沉积掩模和有机电子器件的制造方法与流程

1.本发明涉及沉积掩模和有机电子器件的制造方法。


背景技术：

2.有机el(电致发光)元件是发光显示元件。有机el元件具有薄膜多层结构，能够实现高速响应。有机el面板(具有有机el元件的阵列的显示面板)重量轻，并且能够出色地显示运动图像，并且正在受到关注。有机el面板用于诸如平板显示器(fpd)、用于电子取景器(evf)的小型显示器等的显示设备等中。
3.许多有机el面板是通过经由使用具有电阻加热的真空沉积设备将有机材料沉积在对象基板上的工艺来制造的。针对全色有机el面板，需要高精度地生产r(红色)、g(绿色)和b(蓝色)的微小显示元件。为此，采用掩模气相沉积法，在该掩模气相沉积法中，使用金属掩模来将与r、g和b相对应的三个类型的有机材料沉积在各期望位置(不同位置)。显示元件也可以被称为像素。由于有机el面板是发光显示面板，因此显示元件也可以被称为发光元件。
4.生产更精细的有机el面板(有机电子器件)需要更精细的金属掩模，这意味着金属掩模需要制造得更薄，并且以更高精度进行加工。然而，较薄的金属掩模容易翘曲(warp)，并且在经受拉伸时遭受较大的塑性变形，这使得难以进行高精度加工。此外，金属掩模的热膨胀系数与由玻璃和硅等制成的对象基板的热膨胀系数有很大的不同，因此，在气相沉积期间的加热导致金属掩模与对象基板之间发生显著的错位。
5.日本特开2005-42133公开了使用硅基板作为沉积掩模。硅基板可以使用诸如光刻和干法蚀刻等的半导体生产技术来进行加工，并且使得能够进行微米级的高精度加工。此外，硅基板具有与对象基板的热膨胀系数相当的热膨胀系数，由此不会发生大的错位。
6.然而，使用单晶硅基板的传统沉积掩模具有低的机械强度。


技术实现要素：

7.本发明提供由单晶基板制成、并且具有高机械强度的沉积掩模，并且还提供高质量的有机电子器件。
8.本发明在其第一方面中提供一种沉积掩模，包括作为单晶基板的第一基板，其中，作为所述第一基板的至少一部分的第一区域包括多个矩形区域，所述多个矩形区域中的各个矩形区域具有一个或多于一个开口，所述矩形区域中的基板厚度小于作为所述第一区域的一部分且不是所述矩形区域的区域中的基板厚度，以及所述矩形区域的边与所述第一基板的解理方向之间的角度θ1处于0
°
《θ1《90
°
的范围内。
9.本发明在其第二方面中提供一种沉积掩模，包括单晶基板，其中，在所述单晶基板的至少一部分中，多个开口以矩阵方式配置，以及配置有所述多个开口的行方向和列方向中的各个方向与所述单晶基板的解理方向之间的角度处于的范围内。
10.本发明在其第三方面中提供一种有机电子器件的制造方法，所述制造方法包括：
以面向对象基板的方式放置沉积掩模；以及通过所述沉积掩模将有机材料沉积在所述对象基板上，其中，所述沉积掩模包括作为单晶基板的第一基板，作为所述第一基板的至少一部分的第一区域包括多个矩形区域，所述多个矩形区域中的各个矩形区域具有一个或多于一个开口，所述矩形区域中的基板厚度小于作为所述第一区域的一部分且不是所述矩形区域的区域中的基板厚度，以及所述矩形区域的边与所述第一基板的解理方向之间的角度θ1处于0
°
《θ1《90
°
的范围内。
11.从如下参考附图对示例性实施例的描述，本发明的其他特征将变得明显。
附图说明
12.图1a和图1b是根据第一实施例的沉积掩模的示意平面图；
13.图1c是根据第一实施例的沉积掩模的示意截面图；
14.图2是根据第一实施例的oled的制造工艺的示意截面图；
15.图3a是根据第二实施例的沉积掩模的示意平面图；
16.图3b是根据第二实施例的沉积掩模的示意截面图；
