足够的导体厚度的元件而成的电子部件中，满足两个元件所要求的特性。此外，本发明的目的在于提供这样的电子部件的制造方法。
[0008]
[用于解决技术问题的手段]
[0009]
本发明的一个方面的电子部件是，其特征在于，具备：基板和在基板上交替层叠的多个导体层以及多个绝缘树脂层，多个绝缘树脂层包含位于最下层的第一绝缘树脂层和位于第一绝缘树脂层上的多个第二绝缘树脂层，多个导体层包含埋入于第一绝缘树脂层的第一导体层和分别埋入于多个第二绝缘树脂层的多个第二导体层，第一导体层包含电容器，该电容器由下部电极和上部电极构成，该上部电极经由由无机绝缘材料构成的电介质膜而层叠于下部电极上，多个第二导体层包含线圈图案，第一绝缘树脂层的厚度比第二绝缘树脂层薄，第二绝缘树脂层的热膨胀系数比第一绝缘树脂层小。
[0010]
根据本发明，由于将要求较高的加工精度的电容器埋入位于最下层的薄的第一绝缘树脂层中，将要求足够的导体厚度的电感器埋入到较厚的第二绝缘树脂层中，因此，能够满足两个元件所要求的特性。而且，由于第二绝缘树脂层的热膨胀系数较低，因此，也能够抑制翘曲和剥离的产生。在此，第一绝缘树脂层也可以由聚酰亚胺类树脂构成。此外，第二绝缘树脂层也可以由在环氧类树脂中添加有填料的材料构成。
[0011]
在本发明中，也可以是，多个第二导体层的各个比下部电极和上部电极的合计厚度更厚。由此，能够提高线圈的q值。
[0012]
在本发明中，也可以是：第一通孔导体的平面形状为矩形，该第一通孔导体以贯通第一绝缘树脂层的方式设置，且该第一通孔导体将第一导体层与第二导体层连接；第二通
孔导体的平面形状为圆形，该第二通孔导体以贯通第二绝缘树脂层的方式设置，且该第二通孔导体将不同的第二导体层彼此连接。由此，能够充分地确保第一通孔导体的面积，并且能够防止在第二通孔导体的附近产生剥离。
[0013]
在本发明中，也可以是，第一绝缘树脂层被部分地去除，多个第二绝缘树脂层中的与第一绝缘树脂层相接的绝缘树脂层被埋入于去除了第一绝缘树脂层的部分中。由此，热膨胀系数小的第二绝缘树脂层的体积进一步增大，因此，更难以产生电子部件整体的翘曲。
[0014]
本发明的电子部件的制造方法是，其特征在于，具备：第一工序，在基板上形成第一导体层，该第一导体层包含电容器，该电容器由下部电极和上部电极构成，该上部电极经由由无机绝缘材料构成的电介质膜而层叠在下部电极上；第二工序，形成覆盖第一导体层的第一绝缘树脂层；以及，第三工序，在第一绝缘树脂层上交替地形成第二导体层和第二绝缘树脂层，该第二导体层包含线圈图案，该第二绝缘树脂层的厚度比第一绝缘树脂层厚，且该第二绝缘树脂层的热膨胀系数比第一绝缘树脂层小。
[0015]
根据本发明，能够在第一导体层形成要求较高的加工精度的电容器，能够在第二导体层形成要求足够的导体厚度的电感器。而且，由于第二绝缘树脂层的热膨胀系数较低，因此，也能够抑制翘曲和剥离的产生。
[0016]
在本发明中，也可以是，在第二工序中通过涂布法形成第一绝缘树脂层，在第三工序中通过层压法形成第二绝缘树脂层。由此，能够容易地形成厚度不同的第一以及第二绝缘树脂层。
[0017]
在本发明中，也可以是：第二导体层具有第一通孔导体和第二通孔导体；第一通孔导体以贯通第一绝缘树脂层的方式设置，并且第一通孔导体将多个第二导体层中的位于最下层的导体层与第一导体层连接；第二通孔导体以贯通第二绝缘树脂层的方式设置，并且第二通孔导体将多个第二导体层彼此连接；第一通孔导体的底部是平坦的，多个第二导体层的表面在与第二通孔导体连接的部分具有凹部，第二通孔导体的底部以陷入凹部的方式具有凸部形状。由此，由于第一通孔导体的底部是平坦的，因此，抑制了由下部电极及上部电极的凹凸引起的电容器的偏差。另一方面，由于第二通孔导体的底部以陷入凹部的方式具有凸部形状，因此，第二导体层与第三导体层的接触面积增大，能够提高两者的密合性。
[0018]
在本发明中，第一通孔导体的平面形状可以是矩形，第二通孔导体的平面形状可以是圆形。由此，能够充分确保第一通孔导体的面积，并且能够防止在第二通孔导体的附近产生剥离。
[0019]
在本发明中，也可以是，多个第二导体层比下部电极和上部电极的合计厚度更厚。由此，能够提高线圈的q值。
[0020]
