固态摄像装置和电子设备的制作方法

1.本公开涉及固态摄像装置和包括该固态摄像装置的电子设备。


背景技术：

2.近年来，已知一种能够同时获取彩色图像和近红外图像的固态摄像装置。在该固态摄像装置中，用于可见光的光电转换单元(像素)和用于近红外光的光电转换单元(像素)形成在同一基板(芯片)上。
3.由于构造基板的硅(si)的吸收系数低，因此与可见光相比，即使在距由si制成的光接收面较深的深度处，近红外光也能进行光电转换。因此，强烈要求通过反射到达配线层的近红外光来改善灵敏度。
4.此外，在si较薄的规格中，由于可见光到达配线层，因此也强烈要求通过反射可见光来改善灵敏度。
5.因此，近年来，提出了将设置在si层的下层侧的各种配线层也用作反射镜结构的固态摄像装置(例如，专利文献1)。
6.引用文献列表
7.专利文献
8.专利文献1：日本发明专利公开第2016 001633号公报


技术实现要素：

9.技术问题
10.顺便提一下，当将配线层用作反射层时，配线布局会受到限制。
11.当设置具有防止入射光反射的蛾眼结构的防反射部(rig)时，例如，近红外光在用于近红外光的像素中被rig反射，反射的近红外光容易被配线层反射并泄漏到相邻像素，从而容易发生混色。
12.本公开就是鉴于这样的情况而做出的，并且本公开的目的是提供能够在不受配线布局限制的情况下提高近红外波长的灵敏度并且抑制混色的固态摄像装置和电子设备。
13.问题的解决方案
14.本公开的一个方面提供了一种固态摄像装置，其包括：基板，在所述基板上，对应于不同光的波长形成有对入射光进行光电转换的多个光电转换单元；配线层，其包括晶体管和配线，所述晶体管层叠在所述基板的与光入射侧的面相反的面上，并且位于光电转换单元侧以对从所述光电转换单元输出的电荷执行信号处理，所述配线位于所述晶体管的与所述光电转换单元侧相反的那侧，以传输由所述晶体管获得的电信号；和反射设计膜，其至少从所述基板和所述配线层之间的接合部形成在所述晶体管侧，所述反射设计膜具有比所述配线层高的反射率并且使入射光的垂直分量反射。
15.本发明的另一方面提供了一种电子设备，所述电子设备包括固态摄像装置，所述固态摄像装置包括：基板，在所述基板上，对应于不同光的波长形成有对入射光进行光电转
换的多个光电转换单元；配线层，其包括晶体管和配线，所述晶体管层叠在所述基板的与光入射侧的面相反的面上，并且位于光电转换单元侧以对从所述光电转换单元输出的电荷执行信号处理，所述配线位于所述晶体管的与所述光电转换单元侧相反的那侧，以传输由所述晶体管获得的电信号；和反射设计膜，其至少从所述基板和所述配线层之间的接合部形成在所述晶体管侧，所述反射设计膜具有比所述配线层高的反射率并且使入射光的垂直分量反射。
附图说明
16.图1是示出根据本公开的第一实施例的固态摄像装置1的整体的示意性构造图。
17.图2是示出根据本公开的第一实施例的固态摄像装置的像素区域的构造的截面图。
18.图3是从a-a方向观察通过垂直切断穿过图2的光电转换单元的单点划线获得的截面的截面图。
19.图4是示出比较例中的固定摄像装置的示例的截面图。
20.图5是示出另一比较例中的固定摄像装置的示例的截面图。
21.图6是示出在根据本公开的第一实施例的固态摄像装置中入射光如何被反射设计膜反射的图。
22.图7是根据本公开的第二实施例的固态摄像装置的从a-a方向观察通过垂直切断穿过图2的光电转换单元的单点划线获得的截面的截面图。
23.图8是在根据本公开的第二实施例中在像素晶体管上形成有反射设计层的截面图。
24.图9是根据本公开的第三实施例的固态摄像装置的从a-a方向观察通过垂直切断穿过图2的光电转换单元的单点划线获得的截面的截面图。
25.图10是根据本公开的第四实施例的电子设备的示意图。
具体实施方式