17.图4a和图4b是根据第三实施例的沉积掩模的示意平面图；
18.图4c是根据第三实施例的沉积掩模的示意截面图；
19.图5a和图5b是根据第四实施例的沉积掩模的示意平面图；
20.图5c是根据第四实施例的沉积掩模的示意截面图；
21.图6a和图6b是根据第五实施例的沉积掩模的示意平面图；
22.图6c是根据第五实施例的沉积掩模的示意截面图；
23.图7a和图7b是根据第六实施例的沉积掩模的示意平面图；
24.图7c和图7d是根据第六实施例的沉积掩模的示意截面图；
25.图8a是根据第七实施例的沉积掩模的示意平面图；
26.图8b是根据第七实施例的沉积掩模的示意截面图；
27.图8c和图8d是以更大比例示出第七实施例中的像素区域的一部分的示意平面图；
28.图8e是示出与第七实施例有关的角度(多个像素孔(aperture)的行方向或列方向与解理(cleavage)方向之间的角度)的示意图；
29.图9a是传统沉积掩模的示意平面图；以及
30.图9b是传统沉积掩模的示意截面图。
具体实施方式
31.下文中，将参考附图描述用于执行本发明的模式。应当理解，本发明可以以各种不同的方式实现，并且不应被解释为限于下面描述的实施例的内容。为了更清楚地说明，一些附图可以在示意表示中描绘各个部分的宽度、厚度、形状等。这些仅示出示例，并且不限制本发明的解释。
32.传统示例
33.在描述本发明的实施例之前，将描述传统示例。图9a是从下方观察的传统沉积掩模91的示意平面图。图9b是示出通过图9a中的线a-a’并且与沉积掩模91垂直的平面的截面的示意截面图。
34.沉积掩模91由一个单晶硅基板制成。沉积掩模91的表面是(100)面。即，与沉积掩模91的表面垂直的方向与《100》取向一致。在沉积掩模91的端面上、在指示(100)面上的《110》取向的点处形成切口(notch)97。沉积掩模91的表面是沉积掩模91的上表面或下表面，也可以被称为基板表面。
35.单晶硅具有类似钻石的晶体结构。当经受外力时，单晶硅容易沿着原子键弱的平面分裂。当某方向的键弱时，与该方向垂直的方向的键也弱。即，在某方向上容易发生解理时，在与该方向垂直的方向上也容易发生解理。
36.沉积掩模91包括第一区域92和围绕第一区域92的第二区域93。在沉积掩模91的第一区域92中，形成多个开口95，各个开口95与多个芯片(例如，多个有机电子器件)中的各个芯片相对应。开口95在平面图中是矩形的。沉积掩模91在相邻开口95之间具有条部(strip)96。条部96由彼此相邻的两个开口95之一的一边和这两个开口95中的另一开口的一边形成。这里，边是指在示意平面图中所示的边。当以三维方式观察时，在示意平面图中的开口95的一个边是开口95的侧壁，该侧壁也可以被认为是内壁。
37.在将外力施加到沉积掩模91时，力集中在条部96上。如果条部96相对于开口95足够厚，则即使在将外力施加到沉积掩模91时，条部96将也不会破损。然而，如果条部96相对于开口95薄，则在将外力施加到沉积掩模91时，条部96可能会破损，这是因为条部96的机械强度弱。
38.形成沉积掩模91的条部96的边(开口95的边)与容易发生解理的《110》取向(即，解理方向)平行或垂直。因此，条部96具有相对低的机械强度，并且条部96容易出现诸如破损、开裂和剥落等缺陷。条部96中的这种缺陷可能产生颗粒(异物)，在这种情况下，源自该颗粒的缺陷可能出现在有机电子器件中。这可能导致有机电子器件的成品率降低。
39.现在描述晶面和晶体取向(晶体方向)的标记法。晶面和晶体取向可以使用米勒指数(miller indices)表示。
