一种阵列基板及其制备方法、显示设备与流程

1.本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及其制备方法、显示设备。


背景技术：

2.当前日常生活中，液晶(lcd)显示器已经成为了人们生活中不可或缺的电子器材，不仅市场端对lcd产品需求量巨大，且对于显示器分辨率、刷新率等规格的要求也越来越严苛。薄膜晶体管液晶显示器(tft-lcd)可分为多晶硅(poly-si)tft与非晶硅(a-si)tft，两者的差异在于电晶体特性不同。而低温多晶硅(ltps，low temperature poly-silicon)-tft lcd具有高分辨率、反应速度快、高亮度、高开口率等优点，加上ltps技术下的硅结晶排列较非晶硅lcd更有次序，使得电子移动率更高，可以将外围驱动电路同时制作在玻璃基板上，达到系统整合、空间节省以及降低驱动ic成本的目的，同时也极大地提高了tft的性能。但ltps-tft半导体层制备工艺复杂，需要增加构图(mask)工艺的数量，这使得阵列基板的制造成本较高，制程难度更大。


技术实现要素：

3.本公开实施例的目的在于提供一种阵列基板及其制备方法、显示设备，用以解决现有技术中ltps-tft显示设备阵列基板制作成本高，制作难度大的问题。
4.本公开的实施例采用如下技术方案：一种阵列基板，包括：衬底基板，所述衬底基板包括显示区和位于所述显示区四周的外围区；所述显示区至少包括多个阵列排布的像素单元，其中，所述像素单元至少包括：设置在所述衬底基板的显示区表面上的第一遮光层；设置在所述第一遮光层远离所述衬底基板一侧的第一绝缘层；设置在所述第一绝缘层远离所述第一遮光层一侧的有源层；设置在所述有源层远离所述第一绝缘层一侧的第二绝缘层，所述第二绝缘层上开设有第一过孔和第二过孔；设置在所述第二绝缘层远离所述有源层的一侧的第一栅极层和第一数据线，所述第一数据线基于所述第一过孔与所述有源层连接；设置在所述第一栅极层远离所述第二绝缘层一侧的平坦层，所述平坦层上开设有第三过孔，所述第三过孔的位置与所述第二过孔的位置重合；设置在所述平坦层远离所述第一栅极层一侧的像素电极，所述像素电极基于所述第三过孔和所述第二过孔与所述有源层连接。
5.在一些实施例中，所述第一过孔贯穿所述第二绝缘层、所述有源层以及所述第一绝缘层；所述阵列基板在第一方向上相邻的两个所述像素单元之间还设置有与所述第一遮光层同层的第二遮光层，所述第二遮光层的两端在第二方向上的正投影分别与两个所述像素单元的所述第一过孔在第二方向上的正投影重合，以使两个所述像素单元的第一数据线分别基于各自像素单元中的所述第一过孔与所述第二遮光层连接；其中，所述第一方向为所述阵列基板所在平面内与所述第一栅极层的延伸方向垂直的方向，所述第二方向为垂直与所述阵列基板所在平面的方向。
6.在一些实施例中，所述外围区包括至少一个驱动tft结构，其中，所述驱动tft结构
至少包括：所述有源层以及同层设置的第一极、第二极以及第二栅极层；其中，所述有源层和所述衬底基板之间设置有第一绝缘层，所述第二栅极层和所述有源层之间设置有第二绝缘层，所述第二绝缘层上开设有贯穿所述第二绝缘层、所述有源层以及所述第一绝缘层的第四过孔和第五过孔，所述第一极基于所述第四过孔与所述有源层连接，所述第二极基于所述第五过孔与所述有源层连接；所述第一极还基于所述第四过孔与第三遮光层连接，并基于所述第三遮光层与其他驱动tft结构的第一极或第二极连接，所述第二极还基于所述第五过孔与第四遮光层连接，并基于所述第四遮光层与其他驱动tft结构的第一极或第二极连接；其中，所述第三遮光层和所述第四遮光层设置在所述衬底基板和所述第一绝缘层之间，所述第三遮光层和所述第四遮光层之间不连通，并且所述第四过孔在第二方向上的正投影被所述第三遮光层在所述第二方向上的正投影完全覆盖，所述第五过孔在第二方向上的正投影被所述第四遮光层在所述第二方向上的正投影完全覆盖，所述第二方向为垂直与所述阵列基板所在平面的方向。