26.下面将参照附图说明本公开的实施例。在以下说明中参照的附图说明中，相同或相似的部分将由相同或相似的附图标记表示，并且将省略重复的说明。然而，应当注意的是，附图是示意性的，并且厚度与平面尺寸的关系、各装置和各构件的厚度比例等与实际情况不同。因此，具体的厚度和尺寸应当考虑以下说明来确定。此外，附图之间当然也包括具有不同尺寸关系和比例的部分。
27.此外，应当理解的是，以下说明中诸如上和下等方向的定义仅仅是为了简洁而提供的定义，并不旨在限制本公开的技术思想。例如，很明显，当将对象旋转90
°
后再观察时，上和下被转换为左和右，并理解为左和右，并且当将对象旋转180
°
后再观察时，上和下被理解为颠倒。
28.本说明书中描述的有益效果仅是示例性的而不是限制性的，并且可以产生其他有益效果。
29.《第一实施例》
30.《固态摄像装置的整体构造》
31.将说明根据本公开的第一实施例的固态摄像装置1。图1是示出根据本公开的第一实施例的固态摄像装置1的整体的示意性构造图。
32.图1中的固态摄像装置1是背面照射型cmos(complementary metal oxide semiconductor：互补金属氧化物半导体)图像传感器。该固态摄像装置1通过光学透镜获取来自被摄体的图像光，以像素为单位将在成像面上形成的入射光的光量转换为电信号，并且将电信号作为像素信号输出。
33.如图1所示，根据第一实施例的固态摄像装置1包括基板2、像素区域3、垂直驱动电路4、列信号处理电路5、水平驱动电路6、输出电路7和控制电路8。
34.像素区域3在基板2上包括以二维阵列规则地排列的多个像素9。像素9包括图2所示的光电转换单元20r、光电转换单元20g、光电转换单元20b和光电转换单元20ir以及多个像素晶体管(未示出)。作为多个像素晶体管，例如，能够采用四种晶体管，即，传输晶体管、复位晶体管、选择晶体管和放大器晶体管。此外，例如，可以采用除了选择晶体管之外的三种晶体管。
35.例如由移位寄存器构成的垂直驱动电路4选择所需的像素驱动配线10，该垂直驱动电路4将用于驱动像素9的脉冲提供给所选择的像素驱动配线10，并且以行为单位驱动像素9。即，垂直驱动电路4以行为单位在垂直方向上对像素区域3中的像素9依次进行选择性扫描，并且通过垂直信号线11将基于与在每个像素9的光电转换单元20r、光电转换单元20g、光电转换单元20b和光电转换单元20ir中接收到的光量对应生成的信号电荷的像素信号提供给列信号处理电路5。
36.例如，列信号处理电路5是针对像素9的各列设置的，并且列信号处理电路5针对各像素列，对从与一行对应的像素9输出的信号执行诸如噪声去除等信号处理。例如，列信号处理电路5执行用于去除像素特有的固定模式噪声的cds(correlated double sampling：相关双采样)和ad(analog digital)转换等信号处理。
37.例如由移位寄存器构成的水平驱动电路6将水平扫描脉冲依次输出到列信号处理电路5，以依次选择每个列信号处理电路5，并且水平驱动电路6将进行了信号处理的像素信号从每个列信号处理电路5输出到水平信号线12。
38.输出电路7对通过水平信号线12从每个列信号处理电路5依次提供的像素信号进行信号处理，并且输出这些像素信号。可以使用的信号处理的示例包括缓冲、黑电平调整、阵列变化校正和各种数字信号处理等。
39.控制电路8基于垂直同步信号、水平同步信号和主时钟信号生成作为垂直驱动电路4、列信号处理电路5和水平驱动电路6等的操作的基准的时钟信号或控制信号。此外，控制电路8将生成的时钟信号或控制信号输出到垂直驱动电路4、列信号处理电路5和水平驱动电路6等。
40.图2示出了图1所示的固态摄像装置1的像素区域3的平面图。如图2所示，多个光电转换单元20r、20g、20b和20ir以马赛克图案布置。在图2中，示意性地，字母“r”表示用于红色的光电转换单元20r，“b”表示用于蓝色的光电转换单元20b，“g”表示用于绿色的光电转换单元20g，“ir”表示用于近红外光的光电转换单元20ir。光电转换单元20r、光电转换单元20g、光电转换单元20b和光电转换单元20ir的布置图案不限于图2的情况，并且能够采用各种布置图案。