本发明的一个方面的电子部件的制造方法中，也可以是：进一步具备第四工序以及第五工序；第四工序中，通过在第一绝缘树脂层形成开口部使第一导体层露出；第五工序中，通过在第二绝缘树脂层形成开口部使第二导体层露出；第四工序通过光刻法进行，第五工序通过激光加工进行。由此，在第四工序中能够得到较高的加工精度，并且能够将第一绝缘树脂层的开口部加工成任意的平面形状。此外，能够廉价地实施第五工序，并且能够使用非感光性材料作为第二绝缘树脂层的材料。
[0021]
本发明的另一侧面的电子部件是，其特征在于，具备：基板；形成于基板上的第一导体层，其包含电容器，该电容器由下部电极和上部电极构成，该上部电极经由由无机绝缘
材料构成的电介质膜而层叠在下部电极上；第一绝缘树脂层，其覆盖第一导体层；第二导体层，其形成于第一绝缘树脂层上；第二绝缘树脂层，其覆盖第二导体层；以及第三导体层，其形成于第二绝缘树脂层上；其中，第二以及第三导体层包含线圈图案，第一绝缘树脂层具有使第一导体层露出的第一开口部，第二绝缘树脂层具有使第二导体层露出的第二开口部，第二导体层具有经由第一开口部与第一导体层连接的第一通孔导体，第三导体层具有经由第二开口部与第二导体层连接的第二通孔导体，第一通孔导体的底部是平坦的，第二导体层的表面在与第二通孔导体连接的部分具有凹部，第二通孔导体的底部以陷入凹部的方式具有凸部形状。
[0022]
根据本发明，将如电容器那样要求较高的加工精度的元件埋入位于最下层的第一绝缘树脂层，将如电感器那样要求足够的导体厚度的元件埋入第二及第三绝缘树脂层，因此，能够满足两个元件所要求的特性。而且，由于第一通孔导体的底部是平坦的，因此抑制了由下部电极及上部电极的凹凸引起的电容器的偏差。另一方面，由于第二通孔导体的底部以陷入凹部的方式具有凸部形状，因此第二导体层与第三导体层的接触面积增大，能够提高两者的密合性。
[0023]
本发明的另一侧面的电子部件的制造方法是，其特征在于，具备：第一工序，在基板上形成第一导体层，该第一导体层包含电容器，该电容器由下部电极和上部电极构成，该上部电极经由由无机绝缘材料构成的电介质膜而层叠在下部电极上；第二工序，形成覆盖第一导体层的第一绝缘树脂层；第三工序，通过光刻法在第一绝缘树脂层形成使第一导体层露出的第一开口部；第四工序，以经由第一开口部与第一导体层连接的方式，在第一绝缘树脂层上形成包含线圈图案的第二导体层；第五工序，形成覆盖第二导体层的第二绝缘树脂层；第六工序，通过激光加工在第二绝缘树脂层形成使第二导体层露出的第二开口部；第七工序，在从第二开口部露出的第二导体层的表面形成凹部；以及，第八工序，以经由第二开口部与第二导体层连接的方式，在第二绝缘树脂层上形成包含线圈图案的第三导体层。
[0024]
根据本发明，能够在第一导体层形成要求较高的加工精度的电容器，在第二导体层形成要求足够的导体厚度的电感器。而且，在通过激光加工在第二绝缘树脂层形成第二开口部后，在从第二开口部露出的第二导体层的表面形成凹部，因此，第二导体层与第三导体层的接触面积增大，能够提高两者的密合性。此外，能够廉价地形成第二开口部，并且能够使用非感光性材料作为第二绝缘树脂层的材料。与此相对，通过光刻法形成第一开口部，因此能够得到高的加工精度，并且能够将第一开口部加工成任意的平面形状。
[0025]
在本发明中，也可以是，在第二工序中通过涂布法形成第一绝缘树脂层，在第五工序中通过层压法形成第二绝缘树脂层。由此，能够容易地形成厚度不同的第一以及第二绝缘树脂层。
[0026]
[发明效果]
[0027]
如上所述，根据本发明，在集成了如电容器那样要求较高的加工精度的元件和如电感器那样要求足够的导体厚度的元件而成的电子部件中，能够满足两个元件所要求的特性。
附图说明
[0028]
图1是用于说明本发明的一个实施方式的电子部件1的结构的截面图。
[0029]
图2是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0030]
图3是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0031]
图4是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0032]
图5是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0033]
