光探测器芯片镀膜结构

技术特征：
1.一种光探测器芯片镀膜结构，包括：光探测器芯片，所述光探测器芯片包括光敏面；折射率梯度区，形成于所述光敏面上，所述折射率梯度区包括沿预设方向折射率依次增大的多层膜，所述预设方向为自所述折射率梯度区至所述光探测器芯片的延伸方向；增透膜，设置于所述折射率梯度区上；其中，外部的光束在空气中依次经所述增透膜、所述折射率梯度区耦合至所述光探测器芯片，以使所述光探测器芯片对所述光束进行探测。2.根据权利要求1所述的光探测器芯片镀膜结构，其中，沿着所述预设方向，所述折射率梯度区的每相邻的两层膜的折射率的差依次减小。3.根据权利要求2所述的光探测器芯片镀膜结构，其中，所述折射率梯度区的每相邻的两层膜的折射率的差依次减小包括：所述折射率梯度区的每相邻的两层膜的折射率的差按第一递减分布函数依次减小。4.根据权利要求1所述的光探测器芯片镀膜结构，其中，所述折射率梯度区中多层膜的层数大于等于3层。5.根据权利要求1所述的光探测器芯片镀膜结构，其中，沿着所述预设方向，所述折射率梯度区的多层膜的厚度的依次减小。6.根据权利要求5所述的光探测器芯片镀膜结构，其中，沿着所述预设方向，所述折射率梯度区的多层膜的厚度的依次减小包括：沿着所述预设方向，所述折射率梯度区的多层膜的厚度按第二递减函数依次减小。7.根据权利要求1所述的光探测器芯片镀膜结构，其中，所述折射率梯度区中与所述增透膜相邻的膜的折射率大于所述增透膜的折射率。8.根据权利要求7所述的光探测器芯片镀膜结构，其中，所述折射率梯度区中与所述增透膜相邻的膜的折射率为所述增透膜的折射率的平方。

技术总结
本发明公开了一种光探测器芯片镀膜结构，包括：光探测器芯片，折射率梯度区和增透膜；光探测器芯片包括光敏面；折射率梯度区形成于光敏面上，折射率梯度区包括沿预设方向折射率依次增大的多层膜，预设方向为自折射率梯度区至光探测器芯片的延伸方向；增透膜设置于折射率梯度区上。本发明实施例提供的光探测器芯片镀膜结构，通过设置折射率梯度区，即沿预设方向折射率依次增大的多层膜结构，能够将外部光束耦合至光探测器中，同时使得耦合至光探测器芯片光敏面的光束近似平行，耦合效率较高。耦合效率较高。耦合效率较高。


技术研发人员：祝宁华 陈少康 杜昕昊 李明 刘宇
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2022.06.27
技术公布日：2022/9/13