40.例如，晶体取向可以写为[uvw]。[uvw]表示从晶体中的给定晶格点到另一给定晶格点p的矢量的取向(方向)。将上述给定晶格点(不是晶格点p)作为原点o，分别在x轴、y轴和z轴上具有长度a、b、c的单位晶格的从原点o到晶格点p的矢量op由ua vb wc表示。从对称性的观点来看，等同于[uvw]的多个晶体取向可以统一表示为《uvw》。
[0041]
晶面可以写为(uvw)。(uvw)表示在x轴上通过1/u、在y轴上通过1/v、并且在z轴上通过1/w的平面。从对称性的观点来看，等同于(uvw)的多个晶面可以统一表示为{uvw}。
[0042]
第一实施例
[0043]
下文中，将描述本发明的第一实施例。图1a和图1b是从下方观察的根据本实施例的沉积掩模1的示意平面图。图1c是示出通过图1a或图1b中的线a-a’并与沉积掩模1垂直的平面的截面的示意截面图。
[0044]
沉积掩模1由作为单晶硅基板的单个掩模基板制成。沉积掩模1(掩模基板)包括第一区域2和围绕第一区域2的第二区域3。在沉积掩模1的第一区域2中，形成多个开口5，各个开口5与多个芯片(例如，多个有机电子器件)中的各个芯片相对应。在该实施例中，第一区域2是圆形，并且第二区域3是环形。因此，沉积掩模1是圆形。例如，沉积掩模1具有100mm至300mm的直径(第二区域3的外形)。
[0045]
沉积掩模1在第一区域2中薄，以使得能够生产高分辨率有机电子器件。沉积掩模1
在第二区域3中比在第一区域2中更厚，以具有足够的强度。例如，第一区域2中的沉积掩模1的厚度为1μm至100μm，并且第二区域3中的沉积掩模1的厚度为100μm至775μm。
[0046]
沉积掩模1可以由诸如单晶硅等的半导体材料构成。例如，单晶硅基板或soi(绝缘体上硅(silicon on insulator))基板可以用于沉积掩模1。在该实施例中，沉积掩模1是硅晶圆。沉积掩模1可以由一个类型的材料或数个类型的材料制成。
[0047]
如图1a和图1b所示，开口5在平面图中具有矩形形状，并且沉积掩模1在相邻开口5之间具有条部6。例如，矩形形状是指诸如矩形或正方形等的四边形。条部6由彼此相邻的两个开口5之一的一边和这两个开口5中的另一开口5的一边形成。在该实施例中，边是指示意平面图所示的边。
[0048]
沉积掩模1的表面是(100)面。即，与沉积掩模1的表面垂直的方向与《100》取向一致。形成沉积掩模1的条部6的边(开口5的边)与图1a和图1b中由点划线所示的中心线平行或垂直。
[0049]
如图1a和图1b所示，(100)面上的《110》取向相对于上述中心线以角度θ(0
°
《θ《90
°
)倾斜。即，形成沉积掩模1的条部6的边(开口5的边)相对于容易解理的《110》取向(即，解理方向)以角度θ(0
°
《θ《90
°
)倾斜。
[0050]
换句话说，多个开口5沿相对于沉积掩模1的解理方向以角度θ倾斜的第一方向和与第一方向垂直的第二方向排列，并且开口5具有与第一方向平行的边和与第二方向平行的边。第一方向和第二方向是中心线的方向。
[0051]
由此，可以提高沉积掩模1(条部6)的机械强度，使得可以减少沉积掩模1中的缺陷的发生。这进而使得能够生产高质量的有机电子器件。
[0052]
当相对于解理方向的角度θ处于10
°
≤θ≤35
°
的范围内时，机械强度相对高。当相对于解理方向的角度θ处于26.5
±5°
的范围内时，机械强度最高。因此，角度θ应当优选处于10
°
≤θ≤35
°
的范围内，并且更优选处于26.5
°±5°
的范围内。
[0053]