图6是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0034]
图7是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0035]
图8是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0036]
图9是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0037]
图10是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0038]
图11是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0039]
图12是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0040]
图13是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0041]
图14是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0042]
图15是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0043]
图16是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0044]
图17是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0045]
图18是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0046]
图19是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0047]
图20是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0048]
图21是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0049]
图22是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0050]
图23是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0051]
图24是用于说明电子部件1的制造方法的工序图。
[0052]
图25是用于说明第一变形例的电子部件1a的结构的截面图。
[0053]
图26是用于说明第二变形例的电子部件1b的结构的截面图。
具体实施方式
[0054]
以下，参照附图对本发明的优选的实施方式进行详细说明。
[0055]
图1是用于说明本发明的一个实施方式的电子部件1的结构的截面图。
[0056]
本实施方式的电子部件1是lc滤波器，如图1所示，具备基板2和在基板2的上表面交替层叠的导体层m1～m4和绝缘树脂层11～14。作为基板2的材料，只要是化学特性及热特性稳定且应力产生少、能够保持表面的平滑性的材料即可，没有特别限定，可以使用单晶硅、氧化铝、蓝宝石、氮化铝、mgo单晶、srtio3单晶、表面氧化硅、玻璃、石英、铁氧体等。基板2的表面被平坦化层3覆盖。作为平坦化层3，可以使用氧化铝或氧化硅等。
[0057]
导体层m1是位于最下层的导体层，包含导体图案21、22。导体图案21、22均由与平坦化层3相接的薄的晶种层s和设置在晶种层s上的膜厚比晶种层s大的镀层p构成。对于位于其他导体层的导体图案而言，也是同样的，由晶种层s和镀层p的层叠体构成。在此，导体图案21构成电容器的下部电极，其上表面以及侧面被电介质膜(电容绝缘膜)4覆盖。在电子部件1的外周部，电介质膜4被去除，由此应力被缓和。
[0058]
在导体图案21的上表面经由电介质膜4形成有导体图案23。导体图案23属于位于导体层m1与导体层m2之间的导体层mm，构成电容器的上部电极。由此，形成电容器，其中，将导体图案21作为下部电极，将导体图案23作为上部电极。导体层m1和导体层mm隔着钝化膜5被绝缘树脂层11覆盖。在本实施方式中，电介质膜4和钝化膜5均由无机绝缘材料构成。构成电介质膜4的无机绝缘材料和构成钝化膜5的无机绝缘材料可以是相同的材料，也可以是不同的材料。在电子部件1的外周部，钝化膜5被去除，由此应力被缓和。