41.图2示出了光电转换单元20r、光电转换单元20g、光电转换单元20b和光电转换单元20ir在行方向和列方向上以相等间距布置的情况。光电转换单元20r、光电转换单元20g、光电转换单元20b和光电转换单元20ir由元件分离部31电分离。元件分离部31形成为格子图案，以分别包围光电转换单元20r、光电转换单元20g、光电转换单元20b和光电转换单元20ir。
42.图3示出了从a-a方向观察通过垂直切断穿过图2的光电转换单元20ir和20b的单点划线获得的截面的截面图。
43.在图3中，作为固态摄像装置1，示出了背面照射型cmos(complementary metal oxide semiconductor：互补金属氧化物半导体)图像传感器。在下文中，将固态摄像装置1的各部件的光入射面侧(图3的上侧)的面称为“背面”，并且将固态摄像装置1的各部件的与光入射面侧相反的那侧(图3的下侧)的面称为“表面”。
44.如图3所示，在固态摄像装置1中，基板2、具有蛾眼结构的防反射部(rig)13、绝缘膜14、遮光膜15和平坦化膜16依次层叠。在平坦化膜16的背面s1上依次层叠有用于近红外光的滤色器17a、用于蓝色的滤色器17b以及芯片上透镜18a和芯片上透镜18b。在基板2的表面s2上依次层叠有配线层40和支撑基板50。
45.在固态摄像装置1的基板2上形成有光电转换单元20r、光电转换单元20g、光电转换单元20b和光电转换单元20ir(在图3中仅示出了光电转换单元20b和光电转换单元20ir)。图3示出了其中用于近红外光的光电转换单元20ir与用于蓝色的光电转换单元20b相邻的情况。
46.作为基板2，例如，能够使用由硅(si)制成的半导体基板。光电转换单元20ir具有n型半导体区域21a和形成在基板2的表面s2侧的p型半导体区域22a，并且n型半导体区域21a和p型半导体区域22a形成光电二极管。光电转换单元20b具有n型半导体区域21b和形成在基板2的表面s2侧的p型半导体区域22b，并且n型半导体区域21b和p型半导体区域22b形成光电二极管。
47.在光电转换单元20ir和光电转换单元20b中，产生与入射光量相对应的信号电荷，并且所产生的信号电荷被累积在n型半导体区域21a和n型半导体区域21b中。导致在基板2的界面处产生暗电流的电子被形成在基板2的表面s2和背面s3上的作为p型半导体区域22a和p型半导体区域22b的多数载流子的空穴吸收，从而抑制暗电流。
48.光电转换单元20ir和光电转换单元20b通过由p型半导体区域构成的像素分离层30和形成在像素分离层30中的元件分离部31电分离。如图3所示，元件分离部31具有从基板2的背面s3侧沿着深度方向形成的凹槽部32。即，通过在基板2的背面s3侧的相邻的光电转换单元20ir和光电转换单元20b之间雕刻来形成凹槽部32。与像素分离层30和元件分离部31类似，凹槽部32形成为如图2所示的格子图案以分别包围光电转换单元20r、光电转换单元20g、光电转换单元20ir和光电转换单元20b。在凹槽部32中嵌入有用于提高针对近红外光的遮光性能的绝缘膜33。
49.防反射部(rig)13防止入射光的反射。绝缘膜14连续地覆盖基板2的整个背面s3以覆盖rig 13。遮光膜15以在绝缘膜14的背面侧的一部分(光接收面侧的一部分)中使光电转换单元20ir和光电转换单元20b的光接收面开口的方式形成为格子图案。平坦化膜16连续地覆盖包括遮光膜15在内的绝缘膜14的整个背面侧。作为平坦化膜16的材料，能够使用诸
如树脂等有机材料。
50.芯片上透镜18a和芯片上透镜18b收集照射光，并且使收集的光分别经由滤色器17a和滤色器17b有效地入射到基板2中的光电转换单元20ir和光电转换单元20b上。芯片上透镜18a和芯片上透镜18b能够由不具有光吸收特性的绝缘材料制成。不具有光吸收特性的绝缘材料的示例包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、有机sog、聚酰亚胺基树脂和氟基树脂等。
