一种半导体靶材用超高纯铜锰铸锭的制备方法与流程

技术特征：
1.一种半导体靶材用超高纯铜锰铸锭的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将铜原料依次进行第一调压、第一升温、第二调压、第二升温和第三升温，得到铜液；(2)将步骤(1)得到的所述铜液进行第三调压，再加入锰原料，之后依次进行第四调压和第五调压，得到铜锰合金液；(3)将步骤(2)得到的所述铜锰合金液进行浇铸，得到所述半导体靶材用超高纯铜锰铸锭；所述第一调压的终点压力和第三调压的终点压力均小于第二调压的终点压力；所述第四调压的终点压力小于第五调压的终点压力。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述第一调压的终点压力为(1-10)
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pa；优选地，所述第一升温的终点温度为850-950℃；优选地，所述第二调压的终点压力为(1-10)
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pa；优选地，所述第二升温的终点温度为1050-1150℃；优选地，所述第三升温的终点温度为1300-1400℃。3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤(1)所述第三升温后进行第一静置；优选地，所述第一静置的温度为1300-1400℃；优选地，所述第一静置的时间为10-20min；优选地，所述铜原料的纯度＞99.9999％。4.根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第三调压的终点压力为(1-10)
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pa；优选地，所述第三调压的终点压力下进行第一保压；优选地，所述第一保压的时间为10-20min。5.根据权利要求1-4任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述加入锰原料前，充入氩气；优选地，步骤(2)所述氩气的纯度＞99.999％；优选地，步骤(2)所述氩气的真空度为-0.05pa至-0.07pa；优选地，所述锰原料的纯度＞99.999％；优选地，所述锰原料的质量为铜原料质量的0.1-1％。6.根据权利要求1-5任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述加入锰原料后进行第二静置；优选地，所述第二静置的温度为1300-1400℃；优选地，所述第二静置的时间为10-20min。7.根据权利要求1-6任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第四调压的终点压力为(1-10)
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pa；优选地，所述第四调压的终点压力下进行第二保压；优选地，所述第二保压的时间为10-20min；
优选地，所述第五调压的终点压力为(1-10)
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pa。8.根据权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(2)所述第五调压的终点压力下进行第三静置；优选地，所述第三静置的温度为1300-1400℃；优选地，所述第三静置的时间为110-130min。9.根据权利要求1-8任一项所述的制备方法，其特征在于，步骤(3)所述铜锰合金液的温度为1300-1400℃；优选地，所述浇铸前，充入氩气；优选地，步骤(3)所述氩气的纯度＞99.999％；优选地，步骤(3)所述氩气的真空度为-0.05pa至-0.07pa；优选地，所述浇铸在震动的条件下进行。10.根据权利要求1-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：(1)将纯度＞99.9999％铜原料依次进行第一调压至终点压力为(1-10)
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pa，第一升温至终点温度为850-950℃，第二调压至终点压力为(1-10)
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pa，第二升温至终点温度为1050-1150℃，第三升温至终点温度为1300-1400℃，之后进行第一静置10-20min，得到铜液；(2)将步骤(1)得到的所述铜液进行第三调压至终点压力为(1-10)
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10-3
pa并进行第一保压10-20min，然后充入纯度＞99.999％，真空度为-0.05pa至-0.07pa的氩气，再加入纯度＞99.999％的锰原料，所述锰原料的质量为铜原料质量的0.1-1％，之后在1300-1400℃下进行第二静置10-20min，然后依次进行第四调压至终点压力为(1-10)
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pa并进行第二保压10-20min，进行第五调压至终点压力为(1-10)
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10-2
pa并在1300-1400℃下进行第三静置110-130min，得到铜锰合金液；(3)将步骤(2)得到的所述铜锰合金液进行浇铸前，充入纯度＞99.999％，真空度为-0.05pa至-0.07pa的氩气，然后在震动的条件下进行浇铸，得到所述半导体靶材用超高纯铜锰铸锭。

技术总结
本发明涉及一种半导体靶材用超高纯铜锰铸锭的制备方法，所述制备方法包括：首先将铜原料依次进行第一调压、第一升温、第二调压、第二升温和第三升温，得到铜液；将所述铜液进行第三调压，再加入锰原料，之后依次进行第四调压和第五调压，得到铜锰合金液；将所述铜锰合金液进行浇铸，得到所述半导体靶材用超高纯铜锰铸锭；所述第一调压的终点压力和第三调压的终点压力均小于第二调压的终点压力；所述第四调压的终点压力小于第五调压的终点压力。本发明提供制备方法有效地解决了铜锰合金铸锭生产过程中的元素偏析、铸锭内部缺陷、成材率低以及杂质含量超标等问题。以及杂质含量超标等问题。


技术研发人员：易骛文 姚力军 潘杰
受保护的技术使用者：宁波微泰真空技术有限公司
技术研发日：2022.08.22
技术公布日：2022/11/15