用于有机电致发光器件的环状化合物的制作方法

用于有机电致发光器件的环状化合物
1.本发明涉及用于电子器件中，尤其是用于有机电致发光器件中的环状化合物，以及包含这些杂环化合物的电子器件，尤其是有机电致发光器件。
2.有机电致发光器件中使用的发光材料通常是磷光有机金属络合物或荧光化合物。通常仍然需要改善电致发光器件。
3.wo 2010/104047 a1和wo 2019/132506 a1公开了可用于有机电致发光器件的多环化合物。没有公开根据本发明的化合物。此外，wang等人,《自然通讯》|8:1948研究了化合物的反芳族特性。然而，wang等人没有描述这些化合物在有机电致发光器件中的用途。
4.总的来说，这些杂环化合物，例如用作发光体，尤其是用作荧光发光体的这些杂环化合物，特别是在器件的寿命和色纯度方面，还有器件的效率和工作电压方面仍然需要改善。
5.因此，本发明的一个目的是提供适合在有机电子器件，尤其是有机电致发光器件中使用，并且在用于此类器件时导致良好器件性质的化合物；以及提供相应的电子器件。
6.更特别地，本发明解决的问题是提供导致长寿命、良好效率和低工作电压的化合物。
7.此外，所述化合物应该具有优异的可加工性，并且所述化合物应该尤其显示出良好的溶解性。
8.本发明解决的另一个问题可以认为是提供适合在磷光或荧光电致发光器件中使用，尤其是作为发光体的化合物。更特别地，本发明解决的问题是提供适用于红色、绿色或蓝色电致发光器件的发光体。
9.此外，所述化合物，尤其是当它们在有机电致发光器件中用作发光体时，应该导致器件具有优异的色纯度。
10.本发明解决的另一个问题可以认为是提供适合在磷光或荧光电致发光器件中使用，尤其是作为基质材料的化合物。更特别地，本发明解决的问题是提供适用于红色、黄色和蓝色磷光电致发光器件的基质材料。
11.此外，所述化合物，尤其是当它们在有机电致发光器件中用作基质材料、用作空穴传输材料或用作电子传输材料时，将会导致器件具有优异的色纯度。
12.可以考虑的另一个问题是以非常低廉的价格和稳定的质量提供具有优异性能的电子器件。
13.此外，应当可以使用或调整所述电子器件以用于许多目的。更特别地，电子器件的性能应该在宽温度范围内得以保持。
14.令人惊讶的是，已经发现这个目的是通过下面详细描述的特定化合物实现的，所述化合物非常适合优选用于电致发光器件，并且导致有机电致发光器件显示出非常好的特性，尤其是在寿命、色纯度、效率和工作电压方面显示出非常好的特性。因此，本发明提供了这些化合物和包含这类化合物的电子器件，尤其是有机电致发光器件。
15.本发明提供了一种包含至少一个式(i)结构的化合物，优选式(i)的化合物，
[0016][0017]
其中使用的符号和下标如下：
[0018]
z1、z2在每种情况下相同或不同，并且是n或b；
[0019]
w1、w2、w3、w4在每种情况下相同或不同，并且是car、x，或者两个相邻的w1、w2、w3、w4基团是ar；
[0020]
y1在每种情况下相同或不同，并且是n(ar)、n(r)、p(ar)、p(r)、p(＝o)ar、p(＝o)r、p(＝s)ar、p(＝s)r、b(ar)、b(r)、al(ar)、al(r)、ga(ar)、ga(r)、c＝o、c(r)2、si(r)2、c＝nr、c＝nar、c＝c(r)2、o、s、se、s＝o或so2，优选n(ar)、n(r)、b(ar)、b(r)、p(＝o)r、p(＝o)ar、c＝o、c(r)2、si(r)2、o、s、se、s＝o或so2，更优选c＝o、n(ar)或b(ar)；
[0021]
y2在每种情况下相同或不同，并且是键、n(ar)、n(r)、p(ar)、p(r)、p(＝o)ar、p(＝o)r、p(＝s)ar、p(＝s)r、b(ar)、b(r)、al(ar)、al(r)、ga(ar)、ga(r)、c＝o、c(r)2、si(r)2、c＝nr、c＝nar、c＝c(r)2、o、s、se、s＝o或so2，优选是键、n(ar)、n(r)、b(ar)、b(r)、p(＝o)r、p(＝o)ar、c＝o、c(r)2、si(r)2、o、s、se、s＝o或so2，更优选c＝o、n(ar)或b(ar)；
[0022]
ar在每种情况下相同或不同，并且是具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个r基团取代的芳族或杂芳族环系；此处，ar基团可与至少一个ar基团、r基团或另外的基团形成环系；
[0023]
x在每种情况下相同或不同，并且是n或cr，优选是cr，条件是在一个环中x、x3基团中不超过两个是n；
[0024]
x1在每种情况下相同或不同，并且是n、cra或car，优选是cra，条件是在一个环中x1、x2、x3基团中不超过两个是n；
[0025]
x2在每种情况下相同或不同，并且是n、crb或car，优选crb，条件是在一个环中x1、x2、x3基团中不超过两个是n；
[0026]
x3在每种情况下相同或不同，并且是n、crc、car，或者如果p是1，则x3是c，优选x3是crc，条件是在一个环中x、x1、x2、x3基团中不超过两个是n；
[0027]
p是相同或不同的，并且是0或1，其中如果w3、w4不是ar，则p＝1；
[0028]
r、ra、rb、rc在每种情况下相同或不同，并且是h，d，oh，f，cl，br，i，cn，no2，n(ar')2，n(r1)2，c(＝o)oar'，c(＝o)or1，c(＝o)n(ar')2，c(＝o)n(r1)2，c(ar')3，c(r1)3，si(ar')3，si(r1)3，b(ar')2，b(r1)2，c(＝o)ar'，c(＝o)r1，p(＝o)(ar')2，p(＝o)(r1)2，p(ar')2，p(r1)2，s(＝o)ar'，s(＝o)r1，s(＝o)2ar'，s(＝o)2r1，oso2ar'，oso2r1，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或具有2至40个碳原子烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个r1基团取代，其中一个或多个不相邻
的ch2基团可被r1c＝cr1、c≡c、si(r1)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr1、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr
1-、nr1、p(＝o)(r1)、-o-、-s-、so或so2代替，或者具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个r1基团取代的芳族或杂芳族环系，或者具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个r1基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，两个r、ra、rb、rc基团也可一起形成环系或与另外的基团形成环系；
[0029]
ar'在每种情况下相同或不同，并且是具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个r1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合到同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个ar'基团还可经由通过单键的桥连基或选自b(r1)、c(r1)2、si(r1)2、c＝o、c＝nr1、c＝c(r1)2、o、s、s＝o、so2、n(r1)、p(r1)和p(＝o)r1的桥连基连接在一起；
[0030]
r1在每种情况下相同或不同，并且是h，d，f，cl，br，i，cn，no2，n(ar
″
)2，n(r2)2，c(＝o)oar
″
，c(＝o)or2，c(＝o)ar
″
，c(＝o)r2，p(＝o)(ar
″
)2，p(ar
″
)2，b(ar
″
)2，b(r2)2，c(ar
″
)3，c(r2)3，si(ar
″
)3，si(r2)3，具有1至40个碳原子的直链的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有3至40个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团或者具有2至40个碳原子的烯基基团，它们中的每个可被一个或多个r2基团取代，其中一个或多个不相邻的ch2基团可被-r2c＝cr
2-、-c≡c-、si(r2)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr2、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr
2-、nr2、p(＝o)(r2)、-o-、-s-、so或so2代替，并且其中一个或多个氢原子可被d、f、cl、br、i、cn或no2代替，或者具有5至60个芳族环原子的芳族环或杂芳族环系，其中的每个可被一个或多个r2基团取代，或者具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个r2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团，或具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个r2基团取代的芳烷基或杂芳烷基基团，或者这些体系的组合；同时，两个或更多个优选相邻的r1基团可一起形成环系；同时，一个或多个r1基团可与所述化合物的另外的部分形成环系；
[0031]
ar
″
在每种情况下相同或不同，并且是具有5至30个芳族环原子并且可被一个或多个r2基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，键合到同一碳原子、硅原子、氮原子、磷原子或硼原子的两个ar
″
基团还可经由通过单键的桥连基或选自b(r2)、c(r2)2、si(r2)2、c＝o、c＝nr2、c＝c(r2)2、o、s、s＝o、so2、n(r2)、p(r2)和p(＝o)r2的桥连基连接在一起；
[0032]
r2在每种情况下相同或不同，并且选自h、d、f、cn、具有1至20个碳原子的脂族烃基基团或者具有5至30个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，并且所述芳族或杂芳族环系中一个或多个氢原子可被d、f、cl、br、i或cn代替，并且所述芳族或杂芳族环系可被一个或多个各自具有1至4个碳原子的烷基基团取代；同时，两个或更多个优选相邻的取代基r2可一起形成环系。
