一种改善硅基OLED器件金属刻蚀孔洞异常的方法与流程

一种改善硅基oled器件金属刻蚀孔洞异常的方法
技术领域
1.本发明属于有机电致发光器件领域，具体涉及一种改善硅基oled器件金属刻蚀孔洞异常的方法。


背景技术：

2.在硅基oled(organic light emitting diode，有机发光二极管)微显示器制备过程中，对于金属膜层一般采用干法刻蚀；基板在涂胶曝光显影后采用高温固胶，然后进行刻蚀。由于干法刻蚀过程中等离子体会产生大量的紫外辐射，这些紫外线会对作为掩膜的光刻胶产生曝光效果，光刻胶曝光过程中会产生氮气，由于干刻腔室内压强很小，生成的氮气会在胶膜内外形成压强差，从而导致光刻胶凸起甚至发生类似爆炸的作用形成胶膜上凹坑，等离子体穿过凹坑会对光刻胶下的金属膜层进行刻蚀，从而在金属膜层上形成孔洞异常。


技术实现要素：

3.为解决上述技术问题，本发明提供了一种改善硅基oled器件金属刻蚀孔洞异常的方法，该工艺简单，易于实施的制作方法，该方法在硅基oled基板涂胶曝光显影后再次对光刻胶进行紫外光照射，形成曝光效果，可以使得光刻胶中的光敏剂分解失去化学活性，从而在干法刻蚀中不会再对等离子体氛围中产生的紫外辐射敏感发生曝光反应，将会极大提高干法刻蚀后的成品率。
4.为实现上述目的，本发明采取的技术方案如下：
5.一种改善硅基oled器件金属刻蚀孔洞异常的方法，所述方法包括以下步骤：
6.(1)在硅基oled器件的金属刻蚀层上涂布光刻胶，然后在光掩膜板的遮挡下进行曝光，最后显影形成光刻胶图形；
7.(2)对经步骤(1)处理后的硅基oled器件进行热处理；
8.(3)对经步骤(2)处理后的硅基oled器件上的光刻胶图形进行紫外光照；
9.(4)对硅基oled器件上没有被光刻胶图形覆盖的区域进行刻蚀。
10.步骤(1)中，采用旋涂法在金属刻蚀层表面涂布光刻胶，光刻胶的厚度为0.5～4μm
11.步骤(2)中，所述热处理的温度为85～165℃，时间为60～300s；热处理的主要作用是去除显影过程中光刻胶吸收的水分，同时使光刻胶固化，提高光刻胶的抗刻蚀能力，而在这样的热处理温度和时间之下可保证刻蚀后光刻胶容易去除且刻蚀的过程中抗蚀刻能力较强。
12.步骤(3)中，所述光刻胶为krf光刻胶时，紫外光的波长为248nm。
13.步骤(3)中，所述光刻胶为arf光刻胶时，紫外光的波长为193nm。
14.步骤(3)中，所述光刻胶为i线光刻胶时，紫外光的波长为365nm。
15.步骤(3)中，所述光刻胶为g线光刻胶时，紫外光的波长为436nm。
16.步骤(3)中，紫外光照的时间为5s～300s。
17.步骤(3)中，通过选用可使光刻胶曝光的对应波长的紫外线照射曝光显影后的带光刻胶图形的硅基oled器件，使剩余光刻胶中的光敏剂分解失去化学活性，从而在干法刻蚀中不会再对等离子体氛围中产生的紫外辐射敏感而发生曝光反应，从而避免了形成胶膜凸起或凹坑，有利于下步刻蚀工艺的进行。
18.步骤(4)中，所述刻蚀为干法刻蚀，优选为等离子体刻蚀。
19.所述步骤(4)之后还包括去除光刻胶图形的步骤。
20.所述金属刻蚀层为铝层、铝硅层、铝铜层、铝硅铜层、钛层、氮化钛层、氧化铟锡层或氧化铟锌层。
21.与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
22.相较于传统的涂布光刻胶—曝光显影—干法刻蚀工艺，本发明在曝光显影之后干法刻蚀之前对光刻胶图形进行热处理、紫外光照，形成曝光效果，这样可以使得光刻胶中的光敏剂分解失去化学活性，从而在干法刻蚀中不会再对等离子体氛围中产生的紫外辐射敏感发生曝光反应，从而避免了形成光刻胶图形胶膜的凸起或凹坑，这样在进行等离子体刻蚀时，离子体不会凸起或凹坑而对光刻胶下的金属膜层产生刻蚀，大大提高干法刻蚀后的成品率及图形窗口的完整性。
