包含具有强垂直磁各向异性的顶部磁性钉扎层的MTJ堆叠的制作方法

技术特征：
fe-b)合金或包含附加铁的co-fe-b合金多层堆叠组成。15.根据权利要求14所述的stt mram装置，进一步包括：存在于所述co-fe-b合金多层堆叠中的金属插入层，其中所述金属插入层包括钨(w)、钽(ta)、铱(ir)或铽(tb)。16.根据权利要求9所述的stt mram装置，其中，所述第二磁性钉扎层由钴(co)和铂(pt)的多层或超晶格、钴(co)和钯(pd)的多层或超晶格、或者钴(co)、镍(ni)和铂(pt)的多层或超晶格组成。17.一种形成顶部钉扎磁性隧道结(mtj)堆叠的方法，所述方法包括：在具有体心立方(bcc)纹理的磁性自由层上形成具有bcc纹理的隧道势垒层；在所述隧道势垒层上形成具有bcc纹理的第一磁性钉扎层，在所述第一磁性钉扎层上沉积晶粒生长控制层，其中所述晶粒生长控制层有利于具有面心立方(fcc)纹理或六方密堆积(hcp)纹理的磁性材料的形成；以及在所述晶粒生长控制层上形成具有所述fcc纹理或所述hcp纹理的第二磁性钉扎层，其中在沉积了所述晶粒生长控制层之后执行原位退火。18.根据权利要求17所述的方法，其中，在沉积了所述晶粒生长控制层之后但在形成所述第二磁性钉扎层之前执行所述原位退火。19.根据权利要求17所述的方法，其中，在沉积了所述晶粒生长控制层之后并且在形成所述第二磁性钉扎层的至少一部分之后执行所述原位退火。20.根据权利要求17所述的方法，其中，所述晶粒生长控制层由铑(rh)、钆(gd)、钬(ho)、钽(ta)、铪(hf)或钨(w)组成，并且具有0.05nm至2nm的厚度。

技术总结
提供一种包含磁性钉扎分层结构的顶部钉扎磁性隧道结(MTJ)堆叠，该磁性钉扎分层结构包括具有强垂直磁各向异性(PMA)的第二磁性钉扎层。磁性钉扎分层结构包括位于具有体心立方(BCC)纹理的第一磁性钉扎层与第二磁性钉扎层之间的晶粒生长控制层。晶粒生长控制层的存在有利于具有面心立方(FCC)纹理或六方密堆积(HCP)纹理的第二磁性钉扎层的形成，进而促进针对磁性钉扎分层结构中的第二磁性钉扎层的强PMA。强PMA。强PMA。


技术研发人员：禹成勋 M
受保护的技术使用者：国际商业机器公司
技术研发日：2021.01.14
技术公布日：2022/9/14