现在将描述沉积掩模1的制造方法。在图1a的情况下，在沉积掩模1(形成开口5等之前的基板)的端面上、在从指示(100)面上的《110》取向的点偏移了角度θ的位置处形成切口7。在图1b的情况下，在沉积掩模1(形成开口5等之前的基板)的端面上、在指示(100)面上的《110》取向的点处形成切口7。具有指示《110》取向的切口的半导体基板是可商购的，即，在图1b的情况下可以使用市售产品。
[0054]
接下来，使用切口7作为基准，通过光刻在沉积掩模1的上表面上形成具有多个开口5的掩模图案，并且从沉积掩模1的上侧蚀刻与开口5相对应的多个部分。由此，在与开口5相对应的多个部分中，沉积掩模1的厚度从上侧减小。
[0055]
最后，通过光刻在沉积掩模1的下表面上形成第一区域2的掩模图案，并从沉积掩模1的下侧蚀刻第一区域2。由此，沉积掩模1的厚度从第一区域2的下侧减小。与开口5相对应的多个部分被蚀刻穿透，从而成为开口5。开口5的宽度可以在例如0.1mm至100mm的范围内自由选择。
[0056]
蚀刻可以是使用碱性溶液的湿法蚀刻，或者可以是诸如反应离子蚀刻(rie)等的使用反应性气体的干法蚀刻。沉积掩模1的厚度可以通过使用磨床等进行机械加工来减小，在这种情况下，可以省略用于形成掩模图案的光刻工艺。
[0057]
将参考图2描述作为有机电子器件的一个示例的oled(有机发光二极管)的制造工
艺的一部分。图2是示出oled的制造工艺(的一部分)的与图1c类似的示意截面图。图2示出通过沉积掩模1将有机材料沉积在对象基板上的工艺。
[0058]
如图2所示，沉积掩模1被布置为使得沉积掩模1的上表面面向对象基板11的下表面。将沉积掩模1固定至掩模保持件21，并且可以通过移动掩模保持件21而沿x方向(宽度)、y方向(深度)和z方向(高度)这三个方向移动。在沉积掩模1已经相对于对象基板11被定位之后，加热沉积掩模1下方(与对象基板11相对的一侧)的材料源(未示出)，以使对象颗粒10从材料源飞出。飞出的对象颗粒10通过沉积掩模1的开口5并到达对象基板11。由此将对象颗粒10沉积到对象基板11上。
[0059]
这里，对象颗粒10是有机发光材料。例如，可以针对对象颗粒10选择发射白光的有机材料。在该情况下，可以制造被配置为利用滤色器将白光改变为红光、绿光或蓝光的oled。
[0060]
如稍后将描述的，形成各个开口5的矩形区域可以在其中具有多个孔。这里，这些孔各自与像素相对应，因此，在下文中将这些孔称为像素孔。在形成开口5的矩形区域中形成多个像素孔的情况下，可以针对对象颗粒10选择分别发射红光(r)、绿光(g)和蓝光(b)的有机材料。需要使这三个类型的有机材料在各期望位置(不同位置)沉积(使该有机材料成为薄膜)。因此，使用分别与r、g、b相对应的三个沉积掩模1，具体地，使用具有不同像素孔位置的三个沉积掩模1。
[0061]
第二实施例
[0062]
下文中，将参考图3a和图3b来描述本发明的第二实施例。图3a是从下方观察的根据本实施例的沉积掩模1的示意平面图。图3b是示出通过图3a中的线a-a’并且与沉积掩模1垂直的平面的截面的示意截面图。在该实施例中，存在布置有多个像素孔9的像素区域12来代替在第一实施例中形成开口5的矩形区域。像素区域12(矩形区域)作为整体不是开口。
[0063]
第一区域2的像素区域12中的沉积掩模1的厚度比第一区域2的剩余区域中的沉积掩模1的厚度更薄。因此，沉积掩模1在相邻像素区域12之间具有条部6。
[0064]
在该实施例中，沉积掩模1也是硅晶圆。沉积掩模1的表面是(100)面，并且形成条部6的边(像素区域12的边)与图3a中由点划线表示的中心线平行或垂直。如图3a所示，(100)面上的《110》取向相对于上述中心线以角度θ(0
°
《θ《90
°