[0059]
导体层m2是设置于绝缘树脂层11的表面的第二层的导体层，包含导体图案24、25。导体图案24分别经由通孔导体24a、24b与导体图案23、22连接。导体图案25经由通孔导体25a与导体图案21连接。导体层m2被绝缘树脂层12覆盖。
[0060]
导体层m3是设置于绝缘树脂层12的表面的第三层的导体层，包含导体图案26、27。导体图案26经由通孔导体26a与导体图案24连接。导体层m3被绝缘树脂层13覆盖。
[0061]
导体层m4是设置于绝缘树脂层13的表面的第四层的导体层，包含导体图案28、29。导体图案28经由通孔导体28a与导体图案26连接。导体层m4被绝缘树脂层14覆盖。
[0062]
在绝缘树脂层14的上表面设置有端子电极e1、e2。端子电极e1、e2分别经由通孔导体e1a、e2a与导体图案28、29连接。导体图案22、24～29例如是线圈图案的一部分，由此，在基板2上集成电容器和电感器。
[0063]
在本实施方式中，构成绝缘树脂层11的材料与构成绝缘树脂层12～14的材料相互不同。具体而言，作为绝缘树脂层11的材料，使用的是如聚酰亚胺类树脂那样容易利用涂布法(例如旋涂法)进行成膜的感光性材料。与此相对，作为绝缘树脂层12～14的材料，使用的是如在环氧类树脂中添加有填料的材料那样，热膨胀系数的调整容易，并且能够通过层压法形成的材料。
[0064]
如图1所示，在将绝缘树脂层11～14的厚度分别设为h11～h14的情况下，在本实施方式中满足h11＜(h12、h13、h14)。即，绝缘树脂层11的厚度比绝缘树脂层12～14的任一个的厚度更薄。这意味着，埋入到绝缘树脂层11的导体层m1、mm的合计厚度比分别埋入到绝缘树脂层12～14的导体层m2～m4的厚度更薄。作为一例，能够设为如下：导体层m2～m4的厚度分别为20μm，导体层m1、mm的厚度分别为5μm。这样，形成于导体层m1、mm的导体图案21～23的导体厚度薄，因此，能够高精度地形成构成电容器的下部电极以及上部电极。另一方面，对于形成于导体层m2～m4的导体图案24～29而言，由于能够充分确保导体厚度，因此能够提高线圈的q值。
[0065]
进一步，在本实施方式中，绝缘树脂层12～14的热膨胀系数比绝缘树脂层11的热膨胀系数更小。由此，能够防止厚度大的绝缘树脂层12～14与导体图案24～29的界面处的剥离，并且，不易产生电子部件1整体的翘曲。绝缘树脂层12～14的热膨胀系数可以通过添加到绝缘树脂层12～14的填料的量及材料来调整。作为填料的材料，可以使用热膨胀系数低的材料，例如二氧化硅。对于绝缘树脂层11而言，虽然其热膨胀系数比绝缘树脂层12～14大，但由于其厚度比绝缘树脂层12～14薄，所以不产生强应力，难以产生剥离等。基板2的热膨胀系数优选小于绝缘树脂层12～14的热膨胀系数。这样，通过用热膨胀系数小的基板2和绝缘树脂层12～14夹持热膨胀系数大的绝缘树脂层11，能够抑制电子部件1整体的翘曲。
[0066]
此外，导体层m1、mm的表面是平坦的，对于连接导体层m2和导体层m1、mm的通孔导体24a、24b、25a而言，底部是平坦的。由此，抑制由下部电极、上部电极的凹凸引起的电容器
的偏差。与此相对，导体层m2～m4的表面具有凹部，通孔导体26a、28a、e1a、e2a的底部以陷入导体层m2～m4的凹部的方式具有凸部形状。由此，通孔导体26a、28a、e1a、e2a和与它们连接的导体图案24、26、28、29的接触面积增大，因此，两者的密合性提高。
[0067]
在本实施方式中，也可以将底部平坦的通孔导体24a、24b、25a的平面形状设为矩形，将底部具有凸部形状的通孔导体26a、28a、e1a、e2a的平面形状设为圆形。由此，能够扩大通孔导体24a、24b、25a的连接面积，并且能够防止通孔导体26a、28a、e1a、e2a的周围产生剥离。
[0068]