7.在一些实施例中，所述第一过孔、所述第二过孔、所述第四过孔和所述第五过孔均基于所述第二绝缘层的同一个掩膜板刻蚀而成。
8.在一些实施例中，所述第三过孔的孔径大于所述第二过孔的孔径。
9.本公开实施例还提供了一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底基板的显示区基于如下步骤制备多个按照阵列排布的像素单元：在所述衬底基板的显示区表面上设置第一遮光层；在所述第一遮光层远离所述衬底基板一侧设置第一绝缘层；在所述第一绝缘层远离所述第一遮光层一侧设置有源层；在所述有源层远离所述第一绝缘层一侧设置第二绝缘层，并且在所述第二绝缘层上开设第一过孔和第二过孔；在所述第二绝缘层远离所述有源层的一侧设置第一栅极层和第一数据线，以使所述第一数据线基于所述第一过孔与所述有源层连接；在所述第一栅极层远离所述第二绝缘层一侧设置平坦层，并且在所述平坦层上开设第三过孔，所述第三过孔的位置与所述第二过孔的位置重合；在所述平坦层远离所述第一栅极层一侧设置像素电极，以使所述像素电极基于所述第三过孔和所述第二过孔与所述有源层连接。
10.在一些实施例中，在所述第一遮光层远离所述衬底基板一侧设置第一绝缘层之前，还包括：在所述衬底基板的显示区表面上设置第二遮光层，使所述第二遮光层位于所述阵列基板在第一方向上相邻的两个所述像素单元之间，其中，所述第二遮光层的两端在第二方向上的正投影分别与两个所述像素单元的所述第一过孔在第二方向上的正投影重合；其中，所述第一方向为所述阵列基板所在平面内与所述第一栅极层的延伸方向垂直的方向，所述第二方向为垂直与所述阵列基板所在平面的方向。
11.在一些实施例中，在所述第二绝缘层上开设第一过孔，包括：在所述第二绝缘层上开设贯穿所述第二绝缘层、所述有源层以及所述第一绝缘层的第一过孔，以使两个所述像素单元的第一数据线分别基于各自像素单元中的所述第一过孔与所述第二遮光层连接。
12.在一些实施例中，还包括：在所述衬底基板的显示区表面上设置第一遮光层的同时，在所述衬底基板的外围区表面上设置第三遮光层和第四遮光层，所述第三遮光层和所述第四遮光层不连接；在所述第二绝缘层上开设第一过孔和第二过孔的同时，在所述第二绝缘层上开设第四过孔和第五过孔，其中，所述第四过孔在第二方向上的正投影被所述第三遮光层在所述第二方向上的正投影完全覆盖，所述第五过孔在第二方向上的正投影被所
述第四遮光层在所述第二方向上的正投影完全覆盖，所述第四过孔和所述第五过孔均贯穿所述第二绝缘层、所述有源层以及所述第一绝缘层；在所述第二绝缘层远离所述有源层的一侧设置第一栅极层和第一数据线的同时，在所述第二绝缘层远离所述有源层一侧设置第二栅极、第一极和第二极，以使所述第一极基于所述第四过孔与所述第三遮光层连接，并基于所述第三遮光层与其他驱动tft结构的第一极或第二极连接，所述第二极基于所述第五过孔与所述第四遮光层连接，并基于所述第四遮光层与其他驱动tft结构的第一极或第二极连接；其中，所述第二方向为垂直与所述阵列基板所在平面的方向。
13.本公开实施例还提供了一种显示设备，至少包括上述的阵列基板。
