弹性波装置的制作方法

1.本发明通常涉及弹性波装置，更详细而言，涉及具备idt(interdigital transducer，叉指换能器)电极的弹性波装置。


背景技术：

2.在专利文献1中记载有以往的弹性波装置。专利文献1所记载的弹性波装置具备高声速支承基板(支承基板)、压电膜(压电体层)、以及idt电极。在专利文献1所记载的弹性波装置中，idt电极形成于压电膜的一个面。
3.在先技术文献
4.专利文献
5.专利文献1：国际公开第2012/086639号


技术实现要素：

6.发明要解决的课题
7.然而，在专利文献1所记载的以往的弹性波装置中存在以下问题：在比为了得到特性而使用的激励模式靠高频侧的频带中，可能产生高阶模式的杂散。由此，设备的特性劣化。
8.本发明是鉴于上述情况而完成的发明，本发明的目的在于，提供一种弹性波装置，该弹性波装置能够降低在比为了得到特性而使用的激励模式靠高频侧的频带中产生的高阶模式的杂散。
9.用于解决课题的手段
10.本发明的一方式的弹性波装置具备支承基板、压电体层以及idt电极。所述压电体层在所述支承基板的厚度方向上设置于所述支承基板。所述idt电极设置在所述压电体层上，并且具有多个电极指。所述多个电极指的交叉宽度为5λ以下。
11.发明效果
12.根据本发明的上述方式的弹性波装置，能够降低在比为了得到特性而使用的激励模式靠高频侧的频带中产生的高阶模式的杂散。
附图说明
13.图1是实施方式的弹性波装置的主视图。
14.图2是上述弹性波装置中的图1的x1-x1线剖视图。
15.图3是示出上述弹性波装置的高阶模式的相位特性的坐标图。
16.图4a是示出在上述弹性波装置中交叉宽度为5λ的情况下的阻抗特性的坐标图。图4b是示出在上述弹性波装置中交叉宽度为4λ的情况下的阻抗特性的坐标图。图4c是示出在上述弹性波装置中交叉宽度为3λ的情况下的阻抗特性的坐标图。
17.图5a是示出在上述弹性波装置中交叉宽度为2λ的情况下的阻抗特性的坐标图。图
5b是示出在上述弹性波装置中交叉宽度为1λ的情况下的阻抗特性的坐标图。
18.图6是实施方式的变形例1的弹性波装置的剖视图。
19.图7是实施方式的变形例2的弹性波装置的剖视图。
20.图8是示出比较例的弹性波装置的相位特性的坐标图。
21.图9是示出比较例的弹性波装置中的高阶模式的相位特性的坐标图。
22.图10是示出在比较例的弹性波装置中交叉宽度为6λ的情况下的阻抗特性的坐标图。
具体实施方式
23.以下，参照附图对实施方式的弹性波装置进行说明。在以下的实施方式等中参照的图1、图2、图6及图7是示意图，图中的各构成要素的大小、厚度各自的比不一定反映出实际的尺寸比。
24.(实施方式)
25.(1)弹性波装置
26.参照附图对实施方式的弹性波装置的整体结构进行说明。
27.如图1和图2所示，实施方式的弹性波装置1具备支承基板2、压电体层3、低声速膜4、高声速膜5、以及idt(interdigital transducer，叉指换能器)电极6。另外，弹性波装置1还具备两个反射器7、布线部8、以及保护膜(未图示)。
28.弹性波装置1在图1的例子中具备一个idt电极6，但idt电极6的数量不限于一个，也可以是多个。弹性波装置1在具备多个idt电极6的情况下，例如也可以将包含多个idt电极6的多个声表面波谐振器电连接而构成带通型的滤波器。
29.(2)弹性波装置的各构成要素
30.以下，参照附图对实施方式的弹性波装置1的各构成要素进行说明。
31.(2.1)支承基板
32.如图2所示，支承基板2具有相互对置的第一主面21和第二主面22。第一主面21和第二主面22在支承基板2的厚度方向(第一方向d1)上对置。在从支承基板2的厚度方向(第一方向d1)的俯视下，支承基板2例如为长方形状。需要说明的是，支承基板2不限于长方形状，例如也可以为正方形状。
33.在支承基板2中，在支承基板2传播的体波的声速与在压电体层3传播的弹性波的声速相比为高速。这里，在支承基板2传播的体波是在支承基板2传播的多个体波中的声速最低的体波。