)倾斜。即，形成沉积掩模1的条部6的边(像素区域12的边)相对于容易解理的《110》取向(即，解理方向)以角度θ(0
°
《θ《90
°
)倾斜。
[0065]
由此，与第一实施例同样地，可以提高沉积掩模1(条部6)的机械强度，使得可以减少沉积掩模1中的缺陷的发生。这进而使得能够生产高质量的有机电子器件。为了在像素孔9之间实现高机械强度，优选在与沉积掩模1平行的平面中，像素孔9的任何一个边都不与沉积掩模1的解理方向一致。具体地，如将关于第七实施例参考的图8d所示，应当优选多个像素孔9的所有边相对于沉积掩模1的解理方向以角度θ(0
°
《θ《90
°
)倾斜。
[0066]
现在将描述沉积掩模1的制造方法。首先，在沉积掩模1(形成像素区域12和像素孔9等之前的基板)的端面上、在从指示(100)面上的《110》取向的点偏移了角度θ的位置处形成切口7。
[0067]
接下来，使用切口7作为基准，通过光刻在沉积掩模1的上表面上形成多个像素孔9的掩模图案，并且从沉积掩模1的上侧蚀刻与像素孔9相对应的多个部分。由此，在与像素孔
9相对应的多个部分中，沉积掩模1的厚度从上侧减小。
[0068]
然后，通过光刻在沉积掩模1的下表面上形成第一区域2的掩模图案，并从沉积掩模1的下侧蚀刻第一区域2。由此，在第一区域2中，沉积掩模1的厚度从下侧减小到数十μm到数百μm。
[0069]
最后，通过光刻在沉积掩模1的下表面上形成像素区域12的掩模图案，并从沉积掩模1的下侧蚀刻像素区域12。由此，在像素区域12中，沉积掩模1的厚度从下侧减小到数μm到数十μm。与像素孔9相对应的多个部分被蚀刻穿透，从而成为像素孔9。像素孔9的宽度可以在例如0.5μm至100μm的范围内自由选择。像素孔9的形状可以从诸如矩形或六边形等的多边形、或者圆形或任何其他形状中自由选择。像素孔9的布局可以从条纹图案、正方形图案、三角形(delta)图案、pentile矩阵、和拜耳(bayer)图案等中自由选择。
[0070]
第三实施例
[0071]
下文中，将参考图4a至图4c来描述本发明的第三实施例。在本实施例中，沉积掩模1是多个基板的堆叠。图4a是从下方观察的形成沉积掩模1的第一晶圆109(第一基板)的示意平面图，并且图4b是从下方观察的形成沉积掩模1的第二晶圆110(第二基板)的示意平面图。图4c是示出通过图4a和图4b中的线a-a’并且与沉积掩模1垂直的平面的截面的示意截面图。
[0072]
第一晶圆109和第二晶圆110这二者都是单晶基板。在该实施例中，它们是硅晶圆。如图4a所示，第一晶圆109包括形成有开口5的第一区域2。如图4b所示，第二晶圆110形成第二区域3。如图4c所示，沉积掩模1具有由第一晶圆109和第二晶圆110构成的分层结构，其中第二晶圆110支撑第一晶圆109。
[0073]
在该情况下，沉积掩模1(第一晶圆109和第二晶圆110的整个堆叠)可以被认为是掩模基板，或者，第一晶圆109可以被认为是掩模基板并且第二晶圆110可以被认为是框架基板。第一区域2可以是作为第一晶圆109的表面的至少一部分的任何区域，并且可以是第一晶圆109的整个表面。沉积掩模1可以是三个或多于三个基板的堆叠。
[0074]
由多个基板构成的沉积掩模1使得加工更容易。例如，可以在无需进行相对于第二区域3减小第一区域2的厚度的加工的情况下，通过在平坦基板上形成开口5来容易地获得第一晶圆109。由于加工容易，因此可以使第一晶圆109更薄。在条部6具有大的高度(厚度)并且开口5或像素孔9小的情况下，开口更难以使对象颗粒通过，并且容易被附着在开口上的对象颗粒堵塞。通过使第一晶圆109更薄，可以使条部6的高度更小，这能够使得诸如开口5和像素孔9等的开口的大小减小。此外，针对构成沉积掩模1的多个基板使用不同的材料，这能够使得调整在多个基板中所产生的应力的差异，或者调整基板之间的热膨胀系数的差异。