此外，通孔导体24a、24b、25a中，对于与上部电极即导体图案23连接的通孔导体24a而言，以贯通绝缘树脂层11以及钝化膜5的方式设置，与此相对，对于与下部电极或者线圈图案即导体图案21、22连接的通孔导体24b、25a而言，以贯通绝缘树脂层11、钝化膜5以及电介质膜4的方式设置。即，通孔导体24a贯通1层无机绝缘膜，与此相对，通孔导体24b、25a贯通两层无机绝缘膜。这是因为，除了形成有作为上部电极的导体图案23的区域之外，导体图案21、22的上表面被由电介质膜4和钝化膜5构成的两层无机绝缘膜覆盖。这样，通过用由电介质膜4和钝化膜5构成的两层无机绝缘膜覆盖导体图案21、22的上表面，能够更有效地保护导体图案21、22。
[0069]
接着，对本实施方式的电子部件1的制造方法进行说明。
[0070]
图2至图24是用于说明本实施方式的电子部件1的制造方法的工序图。在电子部件1的制造工艺中，使用集合基板来取得多个电子部件1，但以下说明的制造工艺中，着眼于1个电子部件1的制造工艺进行说明。
[0071]
首先，如图2所示，在基板(集合基板)2上采用溅射法等形成平坦化层3，对其表面进行磨削或cmp等镜面化处理而使其平滑化。然后，采用溅射法等在平坦化层3的表面形成晶种层s。接着，如图3所示，在晶种层s上旋涂抗蚀剂层r1后，以露出应形成导体层m1的区域的晶种层s的方式，对抗蚀剂层r1进行图案化。在该状态下，通过进行将晶种层s作为供电体的电解电镀，如图4所示，在晶种层s上形成镀层p。晶种层s和镀层p的层叠体构成导体层m1。在图4所示的截面中，在导体层m1中包含导体图案21、22以及牺牲图案31、32。然后，如图5所示，去除抗蚀剂层r1，如图6所示，去除在表面露出的晶种层s，则完成导体层m1。可以通过蚀刻或离子研磨来进行晶种层s的去除。
[0072]
接下来，如图7所示，在包括导体层m1的上表面以及侧面在内的整个面上进行电介质膜4的成膜。作为电介质膜4，例如，不仅可以使用氮化硅(sinx)或氧化硅(siox)等通常的电介质材料，还可以使用由公知的铁电体材料等构成的无机绝缘材料。作为电介质膜4的成膜方法，可以采用溅射法、等离子体cvd法、mocvd法、溶胶凝胶法、电子束蒸镀法等。
[0073]
接着，如图8所示，通过采用与导体层m1的形成方法同样的方法，在导体图案21的上表面经由电介质膜4形成导体图案23。导体图案23也由晶种层s和镀层p的层叠体构成。由此，完成导体层mm，形成将导体图案21作为下部电极、且将导体图案23作为上部电极的电容器。接下来，如图9所示，在包括导体层m1、mm的上表面以及侧面在内的整个面上进行钝化膜5的成膜。作为钝化膜5，能够使用与电介质膜4相同的无机绝缘材料。
[0074]
接着，如图10所示，形成抗蚀剂层r2，其不覆盖牺牲图案31、32，而覆盖导体图案21、22。抗蚀剂层r2的边缘被设定成位于比最终成为电子部件1的部分稍靠内侧的位置。在该状态下，通过对钝化膜5及电介质膜4进行蚀刻，如图11所示，去除最终成为电子部件1的
外周部的部分的钝化膜5及电介质膜4。钝化膜5及电介质膜4的蚀刻中，优选采用离子研磨等各向异性高的蚀刻方法。由此，去除相对于基板2平行的部分，即，平坦化层3的表面、覆盖牺牲图案31及32的上表面的钝化膜5以及电介质膜4。另一方面，覆盖相对于基板2垂直的部分，即，覆盖牺牲图案31及32的侧面的钝化膜5以及电介质膜4未被去除而残留。
[0075]
接着，如图12所示，形成覆盖导体层m1、mm的绝缘树脂层11。绝缘树脂层11的成膜可以通过涂布法(例如旋涂法)进行。这是因为，导体层m1、mm的合计膜厚例如约为10μm，因此，与通过层压法形成绝缘树脂层11的情况相比，成本低。作为绝缘树脂层11的材料，可以使用感光性的聚酰亚胺类树脂。接着，如图13所示，通过将绝缘树脂层11图案化，在绝缘树脂层11形成开口部41～45。开口部41～45的形成可以通过使用了未图示的光掩模的光刻法来进行。由此，覆盖导体图案21～23的上表面的钝化膜5分别经由开口部41～43而露出，牺牲图案31、32分别经由开口部44、45而露出。
[0076]
接着，如图14所示，在绝缘树脂层11上形成抗蚀剂层r3之后，在抗蚀剂层r3形成开口部51～53。开口部51～53分别设置在与开口部41～43重叠的位置。由此，覆盖导体图案21～23的上表面的钝化膜5分别经由开口部51～53而露出。在该状态下，通过进行离子研磨等，去除在开口部51、52露出的钝化膜5及电介质膜4，并且，去除在开口部53露出的钝化膜5。由此，导体图案21～23的上表面在与开口部51～53重叠的位置露出。
