陶瓷基板的制备方法、陶瓷基板、芯片封装方法及结构与流程

1.本发明涉及芯片散热技术领域，尤其涉及一种陶瓷基板的制备方法、陶瓷基板、芯片封装方法及结构。


背景技术：

2.随着大规模和超大规模集成电路芯片的工艺集成度越来越高，以及芯片制程工艺的不断提高(例如从130nm、65nm、28nm提高到14nm)，导致芯片上的热源越来越集中，热流密度也不断提高，如何实现芯片的散热一直为行业的热门研究课题。
3.目前，对于采用陶瓷封装体的芯片的散热，通常是通过在粘芯片区域用热导率更高的金属热沉块进行散热。然而，随着芯片面积的增加，对于较大尺寸芯片的封装，例如50mm*50mm以上的芯片封装，对应的金属热沉块也需要设计成对应的大尺寸(例如50mm*50mm以上)。但是大尺寸量级别的金属热沉块与共烧陶瓷通过高温焊接后，存在热匹配失效的风险；甚至对于更大尺寸的芯片，还存在无法直接在粘芯片区域贴金属热沉块的问题。


技术实现要素：

4.本发明实施例提供了一种陶瓷基板的制备方法、陶瓷基板、芯片封装方法及结构，以解决现有技术中大尺寸芯片的散热问题。
5.第一方面，本发明实施例提供了一种陶瓷基板的制备方法，包括：
6.在m个生瓷片中每个生瓷片上的第一预设位置制备多个散热通孔；m为正整数；
7.通过金属填充物对每个生瓷片上的每个散热通孔进行填充，得到m个生瓷基板；
8.将m个生瓷基板叠加放置，并将叠加放置后的m个生瓷基板在预设温度环境中进行烧结，得到所述陶瓷基板。
9.在一种可能的实现方式中，所述第一预设位置包括第一子区域和第二子区域；
10.所述第一子区域为根据目标芯片的热流分布区域中的热流集中区域确定的位置，所述第二子区域为根据所述热流分布区域中的热流分散区域确定的位置，且所述第一子区域中的散热通孔的密度大于所述第二子区域中的散热通孔的密度。
11.在一种可能的实现方式中，在通过金属填充物对每个生瓷片上的每个散热通孔进行填充，得到m个生瓷基板之后，还包括：
12.在m个生瓷基板中的至少一个生瓷基板的一侧设置金属层，得到至少一个金属瓷板；
13.所述将m个生瓷基板叠加放置，并将叠加放置后的m个生瓷基板在预设温度环境中进行烧结，得到所述陶瓷基板，包括：
14.将所述至少一个金属瓷板与剩余所述生瓷基板叠加放置，并将叠加放置后的所述至少一个金属瓷板与剩余所述生瓷基板在预设温度环境中进行烧结，得到所述陶瓷基板。
15.在一种可能的实现方式中，所述散热通孔的直径小于0.20mm，相邻两个所述散热通孔之间的孔间距在0.50mm-2.00mm之间。
16.在一种可能的实现方式中，所述金属填充物的材质包括钨或者钼。
17.在一种可能的实现方式中，所述预设温度为大于1500℃的温度。
18.第二方面，本发明实施例提供了一种陶瓷基板，包括：叠加放置的m层瓷片、金属填充物；m为正整数；
19.所述叠加放置的m层瓷片中的每个瓷片上的第一预设位置制备有多个散热通孔；
20.所述金属填充物填充在所述叠加放置的m层瓷片中的每个瓷片上的每个散热通孔内。
21.在一种可能的实现方式中，所述第一预设位置包括第一子区域和第二子区域；
22.所述第一子区域为根据目标芯片的热流分布区域中的热流集中区域确定的位置，所述第二子区域为根据所述热流分布区域中的热流分散区域确定的位置，且所述第一子区域中的散热通孔的密度大于所述第二子区域中的散热通孔的密度。
23.在一种可能的实现方式中，上述第二方面中所述的陶瓷基板还包括：至少一个金属层；
24.对于所述至少一个金属层中的每个金属层，该金属层设置在所述m层瓷片中的一层瓷片的一侧。
25.在一种可能的实现方式中，所述散热通孔的直径小于0.20mm，相邻两个所述散热通孔之间的孔间距在0.50mm-2.00mm之间。
26.第三方面，本发明实施例提供了一种芯片封装方法，包括：
27.在陶瓷基板上的第三预设位置设置目标芯片；
