一种荧光可调型防伪材料及其制备方法

技术特征：
1.一种荧光可调型防伪材料，其特征在于：所述材料的化学组成为k3lu
(1-y)
bi
y
si
(2-x)
o7，所述的x取值范围为0.05～0.15,y取值范围为0.01～0.03，且x与y比值为5～13：1。2.如权利要求1所述的荧光可调型防伪材料，其特征在于：bi
3
离子占据k3lusi2o7基质不同格位时具有不同的发光特性。3.如权利要求1所述的荧光可调型防伪材料，其特征在于：在275nm激发下，占据基质lu格位的bi
3
离子可发出肉眼不可见的、位于320～400nm的紫外光；当激发波长改变为365nm时，占据基质k2格位的bi
3
离子可发出位于400～500nm的蓝紫光。4.一种如权利要求1所述的荧光可调型防伪材料，其特征在于：通过减少k3lusi2o7中的si离子含量，使基质晶格中产生呈电中性的复合型缺陷和相应的缺陷能级；在275nm激发下，通过与缺陷能级相关的辐射跃迁可产生位于450～650nm的黄绿光；在365nm光激发下，该与缺陷相关的发光带消失。5.制备如权利要求1所述的荧光可调型防伪材料的方法，其特征在于，步骤如下：(1)将k2co3、lu2o3、sio2和bi2o3粉末按比例混合后，放入装有磨球的球磨罐中密封，球料比为(5～8)：1；进行球磨混料，转速为80～120rpm，运转时间为4～6h；(2)将上述步骤(1)中混合好的原料装入坩埚后，以2～5℃/min的升温速度从室温升温到550～650℃，保温1～2h；冷却至室温后，将得到的前驱体粉研磨均匀后，置于管式炉中，在95％n2 5％h2还原气氛保护下，以5～10℃/min的升温速度升温到1000～1400℃，保温8～15h后，冷却至室温，研磨后得到最终产物。6.如权利要求5所述的荧光可调型防伪材料的制备方法，其特征在于：k2co3、lu2o3、sio2和bi2o3粉末平均粒度为10～15μm，纯度不低于99.9％。7.如权利要求5所述的荧光可调型防伪材料的制备方法，其特征在于：在步骤(1)之前，对原料进行预处理，即将原料在空气中于400℃保温3～6h。8.如权利要求5所述的荧光可调型防伪材料的制备方法，其特征在于：混料时所用磨球为玛瑙球或二氧化锆球，所用球磨罐为玛瑙罐或二氧化锆罐。9.如权利要求1所述的荧光可调型防伪材料的应用，其特征在于：将荧光可调型材料与胶水混合，用于绘制防伪图案。10.如权利要求9所述的荧光可调型防伪材料的应用，其特征在于：在275nm光激发下，荧光可调型防伪材料发出与缺陷能级相关的黄绿光和源自bi
3
离子(lu格位)的紫外光，防伪图案呈现黄绿色荧光；将激发波长改为365nm后，bi
3
离子(k2格位)的辐射跃迁可产生蓝紫光，而缺陷能级不发光，防伪图案呈现蓝紫色荧光；并且，在275nm与365nm紫外光共同激发下，可产生由黄绿光和蓝紫光混合而成的粉色荧光。

技术总结
本发明公开了一种可用于防伪的荧光可调型发光材料，所述发光材料的化学组成为K2Lu


技术研发人员：李嘉雯 雷若姗 李珺仪 王佳雯 徐时清 王焕平
受保护的技术使用者：中国计量大学
技术研发日：2022.07.18
技术公布日：2022/10/11