[0033]
在式(i)中，p可以相同或不同，并且可以是0或1，其中如果w3、w4不是ar，则p＝1。因此，如果w3、w4一起形成具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个r基团取代的芳族或杂芳族环系，则p可以仅是0。如果p＝0，则由w3、w4基团形成并且可被r基团取代的芳族或杂芳族环系与式(i)中的z2基团结合。另外，如果p＝1，则w3、w4基团可以是ar。在这种情况下，w3、w4基团一起形成具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个r基团取代的芳族或杂芳族环系，其中所述芳族或杂芳族环系经由式(i)中两个相邻且彼此键合的碳原子与z2和y2基团结合，使得与z2和y2基团一起形成六元环。如果w1、w2基团是ar，则芳族或杂芳族环系经由式(i)中两个相邻且彼此键合的碳原子与z1和y1基团结合，使得与z1和y1基团一起形成六元环。
[0034]
这在下文中通过式(ia)、(ib)、(ic)和(id)详细阐述。这里的式(ia)和(ib)示出了上面详述的其中p＝1的情况，式(ic)示出了p＝0的情况。如果w1、w2基团一起是ar，则式(id)相应地适用。
[0035]
在式(i)中，p可以是相同或不同的，并且可以是0或1，其中：
[0036]-当p＝1时，式(i)符合式(ia)或(ib)；
[0037]-当p＝0时，式(i)符合式(ic)：
[0038][0039][0040]
在式(i)中，w1、w2基团一起可以是ar。这得到式(id)：
[0041][0042]
在式(ia)、(ib)、(ic)和(id)中，符号具有以上对式(i)详述的定义。
[0043]
在本发明的上下文中，芳基基团含有6至40个碳原子；在本发明的上下文中，杂芳基基团含有2至40个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和至少为5。杂原子优选地选自n、o和/或s。此处，芳基基团或杂芳基基团应理解为表示简单的芳族环，即苯，或者简单的杂芳族环，例如吡啶、嘧啶、噻吩等，或稠合(增环的)芳基或杂芳基基团，例如萘、蒽、菲、喹啉、异喹啉等。相比之下，通过单键彼此连接的芳族化合物，例如联苯，不称为芳基或杂芳基基团，而是称为芳族环系。
[0044]
在本发明的上下文中，缺电子杂芳基基团是具有至少一个含有至少一个氮原子的杂芳族六元环的杂芳基基团。另外的芳族或杂芳族五元或六元环可以稠合到该六元环上。缺电子杂芳基基团的实例是吡啶、嘧啶、吡嗪、哒嗪、三嗪、喹啉、喹唑啉或喹啉。
[0045]
在本发明的上下文中，芳族环系在环系中含有6至60个碳原子。在本发明的上下文中，杂芳族环系在环系中含有2至60个碳原子和至少一个杂原子，条件是碳原子和杂原子的总和是至少为5。杂原子优选地选自n、o和/或s。在本发明的上下文中，芳族或杂芳族环系应理解为意指如下体系：其不必仅含有芳基或杂芳基基团，而是其中两个或更多个芳基或杂芳基基团还可通过非芳族单元连接，例如通过碳、氮或氧原子连接。例如，在本发明的上下文中，诸如芴、9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基基醚、茋等也应该被认为是芳族环系，并且其中两个或更多个芳基基团被例如短烷基基团连接的体系也同样应被认为是芳族环系。优选地，芳族环系选自芴、9,9'-螺二芴、9,9-二芳基胺或其中两个或更多个芳基和/或杂芳基基团通过单键彼此连接的基团。
[0046]
在本发明的上下文中，可含有1至20个碳原子并且其中个别氢原子或ch2基团还可被上述基团取代的脂族烃基基团或烷基基团或烯基或炔基基团优选理解为是指甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、新戊基、环戊基、正己基、新己基、环己基、正庚基、环庚基、正辛基、环辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、环戊烯基、己烯基、环己烯基、庚烯基、环庚烯基、辛烯基、环辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基、庚炔基或辛炔基基团。具有1至40个碳原子的烷氧基基团优选理解为是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、异丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、仲戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、环己氧基、正庚氧基、环庚氧基、正辛氧基、环辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基和2,2,2-三氟乙氧基。具有1至40个碳原子的硫代烷基基团应理解为尤其是指
甲硫基、乙硫基、正丙硫基、异丙硫基、正丁硫基、异丁硫基、仲丁硫基、叔丁硫基、正戊硫基、仲戊硫基、正己硫基、环己硫基、正庚硫基、环庚硫基、正辛硫基、环辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、环戊烯硫基、己烯硫基、环己烯硫基、庚烯硫基，环庚烯硫基、辛烯硫基、环辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。通常，根据本发明的烷基、烷氧基或硫代烷基基团可以是直链、支链或环状的，其中一个或多个不相邻的ch2基团可被上述基团代替；此外，一个或多个氢原子也可被d、f、cl、br、i、cn或no2代替，优选可被f、cl或cn代替，优选还可被f或cn代替，特别优选可被cn代替。
[0047]
具有5至60或5至40个芳族环原子并且在每种情况下还可被上述基团取代并且可以通过任何所需位置与芳族或杂芳族体系连接的芳族或杂芳族环系，应理解为尤其是指来源于以下的基团：苯、萘、蒽、苯并蒽、菲、芘、苣、苝、荧蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、联苯、联二苯叉、三联苯、联三苯叉、芴、螺二芴、二氢菲、二氢芘、四氢芘、顺式或反式茚并芴，顺式或反式茚并咔唑，顺式或反式吲哚并咔唑，三聚茚、异三聚茚、螺三聚茚、螺异三聚茚、呋喃，苯并呋喃、异苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、异苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、异吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、异喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、异唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、哒嗪、六氮杂联三苯叉、苯并哒嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮杂蒽、2,7-二氮杂芘、2,3-二氮杂芘、1,6-二氮杂芘、1,8-二氮杂芘、4,5-二氮杂芘、4,5,9,10-四氮杂苝、吡嗪、吩嗪、吩嗪、吩噻嗪、荧红环、萘啶、氮杂咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲哚嗪和苯并噻二唑，或来源于这些体系组合的基团。
[0048]
在本说明书的上下文中，两个或更多个基团可一起形成环的措辞应当理解为尤其是指，两个基团利用形式上消除两个氢原子而通过化学键彼此连接。这由以下方案说明：
[0049][0050]
然而，此外，上述措辞还应理解为是指，如果两个基团中的一个是氢，则第二个基团结合到氢原子原本键合的位置，从而形成环。这将通过以下方案来说明：
[0051][0052]
在一种优选的配置中，本发明的化合物可以包含式(iia)至(iik)的结构；更优选地，本发明的化合物可以选自式(iia)至(iik)的化合物：
[0053]
[0054]
[0055]
[0056][0057]
其中w1、w2、y1、y2、z1、z2、x1、x2和x3具有上文尤其是对于式(i)给出的定义，并且其它符号和下标如下：
[0058]
x在每种情况下相同或不同，并且x是n、cr，或者如果p是1，则x是c，优选x是cr或c，条件是在一个环中不超过两个x基团是n；
[0059]
y3在每种情况下相同或不同，并且是o、s、n(ar')、n(r)、c＝o、c(r)2、si(r)2、c＝nr、c＝nar'、c＝c(r)2、b(ar')或b(r)，优选c(r)2、o、s或n(ar')；
[0060]
p是0或1。
[0061]
在另一个优选的实施方式中，可行的情况是本发明的化合物包含式(iiia)至
(iiik)的结构，其中本发明的化合物可以更优选地选自式(iiia)至(iiik)的化合物，
[0062]
[0063]
[0064]
[0065][0066]
其中符号y1、y2、z1、z2、x1、x2和x3具有上文尤其是对于式(i)给出的定义，符号x、y3和下标p具有上文尤其是对于式(iia)至(iik)给出的定义。
[0067]
可优选的情况是，在式(i)、(iia)至(iik)和/或(iiia)至(iiik)中，不超过四个，优选不超过两个x、x1、x2和x3基团是n；更优选地，如果x和x3基团通过键形成环系，则所有x、x1、x2和x3基团都是cr、cra、crb、crc或c。
[0068]
在另一个优选的实施方式中，可行的情况是本发明的化合物包含式(iv-1)至(iv-20)的结构，其中本发明的化合物可以更优选地选自式(iv-1)至(iv-20)的化合物，
[0069]
[0070]
[0071][0072]
其中符号y1、y2、z1、z2、r、ra、rb和rc具有上文尤其是对于式(i)给出的定义，符号y3具有上文尤其是对于式(iia)至(iik)给出的定义，下标l是0、1、2、3、4或5，优选0、1或2，下标m是0、1、2、3或4，优选0、1或2，下标n是0、1、2或3，优选0、1或2，下标j是0、1或2，优选0或1，下标k是0或1。
[0073]
这里优选式(iv-1)至(iv-10)的结构/化合物，特别优选式(iv-1)至(iv-9)的结构。
[0074]
在式(iv-1)至(iv-20)的结构/化合物中，下标j、l、m和n的总和优选不超过8，特别优选不超过6，更优选不超过4。
[0075]