28.所述陶瓷基板采用上述第二方面及任一种可能的实现方式中所述的陶瓷基板；所述目标芯片的热流分布区域与所述陶瓷基板上的第一预设位置对应。
29.第四方面，本发明实施例提供了一种芯片封装结构，包括：陶瓷基板、目标芯片；
30.所述陶瓷基板上的第三预设位置设置有所述目标芯片；
31.所述陶瓷基板采用上述第二方面及任一种可能的实现方式中所述的陶瓷基板；所述目标芯片的热流分布区域与所述陶瓷基板上的第一预设位置对应。
32.本发明实施例提供一种陶瓷基板的制备方法、陶瓷基板、芯片封装方法及结构，该制备方法包括：通过在m个生瓷片中每个生瓷片上的第一预设位置制备多个散热通孔；其中，m为正整数；通过金属填充物对每个生瓷片上的每个散热通孔进行填充，得到m个生瓷基板；将m个生瓷基板叠加放置，并将叠加放置后的m个生瓷基板在预设温度环境中进行烧结，得到陶瓷基板。本发明实施例通过在生瓷片上的第一预设位置制备多个散热通孔，并在每个散热通孔中填充金属填充物的方式实现大尺寸芯片散热的效果，则可以不通过在共烧陶瓷的粘芯片区域贴金属热沉块的方式对芯片进行散热，对于大尺寸芯片的散热，自然也就不需要要大尺寸的金属热沉块，从而有效降低了在大尺寸芯片上设置大尺寸金属热沉块发生热匹配失效问题的风险。进一步地，在芯片热流密度集中区域采用导热性能更好且与陶瓷材料更加匹配的金属，可以实现将芯片热流密度集中区域的热量迅速引出到外界环境中，从而有效保证了芯片的散热并提升了芯片的散热效率。
附图说明
33.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述
中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
34.图1是本发明实施例提供的陶瓷基板的制备方法的实现流程图；
35.图2是本发明实施例提供的目标芯片热源分布的示意图；
36.图3是本发明实施例提供的第一预设位置处散热通孔分布的示意图；
37.图4是本发明实施例提供的陶瓷基板的结构示意图；
38.图5是本发明实施例提供的又一陶瓷基板的结构示意图；
39.图6是本发明实施例提供的芯片封装方法的实现流程图；
40.图7是本发明实施例提供的芯片封装结构的结构示意图；
41.图8是本发明实施例提供的芯片封装结构中各部分热阻的示意图。
具体实施方式
42.以下描述中，为了说明而不是为了限定，提出了诸如特定系统结构、技术之类的具体细节，以便透彻理解本发明实施例。然而，本领域的技术人员应当清楚，在没有这些具体细节的其它实施例中也可以实现本发明。在其它情况中，省略对众所周知的系统、装置、电路以及方法的详细说明，以免不必要的细节妨碍本发明的描述。
43.为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图通过具体实施例来进行说明。
44.图1为本发明实施例提供的陶瓷基板的制备方法的实现流程图，如图1所示，本发明实施例提供了一种陶瓷基板的制备方法，包括：
45.s101：在m个生瓷片中每个生瓷片上的第一预设位置制备多个散热通孔；m为正整数。
46.本实施例中，在m个生瓷片中每个生瓷片上的第一预设位置制备多个散热通孔，以利于后续大尺寸芯片的散热；其中，m的取值可以为1，或2，或3等正整数。
47.在一种可能的实现方式中，第一预设位置包括第一子区域和第二子区域。
48.第一子区域为根据目标芯片的热流分布区域中的热流集中区域确定的位置，第二子区域为根据热流分布区域中的热流分散区域确定的位置，且第一子区域中的散热通孔的密度大于第二子区域中的散热通孔的密度。
