MgTiO3基复合微波介质陶瓷及其制备方法、应用与流程

技术特征：
1.一种mgtio3基复合微波介质陶瓷，其特征在于，包括主料和添加剂；所述主料包括mgti
1-x
(zn
1/3
ta
2/3
)
x
o3和(na
1/2
la
1/2
)tio3；其中，x为0.09～0.12；所述添加剂包括mgf2。2.根据权利要求1所述的mgtio3基复合微波介质陶瓷，其特征在于，所述mgti
1-x
(zn
1/3
ta
2/3
)
x
o3占主料的质量百分比为86.9％～89.4％，所述(na
1/2
la
1/2
)tio3占主料的质量百分比为10.6％～13.1％。3.根据权利要求1所述的mgtio3基复合微波介质陶瓷，其特征在于，所述添加剂占主料的质量百分比为1.5％～2.0％。4.根据权利要求1-3任一项所述的mgtio3基复合微波介质陶瓷，其特征在于，所述mgtio3基复合微波介质陶瓷的介电常数为19.88～21.79，品质因数在170000ghz以上，谐振频率温度系数为-10～10ppm/℃，抗热震温差在160℃以上。5.一种权利要求1-4任一项所述的mgtio3基复合微波介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将各化学成分按比例配料，预烧，得到所述mgti
1-x
(zn
1/3
ta
2/3
)
x
o3和所述(na
1/2
la
1/2
)tio3，再与所述添加剂混合，之后进行造粒、压制成型以及烧结成瓷，得到所述mgtio3基复合微波介质陶瓷。6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述mgti
1-x
(zn
1/3
ta
2/3
)
x
o3的制备方法包括以下步骤：mgo、tio2、zno以及ta2o5按比例配料，经第一球磨后再进行第一预烧，得到所述mgti
1-x
(zn
1/3
ta
2/3
)
x
o3；优选地，所述第一球磨的时间为5～7h，转速为300～400rpm；优选地，所述第一预烧的温度为1080～1120℃，时间为4～5h。7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述(na
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la
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)tio3的制备方法包括以下步骤：naco3、tio2以及la2o3按比例配料，经第二球磨后再进行第二预烧，得到所述(na
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)tio3；优选地，所述第二球磨的时间为5～7h，转速为300～400rpm；优选地，所述第二预烧的温度为930～970℃，时间为2～3h。8.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述造粒之前还包括研磨步骤：优选地，所述研磨包括球磨；优选地，所述造粒后得到的粉体过80目筛后再进行所述压制成型；优选地，所述压制成型包括干压成型；优选地，所述干压成型的压力为80～110mpa。9.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述烧结成瓷的烧结程序包括：先在550～600℃下保温1.5～2h进行排胶，随后升温至1200～1250℃下保温4～5h，之后冷却至室温，得到所述mgtio3基复合微波介质陶瓷；优选地，所述烧结成瓷的过程中的升温速率为2～4℃/min，优选为3℃/min。10.一种权利要求1-4任一项所述的mgtio3基复合微波介质陶瓷在通讯中的应用。

技术总结
本发明提供了一种MgTiO3基复合微波介质陶瓷及其制备方法、应用，涉及陶瓷材料的技术领域，本发明的MgTiO3基复合微波介质陶瓷包括主料和添加剂；主料包括MgTi


技术研发人员：孙轲 王秀红
受保护的技术使用者：无锡市高宇晟新材料科技有限公司
技术研发日：2022.08.16
技术公布日：2022/11/15