此外，在式(i)、(iia)至(iik)、(iiia)至(iiik)、(iv-1)至(iv-20)和/或尤其是下文阐述的这些式的优选实施方式中，可行的情况是：z1和z2基团中的至少一个，优选两个是n，y1和y2基团中的至少一个，优选两个是b(ar)、b(r)、p(＝o)ar、p(＝o)r、al(ar)、al(r)、ga(ar)、ga(r)、c＝o、s＝o或so2，优选是c＝o、b(ar)、b(r)、p(＝o)ar、p(＝o)r、c＝o、s＝o或so2，更优选c＝o、b(r)或b(ar)。其中z1和z2基团中的至少一个是n，并且至少一个，优选两个y1、y2基团是b(ar)、b(r)、p(＝o)ar、p(＝o)r、al(ar)、al(r)、ga(ar)、ga(r)、c＝o、s＝o或so2的配置可有利地用作发光体。
[0076]
此外，在式(i)、(iia)至(iik)、(iiia)至(iiik)、(iv-1)至(iv-20)中和/或尤其是下文阐述的这些式的优选实施方式中，可行的情况是：z1和z2基团中的至少一个，优选两个是n并且y1和y2基团中的至少一个，优选两个是n(ar)、n(r)、p(ar)、p(r)、p(r)、o、s或se，优选n(ar)、n(r)、o或s，更优选n(ar)。
[0077]
其中z1和z2基团中的至少一个，优选两个是n并且y1、y2基团中的至少一个，优选两个是n(ar)、n(r)、p(ar)、p(r)、o、s或se的实施方式可以特别有利地用作空穴导体材料。
[0078]
在另一种配置中，在式(i)、(iia)至(iik)、(iiia)至(iiik)、(iv-1)至(iv-20)中和/或尤其是下文阐述的这些式的优选实施方式中，可行的情况是：z1和z2基团中的至少一个，优选两个是b并且y1、y2基团中的至少一个，优选两个是n(ar)、n(r)、p(ar)、p(ar)、p(r)、o、s或se，优选n(ar)、n(r)、o或s，更优选n(ar)。z1和z2基团中的至少一个是b并且至少一个，优选两个y1、y2基团是n(ar)、n(r)、p(ar)、p(r)、o、s或se的配置可以有利地用作发光体。
[0079]
在另一种配置中，在式(i)、(iia)至(iik)、(iiia)至(iiik)、(iv-1)至(iv-20)中和/或尤其是下文阐述的这些式的优选实施方式中，可行的情况是：z1和z2基团中的至少一个，优选两个是b，并且y1、y2基团中的至少一个，优选两个是b(ar)、b(r)、p(＝o)ar、p(＝o)r、al(ar)、al(r)、ga(ar)、ga(r)、c＝o、s＝o或so2，优选c＝o、b(ar)、b(r)、p(＝o)ar、p(＝o)r、c＝o、s＝o或so2，更优选c＝o、b(r)或b(ar)。
[0080]
其中z1和z2基团中的至少一个，优选两个是b并且y1、y2基团中的至少一个，优选两个是b(ar)、b(r)、p(＝o)ar、p(＝o)r、al(ar)、al(r)、ga(ar)、ga(r)、c＝o、s＝o或so2的实施方式可以特别有利地用作电子传输材料。
[0081]
此外，在式(iia)至(iik)、(iiia)至(iiik)、(iv-1)至(iv-20)和/或尤其是下面详述的这些式的优选实施方式中，可行的情况是两个y3基团相同。
[0082]
此外，在式(iia)至(iik)、(iiia)至(iiik)、(iv-1)至(iv-20)和/或尤其是下面详述的这些式的优选实施方式中，可行的情况是两个y3基团不同。
[0083]
更优选地，所述化合物包含至少一个式(v-1)至(v-40)的结构；更优选地，所述化合物选自式(v-1)至(v-40)的化合物：
[0084]
[0085]
[0086]
[0087]
[0088]
[0089][0090]
其中符号z1、z2、x、x1和x2具有上文尤其是对于式(i)给出的定义，符号y3具有上文尤其是对于式(iia)至(iik)给出的定义，z3、z4在每种情况下相同或不同，并且是n、b、p(＝o)或si(r)，优选n、b或p(＝o)，更优选n或b。
[0091]
这里优选式(v-1)至(v-30)的结构/化合物，特别优选式(v-2)、(v-5)至(v-9)、(v-12)、(v-15)至(v-19)、(v-22)、(v-25)至(v-29)的结构。
[0092]
还可以是这样的情况，在式(v-1)至(v-40)中，不超过四个，优选不超过两个x、x1和x2基团是n；更优选地，所有的x、x1和x2基团都是cr、cra、crb，如果通过键与x基团形成闭环，则所有的x、x1和x2基团是c。
[0093]
更优选地，所述化合物包含至少一个式(vi-1)至(vi-40)的结构；更优选地，所述化合物选自式(vi-1)至(vi-40)的化合物：
[0094]
[0095]
[0096]
[0097]
[0098]
[0099][0100]
其中符号z1、z2、r、ra和rb具有上文尤其是对于式(i)给出的定义，符号y3具有上文尤其是对于式(iia)至(iik)给出的定义，z3、z4在每种情况下相同或不同，并且是n、b、p(＝o)或si(r)，优选n、b或p(＝o)，更优选n或b，下标l是0、1、2、3、4或5，优选0、1或2，下标m是0、1、2、3或4，优选0、1或2，下标j是0、1或2，优选0或1。
[0101]
这里优选式(vi-1)至(vi-30)的结构/化合物，特别优选式(vi-2)、(vi-5)至(vi-9)、(vi-12)、(vi-15)至(vi-19)、(vi-22)、(vi-25)至(vi-29)的结构/化合物。
[0102]
此外，式(v-1)至(v-20)、(vi-1)至(vi-20)和/或尤其是下面详述的这些式的优选实施方式中，可行的情况是：z1和z2基团中的至少一个，优选两个是n，并且z3和z4基团中的至少一个，优选两个是b。其中z1和z2基团中的至少一个，优选两个是n，并且z3和z4基团中的至少一个，优选两个是b的配置可以有利地用作发光体。
[0103]
此外，在式(v-1)至(v-20)、(vi-1)至(vi-20)和/或尤其是下面详述的这些式的优选实施方式中，可行的情况是：z1和z2基团中的至少一个，优选两个是n，并且z3和z4基团中的至少一个，优选两个是n。
[0104]
其中z1、z2、z3、z4基团中的许多，优选全部是n的实施方式可以特别有利地用作空穴导体材料。
[0105]
在另一种配置中，在式(v-1)至(v-20)、(vi-1)至(vi-20)和/或尤其是下面详述的这些式的优选实施方式中，可行的情况是：z1和z2基团中的至少一个，优选两个是b，并且z3和z4基团中的至少一个，优选两个是n。其中z1和z2基团中的至少一个，优选两个是b，并且z3和z4基团中的至少一个，优选两个是n的配置可有利地用作发光体。
[0106]
在另一种配置中，在式(v-1)至(v-20)、(vi-1)至(vi-20)和/或尤其是下面详述的这些式的优选实施方式中，可行的情况是：z1和z2基团中的至少一个，优选两个是b，并且z3和z4基团中的至少一个，优选两个是b。
[0107]
其中z1、z2、z3、z4基团中的许多，优选全部是b的实施方式可以特别有利地用作电子传输材料。
[0108]
在另一种配置中，在式(v-1)至(v-20)、(vi-1)至(vi-20)和/或尤其是下文详述的这些式的优选实施方式中，可行的情况是：z2、z3基团中的至少一个、优选两个是n，并且z4、z5基团中的至少一个、优选两个是b。
[0109]
在式(vi-1)至(vi-40)的结构中，可行的情况是：下标j、l和m的总和优选不大于8，特别优选不大于6，更优选不大于4。
[0110]
在本发明的优选开发中，可行的情况是：至少两个r、ra、rb、rc基团和与所述两个r、ra、rb、rc基团结合的另外的基团一起形成稠环，其中所述两个r、ra、rb、rc基团形成至少一个式(ra-1)至(ra-12)的结构：
[0111][0112][0113]
其中r1具有上述定义，虚线键表示所述两个r、ra、rb、rc基团结合的连接位点，并且其它符号定义如下：
[0114]
y4在每种情况下相同或不同，并且是c(r1)2、(r1)2c-c(r1)2、(r1)c＝c(r1)、nr1、nar'、o或s，优选c(r1)2、(r1)2c-c(r1)2、(r1)c＝c(r1)、o或s；
[0115]
rd在每种情况下相同或不同，并且是f，具有1至40个碳原子的直链的烷基，烷氧基或硫代烷氧基基团或具有2至40个碳原子的烯基或炔基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，其中所述烷基、烷氧基、硫代烷氧基、烯基或炔基基团在每种情况下可被一个或多个r2基团取代，其中一个或多个不相邻的ch2基团可被r2c＝cr2、c≡c、si(r2)2、c＝o、c＝s、c＝se、c＝nr2、-c(＝o)o-、-c(＝o)nr
2-、nr2、p(＝o)(r1)、-o-、-s-、so或so2代替，或者具有5至60个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多
个r2基团取代的芳族或杂芳族环系，或者具有5至60个芳族环原子并且可被一个或多个r2基团取代的芳氧基或杂芳氧基基团；同时，两个rd基团一起或者一个rd基团与r1基团一起或与另外的基团一起还可形成环系；
[0116]
s是0、1、2、3、4、5或6，优选0、1、2、3或4，更优选0、1或2；
[0117]
t是0、1、2、3、4、5、6、7或8，优选0、1、2、3或4，更优选0、1或2；
[0118]
v是0、1、2、3、4、5、6、7、8或9，优选0、1、2、3或4，更优选0、1或2。
[0119]
在本发明的一个优选实施方式中，至少两个r、ra、rb、rc基团和与所述两个r、ra、rb、rc基团结合的另外的基团一起形成稠环，其中所述两个r、ra、rb、rc基团优选形成至少一个式(ra-1a)至(ra-4f)的结构：
[0120][0121][0122]
其中虚线键表示所述两个r、ra、rb、rc基团所结合的连接位点，下标m是0、1、2、3或4，优选0、1或2，并且符号r1、r2、rd和下标s和t具有上文尤其是对于式(i)和/或式(ra-1)至
(ra-12)给出的定义。
[0123]
还可以是这样的情况，形成式(ra-1)至(ra-12)和/或(ra-1a)至(ra-4f)的结构并且形成稠环的至少两个r、ra、rb、rc基团表示来自相邻的x、x1、x2、x3基团的r、ra、rb、rc基团，或表示各自与相邻碳原子结合的r基团，其中这些碳原子优选通过键连接。
[0124]
在一种更优选的配置中，至少两个r、ra、rb、rc基团和与所述两个r、ra、rb、rc基团结合的另外的基团一起形成稠环，其中所述两个r、ra、rb、rc基团形成式(rb)的结构：