49.本实施例中，图2为本发明实施例提供的目标芯片热源分布的示意图；图3为本发明实施例提供的第一预设位置处散热通孔分布的示意图；请一并参照图2和图3。图2中，目标芯片21的热流分布区域中热流集中区域22的位置如图2所示。图3中，第一预设位置3可以包括：根据目标芯片的热流分布区域中的热流集中区域确定的第一子区域31，以及根据目标芯片的热流分布区域中的热流分散区域确定的第二子区域32；并且第一子区域31中的散热通孔的密度大于第二子区域32中的散热通孔的密度。本实施例中，在根据目标芯片中门的使用情况估算出电压和电流的数值之后，利用目标芯片厂商提供的计算工具估算出目标芯片热源集中区域功率分布情况，从而得到准确的目标芯片的热流分布情况。依据目标芯片的热流分布情况，对应在每个生瓷片的第一预设位置3中的第一子区域31上，制备较为密集的散热通孔，在每个生瓷片的第一预设位置3中的第二子区域32上，制备较为稀疏的散热
通孔，如此一来，既有利于根据目标芯片的实际发热对应将目标芯片散发出的热量引到外界环境中，以实现目标芯片的散热；还有效减少了散热通孔的制备数量，进而有效降低生瓷基板的制备难度。
50.s102：通过金属填充物对每个生瓷片上的每个散热通孔进行填充，得到m个生瓷基板。
51.本实施例中，对于m个制备有多个散热通孔的生瓷片，将金属填充物填充到每个生瓷片上的每个散热通孔中，得到m个生瓷基板。本实施例中，在不改变现有陶瓷材料体系的基础上，利用导热性能更高且和陶瓷材料更匹配的金属填充物实现将芯片散发的热量迅速引出到外界环境中，从而有效保证芯片的散热。
52.s103：将m个生瓷基板叠加放置，并将叠加放置后的m个生瓷基板在预设温度环境中进行烧结，得到陶瓷基板。
53.本实施例中，通过将m个生瓷基板进行叠加，每相邻两层(也即上下两层)生瓷基板对应重合，其上设置的多个散热通孔也对应重合，并将叠加放置后的m个生瓷基板在预设温度环境中进行一体烧结，得到陶瓷基板。本实施例中，大尺寸芯片可以利用该陶瓷基板进行散热；例如，ccd大面阵图象传感器芯片，这种芯片的总功率已达到25w，尺寸更是达到了120mm*120mm以上，像素单元也由5.3um变小到3.7um，随着芯片工艺集成度以及芯片制程工艺的提高，导致芯片上的热源越来越集中，热流密度也不断提高，因此，本实施例中，在现有陶瓷材料体系下增加封装外壳的散热能力，也即芯片通过本实施例中的陶瓷基板进行散热，既解决了大尺寸芯片(例如120mm*120mm及以上)无法直接在粘芯片区域贴金属热沉块进行散热的问题，满足了大尺寸芯片的散热需求，还有效降低了直接在大尺寸芯片下方贴金属热沉块发生热匹配失效的风险。
54.本发明实施例提供一种陶瓷基板的制备方法，该制备方法包括：通过在m个生瓷片中每个生瓷片上的第一预设位置制备多个散热通孔；其中，m为正整数；通过金属填充物对每个生瓷片上的每个散热通孔进行填充，得到m个生瓷基板；将m个生瓷基板叠加放置，并将叠加放置后的m个生瓷基板在预设温度环境中进行烧结，得到陶瓷基板。本发明实施例通过在生瓷片上的第一预设位置制备多个散热通孔，并在每个散热通孔中填充金属填充物的方式实现大尺寸芯片散热的效果，则可以不通过在共烧陶瓷的粘芯片区域贴金属热沉块的方式对芯片进行散热，对于大尺寸芯片的散热，自然也就不需要要大尺寸的金属热沉块，从而有效降低了在大尺寸芯片上设置大尺寸金属热沉块发生热匹配失效问题的风险。进一步地，在芯片热流密度集中区域采用导热性能更好且与陶瓷材料更加匹配的金属，可以实现将芯片热流密度集中区域的热量迅速引出到外界环境中，从而有效保证了芯片的散热并提升了芯片的散热效率。
55.在一种可能的实现方式中，在通过金属填充物对每个生瓷片上的每个散热通孔进行填充，得到m个生瓷基板之后，还包括：
56.在m个生瓷基板中的至少一个生瓷基板的一侧设置金属层，得到至少一个金属瓷板。
57.将m个生瓷基板叠加放置，并将叠加放置后的m个生瓷基板在预设温度环境中进行烧结，得到陶瓷基板，包括：
58.将至少一个金属瓷板与剩余生瓷基板叠加放置，并将叠加放置后的至少一个金属