附图说明
23.图1为本发明方法的流程示意图。
具体实施方式
24.下面结合实施例对本发明进行详细说明。
25.实施例1
26.一种改善硅基oled器件金属刻蚀孔洞异常的方法，所述方法包括以下步骤：
27.(1)在硅基oled器件的金属刻蚀层上涂布krf光刻胶，然后在光掩膜板的遮挡下使用248nm波长的紫外光照进行曝光，最后经显影液溶解掉被曝光的光刻胶，即可将光刻掩膜板上的图形转移到光刻胶上，形成光刻胶图形；
28.(2)将步骤(1)处理后的硅基oled器件在120℃加热90s；
29.(3)将步骤(2)处理后的硅基oled器件上的光刻胶图形在248nm波长的紫外光下照射5s；
30.(4)对硅基oled器件上没有被光刻胶图形覆盖的区域进行干法刻蚀；
31.(5)去除金属刻蚀层上剩余的光刻胶，即得到完好的所需要的图形窗口的硅基oled器件。
32.实施例2
33.一种改善硅基oled器件金属刻蚀孔洞异常的方法，所述方法包括以下步骤：
34.(1)在硅基oled器件的金属刻蚀层上涂布arf光刻胶，然后在光掩膜板的遮挡下使用193nm波长的紫外光照进行曝光，最后经显影液溶解掉被曝光的光刻胶，即可将光刻掩膜板上的图形转移到光刻胶上，形成光刻胶图形；
35.(2)将步骤(1)处理后的硅基oled器件在110℃加热90s；
36.(3)将步骤(2)处理后的硅基oled器件上的光刻胶图形在193nm波长的紫外光下照
射5s；
37.(4)对硅基oled器件上没有被光刻胶图形覆盖的区域进行干法刻蚀；
38.(5)去除金属刻蚀层上剩余的光刻胶，即得到完好的所需要的图形窗口的硅基oled器件。
39.实施例3
40.一种改善硅基oled器件金属刻蚀孔洞异常的方法，所述方法包括以下步骤：
41.(1)在硅基oled器件的金属刻蚀层上涂布i线光刻胶，然后在光掩膜板的遮挡下使用365nm波长的紫外光照进行曝光，最后经显影液溶解掉被曝光的光刻胶，即可将光刻掩膜板上的图形转移到光刻胶上，形成光刻胶图形；
42.(2)将步骤(1)处理后的硅基oled器件在90℃加热120s；
43.(3)将步骤(2)处理后的硅基oled器件上的光刻胶图形在365nm波长的紫外光下照射10s；
44.(4)对硅基oled器件上没有被光刻胶图形覆盖的区域进行干法刻蚀；
45.(5)去除金属刻蚀层上剩余的光刻胶，即得到完好的所需要的图形窗口的硅基oled器件。
46.实施例4
47.一种改善硅基oled器件金属刻蚀孔洞异常的方法，所述方法包括以下步骤：
48.(1)在硅基oled器件的金属刻蚀层上涂布g线光刻胶，然后在光掩膜板的遮挡下使用436nm波长的紫外光照进行曝光，最后经显影液溶解掉被曝光的光刻胶，即可将光刻掩膜板上的图形转移到光刻胶上，形成光刻胶图形；
49.(2)将步骤(1)处理后的硅基oled器件在90℃加热140s；
50.(3)将步骤(2)处理后的硅基oled器件上的光刻胶图形在436nm波长的紫外光下照射20s；
51.(4)对硅基oled器件上没有被光刻胶图形覆盖的区域进行干法刻蚀；
52.(5)去除金属刻蚀层上剩余的光刻胶，即得到完好的所需要的图形窗口的硅基oled器件。
53.对比例1
54.其他同实施例1，只是省去了其中的步骤(3)，该方法处理之后的硅基oled器件无法得到完好的所需要的图形窗口，图形区域出现了异常的孔洞缺陷。
55.上述参照实施例对一种改善硅基oled器件金属刻蚀孔洞异常的方法进行的详细描述，是说明性的而不是限定性的，可按照所限定范围列举出若干个实施例，因此在不脱离本发明总体构思下的变化和修改，应属本发明的保护范围之内。