14.本公开实施例的有益效果在于：通过在第二绝缘层上开设的第一过孔和第二过孔，并配合平坦层上开设的第三过孔，实现数据线与栅极的同层设置，并且可以使像素电极与有源层直接接触，减少像素单元的tft结构的其中一侧源漏极设计以及相应的绝缘层设计，在确保产品性能的同时，大幅降低了阵列基板的制作工艺步骤和制作成本。
附图说明
15.为了更清楚地说明本公开实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
16.图1为现有技术中ltps-tft阵列基板的层级结构示意图；
17.图2为本公开第一实施例中显示区内阵列基板的层级结构示意图；
18.图3为本公开第一实施例中显示区内像素单元的俯视示意图；
19.图4为本公开第一实施例中图3的a-a线位置截面的部分层级结构示意图；
20.图5为本公开第一实施例中外围区内阵列基板的层级结构示意图；
21.图6为本公开第一实施例中外围区内驱动tft结构的俯视示意图；
22.图7为本公开第二实施例中显示区内像素单元的制备流程示意图。
具体实施方式
23.此处参考附图描述本公开的各种方案以及特征。
24.应理解的是，可以对此处申请的实施例做出各种修改。因此，上述说明书不应该视为限制，而仅是作为实施例的范例。本领域的技术人员将想到在本公开的范围和精神内的其他修改。
25.包含在说明书中并构成说明书的一部分的附图示出了本公开的实施例，并且与上面给出的对本公开的大致描述以及下面给出的对实施例的详细描述一起用于解释本公开的原理。
26.通过下面参照附图对给定为非限制性实例的实施例的优选形式的描述，本公开的这些和其它特性将会变得显而易见。
27.还应当理解，尽管已经参照一些具体实例对本公开进行了描述，但本领域技术人员能够确定地实现本公开的很多其它等效形式，它们具有如权利要求的特征并因此都位于借此所限定的保护范围内。
28.当结合附图时，鉴于以下详细说明，本公开的上述和其他方面、特征和优势将变得更为显而易见。
29.此后参照附图描述本公开的具体实施例；然而，应当理解，所申请的实施例仅仅是本公开的实例，其可采用多种方式实施。熟知和/或重复的功能和结构并未详细描述以避免不必要或多余的细节使得本公开模糊不清。因此，本文所申请的具体的结构性和功能性细节并非意在限定，而是仅仅作为权利要求的基础和代表性基础用于教导本领域技术人员以实质上任意合适的详细结构多样地使用本公开。
30.本说明书可使用词组“在一种实施例中”、“在另一个实施例中”、“在又一实施例中”或“在其他实施例中”，其均可指代根据本公开的相同或不同实施例中的一个或多个。
31.图1示出了现有技术中ltps-tft阵列基板的层级结构示意图。如图1所示，数据线data和金属层pl分别对应为tft结构的源极和漏极，像素电极pixel ito(或称为pito)通过过孔via3与金属层pl连接，实现在栅极gate加压时p-si的导通，使data和pl连通实现信号传递。在实际制备如图1所示的ltps-tft阵列基板时，需要在制备遮光层ls、有源层poly、第二绝缘层gi、栅极gate、平坦层pln、像素电极pito、第三电极层pvx(也可称为像素电极绝缘层)以及公共电极vcom ito(或称为cito)等层级进行制作时，均需要通过掩膜板进行图案的刻蚀，并且制作出的基板层级结构为11层，具有较厚的基板尺寸，同时制作的成本也比较高。
32.为了解决上述问题，本公开第一实施例提供了一种阵列基板，主要为ltps-tft的阵列基板，并通过对阵列基板中层级结构的调整实现更少的掩膜板使用以及更少的层级结构设置，达到优化制备流程，降低制作成本的目的。