[0075]
第一晶圆109的表面和第二晶圆110的表面这二者都是(100)面。如图4a所示，在第一晶圆109的端面上、在从指示(100)面上的《110》取向的点偏移了角度θ1(0
°
《θ1《90
°
)的位置处形成切口7a。如图4b所示，在第二晶圆110的端面上、在指示(100)面上的《110》取向的点处形成切口7b。对于第二晶圆110，使用一般的半导体基板。
[0076]
如上所述，第二晶圆110是形成第二区域3的部分，并且在第二晶圆110中没有形成开口5。第一晶圆109形成有多个开口5，使得形成条部6的边(开口5的边)相对于第一晶圆109的解理方向((100)面上的《110》取向)以角度θ1倾斜。
[0077]
由此，可以提高沉积掩模1(条部6)的机械强度，使得可以减少沉积掩模1中的缺陷的发生。这进而使得能够生产高质量的有机电子器件。
[0078]
在该实施例中，第一晶圆109和第二晶圆110重叠，使得第一晶圆109的切口7a的位置与第二晶圆110的切口7b的位置一致。由此，使得在开口5的边和第二晶圆110的解理方向((100)面上的《110》取向)之间的角度θ2与在开口5的边和第一晶圆109的解理方向((100)面上的《110》取向)之间的角度θ1不同。在该实施例中，角度θ2为0
°
。
[0079]
第四实施例
[0080]
下文中，将参考图5a至图5c来描述本发明的第四实施例。图5a是从下方观察的形成根据本实施例的沉积掩模1的第一晶圆109的示意平面图，并且图5b是从下方观察的形成沉积掩模1的第二晶圆110的示意平面图。图5c是示出通过图5a和图5b中的线a-a’并且与沉积掩模1垂直的平面的截面的示意截面图。
[0081]
第一晶圆109和第二晶圆110这二者是单晶基板。在该实施例中，它们是硅晶圆。与第三实施例同样地，第一晶圆109包括形成有多个开口5a的第一区域2。与第三实施例不同地，第二晶圆110包括第一区域和第二区域3，即，在第二晶圆110中也形成多个开口5b。如图5c所示，沉积掩模1具有由第一晶圆109和第二晶圆110构成的分层结构。
[0082]
第一晶圆109的表面和第二晶圆110的表面这二者是(100)面。如图5a所示，在第一晶圆109的端面上、在从指示(100)面上的《110》取向的点偏移了角度θ1(0
°
《θ1《90
°
)的位置处形成切口7a。如图5b所示，在第二晶圆110的端面上、在从指示(100)面上的《110》取向的点偏移了角度θ2(0
°
《θ2《90
°
)的位置处形成切口7b。角度θ2是与角度θ1方向相反的角度。在该实施例中，角度θ1是从《110》取向起的顺时针角度，并且角度θ2是从《110》取向起的逆时针角度。
[0083]
第一晶圆109形成有多个开口5a，使得形成第一晶圆109的条部6a的边(开口5a的边)相对于第一晶圆109的解理方向((100)面上的《110》取向)以角度θ1倾斜。第二晶圆110形成有多个开口5b，使得形成第二晶圆110的条部6b的边(开口5b的边)相对于第二晶圆110的解理方向((100)面上的《110》取向)以角度θ2倾斜。
[0084]
由此，可以提高第一晶圆109的条部6a的机械强度，并且可以提高第二晶圆110的条部6b的机械强度。
[0085]