34.支承基板2例如是硅基板。支承基板2的厚度优选为10λ(λ：由电极指间距p1决定的弹性波的波长)以上且180μm以下，作为一例，例如为120μm。在支承基板2是硅基板的情况下，支承基板2的第一主面21的面方位例如是(100)面，但不限于此，例如也可以是(110)面、(111)面等。弹性波的传播方位能够不受支承基板2的第一主面21的面方位制约而设定。
35.支承基板2的材料不限于硅。支承基板2包含从由硅、氮化铝、氧化铝、碳化硅、氮化硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、水晶、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁以及金刚石构成的组中选择的至少一种材料即可。
36.(2.2)压电体层
37.如图2所示，压电体层3设置于支承基板2。“压电体层3设置于支承基板2”包括压电体层3不经由其他层而直接设置于支承基板2的情况、以及压电体层3经由其他层而间接设置于支承基板2的情况。
38.在图2的例子中，压电体层3间接设置于支承基板2。更详细而言，压电体层3在支承基板2的厚度方向(第一方向d1)上经由低声速膜4及高声速膜5而设置于支承基板2的第一主面21侧。压电体层3具有第一主面31及第二主面32。第一主面31及第二主面32在支承基板2的厚度方向(第一方向d1)上对置。
39.压电体层3例如由γ
°
y切割x传播litao3压电单晶形成。γ
°
y切割x传播litao3压电单晶是在将litao3压电单晶的三个晶体轴设为x轴、y轴、z轴的情况下将x轴设为中心轴从y轴向z轴方向旋转了θ
°
后的通过以z轴为法线的面切断而得到的litao3单晶，是声表面波沿x轴方向传播的单晶。在将切割角设为γ[
°
]、压电体层3的欧拉角设为(θ，ψ)时，压电体层3的切割角是θ＝γ 90
°
。但是，γ和γ
±
180
×
n为相同意义。这里，n是自然数。压电体层3不限于γ
°
y切割x传播litao3压电单晶，例如也可以是γ
°
y切割x传播litao3压电陶瓷。
[0040]
例如在将由idt电极6的电极指间距p1(参照图1)决定的弹性波的波长设为λ时，压电体层3的厚度为3.5λ以下。在压电体层3的厚度为3.5λ以下的情况下，弹性波装置1的q值变高。另外，通过将压电体层3的厚度设为2.5λ以下，能够减小tcf(temperature coefficient offrequency，频率温度系数)。进而，通过将压电体层3的厚度设为1.5λ以下，弹性波的声速的调整变得容易。例如，在弹性波的波长λ为2μm的情况下，压电体层3的厚度为0.2λ(400nm)。需要说明的是，压电体层3的厚度不限于3.5λ以下，也可以大于3.5λ。
[0041]
然而，在压电体层3的厚度为3.5λ以下的情况下，虽然如上述那样q值变高，但产生高阶模式。在弹性波装置1中，设置有低声速膜4及高声速膜5，使得即便压电体层3的厚度为3.5λ以下，也使高阶模式降低。
[0042]
在弹性波装置1中，作为在压电体层3传播的弹性波的模式，存在纵波、sh波或sv波、或者它们复合而成的模式。在弹性波装置1中，将以sh波为主成分的模式用作主模式。高阶模式是指，在比在压电体层3传播的弹性波的主模式靠高频侧产生的杂散模式。关于在压电体层3传播的弹性波的模式是否为“将以sh波为主成分的模式用作主模式”，例如能够通过使用压电体层3的参数(材料、欧拉角及厚度等)、idt电极6的参数(材料、厚度及电极指间距等)、低声速膜4的参数(材料、厚度等)、高声速膜5的参数(材料、厚度等)等参数，通过有限元法对位移分布进行解析并解析形变，从而进行确认。压电体层3的欧拉角能够通过分析而求出。
[0043]
压电体层3的材料不限于钽酸锂(litao3)，例如也可以为铌酸锂(linbo3)、氧化锌(zno)、氮化铝(aln)或锆钛酸铅(pzt)。压电体层3例如在由y切割x传播linbo3压电单晶或压电陶瓷构成的情况下，弹性波装置1能够通过将乐甫波用作弹性波而将以sh波为主成分的模式用作主模式。需要说明的是，关于压电体层3的单晶材料、切割角，例如根据滤波器的要求规格(通过特性、衰减特性、温度特性及带宽等滤波器特性)等而适当决定即可。
[0044]
(2.3)低声速膜
[0045]
