压电振动片、压电振子、电子设备以及移动体的制作方法

技术特征：
1.一种压电振动片，该压电振动片包含：压电基板，其包含振动部；第1激励电极，其包含第1基底电极层和第1上电极层，其中，所述第1基底电极层被配置于所述振动部的第1面，所述第1上电极层被配置于所述第1基底电极层上；以及第2激励电极，其包含第2基底电极层和第2上电极层，其中，所述第2基底电极层被配置于所述振动部的与所述第1面相反侧的第2面，所述第2上电极层被配置于所述第2基底电极层上，所述第2上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1为1.4％以上且小于1.9％。2.一种压电振动片，该压电振动片包含：压电基板，其包含振动部；第1激励电极，其包含第1基底电极层和第1上电极层，其中，所述第1基底电极层被配置于所述振动部的第1面，所述第1上电极层被配置于所述第1基底电极层上；以及第2激励电极，其包含第2基底电极层和第2上电极层，其中，所述第2基底电极层被配置于所述振动部的与所述第1面相反侧的第2面，所述第2上电极层被配置于所述第2基底电极层上，所述第2上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1为1.9％以上且小于2.4％。3.一种压电振动片，该压电振动片包含：压电基板，其包含振动部；第1激励电极，其包含第1基底电极层和第1上电极层，其中，所述第1基底电极层被配置于所述振动部的第1面，所述第1上电极层被配置于所述第1基底电极层上；以及第2激励电极，其包含第2基底电极层和第2上电极层，其中，所述第2基底电极层被配置于所述振动部的与所述第1面相反侧的第2面，所述第2上电极层被配置于所述第2基底电极层上，所述第2上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1为2.4％以上3.0％以下。4.一种压电振动片，该压电振动片包含：压电基板，其包含振动部；第1激励电极，其包含第1基底电极层和第1上电极层，其中，所述第1基底电极层被配置于所述振动部的第1面，所述第1上电极层被配置于所述第1基底电极层上；以及第2激励电极，其包含第2基底电极层和第2上电极层，其中，所述第2基底电极层被配置于所述振动部的与所述第1面相反侧的第2面，所述第2上电极层被配置于所述第2基底电极层上，所述第2上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1为1.4％以上3.0％以下。5.一种压电振动片，该压电振动片包含：压电基板，其包含振动部；第1激励电极，其包含第1基底电极层和第1上电极层，其中，所述第1基底电极层被配置于所述振动部的第1面，所述第1上电极层被配置于所述第1基底电极层上；以及第2激励电极，其包含第2基底电极层和第2上电极层，其中，所述第2基底电极层被配置
于所述振动部的与所述第1面相反侧的第2面，所述第2上电极层被配置于所述第2基底电极层上，所述压电振动片在125℃的空间内放置1000小时后的频率变化量
△
f/f0处于-5ppm以上 20ppm以内的范围内。6.根据权利要求1至5中任一项所述的压电振动片，其中，所述第1基底电极层包含金以外的材质。7.根据权利要求1至5中任一项所述的压电振动片，其中，所述第1上电极层的材质是金。8.根据权利要求1至5中任一项所述的压电振动片，其中，所述第2基底电极层是与所述第1基底电极层相同的材质。9.根据权利要求1至5中任一项所述的压电振动片，其中，所述第2上电极层的材质是金。10.根据权利要求1至5中任一项所述的压电振动片，其中，所述压电基板包含与所述振动部连接的固定部，所述固定部包含第1厚壁部和第2厚壁部，其中，在俯视时，所述第1厚壁部被配置于所述振动部的一方侧，所述第2厚壁部相对于所述振动部被配置于与所述一方侧相反的一侧，在所述第2厚壁部设置有与所述第1激励电极连接的第1端子以及与所述第2激励电极连接的第2端子。11.根据权利要求1至5中任一项所述的压电振动片，其中，在俯视时，所述第2激励电极的形状是将矩形的四角切除后得到的形状。12.根据权利要求1至5中任一项所述的压电振动片，其中，所述压电基板是at切石英基板。13.一种压电振子，该压电振子包含：权利要求1至5中任一项所述的压电振动片；基板；以及固定部件，所述压电基板包含与所述振动部连接的固定部，所述固定部通过所述固定部件安装于所述基板。14.一种电子设备，该电子设备包含：权利要求13所述的压电振子；显示部；以及壳体，其收纳所述压电振子，并安装有所述显示部。15.一种移动体，该移动体包含：权利要求13所述的压电振子；电子控制单元，其搭载有所述压电振子；以及车体，其搭载有所述电子控制单元。16.一种压电振动片的制造方法，包含以下工序：压电振动片外形形成工序，在压电基板形成振动部和固定部；基底电极层形成工序，在所述压电基板的所述振动部的第1面形成作为金以外的材质