51.滤色器17a对应于各像素9要接收的近红外光的波长形成。滤色器17a使近红外波长的光透过，并且使透过的光入射到基板2中的光电转换单元20ir上。滤色器17b对应于各像素9要接收的蓝色光的波长形成。滤色器17b使蓝色光波长的光透过，并且使透过的光入射到基板2中的光电转换上单元20b上。
52.配线层40形成在基板2的表面s2侧，并且配线层40包括层叠为多个层的像素晶体管tr和配线41。像素晶体管tr布置在基板2侧。配线41布置在像素晶体管tr的表面侧。通过形成在配线层40中的多层配线41来驱动构成像素9的像素晶体管tr。例如，配线层40使用氧化硅(sio)。
53.支撑基板50形成在配线层40的与面向基板2的一侧相反的面上。支撑基板50是用于在固态摄像装置1的制造阶段确保基板2的强度的基板。作为支撑基板50的材料，例如，能够采用硅(si)。
54.在具有上述构造的固态摄像装置1中，光从基板2的背面侧照射，照射的光透过芯片上透镜18a和芯片上透镜18b以及滤色器17a和滤色器17b，并且透过的光由光电转换单元20b和光电转换单元20ir光电转换，从而产生信号电荷。然后，所产生的信号电荷经由形成在配线层40中的像素晶体管tr，在由配线41形成的图1所示的垂直信号线11上作为像素信号输出。
55.《比较例》
56.由于构成基板2的硅(si)的吸收系数低，因此与可见光相比，即使在距由si制成的光接收面较深的深度处，近红外光也能进行光电转换。因此，如图4所示，提出使用配线层40的配线41来反射到达配线层40的光并且有助于灵敏度。
57.图4是示出比较例的固态摄像装置1的示例的截面图。在图4中，与图3相同的部分由相同的附图标记表示，并且将省略其详细说明。
58.在比较例中，当将配线层40用作反射层时，配线41的布局受到限制。
59.此外，在比较例中，如图5所示，由rig 13衍射和散射的近红外光倾斜地入射到配线41上并且进入用于蓝色的光电转换单元20b，从而导致混色。
60.《第一实施例中的对策》
61.返回图3，在本技术的第一实施例中，在基板2和配线层40之间的接合处形成有具有比配线层40高的反射率的反射设计膜61。对于反射设计膜61，使用具有与硅(si)不同的折射率的氮化硅(sin)或氧化硅(sio)来代替用于基板2的硅(si)。当配线层40使用氧化硅(sio)时，反射设计膜61优选使用氮化硅(sin)。当配线层40使用氮化硅(sin)时，反射设计膜61优选使用氧化硅(sio)。
62.反射设计膜61在除了光电转换单元20b和光电转换单元20ir与像素晶体管tr彼此面对的位置以外的位置处被图案化。此外，如图6所示，例如，在si/sin/sio膜构造的情况下，当近红外光的波长为λ并且与从基板2到配线层40的层叠方向对应的深度为n时，反射设
计膜61的强化厚度d为2
×
λ/4n＝2
×
850nm/(4
×
2.0)，约为210nm。此外，反射设计膜61的弱化厚度为3
×
850nm/(4
×
2.0)，约为300nm。
63.因此，反射设计膜61使入射光的垂直分量更多地反射，从而有助于提高对入射的近红外光和可见光的灵敏度，而不受配线41的布局限制。
64.此外，即使存在由rig 13引起的衍射或散射，由于反射设计膜61对来自倾斜方向的入射光具有低反射率，因此也能够抑制相邻像素的混色。
65.《根据第一实施例的作用和效果》
66.如上所述，根据第一实施例，在不使用配线层40的配线41作为反射膜的情况下，在基板2和配线层40之间的接合部(si界面)处形成有反射设计膜61，该反射设计膜61具有比配线层40更高的反射率并且反射入射光的垂直分量。因此，入射到光电转换单元20ir和光电转换单元20b的光量增加，从而有助于提高对近红外光和可见光的灵敏度，而不受配线的布局限制。此外，即使存在由rig 13引起的衍射或散射，由于反射设计膜61对来自倾斜方向的入射光具有低反射率，因此也能够抑制相邻像素的混色。此外，可以优先考虑转换效率进行设计，而不用担心使用配线41的反射。