如图2所示，低声速膜4设置于支承基板2。“低声速膜4设置于支承基板2”包括低声速膜4不经由其他层而直接设置于支承基板2的情况、以及低声速膜4经由其他层而间接设置于支承基板2的情况。
[0046]
在图2的例子中，低声速膜4在支承基板2的厚度方向(第一方向d1)上设置于支承基板2与压电体层3之间。更详细而言，低声速膜4经由高声速膜5形成于支承基板2的第一主面21侧。低声速膜4是在低声速膜4传播的体波的声速与在压电体层3传播的体波的声速相比成为低速的膜。
[0047]
通过将低声速膜4设置在支承基板2与压电体层3之间，从而弹性波的声速下降。弹性波具有能量本质上集中于低声速的介质这样的性质。因此，能够提高弹性波的能量向压电体层3内以及激励了弹性波的idt电极6内的封闭效果。其结果是，相比于未设置低声速膜4的情况，能够降低损耗，提高弹性波装置1的q值。
[0048]
低声速膜4的材料例如为氧化硅。需要说明的是，低声速膜4的材料不限于氧化硅，例如也可以是玻璃、氮氧化硅、氧化钽、向氧化硅添加了氟、碳或硼而得到的化合物、或者将上述各材料作为主成分的材料。
[0049]
在低声速膜4为氧化硅的情况下，能够改善温度特性。钽酸锂的弹性常数具有负的温度特性，氧化硅具有正的温度特性。因此，在弹性波装置1中，能够减小tcf的绝对值。
[0050]
在将由上述的电极指间距p1决定的弹性波的波长设为λ时，低声速膜4的厚度优选为2.0λ以下。例如，在弹性波的波长λ是2μm的情况下，低声速膜4的厚度是0.2λ(400nm)。通过将低声速膜4的厚度设为2.0λ以下，能够降低膜应力，其结果是，能够降低在制造弹性波装置1时成为支承基板2的基础的硅晶片的翘曲，能够实现合格品率的提高以及特性的稳定化。
[0051]
另外，在弹性波装置1中，例如也可以具备夹设在低声速膜4与压电体层3之间的紧贴层。由此，能够提高低声速膜4与压电体层3的紧贴性。紧贴层例如由树脂(环氧树脂、聚酰亚胺树脂等)、金属等构成。另外，弹性波装置1不限于紧贴层，也可以在低声速膜4与压电体层3之间、压电体层3上或者低声速膜4下的任意一方具备电介质膜。
[0052]
(2.4)高声速膜
[0053]
如图2所示，高声速膜5在支承基板2的厚度方向(第一方向d1)上设置在支承基板2与低声速膜4之间。在图2的例子中，高声速膜5设置于支承基板2。“高声速膜5设置于支承基板2”包括高声速膜5不经由其他层而直接设置于支承基板2的情况、以及高声速膜5经由其他层而间接设置于支承基板2的情况。
[0054]
高声速膜5是在高声速膜5传播的体波的声速与在压电体层3传播的弹性波的声速相比成为高速的膜。高声速膜5的厚度例如是200nm、300nm、400nm、600nm。例如，在弹性波的波长λ是2μm的情况下，高声速膜5的厚度是0.3λ(600nm)。关于高声速膜5的厚度，由于高声速膜5具有将弹性波封闭在压电体层3及低声速膜4的功能，因此，高声速膜5的厚度期望越厚越好。
[0055]
高声速膜5的功能为抑制主模式的弹性波的能量向比高声速膜5靠下的构造泄漏。在弹性波装置1中，在高声速膜5的厚度足够厚的情况下，主模式的弹性波的能量向压电体层3及低声速膜4的整体分布，也向高声速膜5的低声速膜4侧的一部分分布，不向支承基板2分布。由高声速膜5封闭弹性波的机制是与作为非泄漏的sh波的乐甫波型的表面波的情况相同的机制，例如，记载在文献“声表面波设备仿真技术入门”，桥本研也，realize公司，p.26-28。上述机制与使用基于声学多层膜的布拉格(bragg)反射器来封闭弹性波的机制不同。
[0056]
高声速膜5的材料例如是氮化硅。需要说明的是，高声速膜5的材料不限于氮化硅，也可以是从由类金刚石碳、氮化铝、氧化铝、碳化硅、硅、蓝宝石、压电体(钽酸锂、铌酸锂或水晶)、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁以及金刚石的构成的组中选择的至少一种材料。高声速膜5的材料也可以是将上述的任意一种材料作为主成分的材料、或者将包含上述任意一种材料的混合物作为主成分的材料。
[0057]
(2.5)idt电极
[0058]
如图1及图2所示，idt电极6设置于压电体层3。更详细而言，idt电极6在支承基板2的厚度方向(第一方向d1)上形成在压电体层3的第一主面31上。