瓷板与剩余生瓷基板在预设温度环境中进行烧结，得到陶瓷基板。
59.本实施例中，在将金属填充物填充到每个生瓷片上的每个散热通孔中，得到m个生瓷基板后，还可以在m个生瓷基板中至少一个生瓷基板的一侧设置金属层，以利于加快芯片的散热，尤其对于芯片热流密度集中区域，该金属层的设置可以有效加快芯片热流密度集中区域的散热。并且，金属瓷板与未设置金属层的生瓷基板叠加放置，经高温烧结后所形成的陶瓷基板在集成芯片时，一方面，芯片散发出的热量可以通过多个散热通孔引出到外界环境中；另一方面，对于散热量较大的芯片，金属层的设置可以更进一步加快芯片的散热。
60.在一种可能的实现方式中，散热通孔的直径小于0.20mm，相邻两个散热通孔之间的孔间距在0.50mm-2.00mm之间。
61.本实施例中，图4为本发明实施例提供的陶瓷基板的结构示意图，示例性的，陶瓷基板上的散热通孔42的直径可以设置为小于0.20mm，陶瓷基板上的相邻两个散热通孔42之间的孔间距可以设置为在0.50mm-2.00mm之间。示例性的，在一个大尺寸芯片的局部5.00mm*5.00mm范围内可以排布散热通孔42的数量为9-100个。进一步地，每个散热通孔42的高度可以与每个生瓷片41(或者生瓷基板)的高度相同，示例性的，每个散热通孔42的高度可以设置为在1.50mm-5.00mm之间。本实施例中，如图4所示，示例性的，散热通孔42的直径可以为0.10mm，相邻两个散热通孔42之间的孔间距可以为2.00mm。本实施例中，在芯片热流密度集中的区域下方采用高导热的金属化散热通孔42作为热传输途径，有效降低了芯片热流密度集中区域的热阻。
62.在一种可能的实现方式中，金属填充物的材质包括钨或者钼。
63.本实施例中，如图4所示，散热通孔42中所填充的金属填充物的材质可以为钨或者钼，利用钨或者钼导热性能好的特性，在每个生瓷片41上制备的多个散热通孔42中填充金属钨或者钼，有效避免了在大尺寸芯片下方贴金属热沉块导致热匹配失效的问题，并且，进一步保证了大尺寸芯片封装中热流密度较大的芯片的散热。
64.在一种可能的实现方式中，预设温度为大于1500℃的温度。
65.本实施例中，在将叠加放置后的m个生瓷基板进行烧结时，采用的预设温度可以为大于1500℃的温度。示例性的，可以在1500℃以上的温度下将叠加放置后的m个生瓷基板进行烧结，得到陶瓷基板；进一步地，还可以采用厚膜工艺将芯片等元件集成在该陶瓷基板上，既能满足后续芯片的使用，还可以实现芯片的散热。
66.本发明实施例还提供了一种陶瓷基板，包括：叠加放置的m层瓷片、金属填充物；m为正整数。
67.叠加放置的m层瓷片中的每个瓷片上的第一预设位置制备有多个散热通孔。
68.金属填充物填充在叠加放置的m层瓷片中的每个瓷片上的每个散热通孔内。
69.本实施例中，陶瓷基板包括叠加放置的m层瓷片及金属填充物，其中，m可以为1，或2，或3等正整数。示例性的，如图4所示，以该陶瓷基板包括叠加放置的3层瓷片41为例，对应的每层瓷片41上制备的散热通孔42中填充的金属填充物。叠加放置的3层瓷片41中的每个瓷片41上的第一预设位置制备有多个散热通孔42，并且，在每层瓷片41上的每个散热通孔42内都填充有金属填充物。
70.本发明实施例提供一种陶瓷基板，该陶瓷基板包括：叠加放置的m层瓷片、金属填充物；m为正整数；叠加放置的m层瓷片中的每个瓷片上的第一预设位置制备有多个散热通
孔；金属填充物填充在叠加放置的m层瓷片中的每个瓷片上的每个散热通孔内。本发明实施例通过在生瓷片上的第一预设位置制备多个散热通孔，并在每个散热通孔中填充金属填充物的方式实现大尺寸芯片散热的效果，则可以不通过在共烧陶瓷的粘芯片区域贴金属热沉块的方式对芯片进行散热，对于大尺寸芯片的散热，自然也就不需要要大尺寸的金属热沉块，从而有效降低了在大尺寸芯片上设置大尺寸金属热沉块发生热匹配失效问题的风险。进一步地，在芯片热流密度集中区域采用导热性能更好且与陶瓷材料更加匹配的金属，可以实现将芯片热流密度集中区域的热量迅速引出到外界环境中，从而有效保证了芯片的散热并提升了芯片的散热效率。