67.此外，根据第一实施例，反射设计膜61形成在除了光电转换单元20ir和光电转换单元20b与像素晶体管tr彼此面对的位置以外的位置。因此，能够确保光电转换单元20ir和光电转换单元20b与像素晶体管tr之间的配线。
68.此外，根据第一实施例，半导体装置包括元件分离部31，该元件分离部31用于在相邻的光电转换单元20ir和光电转换单元20b之间绝缘和分离，并且在光电转换单元20ir和光电转换单元20b的每一个上设置有防止入射光反射的rig 13。因此，在用于近红外光的光电转换单元20ir中，能够增强针对近红外光的遮光性能。此外，能够抑制经由元件分离部31从用于近红外光的光电转换单元20ir泄露的光，从而有助于提高对近红外光的灵敏度。
69.《第二实施例》
70.接下来，将说明第二实施例。第二实施例是第一实施例的变形，并且第二实施例说明了在配线层40中的像素晶体管与配线41之间以及配线层40的表面上进一步形成反射设计膜的情况。
71.图7示出了根据第二实施例的固态摄像装置1a的从a-a方向观察通过垂直切断穿过图2的光电转换单元20ir和光电转换单元20b的单点划线获得的截面的截面图。在图7中，与图3相同的部分由相同的附图标记表示，并且将省略其详细说明。
72.如图7所示，固态摄像装置1a的像素9a在基板2与配线层40的接合处形成无图案化的反射设计膜62。固态摄像装置1a的像素9a在像素晶体管tr和配线41之间形成反射设计膜63。固态摄像装置1a的像素9a在配线层40的表面上形成反射设计膜64。
73.如图8所示，像素晶体管tr由栅电极71、漏极区域72和源极区域73构成。栅电极71、漏极区域72和源极区域73被绝缘膜74覆盖。来自栅电极71的配线部75连接在漏极区域72和源极区域73之间。配线41电连接至源极区域73。光电转换单元20ir和光电转换单元20b电连接至栅电极71。
74.即，当从光电转换单元20ir和光电转换单元20b向栅电极71施加电位时，像素晶体管tr使漏极区域72和源极区域73导通并且经由配线41传输像素信号。
75.例如，配线部75使用遮光性高的钨。例如，绝缘膜74使用氧化硅。例如通过在绝缘
层74和配线部75之间嵌入氮化硅来形成反射设计层76。
76.因此，反射设计层76使从反射设计膜62泄漏的光的垂直分量更多地反射，从而有助于提高对入射的近红外光和可见光的灵敏度，而不受配线41的布局限制。
77.《根据第二实施例的作用和效果》
78.如上所述，根据第二实施例，在基板2和配线层40之间的接合部处形成反射设计膜62，在像素晶体管tr和配线41之间也形成反射设计膜63，并且在配线层40的表面上形成反射设计膜64。因此，通过形成在像素晶体管tr和配线41之间的反射设计膜63或在配线层40的表面上的反射设计膜64，能够将从形成在基板2和配线层40之间的接合处的反射设计膜62泄漏的光的垂直分量反射到光电转换单元20ir和光电转换单元20b，从而有助于进一步提高对入射的近红外光和可见光的灵敏度。
79.此外，根据第二实施例，像素晶体管tr也能够用作反射设计膜
80.《第三实施例》
81.接下来，将说明第三实施例。第三实施例是第一实施例的变形，并且第三实施例说明了其中将rig替换为平坦的防反射部并且仅在元件分离部的下方去除反射设计膜的情况。
82.图9示出了根据第三实施例的固态摄像装置1b的从a-a方向观察通过垂直切断穿过图2的光电转换单元20ir和光电转换单元20b的单点划线获得的截面的截面图。在图9中，与图3相同的部分由相同的附图标记表示，并且将省略其详细说明。
83.如图9所示，固态摄像装置1b的像素9b在基板2与配线层40的接合处形成反射设计膜65。固态摄像装置1b的像素9b设置有平坦的防反射部81来代替rig 13，以防止入射光的反射。