33.显示产品的阵列基板一般分为显示区和位于显示区四周的外围区，以液晶显示产品来说，显示区内所布置的呈阵列排布的像素单元内至少布置有tft结构，用以控制像素区域对应的液晶的偏转，实现画面展示，而外围区至少设置有驱动tft结构，主要用于实现寻址以及显示区内tft结构的开关控制。
34.图2示出了本实施例所提供的显示区内阵列基板的层级结构示意图。如图2所示，阵列基板上主要设置有以下结构：衬底基板10，其还可以分为显示区和外围区，像素单元的层级主要设计在衬底基板10的显示区表面上；具体地，在衬底基板10的表面上设置有第一遮光层21(ls)；在第一遮光层21远离衬底基板10一侧的表面上(即图2中第一遮光层21的上侧)设置有第一绝缘层31；在第一绝缘层31远离所述第一遮光层21一侧(即图2中第一绝缘层31的上侧)设置有有源层40(poly)；在有源层40远离第一绝缘层31一侧(即图2中有源层40的上侧)设置有第二绝缘层32(gi)，并且在第二绝缘层32上开设有第一过孔91和第二过孔92；在第二绝缘层32远离有源层40一侧(即与2中第二绝缘层32的上侧)设置有第一栅极层51(gate)和第一数据线61(data)，二者同层设置，并且第一数据线61基于第一过孔91与有源层40连接；在第一栅极层51和第一数据线61远离第二绝缘层32的一侧(即第一栅极层51和第一数据线61上侧)设置有平坦层70(pln)，平坦层70上开设有第三过孔93，并且第三过孔93的位置与第二过孔92的位置重合；在平坦层70远离第一栅极层51和第一数据线61的一侧(即图2中平坦层70的上侧)设置有像素电极81(pito)，并且该像素电极81可以经由第三过孔93和第二过孔92直接与有源层40连接；另外，图2还示出了在像素电极81远离平坦层70的一侧(即图2中像素电极81的上侧)依次设置有第三绝缘层33(pvx)以及公共电极82
(cito)，至此形成了像素单元的层级设计。另外，公共电极82上还可以设置有其他封装层或保护层等，图2中未进行示出，可根据实际需求制作，本实施例不进行详细说明。
35.具体地，第一遮光层21主要用于对光源发出的光线进行遮挡，避免光线照射影响后续有源层40的功能；第一绝缘层31设置在ls和poly之间主要英语实现第一遮光层21与其他层级之间的绝缘效果；有源层40主要用作tft结构的沟道使用，本实施例中可以为低温多晶硅材料，并且，可以将有源层40分为源极区域、栅极区域和漏极区域，在不同区域的位置处实现与不同层级的连接，实现tft的导通或阻断功能；进一步地，第二绝缘层32上所开设的第一过孔91和第二过孔92的位置分别对应于有源层40的源极区域和漏极区域，使有源层40的源极区域和漏极区域的表面暴露出来，便于tft结构的源极和漏极的金属层与有源层40进行连接；第一数据线61即作为第一tft结构的源极使用，其与第一栅极层51同层设置，经由第一过孔91与有源层40连接，对应的漏极则为经由第二过孔92和第三过孔93与有源层40连接的像素电极81，实现有源层40在第一栅极层51的作用下导通时，像素电极81与第一数据线51之间信号的传递；平坦层70上的第三过孔93在开设时，根据第二过孔92所在的位置进行开设，并且保证第三过孔93的孔径大于第二过孔92的孔径，使第三过孔93开设后与第二过孔92形成一个套孔，实现第二绝缘层32和平坦层70的完全贯通，使像素电极81制备时通过套孔直接作为漏极与有源层接触，从而无需进行如图1中pl金属层以及相应绝缘层ild的制备也可实现像素单元内tft结构功能，达到简化tft结构，降低其制作成本的目的。