71.在一种可能的实现方式中，第一预设位置包括第一子区域和第二子区域。
72.第一子区域为根据目标芯片的热流分布区域中的热流集中区域确定的位置，第二子区域为根据热流分布区域中的热流分散区域确定的位置，且第一子区域中的散热通孔的密度大于第二子区域中的散热通孔的密度。
73.本实施例中，请一并参考图2和图3，图2中，目标芯片21的热流分布区域中热流集中区域22的分布如图2所示。图3中，第一预设位置3可以包括：根据目标芯片的热流分布区域中的热流集中区域确定的第一子区域31，以及根据目标芯片的热流分布区域中的热流分散区域确定的第二子区域32；并且第一子区域31中的散热通孔的密度大于第二子区域32中的散热通孔的密度。本实施例中，在根据芯片中门的使用情况估算出电压和电流的数值之后，利用芯片厂商提供的计算工具估算出芯片热源集中区域功率分布情况，从而得到准确的芯片的热流分布情况。依据芯片的热流分布情况，对应在每个生瓷片的第一预设位置中的第一子区域上，制备有较为密集的散热通孔，在每个生瓷片的第一预设位置中的第二子区域上，制备有较为稀疏的散热通孔，如此一来，既有利于根据芯片的实际发热对应将芯片散发出的热量引导外界环境中，以实现芯片的散热；还有效减少了散热通孔的制备数量，进而有效降低生瓷基板的制备难度。
74.在一种可能的实现方式中，上述陶瓷基板还包括：至少一个金属层。
75.对于至少一个金属层中的每个金属层，该金属层设置在m层瓷片中的一层瓷片的一侧。
76.本实施例中，陶瓷基板还包括至少一个金属层。并且，对于至少一个金属层中的每个金属层，该金属层设置在m层瓷片中的一层瓷片的一侧。示例性的，图5为本发明实施例提供的又一陶瓷基板的结构示意图，如图5所示，图5中的陶瓷基板中叠加放置有2层瓷片：瓷片511和瓷片512，以及对应的每层瓷片上制备的散热通孔52中填充有金属填充物，以及在瓷片512中与瓷片511相邻的一侧上设置有金属层53(或者在瓷片511中与瓷片512相邻的一侧上设置有金属层53)。通过在陶瓷基板中瓷片的一侧设置金属层53，进一步加快了芯片的散热。
77.在一种可能的实现方式中，散热通孔的直径小于0.20mm，相邻两个散热通孔之间的孔间距在0.50mm-2.00mm之间。
78.本实施例中，如图5所示，示例性的，在瓷片511上，散热通孔52的直径可以为0.10mm，相邻两个散热通孔52之间的孔间距可以为2.00mm。
79.本发明实施例还提供了一种芯片封装方法，包括：
80.s601：在陶瓷基板上的第三预设位置设置目标芯片。
81.陶瓷基板采用上述第二方面及任一种可能的实现方式中的陶瓷基板；目标芯片的热流分布区域与陶瓷基板上的第一预设位置对应。
82.本实施例中，图6为本发明实施例提供的芯片封装方法的实现流程图，如图6所示，在陶瓷基板上的第三预设位置设置目标芯片，完成目标芯片的封装。示例性的，在陶瓷基板上的第三预设位置设置目标芯片的方式可以为：通过胶粘的方式将目标芯片设置在陶瓷基板上的第三预设位置。示例性的，目标芯片可以为芯片尺寸大于50mm*50mm且集中热流密度在4w/mm2以上的芯片。
83.本发明实施例提供一种芯片封装方法，该封装方法包括：在陶瓷基板上的第三预设位置设置目标芯片。其中，陶瓷基板采用上述第二方面及任一种可能的实现方式中的陶瓷基板；目标芯片的热流分布区域与陶瓷基板上的第一预设位置对应。本发明芯片封装方法的实施例中采用的陶瓷基板，通过在生瓷片上的第一预设位置制备多个散热通孔，并在每个散热通孔中填充金属填充物的方式实现大尺寸芯片散热的效果，则可以不通过在共烧陶瓷的粘芯片区域贴金属热沉块的方式对芯片进行散热，对于大尺寸芯片的散热，自然也就不需要要大尺寸的金属热沉块，从而有效降低了在大尺寸芯片上设置大尺寸金属热沉块发生热匹配失效问题的风险。进一步地，在芯片热流密度集中区域采用导热性能更好且与陶瓷材料更加匹配的金属，可以实现将芯片热流密度集中区域的热量迅速引出到外界环境中，从而有效保证了芯片的散热并提升了芯片的散热效率。