[0077]
然后，在去除抗蚀剂层r3之后，如图15所示，通过与导体层m1的形成方法同样的方法，在绝缘树脂层11上构成导体层m2。在图15所示的截面中，导体图案24、25以及牺牲图案33、34包含于导体层m2。构成导体层m2的各导体图案和牺牲图案也是由晶种层s和镀层p的层叠体构成。在此，导体图案24经由设置于绝缘树脂层11的开口部而与导体图案22、23共通地连接，导体图案25经由设置于绝缘树脂层11的开口部而与导体图案21连接。导体图案24、25中的位于绝缘树脂层11的开口部内的部分构成通孔导体24a、24b、25a。此外，牺牲图案33、34经由设置于绝缘树脂层11的开口部分别与牺牲图案31、32连接。
[0078]
接着，如图16所示，形成覆盖导体层m2的绝缘树脂层12。绝缘树脂层12的成膜可以通过层压法进行。这是因为，导体层m2的厚度例如为约20μm，因此，与通过涂布法形成绝缘树脂层12的情况相比，能够以低成本形成。作为绝缘树脂层12的材料，可以使用非感光性的环氧类树脂。在绝缘树脂层12中添加有调整热膨胀系数的填料，由此，其具有比绝缘树脂层11更低的热膨胀系数。
[0079]
接着，如图17所示，在绝缘树脂层12形成开口部54～56。开口部54～56的形成能够通过激光加工来进行。由此，导体图案24经由开口部54而露出，牺牲图案33、34分别经由开口部55、56而露出。然后，通过进行使用了高锰酸盐等的去污处理，去除开口部54～56内的残渣。此时，在开口部54露出的导体图案24的表面也被蚀刻，形成凹部24r。在牺牲图案33、34的表面也形成同样的凹部。凹部24r的形状可以根据去污处理的时间、所使用的溶液的种类等来调整。此外，在去污处理之外，还可以追加用于在导体图案24上形成凹部24r的蚀刻工艺。
[0080]
接着，如图18所示，通过与导体层m1的形成方法同样的方法，在绝缘树脂层12上构成导体层m3。在图18所示的截面中，在导体层m3中包含导体图案26、27以及牺牲图案35、36。构成导体层m3的各导体图案和牺牲图案也是由晶种层s和镀层p的层叠体构成。在此，导体图案26经由设置于绝缘树脂层12的开口部与导体图案24连接。导体图案26中的位于绝缘树
脂层12的开口部内的部分构成通孔导体26a，其底部以陷入凹部24r的方式具有凸部形状。此外，牺牲图案35、36经由设置于绝缘树脂层12的开口部分别与牺牲图案33、34连接。
[0081]
之后，通过重复同样的工序，如图19所示，依次形成绝缘树脂层13、导体层m4以及绝缘树脂层14。对于绝缘树脂层13、14，也可以通过层压法形成。在图19所示的截面中，在导体层m4中包含导体图案28、29以及牺牲图案37、38。在此，导体图案28经由设置于绝缘树脂层13的开口部而与导体图案26连接，牺牲图案37、38经由设置于绝缘树脂层13的开口部而分别与牺牲图案35、36连接。导体图案28中的位于绝缘树脂层13的开口部内的部分构成通孔导体28a，其底部以陷入设置于导体图案26的凹部的方式具有凸部形状。
[0082]
接着，如图20所示，通过对绝缘树脂层14进行激光加工，形成开口部61、62。由此，导体图案28、29的上表面分别经由开口部61、62而露出。之后，通过进行去污处理，去除开口部61、62内的残渣，并且在导体图案28、29的表面形成凹部28r、29r。然后，如图21所示，在绝缘树脂层14上形成端子电极e1、e2。端子电极e1经由设置于绝缘树脂层14的开口部而与导体图案28连接，端子电极e2经由设置于绝缘树脂层14的开口部而与导体图案29连接。端子电极e1、e2中的位于绝缘树脂层14的开口部内的部分分别构成通孔导体e1a、e2a，其底部以陷入凹部28r、29r的方式具有凸部形状。
[0083]
接着，如图22所示，通过将绝缘树脂层14图案化，形成开口部63、64。由此，牺牲图案37、38的上表面分别经由开口部63、64而露出。然后，如图23所示，在包含端子电极e1、e2的绝缘树脂层14的整个面形成抗蚀剂层r4之后，在抗蚀剂层r4形成使牺牲图案37、38露出的开口部73、74。在该状态下，通过进行使用了酸等的蚀刻，如图24所示，去除牺牲图案31～38。由此，在去除了牺牲图案31～38的区域形成空间a。
[0084]