在该实施例中，第一晶圆109和第二晶圆110重叠，使得第一晶圆109的切口7a的位置与第二晶圆110的切口7b的位置一致。由此，第一晶圆109和第二晶圆110被层叠，使得第一晶圆109的解理方向和第二晶圆110的解理方向不同。开口5a和开口5b在相同的取向上彼此完全重叠，并且条部6a和条部6b也在相同的取向上彼此完全重叠。一对开口5a和开口5b等同于第一实施例中的开口5。一对条部6a和条部6b等同于第一实施例中的条部6。
[0086]
这(使多个基板的解理方向不同)可以进一步提高沉积掩模1(条部6)的机械强度，使得可以进一步减少沉积掩模1中的缺陷的发生。例如，可以提高沉积掩模1(条部6)针对扭曲和扭转的机械强度。这进而使得能够更可靠地生产高质量的有机电子器件。
[0087]
第五实施例
[0088]
下文中，将参考图6a至图6c来描述本发明的第五实施例。图6a是从下方观察的形成根据本实施例的沉积掩模1的第一晶圆109的示意平面图，并且图6b是从下方观察的形成沉积掩模1的第二晶圆110的示意平面图。图6c是示出通过图6a和图6b中的线a-a’并且与沉
积掩模1垂直的平面的截面的示意截面图。
[0089]
第一晶圆109和第二晶圆110这二者是单晶基板。在该实施例中，它们是硅晶圆。与第四实施例同样地，第一晶圆109包括第一区域2。与第四实施例不同地，第一晶圆109未形成有开口5a，而是在各个像素区域12中形成像素孔组(多个像素孔9)。第一晶圆109在相邻像素孔组之间具有条部6a。与第四实施例同样地，第二晶圆110包括第一区域和第二区域3，在第二晶圆110中形成开口5b。在该实施例中，开口5b还表示像素区域12。如图6c所示，沉积掩模1具有由第一晶圆109和第二晶圆110构成的分层结构。
[0090]
第一晶圆109的表面和第二晶圆110的表面这二者是(100)面。如图6a所示，在第一晶圆109的端面上、在从指示(100)面上的《110》取向的点偏移了角度θ1(0
°
《θ1《90
°
)的位置处形成切口7a。如图6b所示，在第二晶圆110的端面上、在从指示(100)面上的《110》取向的点偏移了角度θ2(0
°
《θ2《90
°
)的位置处形成切口7b。角度θ2是与角度θ1方向相反的角度。在该实施例中，角度θ1是从《110》取向起的顺时针角度，并且角度θ2是从《110》取向起的逆时针角度。
[0091]
如上所述，虽然像素孔9形成在第一晶圆109中，但没有形成开口5(开口5a)。第二晶圆110形成有多个开口5b，使得形成条部6b的边(开口5b的边)相对于第二晶圆110的解理方向((100)面上的《110》取向)以角度θ2倾斜。
[0092]
由此，可以提高沉积掩模1(条部6b)的机械强度。
[0093]
此外，在该实施例中，第一晶圆109和第二晶圆110重叠，使得第一晶圆109的切口7a的位置与第二晶圆110的切口7b的位置一致。由此，第一晶圆109和第二晶圆110被层叠，使得第一晶圆109的解理方向和第二晶圆110的解理方向不同。一对条部6a和条部6b等同于第二实施例中的条部6。
[0094]
这(使多个基板的解理方向不同)可以进一步提高沉积掩模1(条部6)的机械强度，使得可以进一步减少沉积掩模1中的缺陷的发生。例如，可以提高沉积掩模1(条部6)针对扭曲和扭转的机械强度。这进而使得能够更可靠地生产高质量的有机电子器件。
[0095]
第六实施例
[0096]
下文中，将参考图7a至图7d描述本发明的第六实施例。图7a和图7b是从下方观察的根据本实施例的沉积掩模1的示意平面图。图7c是示出通过图7a中的线a-a’并且与沉积掩模1垂直的平面的截面的示意截面图。图7d是示出通过图7b中的线a-a’并且与沉积掩模1垂直的平面的截面的示意截面图。
[0097]