84.本发明实施例还提供了一种芯片封装结构，包括：陶瓷基板、目标芯片。
85.陶瓷基板上的第三预设位置设置有目标芯片；
86.陶瓷基板采用上述第二方面及任一种可能的实现方式中的陶瓷基板；目标芯片的热流分布区域与陶瓷基板上的第一预设位置对应。
87.本实施例中，图7为本发明实施例提供的芯片封装结构的结构示意图，如图7所示。陶瓷基板701上的第三预设位置设置有目标芯片702。示例性的，第三预设位置可以为在将目标芯片702的热流分布区域中热流集中区域与第一预设位置的第一子区域对应设置后，芯片所处的位置。
88.进一步地，本实施例中，还可以在陶瓷基板701上设置散热器703，以进一步顺利将目标芯片702热流密度集中的区域和目标芯片702热流密度分散的区域的热量及时引到外界环境中，有效实现目标芯片702的散热。具体地，在实际进行目标芯片的封装时，通常是将在陶瓷基板701上集成有目标芯片702的封装结构设置在pcb板(也即印制/印刷电路板)上，因此，可以将散热器703设置在pcb板上封装结构对应位置的下方，以促进陶瓷基板701将目标芯片702散发的热量迅速引出到外界环境中。图8为本发明实施例提供的芯片封装结构中各部分热阻的示意图，图8中，c表示目标芯片，r1表示目标芯片的热阻，r2表示陶瓷基板的热阻，r3表示散热器的热阻，t表示外界环境的温度，请一并参照图7和图8，本实施例中，针对目标芯片702热源集中区域，进行热管理控制，通过改变目标芯片702热流密度集中区域的导热材料，利用导热性能更高且和陶瓷材料匹配的金属实现将目标芯片702集中发热区的热量迅速引出到陶瓷基板701外部。在不改变现有陶瓷材料体系的基础上，通过提高散热通道的热导率降低陶瓷基板701的热阻r2，进而实现目标芯片702的高效能散热。并且，目标芯片702上由于未设置金属热沉块，因此最后形成的芯片封装结构的重量较轻。示例性的，目标芯片702可以为芯片尺寸在50mm*50mm到120mm*120mm之间且总功耗大于10w的芯片。
89.本发明实施例提供一种芯片封装结构，该封装结构包括：陶瓷基板上的第三预设位置设置有目标芯片；陶瓷基板采用上述第二方面及任一种可能的实现方式中的陶瓷基板；目标芯片的热流分布区域与陶瓷基板上的第一预设位置对应。本发明芯片封装结构的实施例中采用的陶瓷基板，通过在生瓷片上的第一预设位置制备多个散热通孔，并在每个散热通孔中填充金属填充物的方式实现大尺寸芯片散热的效果，则可以不通过在共烧陶瓷的粘芯片区域贴金属热沉块的方式对芯片进行散热，对于大尺寸芯片的散热，自然也就不需要要大尺寸的金属热沉块，从而有效降低了在大尺寸芯片上设置大尺寸金属热沉块发生热匹配失效问题的风险。进一步地，在芯片热流密度集中区域采用导热性能更好且与陶瓷材料更加匹配的金属，可以实现将芯片热流密度集中区域的热量迅速引出到外界环境中，从而有效保证了芯片的散热并提升了芯片的散热效率。
90.应理解，上述实施例中各步骤的序号的大小并不意味着执行顺序的先后，各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定，而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
91.以上所述实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本发明的保护范围之内。