然后，在去除抗蚀剂层r4之后，沿着空间a切断基板2，由此将电子部件1单片化。由此，完成本实施方式的电子部件1。
[0085]
如以上所说明的那样，在本实施方式的电子部件1中，位于最下层的绝缘树脂层11的材料及厚度与位于绝缘树脂层11上的绝缘树脂层12～14的材料及厚度不同。具体而言，绝缘树脂层11的厚度比绝缘树脂层12～14更薄，绝缘树脂层12～14的热膨胀系数比绝缘树脂层11更小。由此，能够将要求较高的加工精度的电容器埋入薄的绝缘树脂层11中，将要求具有足够的导体厚度的电感器埋入到厚的绝缘树脂层12～14中。而且，由于绝缘树脂层12～14的热膨胀系数较低，因此也能够抑制翘曲及剥离的产生。
[0086]
而且，在本实施方式的电子部件1中，由于导体层m1、mm的表面是平坦的，因此能够抑制由下部电极及上部电极的凹凸引起的电容器的偏差。另一方面，导体层m2～m4的表面具有凹部，通孔导体26a、28a、e1a、e2a的底部以陷入导体层m2～m4的凹部的方式具有凸部形状。由此，通孔导体26a、28a、e1a、e2a和与它们连接的导体图案24、26、28、29的接触面积增大，因此，两者的密合性提高。
[0087]
进一步，通孔导体24a、24b、25a中，对于与上部电极即导体图案23连接的通孔导体24a而言，以贯通绝缘树脂层11以及钝化膜5的方式设置，与此相对，对于与下部电极或者线圈图案即导体图案21、22连接的通孔导体25a、24b而言，以贯通绝缘树脂层11、钝化膜5以及电介质膜4的方式设置。由此，能够更有效地保护导体图案21、22。
[0088]
图25是用于说明第一变形例的电子部件1a的结构的截面图。
[0089]
在第一变形例的电子部件1a中，与上述实施方式的电子部件1的不同之处在于：在
不与线圈图案重叠的区域中部分地去除了绝缘树脂层11，在去除了绝缘树脂层11的部分埋入有绝缘树脂层12。埋入的绝缘树脂层12与平坦化层3或钝化膜5相接，在该部分厚度局部地变厚。其他基本的结构与上述实施方式的电子部件1相同，因此，对相同的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。根据第一变形例的电子部件1a，由于热膨胀系数小的绝缘树脂层12的体积进一步增大，因此，更难以产生电子部件1整体的翘曲。
[0090]
图26是用于说明第二变形例的电子部件1b的结构的截面图。
[0091]
在第二变形例的电子部件1b中，与第一变形例的电子部件1a的不同之处在于，在绝缘树脂层11的去除部分中去除了电介质膜4和钝化膜5。埋入的绝缘树脂层12与平坦化层3或导体图案21相接。其他基本的结构与第一变形例的电子部件1a相同，因此，对相同的要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。根据第二变形例的电子部件1b，由于热膨胀系数小的绝缘树脂层12的体积进一步增大，因此更难以产生电子部件1整体的翘曲。此外，通过部分地去除电介质膜4和钝化膜5，也能够缓和由电介质膜4和钝化膜5产生的应力。
[0092]
以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述的实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内，能够进行各种变更，当然这些也包含在本发明的范围内。
[0093]
例如，在上述实施方式中，以将本发明应用于lc滤波器的情况为例进行了说明，但成为本发明的对象的电子部件并不限定于lc滤波器，也可以应用于其他种类的电子部件。
[0094]
[符号说明]
[0095]
1，1a，1b电子部件
[0096]
2基板
[0097]
3平坦化层
[0098]
4电介质膜
[0099]
5钝化膜
[0100]
11～14绝缘树脂层
[0101]
21～29导体图案
[0102]
24a，24b，25a，26a，28a，e1a，e2a通孔导体
[0103]
24r，28r，29r凹部
[0104]
31～38牺牲图案
[0105]
41～45，51～56，61～64，73，74开口部
[0106]
a空间
[0107]
e1、e2端子电极
[0108]
m1～m4，mm导体层
[0109]
p镀层
[0110]
r1～r4抗蚀剂层
[0111]
s晶种层。