[0125][0126]
其中r1具有上文尤其是对于式(i)给出的定义，虚线键表示所述两个r、ra、rb、rc基团所结合的连接位点，下标m是0、1、2、3或4，优选0、1或2，y5是c(r1)2、nr1、nar'、br1、bar'、o或s，优选c(r1)2、nar'或o。
[0127]
可行的情况是，形成式(rb)结构并且形成稠环的至少两个r、ra、rb、rc基团表示来自相邻的x、x1、x2、x3基团的r、ra、rb、rc基团，或者表示各自与相邻碳原子结合的r基团，其中这些碳原子优选通过键彼此连接。
[0128]
更优选地，所述化合物包含至少一个式(vii-1)至(vii-50)的结构；更优选地，所述化合物选自式(vii-1)至(vii-50)的化合物，其中所述化合物具有至少一个稠环：
[0129]
[0130]
[0131]
[0132]
[0133]
[0134]
[0135][0136]
其中符号y1、y2、z1、z2、r、ra、rb和rc具有上文尤其是对于式(i)所给出的定义，符号y3具有上文尤其是对于式(iia)至(iik)中给出的定义，符号o表示稠环连接位点，并且其它符号定义如下：
[0137]
l是0、1、2、3、4或5，优选0、1或2；
[0138]
m是0、1、2、3或4，优选0、1或2；
[0139]
n是0、1、2或3，优选0、1或2；
[0140]
j是0、1或2，优选0或1；
[0141]
k是0或1。
[0142]
优选地，稠环，尤其是在式(vii-1)至(vii-50)中的稠环，是通过至少两个r、ra、rb、rc基团和与所述两个r、ra、rb、rc基团结合的另外的基团形成，其中至少两个r、ra、rb、rc基团形成式(ra-1)至(ra-12)、(ra-1a)至(ra-4f)和/或式(rb)的结构，优选式(ra-1)至(ra-12)和/或(ra-1a)至(ra-4f)的结构。
[0143]
可行的优选情况是所述化合物具有至少两个稠环，其中至少一个稠环由式(ra-1)至(ra-12)和/或(ra-1a)至(ra-4f)的结构形成，并且另一个环由式(ra-1)至(ra-12)、(ra-1a)至(ra-4f)或(rb)的结构形成，其中所述化合物包含至少一个式(viii-1)至(viii-50)的结构，优选其中所述化合物选自式(viii-1)至(viii-50)的化合物：
[0144]
[0145]
[0146]
[0147]
[0148]
[0149]
[0150][0151]
其中符号y1、y2、z1、z2、r、ra、rb和rc具有上文尤其是对于式(i)给出的定义，符号y3具有上文尤其是对于式(iia)至(iik)给出的定义，符号o表示连接位点，并且并且其它符号具有以下定义:
[0152]
l是0、1、2、3、4或5，优选0、1或2；
[0153]
m是0、1、2、3或4，优选0、1或2；
[0154]
n是0、1、2或3，优选0、1或2；
[0155]
j是0、1或2，优选0或1；以及
[0156]
k是0或1。
[0157]
尤其是在式(vii-1)至(vii-50)和/或(viii-1)至(viii-50)中，下标k、j、l、m和n的总和优选为0、1、2或3，更优选1或2。
[0158]
这里可行的情况是：式(viii-1)至(viii-50)具有至少两个稠环，其中稠环是相同
的，并且由两个r、ra、rb、rc基团形成的部分可以由式(ra-1)至(ra-12)和/或(ra-1a)至(ra-4f)的结构中的至少一种表示。
[0159]
还可行的情况是：式(viii-1)至(viii-50)具有至少两个稠环，其中稠环是不同的，并且由两个r、ra、rb、rc基团形成的部分可以在每种情况下由式(ra-1)至(ra-12)和/或(ra-1a)至(ra-4f)的至少一种结构表示。
[0160]
另外可行的情况是：式(viii-1)至(viii-50)具有至少两个稠环，其中稠环是不同的，并且所述两个稠环之一具有由两个r、ra、rb、rc基团形成的部分，所述部分可以由式(ra-1)至(ra-12)和/或(ra-1a)至(ra-4f)的结构中的至少一种表示，并且所述两个稠环之一具有两个r、ra、rb、rc基团形成的部分，所述部分可以由式(rb)的结构之一表示。
[0161]
另外可行的情况是：根据上式的取代基r、ra、rb、rc和rd、r1和r2不与取代基r、ra、rb、rc和rd、r1和r2所结合的环系的环原子形成稠合芳族或杂芳族环系。这包括与可键合到r、ra、rb、rc、rd和r1基团的可能的取代基r1和r2形成稠合芳族或杂芳族环系。
[0162]
当尤其可以选自r、ra、rb、rc、rd、r1和/或r2的两个基团彼此形成环系时，该环系可以是单环或多环的脂族、杂脂族、芳族或杂芳族的。在这种情况下，一起形成环系的基团可以是相邻的，这意味着这些基团键合到同一碳原子或者键合到彼此直接键合的碳原子，或者它们还可以从彼此除去。此外，具有取代基r、ra、rb、rc、rd、r1和/或r2的环系也可以通过键彼此连接，因此这可以导致环闭合。在这种情况下，相应的连接位点中的每个优选具有取代基r、ra、rb、rc、rd、r1和/或r2。
[0163]
在优选的配置中，本发明的化合物可以由式(i)、(iia)至(iik)、(iiia)至(iiik)、(iv-1)至(iv-20)、(v-1)至(v-40)、(vi-1)至(vi-40)、(vii-1)至(vii-50)和/或(viii-1)至(viii-50)结构中的至少一个结构表示。优选地，本发明的化合物，优选包含式(i)、(iia)至(iik)、(iiia)至(iiik)、(iv-1)至(iv-20)、(v-1)至(v-40)、(vi-1)至(vi-40)、(vii-1)至(vii-50)和/或(viii-1)至(viii-50)的结构，具有不超过5000g/mol，优选不超过4000g/mol，特别优选不超过3000g/mol的分子量，特别优选不超过2000g/mol的分子量，最优选不超过1200g/mol的分子量。
[0164]
此外，本发明优选化合物的特征是它们是可升华的。这些化合物通常具有小于约1200g/mol的摩尔质量。
[0165]
优选的芳族或杂芳族环系r、ra、rb、rc、rd、ar'和/或ar选自苯基，联苯基，尤其是邻联苯基、间联苯基或对联苯基，三联苯基，尤其是邻三联苯基、间三联苯基或对三联苯基或支链三联苯基，四联苯基，尤其是邻四联苯基、间四联苯基或对四联苯基或支链四联苯基，可通过1位、2位、3位或4位连接的芴基，可通过1位、2位、3位或4位连接的螺二芴，萘，尤其是1-键合萘或2-键合萘，吲哚，苯并呋喃，苯并噻吩，可通过1位、2位、3位、4位或9位连接的咔唑，可通过1位、2位、3位或4位连接的二苯并呋喃，可通过1位、2位、3位或4位连接的二苯并噻吩，茚并咔唑，吲哚并咔唑，吡啶，嘧啶，吡嗪，哒嗪，三嗪，喹啉，异喹啉，喹唑啉，喹啉，菲或联三苯叉，它们中的每个可被一个或多个r1或r基团取代。
[0166]
可行的优选情况是：至少一个取代基r、ra、rb、rc在每种情况下相同或不同，并且选自h，d，具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基团，或者选自下式ar-1至ar-75的芳族或杂芳族环系，其中取代基r、ra、rb、rc优选形成根据式(ra-1)至(ra-12)、(ra-1a)至(ra-4f)或(rb)的结构的环，或者取代基r、ra、rb、rc在每种情况下相同或不
同，并且选自h、d或选自下式ar-1至ar-75的基团的芳族或杂芳族环系，和/或ar’基团在每种情况下相同或不同，并且选自下式ar-1至ar-75的基团：
[0167]
[0168]
[0169]
[0170]
[0171]
[0172][0173]
其中r1如上文所定义，虚线键表示连接位点，此外：
[0174]
ar1在每种情况下相同或不同，并且是具有6至18个芳族环原子且在每种情况下可被一个或多个r1基团取代的二价芳族或杂芳族环系；
[0175]
a在每种情况下相同或不同，并且是c(r1)2、nr1、o或s；
[0176]
p是0或1，其中p＝0表示ar1基团不存在，相应的芳族或杂芳族基团直接键合到相应的基团上；
[0177]
q是0或1，其中q＝0表示在该位置没有a基团键合，而是r1基团键合到相应的碳原子。
[0178]
当ar的上述基团具有两个或更多个a基团时，这些基团的可行选择包括a定义的所有组合。在这种情况下，优选的实施方式是其中一个a基团是nr1，另一个a基团是c(r1)2，或者其中两个a基团都是nr1，或者其中两个a基团都是o的那些。
[0179]
当a是nr1时，键合到氮原子的取代基r1优选是具有5至24个芳族环原子并且还可被一个或多个r2基团取代的芳族或杂芳族环系。在一个特别优选的实施方式中，该r1取代基在每种情况下相同或不同，并且是具有6至24个芳族环原子，尤其是6至18个芳族环原子的芳族环或杂芳族环系，其不具有任何稠合的芳基基团并且其不具有任何稠合的杂芳基基团，该稠合的芳基或杂芳基基团中两个或更多个芳族或杂芳族6元环基团直接彼此稠合，并且所述芳族或杂芳族环系在每种情况下还可被一个或多个r2基团取代。优选具有如上文针对ar-1至ar-11所列出的键合模式的苯基、联苯基、三联苯基和四联苯基，其中这些结构不是被r1取代，而是可被一个或多个r2取代，但优选未被取代。还优选如上文针对ar-47至ar-50、ar-57和ar-58所列出的三嗪、嘧啶和喹唑啉，其中这些结构不是被r1取代，而是可被一个或多个r2基团取代。
[0180]
下面描述优选的取代基r、ra、rb、rc、和rd。
[0181]
在本发明的一种优选实施方式中，r、ra、rb、rc在每种情况下相同或不同，并且选自h，d，f，cn，no2，si(r1)3，b(or1)2，具有1至20个碳原子的直链的烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个r1基团取代，或者具有5至60个芳族环原子，优选5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个r1基团取代的芳族环或杂芳族环系。
[0182]
在本发明另外的一种优选的实施方式中，取代基r、ra、rb、rc在每种情况下相同或不同，并且选自h，d，f，具有1至20个碳原子的直链的烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个r1基团取代，或者具有5至60个芳族环原子，优选5至40个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个r1基团取代的芳族环或杂芳族环系。
[0183]
