复合体、锂离子传导体、全固态锂离子二次电池、全固态锂离子二次电池用电极片、四硼酸锂

技术特征：
1.一种复合体，其包含：在25℃下的锂离子传导率为1.0
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10-6
s/cm以上的锂化合物；及满足以下的要件1的四硼酸锂，要件1：在由所述四硼酸锂的x射线全散射测定获得的约化对分布函数g(r)中，存在峰顶位于r为的范围的第1峰及峰顶位于r为的范围的第2峰，所述第1峰的峰顶的g(r)及所述第2峰的峰顶的g(r)显示超过1.0，并且在r超过且以下的范围内，g(r)的绝对值小于1.0。2.根据权利要求1所述的复合体，其中，相对于在20℃下进行所述四硼酸锂的固体7li-nmr测定时获得的波谱中的频移出现在-100～ 100ppm的范围内的峰的半峰全宽，在120℃下进行所述四硼酸锂的固体7li-nmr测定时获得的波谱中的频移出现在-100～ 100ppm的范围内的峰的半峰全宽的比例为70％以下。3.根据权利要求1或2所述的复合体，其中，所述四硼酸锂的体积弹性模量为45gpa以下。4.根据权利要求1至3中任一项所述的复合体，其中，所述锂化合物为含锂氧化物。5.根据权利要求1至4中任一项所述的复合体，其中，所述锂化合物包括选自包括如下锂化合物的组中的至少一种：至少包含li、la、zr及o的具有石榴石型结构或类石榴石型结构的锂化合物；至少包含li、ti、la及o的具有钙钛矿型结构的锂化合物；至少包含li、m1、p及o且所述m1表示ti、zr及ge中的至少一者的具有nasicon型结构的锂化合物；至少包含li、p、o及n的具有非晶型结构的锂化合物；至少包含li、si及o的具有单斜晶结构的锂化合物；由lim2x1o4表示的具有橄榄石型结构的锂化合物，其中，m2表示2价元素或3价元素，当m2表示2价元素时，x1表示5价元素，当m2表示3价元素时，x1表示4价元素；至少包含li、o及x2的具有反钙钛矿结构的锂化合物，其中，所述x2表示cl、br、n及i中的至少一种；由li2m3y4表示的具有尖晶石型结构的锂化合物，其中，m3表示cd、mg、mn及v中的至少一种，y表示f、cl、br及i中的至少一种；以及具有β-氧化铝结构的锂化合物。6.一种锂离子传导体，其使用权利要求1至5中任一项所述的复合体而形成。7.根据权利要求6所述的锂离子传导体，其满足以下要件2或要件3，要件2：所述锂离子传导体中的所述四硼酸锂的拉曼光谱在1800cm-1
下的拉曼强度为1000cm-1
下的拉曼强度的1.60倍以上，要件3：所述锂离子传导体中的所述四硼酸锂的拉曼光谱的600～850cm-1
的波数范围内利用最小二乘法进行线性回归分析而获得的决定系数为0.8900以上。8.一种全固态锂离子二次电池，其依次具备正极活性物质层、固体电解质层及负极活
性物质层，其中，所述正极活性物质层、所述固体电解质层及所述负极活性物质层中的至少一者包含权利要求6或7所述的锂离子传导体。9.一种全固态锂离子二次电池用电极片，其包含权利要求6或7所述的锂离子传导体。10.一种四硼酸锂，其满足以下的要件1，要件1：在由所述四硼酸锂的x射线全散射测定获得的约化对分布函数g(r)中，存在峰顶位于r为的范围的第1峰及峰顶位于r为的范围的第2峰，所述第1峰的峰顶的g(r)及所述第2峰的峰顶的g(r)显示超过1.0，并且在r超过且以下的范围内，g(r)的绝对值小于1.0。11.根据权利要求10所述的四硼酸锂，其中，相对于在20℃下进行固体7li-nmr测定时获得的波谱中的频移出现在-100～ 100ppm的范围内的峰的半峰全宽，在120℃下进行固体7li-nmr测定时获得的波谱中的频移出现在-100～ 100ppm的范围内的峰的半峰全宽的比例为70％以下。12.根据权利要求10或11所述的四硼酸锂，其中，在拉曼光谱的600～850cm-1
的波数范围内利用最小二乘法进行线性回归分析而获得的决定系数为0.9400以上。

技术总结
本发明提供一种能够在使用含锂氧化物的同时，不进行高温(1000℃左右)下的烧结而通过加压处理来成型显示良好的锂离子传导率的锂离子传导体的复合体、锂离子传导体、全固态锂离子二次电池、全固态锂离子二次电池用电极片及四硼酸锂。本发明的复合体包含：锂化合物，在25℃下的锂离子传导率为1.0


技术研发人员：奥野幸洋 白鸟洋介 安井伸太郎 伊藤满
受保护的技术使用者：国立大学法人东京工业大学
技术研发日：2021.03.15
技术公布日：2022/11/11