84.反射设计膜65在元件分离部31与配线层40彼此面对的位置以外的位置被图案化。在各元件分离部31的下方形成有p阱区域34。在p阱区域34中形成有浮动扩散部。在浮动扩散部中累积由光电转换单元20b和光电转换单元20ir光电转换的信号电荷。
85.在配线层40中，在各元件分离部31的下方布置有像素晶体管tr。这里，由于在浮动扩散部与像素晶体管tr之间去除了反射设计膜65，因此确保浮动扩散部与像素晶体管tr之间的配线。
86.在具有上述构造的固态摄像装置1b中，光从基板2的背面侧照射，照射的光透过芯片上透镜18a和芯片上透镜18b以及滤色器17a和滤色器17b，并且透过的光被光电转换单元20b和光电转换单元20ir光电转换，从而产生信号电荷。然后，所产生的信号电荷被累积在浮动扩散部中。在浮动扩散部中累积的信号电荷经由形成在配线层40中的像素晶体管tr，在由配线41形成的图1所示的垂直信号线11上作为像素信号输出。
87.《根据第三实施例的作用和效果》
88.如上所述，即使在第三实施例中，也能够获得与第一实施例相同的作用和效果。
89.《第三实施例的变形例》
90.作为第三实施例的变形例，用于近红外光的芯片上透镜18a可以由具有高折射率的芯片上透镜形成。在这种情况下，使用氮化硅或氧化铝。
91.《其他实施例》
92.尽管上面以第一实施例至第三实施例以及第三实施例的变形例的形式说明了本
技术，但是不应理解为构成本公开的一部分的说明和附图是限制本技术的。当理解第一实施例至第三实施例所公开的技术内容的目的时，本领域技术人员将清楚，各种替代实施例、示例和运用技术包括在本技术中。此外，在不产生矛盾的范围内，能够适当地组合第一实施例至第三实施例以及第三实施例的变形例中公开的构造。例如，可以组合在多个不同实施例中公开的构造，或者可以组合在同一实施例的多个不同变形例中公开的构造。
93.《电子设备的应用例》
94.接下来，将说明根据本公开的第四实施例的电子设备。图10是根据本公开的第四实施例的电子设备100的示意性构造图。
95.根据第四实施例的电子设备100包括固态摄像装置101、光学透镜102、快门装置103、驱动电路104和信号处理电路105。在根据第三实施例的电子设备100中，示出了其中将根据本公开的第一实施例的固态摄像装置1作为固态摄像装置101用于电子设备(例如，照相机)的实施例。
96.光学透镜102在固态摄像装置101的成像面上形成来自被摄体的图像光(入射光106)的图像。由此，信号电荷在固态摄像装置101中累积一定时间段。快门装置103控制固态摄像装置101的光照时段和遮光时段。驱动电路104提供用于控制固态摄像装置101的传输操作和快门装置103的快门操作的驱动信号。通过从驱动电路104提供的驱动信号(定时信号)进行固态摄像装置101的信号传输。信号处理电路105对从固态摄像装置101输出的信号(像素信号)进行各种信号处理。经信号处理后的图像信号被存储在诸如存储器等存储介质中，或者被输出至监视器。
97.通过这样的构造，在第四实施例的电子设备100中，在固态摄像装置101中抑制了光学混色，因此能够提高视频信号的图像质量。
98.注意，能够应用固态摄像装置1、固态摄像装置1a或固态摄像装置1b的电子设备100不限于照相机，并且固态摄像装置1也能够应用于其它电子设备。固态摄像装置1可以应用于诸如移动电话等用于移动设备的照相机模块等摄像装置。
99.此外，在第四实施例中，采用了在电子设备中使用根据第一实施例至第三实施例的固态摄像装置1、固态摄像装置1a和固态摄像装置1b作为固态摄像装置101的构造，但是也可以采用其他构造。
100.此外，本公开还能够采用以下构造。
101.(1)一种固态摄像装置，其包括：
102.基板，在所述基板上，对应于不同光的波长形成有对入射光进行光电转换的多个光电转换单元；
103.配线层，其包括晶体管和配线，所述晶体管层叠在所述基板的与光入射侧的面相反的面上，并且位于光电转换单元侧以对从所述光电转换单元输出的电荷执行信号处理，所述配线位于所述晶体管的与所述光电转换单元侧相反的那侧，以传输由所述晶体管获得的电信号；和