36.在实际进行上述层级结构的制备时，衬底基板10可以选用透明的硬质材料制成，例如玻璃；第一绝缘层31、第二绝缘层32以及第三绝缘层33可以使用氮化硅或氧化硅等无机材料进行制备；第一遮光层21、第一栅极层51以及第一数据线61等均可使用金属材料制成，例如钼(mo)，以实现良好的信号传递效果；像素电极81和公共电极82均可通过ito材料制成，平坦层70则主要使用亚克力材料进行制作。需要注意的是，上述层级结构的实际制备时所使用的制备手段和材料均可以直接使用现有技术中常规的制备手段和制备材料，具体可根据实际情况进行选择，本实施例不进行限制。另外，上述层级结构中除第一绝缘层31以外，其余层级在制作过程中均包括利用掩膜板进行图案刻蚀或过孔开设的步骤，具体刻蚀的方式可根据材料的不同进行调整，相应层级的掩膜板所形成的图案可根据阵列基板的具体尺寸以及显示需求等参数调整，掩膜板的具体制作过程本实施例不进行限制。
37.图3示出了显示区内像素单元的俯视示意图。如图3所示，第一数据线61通过第一过孔91与有源层40连接，像素电极81通过第二过孔92和第三过孔93形成的套孔与有源层40连接；图3中的有源层40呈“类u”型布置，其一端可作为源极区域，另一端作为漏极区域，便于第二绝缘层32进行过孔开设时的位置对应；第一遮挡层21所遮挡的有源层40的位置可以靠近源极区域或者漏极区域的其中一端，无需进行有源层40所有区域的覆盖。需要注意的是，图3中所示出的设计仅为一种示例，实际进行阵列基板制备时，可根据显示面板的像素需求、tft结构尺寸或其他参数要求等进行设置，只要保证层级结构之间符合图2所示的结构即可。
38.在实际进行第一过孔91的刻蚀时，还可以在刻蚀掉第一过孔相应位置的第二绝缘层32的同时，将相应位置的有源层40和第一绝缘层31进行同步刻蚀，使第一过孔91贯穿第二绝缘层32、有源层40以及第一绝缘层31；与此同时，由于第一数据线61和第一栅极层51之间同层设置，使同一列中相邻的像素单元之间的数据线无法直接连接贯通，因此本实施例
中的阵列基板在第一方向上相邻的两个像素单元之间还设置有与第一遮光层21同层的第二遮光层22，第二遮光层22的两端在第二方向上的正投影分别与两个像素单元的第一过孔91在第二方向上的正投影重合，以使两个像素单元的第一数据线61分别基于各自像素单元的第一过孔91与第二遮光层22连接，实现基于遮光层的跳线设计，完成相邻像素单元在第一方向上第一数据线61的连通。图4示出了图3中a-a线位置的截面的部分层级结构示意图，在图4中更清楚的体现了第二遮光层22的设置位置以及实现跳线的具体设计。具体地，第一方向为阵列基板所在平面中与第一栅极层的延伸方向垂直的方向，即图3中的竖直方向，第二方向则为垂直与阵列基板所在平面的方向。
39.进一步地，对于外围区的驱动tft结构来说，其无需进行像素电极和公共电极的设置，此时驱动tft结构的第一极和第二极(即源极和漏极)均为数据线，由于同层进行的栅极层的设置，使相邻的驱动tft结构之间的第一极和第二极之间无法直接在其所在层连接，本实施例同样通过遮光层的跳线设计实现数据线的互相连接。