还可行的情况是：至少一个取代基r、ra、rb、rc在每种情况下相同或不同，并且选自h、d、具有6至30个芳族环原子并且可被一个或多个r1基团取代的芳族或杂芳族环系或n(ar')2基团。在本发明的另一个优选的实施方式中，取代基r、ra、rb、rc形成根据式(ra-1)至(ra-12)、(ra-1a)至(ra-4f)或(rb)的结构的环，或者r、ra、rb、rc在每种情况下相同或不同并且选自h、d、具有6至30个芳族环原子并且可被一个或多个r1基团取代的芳族或杂芳族环系或者n(ar')2基团。更优选地，取代基r、ra、rb、rc在每种情况下相同或不同，并且选自h或具有6至24个芳族环原子、优选具有6至18个芳族环原子、更优选具有6至13个芳族环原子的芳族或杂芳族环系，其中的每个可被一个或多个r1基团取代。
[0184]
在本发明的一个优选实施方式中，rd在每种情况下相同或不同，并且选自具有1至20个碳原子的直链的烷基基团或具有3至20个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个r1基团取代；或者具有5至60个芳族环原子，优选5至40个芳族环原子，并且在每种情况下可被一个或多个r1取代的芳族或杂芳族环系。
[0185]
在本发明另外的一种优选的实施方式中，rd在每种情况下相同或不同，并且选自具有1至10个碳原子的直链的烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个r1基团取代，具有6至30个芳族环原子并且可被一个或多个r1基团取代的芳族或杂芳族环系。更优选地，ra在每种情况下相同或不同，并且选自具有1至5个碳原子的直链的烷基基团或具有3至5个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个r1基团取代，或者具有6至24个芳族环原子，优选6至18个芳族环原子，更优选6至13个芳族环原子，并且在每种情况下可被一个或多个r1取代的芳族环或杂芳族环系。
[0186]
在本发明的一个优选实施方式中，rd在每种情况下相同或不同，并且选自具有1至6个碳原子的直链的烷基基团或具有3至6个碳原子的环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个r1基团取代，或者具有6至24个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个r1基团取代的芳族或杂芳族环系；同时，两个rd基团还可一起形成环系。更优选地，rd在每种情况下相同或不同，并且选自具有1、2、3或4个碳原子的直链的烷基基团或具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个r1基团取代，但是优选未被取代，或者具有6至12个芳族环原子，尤其是6个芳族环原子，并且在每种情况下可被一个或多个更优选非芳族r1取代，但优选未被取代的芳族环系；同时，两个rd基团可一起形成环系。最优选地，rd在每种情况下相同或不同，并且选自具有1、2、3或4个碳原子的直链的烷基基团，或具有3至6个碳原子的支链烷基基团。最优选地，rd是甲基基团或者是苯基基团，其中两个苯基基团可一起形成环系，相比于苯基基团优选甲基基团。
[0187]
优选的芳族或杂芳族环系取代基r、ra、rb、rc、rd或ar或ar'选自苯基，联苯基，尤其是邻联苯基、间联苯基或对联苯基，三联苯基，尤其是邻三联苯基、间三联苯基或对三联苯
基或支链三联苯基，四联苯基，尤其是邻四联苯基、间四联苯基或对四联苯基或支链四联苯基，可通过1位、2位、3位或4位连接的芴，可通过1位、2位、3位或4位连接的螺二芴，萘，尤其是1-键合萘或2-键合萘，吲哚，苯并呋喃，苯并噻吩，可通过1位、2位、3位或4位连接的咔唑基，可通过1位、2位、3位或4位连接的二苯并呋喃，可通过1位、2位、3位或4位连接的二苯并噻吩，茚并咔唑，吲哚并咔唑，吡啶，嘧啶，吡嗪，哒嗪，三嗪，喹啉，异喹啉，喹唑啉，喹啉，菲基或联三苯叉，它们中的每个可被一个或多r、r1或r2基团取代。上面列出的结构ar-1至ar-75是特别优选的，优选式(ar-1)、(ar-2)、(ar-3)、(ar-12)、(ar-13)、(ar-14)、(ar-15)、(ar-16)、(ar-69)、(ar-70)、(ar-75)的结构，特别优选式(ar-1)、(ar-2)、(ar-3)、(ar-12)、(ar-13)、(ar-14)、(ar-15)、(ar-16)的结构。关于结构ar-1至ar-75，应该说明的是，它们显示为具有取代基r1。在环系ar的情况下，这些取代基r1应该被r代替，在rd的情况下，这些取代基r1应该被r2代替。
[0188]
另外合适的r、ra、rb、rc基团是式-ar
4-n(ar2)(ar3)的基团，其中ar2、ar3和ar4在每种情况下相同或不同，并且是具有5至24个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个r1基团取代的芳族或杂芳族环系。此处ar2、ar3和ar4中芳族环原子的总数不超过60，优选不超过40。
[0189]
在这种情况下，通过选自c(r1)2、nr1、o和s的基团，ar4和ar2也可以彼此键合和/或ar2和ar3也可以彼此键合。优选地，在与氮原子键合的相应邻位上，ar4和ar2彼此连接，并且ar2和ar3彼此连接。在本发明的另一个实施方式中，ar2、ar3和ar4基团都不彼此键合。
[0190]
优选地，ar4是具有6至24个芳族环原子，优选6至12个芳族环原子，并且在每种情况下可被一个或多个r1基团取代的芳族或杂芳族环系。更优选地，ar4选自邻亚苯基、间亚苯基或对亚苯基或者邻联苯基、间联苯基或对联苯基，它们中的每个可被一个或多个r1基团取代，但优选未被取代。最优选地，ar4是未取代的亚苯基基团。
[0191]
优选地，ar2和ar3在每种情况下相同或不同，并且是具有6至24个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个r1基团取代的芳族或杂芳族环系。特别优选的ar2和ar3基团在每种情况下相同或不同，并且选自苯，邻联苯基、间联苯基或对联苯基，邻三联苯基、间三联苯基或对三联苯基或支链三联苯基，邻四联苯基、间四联苯基或对四联苯基或支链四联苯基，1-芴基、2-芴基、3-芴基或4-芴基，1-螺二芴基、2-螺二芴基、3-螺二芴基或4-螺二芴基，1-萘基或2-萘基，吲哚，苯并呋喃，苯并噻吩，1-咔唑、2-咔唑、3-咔唑或4-咔唑，1-二苯并呋喃、2-二苯并呋喃、3-二苯并呋喃或4-二苯并呋喃，1-二苯并噻吩、2-二苯并噻吩、3-二苯并噻吩或4-二苯并噻吩，茚并咔唑，吲哚并咔唑，2-吡啶、3-吡啶或4-吡啶，2-嘧啶、4-嘧啶或5-嘧啶，吡嗪，哒嗪，三嗪，菲或联三苯叉，它们中的每个都可被一个或多个r1基团取代。最优选地，ar2和ar3在每种情况下相同或不同，并且选自苯，联苯基，尤其是邻联苯基、间联苯基或对联苯基，三联苯基，尤其是邻三联苯基、间三联苯基或对三联苯基或支链三联苯基，四联苯基，尤其是邻四联苯基、间四联苯基或对四联苯基或支链四联苯基，芴，尤其是1-芴、2-芴、3-芴或4-芴，或螺二芴，尤其是1-螺二芴、2-螺二芴、3-螺二芴或4-螺二芴。
[0192]
在本发明的另一个优选实施方式中，r1在每种情况下相同或不同，并且选自h，d，f，cn，具有1至10个碳原子的直链的烷基基团或具有3至10个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团在每种情况下可被一个或多个r2基团取代，或者具有6至24个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个r2基团取代的芳族或杂芳族环系。在本发明的一个
特别优选的实施方式中，r1在每种情况下相同或不同，并且选自h，具有1至6个碳原子，尤其是具有1、2、3或4个碳原子的直链的烷基基团，或者具有3至6个碳原子的支链或环状的烷基基团，其中所述烷基基团可被一个或多个r5基团取代，但是优选未被取代，或者具有6至13个芳族环原子并且在每种情况下可被一个或多个r5基团取代，但是优选未被取代的芳族或杂芳族环系。
[0193]
在本发明的另一个优选实施方式中，r2在每种情况下相同或不同，并且是h，具有1至4个碳原子的烷基基团或具有6至10个碳原子的芳基基团，所述芳基基团可被具有1至4个碳原子的烷基基团取代，但优选未被取代。
[0194]
同时，在通过真空蒸发加工的本发明化合物中，烷基基团优选具有不超过5个碳原子，更优选不超过4个碳原子，最优选不超过1个碳原子。对于从溶液中加工的化合物，合适的化合物还有被烷基基团，尤其是被具有最多10个碳原子的支链烷基基团取代的那些，或者被低聚亚芳基基团例如邻三联苯基、间三联苯基或对三联苯基或支链三联苯基或四联苯基基团取代的那些。
[0195]
还可行的情况是：所述化合物包含恰好两个或恰好三个式(i)、(iia)至(iik)、(iiia)至(iiik)、(iv-1)至(iv-20)、(v-1)至(v-40)、(vi-1)至(vi-40)、(vii-1)至(vii-50)和/或(viii-1)至(viii-50)的结构，其中优选地与y1、x1、x2、x3基团中的至少一个结合的芳族或杂芳族环系中的一个由两个结构共享。
[0196]
在优选的配置中，所述化合物选自式(d-1)、(d-2)、(d3)或(d-4)的化合物：
[0197]
[0198][0199]
其中l1基团是连接基团，优选是键或具有5至40个，优选5至30个芳族环原子并且可被一个或多个r基团取代的芳族或杂芳族环系，并且所用的其它符号和下标具有上文尤其是对于式(i)和/或式(v-1)至(v-40)给出的定义。
[0200]
在本发明的另一个优选实施方式中，l1是键或具有5至14个芳族或杂芳族环原子的芳族或杂芳族环系，优选具有6至12个碳原子的芳族环系，并且可被一个或多个r1基团取代，但优选未被取代，其中r1可以具有上文尤其是对于式(i)给出的定义。更优选地，l1是具有6至10个芳族环原子的芳族环系或具有6至13个杂芳族环原子的杂芳族环系，它们中的每个可被一个或多个r2基团取代，但优选未被取代，其中r2可以具有上文尤其是对于式(i)给出的定义。
[0201]
更优选地，尤其式(d4)中所示的符号l1特别地在每种情况下相同或不同，并且是键或具有5至24个环原子、优选6至13个环原子、更优选6至10个环原子的芳基或杂芳基基团，使得芳族或杂芳族环系的芳族或杂芳族基团直接键合到另外基团的相应原子，即通过芳族或杂芳族基团的原子键合到另外基团的相应原子。
[0202]
另外可行的情况是：式(d4)中所示的l1基团包含具有不超过两个稠合芳族和/或