104.反射设计膜，其至少从所述基板和所述配线层之间的接合部形成在所述晶体管侧，所述反射设计膜具有比所述配线层高的反射率并且使入射光的垂直分量反射。
105.(2)根据(1)所述的固态摄像装置，其中，所述反射设计膜形成在除了所述光电转换单元和所述晶体管彼此面对的位置以外的位置处。
106.(3)根据(1)或(2)所述的固态摄像装置，其中，所述反射设计膜还形成在至少所述晶体管和所述配线之间或所述配线层的与所述基板的接合部相反的面上。
107.(4)根据(1)至(3)中任一项所述的固态摄像装置，其中，所述基板包括元件分离部，所述元件分离部使相邻的所述多个光电转换单元绝缘和分离。
108.(5)根据(1)至(4)中任一项所述的固态摄像装置，其中，所述基板包括具有防止所述入射光反射的蛾眼结构的防反射部。
109.(6)根据(1)至(5)中任一项所述的固态摄像装置，其中，所述反射设计膜的膜厚d＝2
×
λ/4n，其中，λ是近红外光的波长，n是从所述基板到所述配线层的层叠方向上的对应深度。
110.(7)根据(1)至(6)中任一项所述的固态摄像装置，其中，所述反射设计膜形成在所述晶体管上。
111.(8)根据(4)所述的固态摄像装置，其中，所述反射设计膜形成在除了所述元件分离部和所述配线层彼此面对的位置以外的位置处。
112.(9)根据(1)至(8)中任一项所述的固态摄像装置，其中，所述反射设计膜是氮化硅或氧化硅。
113.(10)一种电子设备，其包括固态摄像装置，所述固态摄像装置包括：
114.基板，在所述基板上，对应于不同光的波长形成有对入射光进行光电转换的多个光电转换单元；
115.配线层，其包括晶体管和配线，所述晶体管层叠在所述基板的与光入射侧的面相反的面上，并且位于光电转换单元侧以对从所述光电转换单元输出的电荷执行信号处理，所述配线位于所述晶体管的与所述光电转换单元侧相反的那侧，以传输由所述晶体管获得的电信号；和
116.反射设计膜，其至少从所述基板和所述配线层之间的接合部形成在所述晶体管侧，所述反射设计膜具有比所述配线层高的反射率并且使入射光的垂直分量反射。
117.[附图标记列表]
[0118]
1,1a,1b：固态摄像装置
[0119]
2：基板
[0120]
3：像素区域
[0121]
4：垂直驱动电路
[0122]
5：列信号处理电路
[0123]
6：水平驱动电路
[0124]
7：输出电路
[0125]
8：控制电路
[0126]
9,9a,9b：像素
[0127]
10：像素驱动配线
[0128]
11：垂直信号线
[0129]
12：水平信号线
[0130]
13：蛾眼结构的抗反射部(rig)
[0131]
14,33,74：绝缘膜
[0132]
15：遮光膜
[0133]
16：平坦化膜
[0134]
17a,17b：滤色器
[0135]
18a,18b：芯片上透镜
[0136]
20r,20g,20b,20ir：光电转换单元
[0137]
21a,21b：n型半导体区域
[0138]
22a,22b：p型半导体区域
[0139]
30：像素分离层
[0140]
31：元素分离部
[0141]
32：凹槽部
[0142]
34：p阱区域
[0143]
40：配线层
[0144]
41：配线
[0145]
50：支撑基板
[0146]
61,62,63,64,65：反射设计膜
[0147]
71：栅电极
[0148]
72：漏极区域
[0149]
73：源极区域
[0150]
75：配线部
[0151]
76：反射设计层
[0152]
81：防反射部
[0153]
100：电子设备
[0154]
101：固态摄像装置
[0155]
102：光学透镜
[0156]
103：快门装置
[0157]
104：驱动电路
[0158]
105：信号处理电路
[0159]
106：入射光
[0160]
tr：像素晶体管