40.具体地，图5示出了外围区内阵列基板的层级结构示意图。对于外围区的驱动tft结构来说，其衬底基板10对应的表面上设置有第三遮光层23和第四遮光层24，二者之间不连通；与显示区的像素单元类似的，在遮光层上依次设置有第一绝缘层31、有源层40和第二绝缘层32，在第二绝缘层32上则开设有第四过孔94和第五过孔95，其开设的位置分别与第三遮光层23和第四遮光层24对应，即第四过孔94在第二方向上的正投影被第三遮光层23在第二方向上的正投影完全覆盖，第五过孔95在第二方向上的正投影被第四遮光层24在第二方向上的正投影完全覆盖，并且第四过孔94和第五过孔95均同时贯穿了第二绝缘层32、有源层40以及第一绝缘层31；在第二绝缘层32上设置有第二栅极层52、第一极62以及第二极63，并且第一极62经由第一过孔94与第三遮光层23连接，第二极63则通过第五过孔95与第四遮光层24连接，分别作为驱动tft结构的源极和漏极使用；在栅极层上还对应设置有平坦层70，另外还可以设置图中未示出的其他封装层或保护层等结构。
41.图6示出了外围区内驱动tft结构的俯视示意图。如图6所示，多个驱动tft结构之间的第一极和第二极通过遮光层的设置实现连接，以图6中最左侧的驱动tft结构所示，假设其栅极上侧为作为源极使用的第一极62，其所连接的遮光层为第三遮光层23，通过第三遮光层23以及过孔的设置还可以使第一极62连接相邻的数据线端x(即相邻驱动tft结构的第一极或第二极)，同时栅极下侧为作为漏极使用的第二极63，其所连接的遮光层为第四遮光层24，通过第四遮光层24以及过孔的设置还可以使第二极63连接相邻的数据线端y和z(即相邻驱动tft结构的第一极或第二极)，实现信号的传递，并且不需要进行电路走线设计的调整。
42.在实际实现时，无论是外围区的驱动tft结构还是显示区的像素单元结构，其均通过同一套掩膜板进行图案的刻蚀以及过孔的制作，尤其针对第二绝缘层32上进行第一过孔91、第二过孔92、第四过孔94以及第五过孔95的制作时，只要在第二绝缘层32对应的掩膜板上进行预先开孔位置的设定，即可在一次刻蚀操作中同时进行上述四个过孔的制作，在简化制备流程的基础上实现了tft功能的满足以及层级结构的简化。需要注意的是，由于上述四个过孔的深度存在差异，在进行过孔刻蚀时可以通过控制刻蚀时间或者控制掩膜板对应位置开孔的大小来实现刻蚀程度的调节，具体可根据实际情况进行调整，本实施例不进行详细说明。
43.本实施例通过在第二绝缘层上开设的第一过孔和第二过孔，并配合平坦层上开设的第三过孔，实现数据线与栅极的同层设置，并且可以使像素电极与有源层直接接触，减少tft结构的其中一侧的源漏极设计以及相应的绝缘层设计，在确保产品性能的同时，大幅降低了阵列基板的制作工艺步骤和制作成本。
44.本公开的第二实施例提供了一种阵列基板的制备方法，主要用于制备ltps-tft的液晶显示基板，图7示出了阵列基板显示区内像素单元的制备流程示意图，主要包括步骤s11至s17：
45.s11，在衬底基板的显示区表面上设置第一遮光层；
46.s12，在第一遮光层远离衬底基板一侧设置第一绝缘层；
47.s13，在第一绝缘层远离第一遮光层一侧设置有源层；
48.s14，在有源层远离第一绝缘层一侧设置第二绝缘层，并且在第二绝缘层上开设第一过孔和第二过孔；
49.s15，在第二绝缘层远离有源层的一侧设置第一栅极层和第一数据线，以使第一数据线基于第一过孔与有源层连接；
50.s16，在第一栅极层远离第二绝缘层一侧设置平坦层，并且在平坦层上开设第三过孔，第三过孔的位置与第二过孔的位置重合；进一步地，第三过孔的孔径需要大于第二过孔的孔径；
51.s17，在平坦层远离第一栅极层一侧设置像素电极，以使像素电极基于第三过孔和第二过孔与有源层连接。
52.进一步地，在像素电极远离平坦层一侧设置还可以设置第三绝缘层，以及在第三绝缘层远离像素电极一侧设置公共电极层，也可继续设置其他封装层或保护层等。