杂芳族6元环的芳族环系，优选不包含任何稠合芳族或杂芳族环系的芳族环系。因此，萘基结构优于蒽结构。此外，芴基、螺二芴基、二苯并呋喃基和/或二苯并噻吩基结构优于萘基结构。
[0203]
特别优选没有稠合的结构，例如苯基、联苯基、三联苯基和/或四联苯基结构。
[0204]
合适的芳族或杂芳族环系l1的实例选自邻亚苯基、间亚苯基或对亚苯基，邻亚联苯基、间亚联苯基或对亚联苯基，亚三联苯基，尤其是支链亚三联苯基，亚四联苯基、尤其是支链亚四联苯基，亚芴基，亚螺二芴基，亚二苯并呋喃基，亚二苯并噻吩基和亚咔唑基，它们中的每个可被一个或多个r1基团取代，但优选未被取代。
[0205]
上述优选实施方式可以在权利要求1限定的限制内根据需要彼此组合。在本发明的一个特别优选的实施方式中，上述优选特征同时存在。
[0206]
根据以上详述的实施方式，优选化合物的实例是下表中所示的化合物：
[0207]
[0208]
[0209]
[0210]
[0211]
[0212]
[0213]
[0214]
[0215]
[0216]
[0217]
[0218]
[0219]
[0220]
[0221]
[0222]
[0223]
[0224]
[0225]
[0226]
[0227]
[0228]
[0229]
[0230]
[0231][0232]
在实施例中详细列举了本发明化合物的优选实施方式，这些化合物可单独使用或与另外的化合物组合用于本发明的所有目的。
[0233]
只要满足权利要求1中规定的条件，上述优选实施方式可以根据需要彼此组合。在本发明的一个特别优选的实施方式中，上述优选实施方式同时适用。
[0234]
本发明的化合物原则上可通过各种方法制备。然而，已经发现下文描述的方法特别合适。
[0235]
因此，本发明还提供了一种用于制备本发明化合物的方法，其中合成具有z1基团或z2基团或z1、z2基团之一的前体的基础骨架，并通过芳族亲核取代反应或偶联反应引入y1、y2基团中的至少一个。
[0236]
包含具有z1基团或z2基团的基础骨架的合适化合物在许多情况下是可商购的，并且实施例中详述的起始化合物可通过已知方法获得，因此将其作为参照。
[0237]
这些化合物可以通过已知的偶联反应与另外的化合物反应，用于此目的的必要条件是本领域技术人员已知的，实施例中的详细说明有助于本领域技术人员进行这些反应。
[0238]
所有导致c-c键形成和/或c-n键形成的特别合适和优选的偶联反应是根据buchwald、suzuki、yamamoto、stille、heck、negishi、sonogashira和hiyama的那些反应。这些反应是广为人知的，这些实施例将为本领域技术人员提供进一步的指导。
[0239]
上文详述的制备方法的原理在原则上是从关于类似化合物的文献中获知，并且可被本领域技术人员容易地用于制备本发明的化合物。更多信息可见于实施例中。
[0240]
通过这些方法，如果必要，则继以纯化，例如重结晶或升华，可以获得高纯度，优选
乙基萘，辛酸乙酯，癸二酸二乙酯，辛酸辛酯，庚基苯，异戊酸薄荷酯，己酸环己酯或这些溶剂的混合物。
[0246]
因此，本发明还提供了包含至少一种本发明化合物和至少一种另外的化合物的制剂或组合物。另外的化合物可以例如是溶剂，尤其是上述溶剂之一或这些溶剂的混合物。如果另外的化合物包含溶剂，该混合物在本文中被称为制剂。另外的化合物可以替代地是至少一种同样用于电子器件的其它有机或无机化合物，例如发光体和/或基质材料，其中这些化合物不同于本发明的化合物。合适的发光体和基质材料在后文结合有机电致发光器件列出。这些另外的化合物也可以是聚合的。
[0247]
因此，本发明还提供了一种包含本发明化合物和至少一种另外的有机功能材料的组合物。功能材料通常是引入阳极与阴极之间的有机或无机材料。优选地，有机功能材料选自荧光发光体、磷光发光体、表现出tadf(热激活延迟荧光)的发光体、主体材料、电子传输材料、电子注入材料、空穴传导材料、空穴注入材料、电子阻挡材料、空穴阻挡材料、宽带隙材料和n型掺杂剂。
[0248]
本发明还提供了本发明化合物在电子器件中，尤其是在有机电致发光器件中的用途，优选作为发光体，更优选作为绿色、红色或蓝色发光体的用途。在这种情况下，本发明的化合物优选表现出荧光特性，因此优先提供荧光发光体。此外，本发明的化合物可以作为主体材料、电子传输材料和/或空穴导体材料。这里尤其可有利地使用z1、z2、z3、z4基团中的许多个，优选全部是n的本发明的化合物作为空穴传导材料。还尤其可有利地使用z1、z2、z3、z4基团中的许多个，优选全部是b的本发明的化合物用作电子传输材料。
[0249]
本发明还另外提供了一种包含至少一种本发明化合物的电子器件。在本发明上下文中，电子器件是包含至少一层的器件，所述至少一个层包含至少一种有机化合物。该部件还可以包含无机材料或者完全由无机材料形成的层。
[0250]
所述电子器件优选地选自以下，更优选地，该电子器件选自有机电致发光器件(oled、soled、pled、lec等)、优选有机发光二极管(oled)、基于小分子的有机发光二极管(soled)、基于聚合物的有机发光二极管(pled)、发光电化学电池(lec)、有机激光二极管(o-激光器)、有机等离子体发光器件(d.m.koller等人，nature photonics 2008，1-4)、有机集成电路(o-ic)、有机场效应晶体管(o-fet)、有机薄膜晶体管(o-tft)、有机发光晶体管(o-let)、有机太阳能电池(o-sc)、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件(o-fqd)和有机电传感器，优选有机电致发光器件(oled、soled、pled、lec等)，更优选有机发光二极管(oled)、基于小分子的有机发光二极管(soled)、基于聚合物的有机发光二极管(pled)，尤其是磷光oled。
[0251]
有机电致发光器件包括阴极、阳极和至少一个发光层。除了这些层之外，它还可以包含另外的层，例如在每种情况下一个或多个空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、激子阻挡层、电子阻挡层和/或电荷产生层。也可以在两个发光层之间引入具有激子阻挡功能的中间层。然而，应该指出的是，这些层的每一个不一定必须存在。在这种情况下，有机电致发光器件可以含有一个发光层，或者可以含有多个发光层。如果存在多个发光层，则这些发光层优选总共具有多个在380nm与750nm之间的发光峰值，使得总体结果是发白色光；换言之，在发光层中使用了可以发荧光或发磷光的多种发光化合物。尤其优选的是具有三个发光层的体系，其中这三个层显示蓝色、绿色以及橙色或红色发光。本
发明的有机电致发光器件还可以是串联电致发光器件，尤其是发白光的oled。
[0252]
根据确切的结构，本发明的化合物可以用于不同的层中。优选在发光层中包含式(i)化合物或以上详述的优选实施方式的化合物作为发光体，优选红色、绿色或蓝色发光体的有机电致发光器件。
[0253]
当本发明的化合物在发光层中用作发光体时，优选使用已知的合适基质材料。
[0254]
基于发光体和基质材料的总混合物，本发明的化合物和基质材料的优选混合物含有99体积％与1体积％之间，优选98体积％与10体积％之间，更优选97体积％与60体积％之间，尤其是95体积％与80体积％之间的基质材料。相应地，基于发光体和基质材料的总混合物，混合物含有1体积％与99体积％之间，优选2体积％至90体积％之间，更优选3体积％与40体积％之间，尤其是5体积％与20体积％之间的发光体。
[0255]
可与本发明化合物组合使用的合适基质材料是芳族酮、芳族氧化膦或芳族亚砜或砜(例如根据wo 2004/013080、wo 2004/093207、wo 2006/005627或wo 2010/006680的)；三芳基胺，咔唑衍生物，例如cbp(n,n-双咔唑基联苯)或咔唑衍生物(公开于wo 2005/039246、us 2005/0069729、jp 2004/288381、ep 1205527、wo 2008/086851或wo 2013/041176)；吲哚并咔唑衍生物(例如根据wo 2007/063754或wo 2008/056746的)；茚并咔唑衍生物(例如根据wo 2010/136109、wo 2011/000455、wo 2013/041176或wo 2013/056776的)；氮杂咔唑衍生物(例如根据ep 1617710、ep 1617711、ep 1731584、jp 2005/347160的)；双极性基质材料(例如根据wo 2007/137725的)；硅烷(例如根据wo 2005/111172的)、硼氮杂环戊熳或硼酸酯(例如根据wo 2006/117052的)；三嗪衍生物(例如根据wo 2007/063754、wo 2008/056746、wo 2010/015306、wo 2011/057706、wo 2011/060859或wo 2011/060877的)、锌络合物(例如根据ep 652273或wo 2009/062578的)；硅二氮杂环戊熳或硅四氮杂环戊熳衍生物(根据wo 2010/054729的)；磷二氮杂环戊熳衍生物(例如根据wo 2010/054730的)；桥连咔唑衍生物(例如wo 2011/042107、wo 2011/060867、wo 2011/088877和wo 2012/143080的)、联三苯叉衍生物(例如根据wo 2012/048781的)；二苯并呋喃衍生物(例如根据wo 2015/169412、wo 2016/015810、wo 2016/023608、wo 2017/148564或wo 2017/148565的)或联咔唑(例如根据jp 3139321 b2的)。
[0256]
此外，所用的共主体可以是即使参与电荷传输程度也不参与到显著程度的化合物，如在例如wo 2010/108579所述的。尤其适合作为共基质材料与本发明的化合物组合的是具有大带隙并且本身即使参与发光层电荷传输也至少不参与到显著程度的化合物。这种材料优选纯烃。这种材料的实施例可以在例如wo 2009/124627或wo 2010/006680中找到。
[0257]
在一种优选的配置中，用作发光体的本发明化合物优选与一种或多种磷光材料(三重态发光体)和/或作为tadf(热激活延迟荧光)主体材料的化合物组合使用。这里优选形成超荧光和/或超磷光体系。
[0258]
wo 2015/091716 a1和wo 2016/193243 a1公开了在发光层中含有磷光化合物和荧光发光体的oled，其中能量从磷光化合物传递到荧光发光体(超磷光)。在这种情况下，磷光化合物相应地表现为主体材料。如本领域技术人员所知，与发光体相比，主体材料具有更高的单重态和三重态能量，以便来自主体材料的能量还可以最大效率传递到发光体。现有技术中公开的体系恰好具有这样的能量关系。
