一种新型的过温保护瞬态电压抑制器的制作方法

技术特征：
1.一种新型的过温保护瞬态电压抑制器，包括外壳、灌封料、tvs组件、盖板、tco组件、p1引出脚、p2引出脚和p3引出脚，其特征在于，tvs组件与tco组件连接，形成串联，通过灌封料填充置于外壳与盖板构成的容腔内；所述tco组件连接在p1引出脚和p3引出脚之间；所述tvs组件由第一tvs电极、tvs芯片和第二tvs电极构成；所述第一tvs电极和所述第二tvs电极均设置有引出端，至少一个tvs电极设置有焊接凸台，并通过焊接凸台和tvs芯片连接；同时，所述第一tvs电极的引出端构成所述p2引出脚，所述第二tvs电极的引出端构成所述p3引出脚。2.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第一tvs电极和所述第二tvs电极均设置有焊接凸台。3.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述焊接凸台是四面封的凸台或具有破面的凸台。4.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述焊接凸台接触面积≥2平方毫米。5.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述tco组件包括壳体、第二tco电极、易熔合金、助熔断剂、封口料和第一tco电极；所述壳体，形成一个腔体，所述腔体包括位于腔体内侧的第一腔体和位于腔体开口处的第二腔体；所述第一tco电极，包括引出连接端和内置连接端，所述第一tco电极的引出连接端构成所述瞬态电压抑制器的p1引出脚；所述第二tco电极，包括引出连接端和内置连接端；所述第一tco电极、所述第二tco电极的内置连接端通过易熔合金连接，置于所述壳体的第一腔体中；所述第一腔体填充所述助熔断剂以包裹所述易熔合金，所述第二腔体填充所述封口料，将所述第一tco电极、所述第二tco电极、所述助熔断剂与所述壳体紧密结合。6.根据权利要求5所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第一tco电极的引出端具有“u”型结构，所述“u”型结构上设置有≥1个阻断槽。7.根据权利要求5所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第一腔体包括平行的两个以上分腔体，所述第一tco电极和所述第二tco电极内置连接端均包括两个以上连接端分支，每对连接端分支在一个分腔体内通过易熔合金连接。8.根据权利要求5所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第二腔体与所述第一腔体存在段差，段差间隙≥0.1mm。9.根据权利要求5所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述第一tco电极的内置连接端和所述第二tco电极的内置连接端上设置有凸点，凸点高度≥0.1mm。10.根据权利要求1所述的瞬态电压抑制器，其特征在于，所述tvs组件与所述tco组件的连接是通过一个一体式电极连接，即同一电极的两端分别构成所述tvs组件的一引出电极和所述tco组件的一引出电极。

技术总结
本实用新型公开了一种新型的过温保护瞬态电压抑制器，包括外壳、灌封料、TVS组件、盖板、TCO组件、P1引出脚、P2引出脚和P3引出脚，TVS组件与TCO组件连接，形成串联，通过灌封料填充置于外壳与盖板构成的容腔内；所述TCO组件连接在P1引出脚和P3引出脚之间；所述TVS组件由第一TVS电极、TVS芯片和第二TVS电极构成；所述第一TVS电极和所述第二TVS电极均设置有引出端，至少一个TVS电极设置有焊接凸台，并通过焊接凸台和TVS芯片连接；同时，所述第一TVS电极的引出端构成所述P2引出脚，所述第二TVS电极的引出端构成所述P3引出脚。本实用新型的过温保护瞬态电压抑制器可降低TVS组件材料间的膨胀/收缩量，减小热应力，从而改善长期温循后应力集中现象，稳固产品性能。稳固产品性能。稳固产品性能。


技术研发人员：汤跃聪 罗禄全 张祥贵 江建国
受保护的技术使用者：厦门赛尔特电子有限公司
技术研发日：2022.06.14
技术公布日：2022/10/21