53.基于上述流程所制备出的像素单元的层级示意图如图2所示，主要通过在第二绝缘层上开设的第一过孔和第二过孔，并配合平坦层上开设的第三过孔，实现数据线与栅极的同层设置，并且可以使像素电极与有源层直接接触，减少像素单元的其中一侧的源漏极设计以及相应的绝缘层设计，在确保产品性能的同时，大幅降低了阵列基板的制作工艺步骤和制作成本。
54.进一步地，在设置第一绝缘层之前，还可以在衬底基板的显示区表面上设置第二遮光层，使第二遮光层位于阵列基板在第一方向上相邻的两个像素单元之间，其中，第二遮光层的两端在第二方向上的正投影分别与两个像素单元的第一过孔在第二方向上的正投影重合。
55.与此同时，在开设第一过孔时，将其制备为贯穿第二绝缘层、有源层以及第一绝缘层的过孔，以使上述相邻的两个像素单元的第一数据线分别基于各自像素单元中的第一过孔与第二遮光层连接，通过第二遮光层作为跳线实现数据线之间的连通；其中，第一方向为阵列基板所在平面内与第一栅极层的延伸方向垂直的方向，第二方向为垂直与阵列基板所在平面的方向。
56.在实际执行图7所示的方法的过程中，在衬底基板的显示区表面上设置第一遮光层的同时，还可以在衬底基板的外围区表面上设置第三遮光层和第四遮光层，第三遮光层和第四遮光层不连接；随后在显示区进行第一绝缘层、有源层和第二绝缘层的制备时，同时进行外围区相应层级的制备，并且在第二绝缘层上开设第一过孔和第二过孔的同时，进行
第四过孔和第五过孔的开设，其中，第四过孔在第二方向上的正投影被第三遮光层在第二方向上的正投影完全覆盖，第五过孔在第二方向上的正投影被第四遮光层在第二方向上的正投影完全覆盖，第四过孔和第五过孔均贯穿第二绝缘层、有源层以及第一绝缘层；随后在第二绝缘层制备第一栅极层和第一数据线的同时，在外围区制备第二栅极、第一极和第二极，以使第一极基于第四过孔与第三遮光层连接，并基于第三遮光层与其他驱动tft结构的第一极或第二极连接，第二极基于第五过孔与第四遮光层连接，并基于第四遮光层与其他驱动tft结构的第一极或第二极连接，实现相邻的驱动tft的源漏极之间通过遮光层形成的跳线进行连接。
57.应当了解的是，在实际实现时，无论是外围区的tft结构还是显示区的像素单元结构，其均通过同一套掩膜板进行图案的刻蚀以及过孔的制作，尤其针对第二绝缘层上进行第一过孔、第二过孔、第四过孔以及第五过孔的制作时，只要在第二绝缘层对应的掩膜板上进行预先开孔位置的设定，即可在一次刻蚀操作中同时进行上述四个过孔的制作，在简化制备流程的基础上实现了tft功能的满足以及tft层级结构的简化。需要注意的是，由于上述四个过孔的深度存在差异，在进行过孔刻蚀时可以通过控制刻蚀时间或者控制掩膜板对应位置开孔的大小来实现刻蚀程度的调节，具体可根据实际情况进行调整，本实施例不进行详细说明。
58.本公开的第三实施例提供了一种显示设备，例如基于ltps-tft的液晶显示设备，该显示设备至少包括如本公开第一实施例中所提供的tft阵列基板，该阵列基板通过在第二绝缘层上开设的第一过孔和第二过孔，并配合平坦层上开设的第三过孔，实现数据线与栅极的同层设置，并且可以使像素电极与有源层直接接触，减少像素单元的tft结构的其中一侧源漏极设计以及相应的绝缘层设计，在确保产品性能的同时，大幅降低了阵列基板的制作工艺步骤和制作成本，进而提升了显示设备制备所需要的时间，同时降低了阵列基板厚度，为显示设备轻薄化做出贡献。
59.以上对本公开多个实施例进行了详细说明，但本公开不限于这些具体的实施例，本领域技术人员在本公开构思的基础上，能够做出多种变型和修改实施例，这些变型和修改都应落入本公开所要求保护的范围之内。