[0259]
在本发明的上下文中，磷光应理解为是指从自旋多重性较高的激发态，即自旋态》
1发光，尤其是从激发三重态的发光。在本技术的上下文中，所有具有过渡金属或镧系元素的发光络合物，尤其是所有铱、铂和铜络合物，应被认为是磷光化合物。
[0260]
合适的磷光发光化合物(＝三重态发光体)尤其是这样的化合物：其在适当激发时发光，优选在可见光区域内的光，并还含有至少一个原子序数大于20、优选大于38且小于84、更优选大于56且小于80的原子，尤其是具有这种原子序数的金属。优选用作磷光发光体的是含有铜、钼、钨、铼、钌、锇、铑、铱、钯、铂、银、金或铕的化合物，尤其是含有铱或铂的化合物。
[0261]
上述发光体的实施例可以见于以下申请：wo 00/70655、wo 2001/41512、wo 2002/02714、wo 2002/15645、ep 1191613、ep 1191612、ep 1191614、wo 05/033244、wo 05/019373、us 2005/0258742、wo 2009/146770、wo 2010/015307、wo 2010/031485、wo 2010/054731、wo 2010/054728、wo 2010/086089、wo 2010/099852、wo 2010/102709、wo 2011/032626、wo 2011/066898、wo 2011/157339、wo 2012/007086、wo 2014/008982、wo 2014/023377、wo 2014/094961、wo 2014/094960、wo 2015/036074、wo 2015/104045、wo 2015/117718、wo 2016/015815、wo 2016/124304、wo 2017/032439、wo 2018/011186、wo 2018/001990、wo 2018/019687、wo 2018/019688、wo 2018/041769、wo 2018/054798、wo 2018/069196、wo 2018/069197、wo 2018/069273、wo 2018/178001、wo 2018/177981、wo 2019/020538、wo 2019/115423、wo 2019/158453和wo 2019/179909。一般而言，根据现有技术在磷光电致发光器件使用的且在有机电致发光领域的本领域技术人员所知的所有磷光络合物都是合适的，并且本领域技术人员能够在无需付出创造性劳动的情况下，使用另外的磷光络合物。
[0262]
如上文所阐述，本发明的化合物可以优选与tadf主体材料和/或tadf发光体组合使用。
[0263]
例如，b.h.uoyama等人,《自然》2012,第492卷,234描述了被称为热激活延迟荧光(tadf)的方法。为了实现这个方法，在发光体中需要例如小于约2000cm-1
的相对较小的单重态-三线态分裂δe(s1–
t1)。为了产生原则上自旋禁阻的t1—
→
s1跃迁以及发光体，可以在基质中提供具有强自旋轨道耦合的其它化合物，从而通过空间临近和分子之间由此可发生的相互作用实现系间窜越，或者通过发光体中存在的金属原子产生自旋轨道耦合。
[0264]
在本发明的另一个实施方式中，本发明的有机电致发光器件不含有任何单独的空穴注入层和/或空穴传输层和/或空穴阻挡层和/或电子传输层，这意味着发光层直接邻接空穴注入层或阳极，和/或发光层直接邻接电子传输层或电子注入层或阴极，如在例如wo 2005/053051中所描述。此外，可以使用与发光层中的金属络合物相同或相似的金属络合物作为直接邻接发光层的空穴传输或空穴注入材料，如在例如wo 2009/030981中所描述。
[0265]
还优选的有机电致发光器件是在空穴传导层中包含式(i)或以上详述的优选实施方式的化合物作为空穴导体材料的有机电致发光器件。这里尤其优选z1和z2基团中的至少一个，优选两个是n，并且y1和y2基团中的至少一个，优选两个是n(ar)、n(r)、p(ar)、p(r)、o、s或se，优选n(ar)、n(r)、o或s，更优选n(ar)的化合物。此外，这里尤其优选z1、z2基团中的至少一个，优选两个是n并且z3、z4基团中的至少一个，优选两个是n的化合物。
[0266]
还优选的是在电子传导层中包含式(i)或以上详述的优选实施方式的化合物作为电子传输材料的有机电致发光器件。这里尤其优选的是z1和z2基团中的至少一个，优选两个
是b并且z3和z4基团中的至少一个，优选两个是b的化合物。此外，这里特别优选的是其中z1、z2基团中的至少一个，优选两个是b并且z3、z4基团中的至少一个，优选两个是b的化合物。
[0267]
在本发明的有机电致发光器件的另外的层中，可以使用现有技术中通常使用的任何材料。因此，本领域技术人员无需付出创造性劳动，就能够将已知用于有机电致发光器件的任何材料与本发明的式(i)或上文列举的优选实施方式的化合物相组合。
[0268]
另外优选的是一种有机电致发光器件，其特征在于通过升华工艺涂覆一层或多层。在这种情况下，通过真空升华系统中在小于10-5
毫巴，优选小于10-6
毫巴的初始压力下，通过气相沉积来施加材料。然而，初始压力也可以甚至更低，例如低于10-7
毫巴。
[0269]
同样优选的是一种有机电致发光器件，其特征在于通过ovpd(有机气相沉积)方法或借助载气升华来涂覆一层或多层。在这种情况下，在10-5
毫巴与1巴之间的压力下施加所述材料。这种方法的一个特例是ovjp(有机气相喷印)方法，其中通过喷嘴直接施加材料并因此结构化。
[0270]
另外优选的是一种有机电致发光器件，其特征在于从溶液制造一个或多个层，例如通过旋涂，或通过任何印刷方法，例如丝网印刷、柔版印刷、胶版印刷、liti(光引发热成像、热转印)、喷墨印刷或喷嘴印刷制造一个或多个层。为此，需要例如通过合适的取代获得的可溶性化合物。
[0271]
用于施加式(i)化合物或上述其优选实施方式的制剂是新型的。因此，本发明还提供了含有至少一种溶剂和根据式(i)的化合物或以上详述其优选实施方式的化合物的制剂。
[0272]
此外，可以是混合方法，其中，例如，从溶液施加一层或多层并通过气相沉积施加一个或多个另外的层。
[0273]
本领域技术人员通常已知这些方法，并且能够在不付出创造性劳动的情况下将它们应用于包含本发明化合物的有机电致发光器件。
[0274]
相比于现有技术，本发明的化合物和本发明的有机电致发光器件具有改善的寿命的特定特征。同时，电致发光器件的另外的电子特性如效率或工作电压至少保持同样良好。在另一种变体中，相比于现有技术，本发明的化合物和本发明的有机电致发光器件尤其具有改善的效率和/或工作电压以及更高的寿命。
[0275]
与现有技术相比，本发明的电子器件，尤其是有机电致发光器件因以下令人惊讶的优点中的一个或多个而值得注意：
[0276]
1.包含上下文所述的式(i)或优选实施方式的化合物作为发光体的电子器件，尤其是有机电致发光器件，具有非常窄的具有非常低半高全宽(fwhm，full width half maximum)值的发光带，并导致可通过低cie y值识别的特别纯的颜色发光。这里特别令人惊讶的是，提供了具有低fwhm值的蓝色发光体以及在色谱的绿色、黄色或红色区域中发光的具有低fwhm的发光体。
[0277]
2.包含上下文所述的式(i)或优选实施方式的化合物尤其是作为发光体、作为空穴导体材料和/或作为电子传输材料的电子器件，尤其是有机电致发光器件，具有非常好的寿命。在这种情况下，这些化合物尤其导致低滚降，即所述器件在高亮度下的功率效率下降幅度小。
[0278]
3.包含上下文所述的式(i)或优选实施方式的化合物作为发光体、作为空穴传导
材料和/或电子传输材料的电子器件，尤其是有机电致发光器件，具有优异的效率。在这种情况下，具有上下文所述的式(i)的结构或优选实施方式的本发明化合物在用于电子器件时导致低工作电压。
[0279]
4.上下文所述的式(i)或优选实施方式本发明的化合物表现出非常高的稳定性和寿命。
[0280]
5.利用上下文所述的式(i)或优选实施方式的化合物，可以避免在电子器件，尤其是有机电致发光器件中形成光损耗通道。因此，这些器件的特征在于发光体的高pl效率和由此而来的的高el效率，以及基质向掺杂剂的优异能量传递。
[0281]
6.上下文所述的式(i)或优选实施方式的化合物具有优异的玻璃膜形成。
[0282]
7.上下文所述的式(i)或优选实施方式的化合物从溶液中形成非常好的膜，并显示出优异的溶解性。
[0283]
这些上述优点不会伴随着其它电子特性质的过高劣化。
[0284]
应该指出的是，本发明中所描述的实施方式的变化由本发明的范围所涵盖。除非明确排除，否则本发明中公开的任何特征可交换为用于相同目的或者等效或类似目的的替代特征。因此，除非另外说明，否则本发明中公开的任何特征应视为通用系列的实施例或视为等效或类似的特征。
[0285]
除非特定特征和/或步骤彼此排斥，否则本发明的所有特征可以任何方式彼此组合。本发明的优选特征尤其如此。同样地，非必要组合的特征可单独(而非组合)使用。
[0286]
此外应当指出，许多特征并且尤其是本发明的优选实施方式的那些特征，本身应视为创造性的，而不应该仅将其视为本发明的一些实施方式。对于这些特征，可以作为任何目前要求保护的发明的补充或替代来寻求独立的保护。
[0287]
本发明公开的技术教导可被提炼出来并与其它实施例组合。
[0288]
通过以下实施例详细地示例了本发明，而无意由此限制本发明。本领域技术人员将能够在不付出创造性劳动的情况下使用给出的信息在公开的整个范围内实施本发明，以及在不付出创造性劳动的情况下制备本发明的其它化合物，并且将所述化合物用于电子器件中，或者采用本发明的方法。
实施例：
[0289]
除非另有说明，否则以下合成是在保护性气体气氛下在无水溶剂中进行的。此外在避光下或在黄光下处理金属络合物。溶剂和试剂可购自例如sigma-aldrich或abcr。方括号中的相应数字或针对个别化合物引述的数字是指从文献中已知的化合物的cas编号。在化合物可以具有多种对映异构体、非对映异构体或互变异构体形式的情况下，以代表性的方式显示一种形式。
[0290]
合成子s的合成：
[0291]
实施例s1：
[0292][0293]
类似于chung-chieh lee等人，synthesis 2008，9，1359中的程序。完整的程序包括保护气体下的处理。
[0294]