[0059]
如图1所示，idt电极6具有两个电极61。换言之，idt电极6具有两个汇流条62和两组电极指63。更详细而言，idt电极6具有第一电极61a和第二电极61b。第一电极61a和第二电极61b分别具有导电性。第一电极61a和第二电极61b相互分离且相互电绝缘。
[0060]
第一电极61a在从支承基板2的厚度方向(第一方向d1)的俯视下为梳形状。第一电极61a具有第一汇流条62a和多个第一电极指63a。第一汇流条62a是用于将多个第一电极指63a设为相同电位(等电位)的导体部。
[0061]
第二电极61b在从支承基板2的厚度方向(第一方向d1)的俯视下为梳形状。第二电极61b具有第二汇流条62b和多个第二电极指63b。第二汇流条62b是用于将多个第二电极指63b设为相同电位(等电位)的导体部。在idt电极6中，第一汇流条62a与第二汇流条62b在第三方向d3上相互对置。
[0062]
多个第一电极指63a与第一汇流条62a连接，且向第二汇流条62b侧延伸。多个第一电极指63a与第一汇流条62a一体地形成，且与第二汇流条62b分离。
[0063]
多个第二电极指63b与第二汇流条62b连接，且向第一汇流条62a侧延伸。多个第二电极指63b与第二汇流条62b一体地形成，且与第一汇流条62a分离。
[0064]
idt电极6例如是标准型的idt电极。以下，对idt电极6更加详细地进行说明。
[0065]
idt电极6的第一汇流条62a及第二汇流条62b是以第二方向d2为长边方向的长条状。在idt电极6中，第一汇流条62a与第二汇流条62b在第三方向d3上对置。第二方向d2是与支承基板2的厚度方向(第一方向d1)正交的方向。第三方向d3是与支承基板2的厚度方向(第一方向d1)及第二方向d2双方正交的方向。
[0066]
多个第一电极指63a与第一汇流条62a连接，且朝向第二汇流条62b延伸。这里，多个第一电极指63a从第一汇流条62a沿着第三方向d3延伸。多个第一电极指63a的前端与第二汇流条62b分离。例如，多个第一电极指63a彼此的长度及交叉宽度w1相同。
[0067]
多个第二电极指63b与第二汇流条62b连接，且朝向第一汇流条62a延伸。这里，多个第二电极指63b从第二汇流条62b沿着第三方向d3延伸。多个第二电极指63b的前端与第一汇流条62a分离。例如，多个第二电极指63b彼此的长度及交叉宽度w1相同。在图1的例子中，多个第二电极指63b的长度及交叉宽度w1与多个第一电极指63a的长度及交叉宽度w1分别相同。
[0068]
在idt电极6中，多个第一电极指63a与多个第二电极指63b在第二方向d2上一根一根交替地相互隔开排列。因此，相邻的第一电极指63a与第二电极指63b分开距离s1。包含多个第一电极指63a和多个第二电极指63b的一组电极指63只要是多个第一电极指63a与多个第二电极指63b在第二方向d2上隔开排列的结构即可，也可以是多个第一电极指63a与多个
第二电极指63b没有交替地相互隔开排列的结构。例如，也可以是，第一电极指63a与第二电极指63b一根一根隔开排列的区域和第一电极指63a或第二电极指63b在第二方向d2上排列有两个的区域混在一起。
[0069]
多个第一电极指63a与多个第二电极指63b相互交替插入。这里，“交叉宽度”是指从弹性波传播方向观察时，第一电极指63a与第二电极指63b重叠的长度。即，idt电极6具有由多个第一电极指63a和多个第二电极指63b规定的交叉区域。交叉区域是多个第一电极指63a的前端的包络线与多个第二电极指63b的前端的包络线之间的区域。idt电极6在交叉区域对压电体层3激励弹性波。
[0070]
需要说明的是，idt电极6不限于标准型的idt电极，例如，也可以是实施了切指加权(apodization weighting)的idt电极，也可以是倾斜idt电极。在实施了切指加权的idt电极中，交叉宽度随着从弹性波的传播方向的一端部接近中央而变大，交叉宽度随着从弹性波的传播方向的中央接近另一端部而变小。
[0071]
