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含铜高的镍硫处理方法与流程

2022-11-14 15:57:34 来源:中国专利 TAG:

技术特征:
1.一种含铜高的镍硫处理方法,其特征在于,包括如下步骤:通过对含铜高的镍硫原料进行第一段常压浸出处理,得到第一上清液和第一浓密底流;通过对所述第一浓密底流进行第二段常压浸出处理,得到第二上清液和第二浓密底流;对所述第二上清液进行低铜萃取处理,得到第一萃余液和低富铜液,其中,所述第一萃余液返回至所述第一段常压浸出和所述第二段常压浸出;以及,对所述第二浓密底流进行第一段加压浸出处理,得到第三上清液和第三浓密底流;将所述第三上清液返回至所述第一段常压浸;并且,对所述第三浓密底流进行第二段加压浸出处理,得到第四上清液和铁渣;对所述第四上清液进行高铜萃取,得到电积液和第二萃余液;将所述第二萃余液返回至所述第一段加压浸出和所述第二段加压浸出;以及,将所述电积液与所述低富铜液混合后进行电积处理,得到电积铜。2.根据权利要求1所述的含铜高的镍硫处理方法,其特征在于,所述通过对含铜高的镍硫原料进行第一段常压浸出处理,得到第一上清液和第一浓密底流包括:对所述含铜高的镍硫原料进行磨矿处理,得到碎料;其中,所述含铜高的镍硫原料中铜的含量为15%-30%;对所述碎料进行第一段常压浸出处理,得到第一浸出矿浆;对所述第一浸出矿浆进行固液分离,得到第一上清液和第一浓密底流。3.根据权利要求1所述的含铜高的镍硫处理方法,其特征在于,在所述通过对含铜高的镍硫原料进行第一段常压浸出处理,得到第一上清液和第一浓密底流之后,还包括:对所述第一上清液依次进行过滤、精滤、镍钴萃取分离后得到电池级硫酸镍溶液和硫酸钴溶液。4.根据权利要求1所述的含铜高的镍硫处理方法,其特征在于,所述通过对所述第一浓密底流进行第二段常压浸出处理,得到第二上清液和第二浓密底流包括:对所述第一浓密底流进行第二段常压浸出处理,得到第二浸出矿浆;对所述第二浸出矿浆进行液固分离处理,得到初级第二上清液和第二浓密底流;对所述初级第二上清液依次进行过滤处理、精滤处理和冷却处理,得到第二上清液。5.根据权利要求1所述的含铜高的镍硫处理方法,其特征在于,在所述对所述第二上清液进行低铜萃取处理,得到第一萃余液和低富铜液的过程中,所述低铜萃取采用三级低铜萃取、两级洗涤和三级反萃取的萃取方式;其中,在所述三级低铜萃取中,每级低铜萃取的混合时间为2~4min,澄清速率为4~4.5m3/m2.h;所述第一萃余液中铜离子的浓度为10g/l。6.根据权利要求1所述的含铜高的镍硫处理方法,其特征在于,对所述第二浓密底流进行第一段加压浸出处理,得到第三上清液和第三浓密底流包括:对所述第二浓密底流进行第一段加压浸出处理,第一段加压浸出矿浆;对所述第一段加压浸出矿浆依次进行闪蒸分离和液固分离,得到第三上清液和第三浓密底流。
7.根据权利要求1所述的含铜高的镍硫处理方法,其特征在于,对所述第三浓密底流进行第二段加压浸出处理,得到第四上清液和铁渣包括:对所述第三浓密底流进行第二段加压浸出处理,得到第二加压浸出矿浆;对所述第二加压浸出矿浆依次进行闪蒸分离和液固分离,得到第四上清液和铁渣。8.根据权利要求1所述的含铜高的镍硫处理方法,其特征在于,在对所述第四上清液进行高铜萃取,得到电积液和第二萃余液的过程中,对所述第四上清液依次进行过滤、冷却澄清和精滤后再进行高铜萃取处理,得到电积液和第二萃余液。9.根据权利要求1所述的含铜高的镍硫处理方法,其特征在于,在所述第二段加压浸出的过程中,采用的始酸浓度为6~15g/l,浸出温度为175~200℃、浸出时间为4~8h、浸出压力为0.8~2mpa、氧分压为0.2~0.35mpa,铜浸出率为97.5%~99.0%。10.根据权利要求1所述的含铜高的镍硫处理方法,其特征在于,在所述高铜萃取的过程中,采用三级高铜萃取、一级洗涤和两级反萃取的萃取方式;其中,在所述三级高铜萃取中,每级高铜萃取的混合时间为3~5min,澄清速率为4.5~5.5m3/m2.h。

技术总结
本发明提供一种含铜高的镍硫处理方法,包括如下步骤:通过对含铜高的镍硫原料进行第一段常压浸出处理,得到第一上清液和第一浓密底流;通过对第一浓密底流依次经过第二段常压浸出处理、第一段加压浸出处理、第二段加压浸出处理;第二段常压浸出处理后进行低铜萃取处理,第二段加压浸出处理后进行高铜萃取;将低铜萃取得到的第一萃余液返回至第一段常压浸出和第二段常压浸出,将高铜萃取得到的第二萃余液返回至第一段加压浸出和第二段加压浸出,将电积液与低富铜液混合后进行电积处理,得到电积铜。利用本发明能够解决现有的从高镍硫生产镍的方法存在需要添加中和剂增加成本,并且会产生废水或废渣,容易产生环境污染等问题。容易产生环境污染等问题。容易产生环境污染等问题。


技术研发人员:李涛 陆业大 丁淑荣 张杰磊 郑明臻 王恒利
受保护的技术使用者:中国恩菲工程技术有限公司
技术研发日:2022.08.24
技术公布日:2022/11/11
再多了解一些

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