34.0g(120mmol)1-溴-2-碘苯[583-55-1]、8.5g(50mmol)2,3-二氢-1h-哌啶[69098-80-2]、20.7g(150mmol)碳酸钾、1.9g(10mmol)碘化铜[7681-65-4]、2.9g(20mmol)1r,2r-n,n-二甲基环己烷-1,2-二胺[67579-81-8]、50g玻璃珠和200ml邻二甲苯的混合物在130℃下搅拌24h。冷却后，向反应混合物中加入300ml乙酸乙酯和500ml水，除去有机相，用500ml水洗涤一次，用饱和氯化钠溶液洗涤两次每次300ml，在硫酸镁上干燥。混合物以乙酸乙酯浆液的形式通过硅胶床过滤，滤液浓缩至干，残余物用150ml乙醇煮沸，抽滤出固体，用30ml乙醇洗涤两次，减压干燥，用乙腈/dcm(二氯甲烷)重结晶。进一步的纯化可以通过自动柱系统(torrent，来自a.semrau)上的快速色谱法来实现。收率：15.8g(33mmol)65％；通过1h nmr测得纯度约为95％。
[0295]
可用类似方法制备下列化合物：
[0296]
[0297]
[0298]
[0299]
[0300]
[0301][0302]
实施例，掺杂剂d1：
[0303]
以下顺序的步骤1至3作为三阶段一锅反应进行。步骤3中的处理在保护气体下进
行。
[0304]
第一步：s1的锂化：
[0305][0306]
中间体，未分离
[0307]
向带有磁力搅拌棒、滴液漏斗、水分离器、回流冷凝器和氩气保护的烘烤过的氩气惰性化的四颈烧瓶中装入溶于1700ml叔丁基苯中的24.0g(50mmol)s1。将反应混合物冷却至-40℃，然后滴加110.5ml(210mmol)叔丁基锂1.9m正戊烷溶液。将混合物在-40℃下再搅拌30分钟，使其升温至室温，然后加热至70℃，在此过程中，正戊烷通过水分离器在约1小时内蒸出。
[0308]
步骤2：金属转移和环化
[0309][0310]
中间体，未分离
[0311]
将反应混合物冷却回-40℃。在约10分钟的时间内滴加10.4ml(110mmol)三溴化硼。添加完成后，将反应混合物在室温下搅拌1小时。然后将反应混合物冷却至0℃，并在约30分钟时段内滴加19.2ml(110mmol)二异丙基乙胺。然后将反应混合物在160℃下搅拌16小时。冷却后，使用双头玻璃料过滤出二异丙基乙基胺氢溴酸盐，并将滤液冷却至-78℃
[0312]
步骤3：芳基化
[0313][0314]
中间体，未分离
[0315]
向带有磁力搅拌棒的第二个烘烤过的、氩气惰性化的schlenk烧瓶中装入溶于1000ml乙醚中的27.8g(150mmol)2-溴-1,3-二甲苯[576-22-7]，并冷却至-78℃，然后向其中滴加60.0ml(150mmol)正丁基锂的2.5m正己烷溶液，并将混合物再搅拌30分钟。让反应混合物升温至室温，再搅拌1小时，在减压下完全除去溶剂。将有机锂悬浮在300ml甲苯中，并
转移到来自步骤2的低温反应混合物中。将混合物再搅拌1小时，并将反应混合物静置升温至室温过夜。小心地向反应混合物中加入15ml丙酮，浓缩至干。用dcm将油性残余物吸收到上，并与正戊烷-dcm混合物(10:1)一起经由硅胶床热过滤。将滤液浓缩至干。将残余物进行两次快速色谱法(硅胶，正庚烷/乙酸乙酯，来自a.semrau的torrent自动柱系统)。
[0316]
步骤：氧化成d1
[0317][0318]
类似于r.doringer等人，monatshefte f
ü
r chemie,2006,137,185中的程序。将来自步骤3的产物溶解在150ml氯苯中，加入20g活化的3a分子筛，将混合物在60℃下在黑暗中在空气中搅拌，直到氧化完全(约5h)。滤出分子筛，用少量氯苯冲洗，混合物在减压下浓缩至干。将残余物进行两次快速色谱法(硅胶，正庚烷/乙酸乙酯，来自a.semrau的torrent自动柱系统)。通过用dcm/乙腈重复热萃取结晶和最后的分级升华或减压热处理来实现进一步纯化。收率：12.43g(22mmol)44％；通过1h nmr测得纯度约为99.9％。
[0319]
下列化合物可以类似地制备：
[0320]
[0321]
[0322]
[0323]
[0324]
[0325]
[0326]
[0327]
[0328]
[0329][0330]
实施例，掺杂剂d6pa、d6pb和d6pc
[0331]
[0332][0333]
通过闪式真空热解从d6制备，载气：氩气，减压约10-2
托，热解区温度550℃，催化剂：氧化铝上的1％pdo。色谱分离，dcm/正庚烷，硅胶。收率：d100a 9％；d100b 15％，d100c 8％。
[0334]
oled部件的生产
[0335]
1)真空加工的部件：
[0336]
通过根据wo 2004/058911的一般方法制造本发明的oled和根据现有技术的oled，所述一般方法针对这里描述的情况进行了调整(层厚度变化、使用的材料)。
[0337]
在以下的实施例中，呈现了各种oled的结果。涂有厚度为50nm的结构化ito(氧化锡铟)的清洁玻璃板(在miele实验室玻璃清洗机中清洁，merck extran清洁剂)用uv臭氧预处理25分钟(来自uvp的pr-100uv臭氧发生器)，并且在30分钟内，为改善加工，涂覆20nm的pedot:pss(聚(3,4-乙亚基二氧基噻吩)聚(苯乙烯磺酸盐)，作为clevios
tm p vp ai 4083购自heraeus precious metals gmbh deutschland，从水溶液中旋涂)，然后在180℃下烘烤10分钟。这些涂覆过的玻璃板形成了施加oled的基底。
[0338]
oled基本上具有以下层结构：基底/由掺杂有5％ndp-9的ref-htm1(购自novaled)组成的空穴注入层1(hil1)，20nm/空穴传输层1(htl1)包含：150nm htm1用于uv和蓝色oled；50nm用于绿色和黄色oled；110nm用于红色oled/空穴传输层2(htl2)包含：10nm用于蓝色oled；20nm用于绿色和黄色oled；10nm用于红色oled/发光层(eml)：25nm用于蓝色oled；40nm用于绿色和黄色oled；35nm用于红色oled/空穴阻挡层(hbl)10nm/电子传输层(etl)30nm/电子注入层(eil)包含1nm etm2/和最后的阴极。阴极由厚度为100nm的铝层形成。
[0339]
首先，描述真空加工的oled。为此，所有材料都是在真空腔室中通过热气相沉积来施加的。在这种情况下，发光层总是由至少一种基质材料(主体材料)和发光掺杂剂(发光
体)组成，该发光掺杂剂通过共蒸发以特定的体积比例添加到(一种或多种)基质材料中。以smb1:d1(95:5％)这样的形式给出的细节在这里意味着，材料seb1以95％的体积比例存在于层中而d1以5％的比例存在于层中。类似地，电子传输层也可以由两种材料的混合物组成。oled的确切结构可以见于表1中。用于生产oled的材料示于表3中。
[0340]
oled以标准方式表征。为此目的，电致发光光谱，从呈现郎伯发光特性的电流-电压-发光密度特性(iul特性)计算作为发光密度函数的电流效率(以cd/a为单位测量)、功率效率(以lm/w为单位测量)和外部量子效率(eqe，以百分比为单位测量)。在1000cd/m2的发光密度下记录电致发光光谱，这些光谱用于推断发光颜色和el-fwhm值(电致发光-半峰全宽-el即峰高一半处的el发光光谱宽度，单位为ev；为了在整个光谱范围内有更好的可比性)。
[0341]
本发明的化合物在oled中作为材料的用途：
[0342]
本发明化合物的一种用途可以是在发光层中作为掺杂剂和在oled中作为传输或阻挡材料(hbl)。根据表3的化合物d-ref.1用作根据现有技术的对比。oled的结果整理在表2中。
[0343]
表1：oled的结构
[0344]
[0345]
[0346][0347]
表2：真空加工的oled的结果
[0348]
[0349][0350]
2)溶液加工部件：
[0351]
基于溶液的oled的生产在例如wo 2004/037887和wo 2010/097155的文献中有基本描述。下面的实施例组合了两种生产方法(从气相施加和溶液加工)，使得从溶液中加工直到并包括发光层的层，并且后续层(空穴阻挡层/电子传输层)通过在减压下的气相沉积来施加。为此，前面描述的一般方法与这里描述的情况(层厚度变化、材料)相匹配，并且如下组合。
[0352]
因此，所使用的构造如下：
[0353]-基底，
[0354]-ito(50nm)，
[0355]-pedot(20nm)，
[0356]-空穴传输层(hil2)(20nm)，
[0357]-发光层(92％主体，8％掺杂剂)(60nm)，
[0358]-电子传输层(etm1 50％ etm2 50％)(20nm)，
[0359]-阴极(铝)。
[0360]
所用的基底是涂有厚度为50nm的结构化ito(氧化锡铟)的玻璃板。为了更好地加工，将其涂覆缓冲剂(pedot)clevios p vp ai 4083(heraeus clevios gmbh,leverkusen)；pedot在最上面。旋涂在空气下从水中进行。该层随后在180℃烘烤10分钟。将空穴传输层和发光层施加到这样涂覆的玻璃板上。空穴传输层是表3所示结构的聚合物，其根据wo 2010/097155合成。将聚合物溶解在甲苯中，使得溶液通常具有约5g/l的固体含量，此时，如这里的情况，将通过旋涂获得器件典型的20nm的层厚度。这些层在惰性气体气氛(在本例中为氩气)中旋涂，并在180℃烘烤60分钟。
[0361]
发光层总是包含至少一种基质材料(主体材料)和发光掺杂剂(发光体)。以诸如h1(92％):d(8％)的形式给出的细节此处意味着材料h1以92％的重量比例存在于发光层中，掺杂剂d以8％的重量比例存在于发光层中。用于发光层的混合物溶解在甲苯或氯苯中。这种溶液的典型固体含量约为18g/l，此时，如此处的情况，将通过旋涂实现器件的典型的60nm的层厚度。这些层在惰性气体气氛(在本例中为氩气)中旋涂，并在140至160℃下烘烤10分钟。使用的材料如表3所示。
[0362]
用于电子传输层和用于阴极的材料通过真空腔室内的热气相沉积来施加。例如，电子传输层可以由多于一种材料组成，这些材料通过共蒸发以特定的体积比例彼此加入。以诸如etm1:etm2(50％:50％)的形式给出的细节在这里意味着etm1和etm2材料以各自50％的体积比例存在于该层中。本案例中使用的材料示于表3。
[0363]
表2：在1000cd/m2下溶液加工oled的结果
[0364][0365]
表3：所用材料的结构式
[0366]
[0367][0368]
与参照相比，本发明的一些化合物显示出较窄或相对较窄的电致发光光谱，可通过较小或相等的el-fwhm值(电致发光-半峰全宽-峰高一半处的el发光光谱宽度，单位为ev)来识别。较窄的电致发光光谱导致色纯度的明显改善(较低的cie y值)。此外，与参照相比，eqe值(外部量子效率)明显更大，工作电压更低，这导致器件的功率效率明显改善，从而
降低了功耗。