的第1基底电极层，在与所述第1面相反侧的第2面形成与所述第1基底电极层相同材质的第2基底电极层；以及上电极层形成工序，在所述第1基底电极层上形成材质为金的第1上电极层，在所述第2基底电极层上形成与所述第1上电极层相同材质的第2上电极层，在所述上电极层形成工序中，所述第1上电极层形成为所述第1上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于1.4％以上且小于1.9％的范围内，所述第2上电极层形成为所述第2上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于1.4％以上且小于1.9％的范围内。17.一种压电振动片的制造方法，包含以下工序：压电振动片外形形成工序，在压电基板形成振动部和固定部；基底电极层形成工序，在所述压电基板的所述振动部的第1面形成作为金以外的材质的第1基底电极层，在与所述第1面相反侧的第2面形成与所述第1基底电极层相同材质的第2基底电极层；以及上电极层形成工序，在所述第1基底电极层上形成材质为金的第1上电极层，在所述第2基底电极层上形成与所述第1上电极层相同材质的第2上电极层，在所述上电极层形成工序中，所述第1上电极层形成为所述第1上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于1.9％以上且小于2.4％的范围内，所述第2上电极层形成为所述第2上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于1.9％以上且小于2.4％的范围内。18.一种压电振动片的制造方法，包含以下工序：压电振动片外形形成工序，在压电基板形成振动部和固定部；基底电极层形成工序，在所述压电基板的所述振动部的第1面形成作为金以外的材质的第1基底电极层，在与所述第1面相反侧的第2面形成与所述第1基底电极层相同材质的第2基底电极层；以及上电极层形成工序，在所述第1基底电极层上形成材质为金的第1上电极层，在所述第2基底电极层上形成与所述第1上电极层相同材质的第2上电极层，在所述上电极层形成工序中，所述第1上电极层形成为所述第1上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于2.4％以上且小于3.0％的范围内，所述第2上电极层形成为所述第2上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于2.4％以上且小于3.0％的范围内。19.一种压电振动片的制造方法，包含以下工序：压电振动片外形形成工序，在压电基板形成振动部和固定部；基底电极层形成工序，在所述压电基板的所述振动部的第1面形成作为金以外的材质的第1基底电极层，在与所述第1面相反侧的第2面形成与所述第1基底电极层相同材质的第2基底电极层；以及上电极层形成工序，在所述第1基底电极层上形成材质为金的第1上电极层，在所述第2基底电极层上形成与所述第1上电极层相同材质的第2上电极层，在所述上电极层形成工序中，所述第1上电极层形成为所述第1上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于1.4％以上3.0％以下的范围内，所述第2上电极层形成为
所述第2上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于1.4％以上3.0％以下的范围内。20.根据权利要求16至19中任一项所述的压电振动片的制造方法，其中，在所述上电极层形成工序之后，还包含频率调整工序，在所述频率调整工序中，改变所述第1上电极层的厚度来调整所述振动部的谐振频率。21.根据权利要求20所述的压电振动片的制造方法，其中，在所述频率调整工序中，通过反溅射来改变所述第1上电极层的厚度。22.根据权利要求20所述的压电振动片的制造方法，其中，在所述频率调整工序中，通过蒸镀或溅射来改变所述第1上电极层的厚度。23.一种压电振子的制造方法，包含以下工序：压电振动片外形形成工序，在压电基板形成振动部和固定部；基底电极层形成工序，在所述压电基板的所述振动部的第1面形成作为金以外的材质的第1基底电极层，在与所述第1面相反侧的第2面形成与所述第1基底电极层相同材质的第2基底电极层；上电极层形成工序，在所述第1基底电极层上形成材质为金的第1上电极层，在所述第2基底电极层上形成与所述第1上电极层相同材质的第2上电极层；载置工序，将所述固定部安装于封装主体，将所述压电基板载置于所述封装主体；以及密封工序，将盖部件焊接到所述封装主体，将所述压电基板密封在所述封装主体与所述盖部件之间，在所述上电极层形成工序中，所述第1上电极层形成为所述第1上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于1.4％以上且小于1.9％的范围内，所述第2上电极层形成为所述第2上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于1.4％以上且小于1.9％的范围内。24.