现在将描述图7a和图7c的沉积掩模1。在该实施例中，沉积掩模1也是硅晶圆。沉积掩模1的表面是(100)面。如图7a所示，在沉积掩模1的端面上、在指示(100)面上的《110》取向的点处形成切口7。对于沉积掩模1，使用一般的半导体基板。
[0098]
与第一实施例同样地，第一区域2形成有多个开口5，在相邻开口5之间形成有条部6。在该实施例中，条部6由彼此相邻的两个开口5之一的一边的一部分和这两个开口5中的另一开口5的一边的一部分形成。与第一实施例同样地，形成条部6的边(开口5的边)相对于解理方向((100)面上的《110》取向)以角度θ(0
°
《θ《90
°
)倾斜。然而，在该实施例中，多个开口5沿与沉积掩模1的解理方向平行的第三方向以及与第三方向垂直的第四方向排列。即，在第一实施例中，多个开口5全部从开口5的边与开口5的排列方向平行或垂直的基准位置集体地倾斜(转动)，而在该实施例中，多个开口5各自转动。
[0099]
由于图7a和图7c中的沉积掩模1的条部6也相对于解理方向以角度θ(0
°
《θ《90
°
)倾斜，因此可以提高沉积掩模1(条部6)的机械强度，使得可以减少沉积掩模1中的缺陷的发生。这进而使得能够生产高质量的有机电子器件。
[0100]
图7b和图7d所示的沉积掩模1具有配置了多个像素孔9的像素区域12，来代替形成图7a和图7c所示的沉积掩模1中的开口5的矩形区域。图7b和图7d所示的沉积掩模1的其他特征与图7a和图7c所示的沉积掩模1的其他特征相同。因此，图7b和图7d所示的沉积掩模1(条部6)也可以具有增强的机械强度，使得可以减少沉积掩模1中的缺陷的发生。这进而使得能够生产高质量的有机电子器件。
[0101]
第七实施例
[0102]
下文中，将参考图8a至图8e描述本发明的第七实施例。图8a是从下方观察的根据本实施例的沉积掩模1的示意平面图。图8b是示出通过图8a中的线a-a’并且与沉积掩模1垂直的平面的截面的示意截面图。在该实施例中，沉积掩模1也是硅晶圆。沉积掩模1的表面是(100)面。第一区域2包括多个像素区域12。图8c和图8d是以更大的比例示出像素区域12的一部分的示意平面图。
[0103]
如图8c和图8d所示，多个像素孔9沿行方向以及与行方向垂直的列方向以矩阵方式配置。在这种情况下，像素孔9之间的间隔沿行方向或列方向是最小的。因此，在行方向或列方向上的像素孔9之间，沉积掩模1的机械强度最弱，并且容易产生缺陷。
[0104]
因此，如图8e所示，上述行方向或列方向与解理方向((100)面上的《110》取向)之间的角度被设置在的范围内。
[0105]
由此，可以提高沉积掩模1(在像素孔9之间)的机械强度，使得可以减少沉积掩模1中的缺陷的发生。这进而使得能够生产高质量的有机电子器件。
[0106]
当相对于解理方向的角度处于的范围内时，机械强度相对高。当相对于解理方向的角度处于26.5
±5°
的范围内时，机械强度最高。因此，角度应当优选处于的范围内，并且更优选处于26.5
°±5°
的范围内。
[0107]
虽然在上述实施例中，(100)面上的《110》取向被称为解理方向，但与《110》取向垂直的方向也可以被认为是解理方向。在基板表面不是(100)面、或使用不是硅晶圆的基板的情况下，除《110》取向之外的其他方向也可以是解理方向。
[0108]
根据本发明，可以提供由单晶硅制成、并且具有高机械强度的沉积掩模，此外，可以提供高质量的有机电子器件。
[0109]
虽然参考示例性实施例描述了本发明，但是应当理解，本发明不限于所公开的示例性实施例。所附权利要求书的范围将被给予最广泛的解释，以涵盖所有这样的修改以及等同的结构和功能。