一种压电振子的制造方法，包含以下工序：压电振动片外形形成工序，在压电基板形成振动部和固定部；基底电极层形成工序，在所述压电基板的所述振动部的第1面形成作为金以外的材质的第1基底电极层，在与所述第1面相反侧的第2面形成与所述第1基底电极层相同材质的第2基底电极层；上电极层形成工序，在所述第1基底电极层上形成材质为金的第1上电极层，在所述第2基底电极层上形成与所述第1上电极层相同材质的第2上电极层；载置工序，将所述固定部安装于封装主体，将所述压电基板载置于所述封装主体；以及密封工序，将盖部件焊接到所述封装主体，将所述压电基板密封在所述封装主体与所述盖部件之间，在所述上电极层形成工序中，所述第1上电极层形成为所述第1上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于1.9％以上且小于2.4％的范围内，所述第2上电极层形成为所述第2上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于1.9％以上且小于2.4％的范围内。25.一种压电振子的制造方法，包含以下工序：压电振动片外形形成工序，在压电基板形成振动部和固定部；
基底电极层形成工序，在所述压电基板的所述振动部的第1面形成作为金以外的材质的第1基底电极层，在与所述第1面相反侧的第2面形成与所述第1基底电极层相同材质的第2基底电极层；上电极层形成工序，在所述第1基底电极层上形成材质为金的第1上电极层，在所述第2基底电极层上形成与所述第1上电极层相同材质的第2上电极层；载置工序，将所述固定部安装于封装主体，将所述压电基板载置于所述封装主体；以及密封工序，将盖部件焊接到所述封装主体，将所述压电基板密封在所述封装主体与所述盖部件之间，在所述上电极层形成工序中，所述第1上电极层形成为所述第1上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于2.4％以上且小于3.0％的范围内，所述第2上电极层形成为所述第2上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于2.4％以上且小于3.0％的范围内。26.一种压电振子的制造方法，包含以下工序：压电振动片外形形成工序，在压电基板形成振动部和固定部；基底电极层形成工序，在所述压电基板的所述振动部的第1面形成作为金以外的材质的第1基底电极层，在与所述第1面相反侧的第2面形成与所述第1基底电极层相同材质的第2基底电极层；上电极层形成工序，在所述第1基底电极层上形成材质为金的第1上电极层，在所述第2基底电极层上形成与所述第1上电极层相同材质的第2上电极层；载置工序，将所述固定部安装于封装主体，将所述压电基板载置于所述封装主体；以及密封工序，将盖部件焊接到所述封装主体，将所述压电基板密封在所述封装主体与所述盖部件之间，在所述上电极层形成工序中，所述第1上电极层形成为所述第1上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于1.4％以上3.0％以下的范围内，所述第2上电极层形成为所述第2上电极层的厚度t
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与所述振动部的厚度t1之比t
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/t1处于1.4％以上3.0％以下的范围内。27.根据权利要求23至26中任一项所述的压电振子的制造方法，其中，在所述载置工序之前或之后，还包含频率调整工序，在所述频率调整工序中，改变所述第1上电极层的厚度来调整所述振动部的谐振频率。28.根据权利要求23至26中任一项所述的压电振子的制造方法，其中，在所述载置工序之前和之后，还包含频率调整工序，在所述频率调整工序中，改变所述第1上电极层的厚度来调整所述振动部的谐振频率。29.根据权利要求28所述的压电振子的制造方法，其中，在所述载置工序之前的所述频率调整工序中，进行频率的粗调，在所述载置工序之后的所述频率调整工序中，进行频率的微调。30.根据权利要求27所述的压电振子的制造方法，其中，在所述频率调整工序中，通过反溅射来改变所述第1上电极层的厚度。31.根据权利要求28所述的压电振子的制造方法，其中，在所述频率调整工序中，通过反溅射来改变所述第1上电极层的厚度。
32.根据权利要求27所述的压电振子的制造方法，其中，在所述频率调整工序中，通过蒸镀或溅射来改变所述第1上电极层的厚度。33.根据权利要求28所述的压电振子的制造方法，其中，在所述频率调整工序中，通过蒸镀或溅射来改变所述第1上电极层的厚度。34.根据权利要求23至26中任一项所述的压电振子的制造方法，其中，在减压环境中、或者在氮气的环境中进行所述密封工序。

技术总结
压电振动片、压电振子、电子设备以及移动体，压电振动片包含：压电基板，其包含振动部；第1激励电极，其包含第1基底电极层和第1上电极层，其中，所述第1基底电极层被配置于所述振动部的第1面，所述第1上电极层被配置于所述第1基底电极层上；以及第2激励电极，其包含第2基底电极层和第2上电极层，其中，所述第2基底电极层被配置于所述振动部的与所述第1面相反侧的第2面，所述第2上电极层被配置于所述第2基底电极层上，所述第2上电极层的厚度(t


技术研发人员：山本雄介
受保护的技术使用者：精工爱普生株式会社
技术研发日：2016.09.28
技术公布日：2022/11/8