如图1所示，idt电极6的电极指间距p1由多个第一电极指63a中的相邻的两个第一电极指63a的中心线间的距离、或者多个第二电极指63b中的相邻的两个第二电极指63b的中心线间的距离定义。相邻的两个第二电极指63b的中心线间的距离与相邻的两个第一电极指63a的中心线间的距离相同。
[0072]
在实施方式的弹性波装置1的idt电极6中，第一电极指63a与第二电极指63b的对数作为一例为100。即，作为一例，idt电极6具有100根第一电极指63a和100根第二电极指63b。
[0073]
idt电极6的材料是铝(al)、铜(cu)、铂(pt)、金(au)、银(ag)、钛(ti)、镍(ni)、铬(cr)、钼(mo)或钨(w)、或者以这些金属中的任意一种为主体的合金等适当的金属材料。另外，idt电极6也可以具有层叠了由这些金属或合金构成的多个金属膜的构造。
[0074]
(2.6)反射器
[0075]
如图1所示，两个反射器7设置于压电体层3。更详细而言，两个反射器7在支承基板2的厚度方向(第一方向d1)上形成在压电体层3的第一主面31上。两个反射器7分别具有导电性。
[0076]
两个反射器7在沿着弹性波装置1的弹性波的传播方向的方向(第二方向d2)上分别各位于idt电极6的一侧及另一侧。换言之，在第二方向d2上，idt电极6位于两个反射器7之间。各反射器7例如是短路光栅。各反射器7反射弹性波。
[0077]
两个反射器7分别具有多个电极指71，多个电极指71的一端彼此短路，另一端彼此短路。在两个反射器7的每一个中，作为一例，电极指的数量为20。
[0078]
各反射器7的材料是铝(al)、铜(cu)、铂(pt)、金(au)、银(ag)、钛(ti)、镍(ni)、铬(cr)、钼(mo)或钨(w)、或者以这些金属中的任意一种为主体的合金等适当的金属材料。另外，各反射器7也可以具有层叠了由这些金属或合金构成的多个金属膜的构造。
[0079]
在弹性波装置1中，在将各反射器7和idt电极6设定为相同材料且相同厚度的情况下，能够在制造弹性波装置1时，通过相同的工序形成各反射器7和idt电极6。
[0080]
需要说明的是，在实施方式的弹性波装置1中，各反射器7是短路光栅，但各反射器7不限于是短路光栅，例如也可以是开放式光栅、正负反射型光栅、或者将短路光栅与开放式光栅组合而成的光栅。
[0081]
(2.7)布线部
[0082]
如图1所示，布线部8设置于压电体层3。更详细而言，布线部8在支承基板2的厚度方向(第一方向d1)上形成在压电体层3的第一主面31上。布线部8具有导电性。
[0083]
布线部8包括第一布线部81和第二布线部82。第一布线部81与idt电极6的第一汇流条62a连接。第二布线部82与idt电极6的第二汇流条62b连接。第一布线部81与第二布线部82相互分离且相互电绝缘。
[0084]
第一布线部81从第一汇流条62a向与多个第一电极指63a侧相反的一侧延伸。第一布线部81可以形成为在支承基板2的厚度方向(第一方向d1)上与第一汇流条62a一部分重叠，也可以以与第一汇流条62a相同的材料且相同的厚度而与第一汇流条62a一体地形成。
[0085]
第二布线部82从第二汇流条62b向与多个第二电极指63b侧相反的一侧延伸。第二布线部82可以形成为在支承基板2的厚度方向(第一方向d1)上与第二汇流条62b一部分重叠，也可以以与第二汇流条62b相同的材料且相同的厚度而与第二汇流条62b一体地形成。
[0086]
布线部8的材料是铝(al)、铜(cu)、铂(pt)、金(au)、银(ag)、钛(ti)、镍(ni)、铬(cr)、钼(mo)或钨(w)、或者以这些金属中的任意一种为主体的合金等适当的金属材料。另外，布线部8也可以具有层叠了由这些金属或合金构成的多个金属膜的构造。
[0087]
(2.8)保护膜
[0088]
未图示的保护膜形成在压电体层3上。保护膜覆盖压电体层3的第一主面31上的idt电极6、各反射器7及布线部8、以及压电体层3的第一主面31的一部分。
[0089]
保护膜的材料例如是氧化硅。需要说明的是，保护层的材料不限于是氧化硅，例如也可以是氮化硅。保护膜不限于单层构造，例如也可以是双层以上的多层构造。
[0090]
(3)弹性波装置的特性
[0091]
以下，参照附图，与比较例的弹性波装置比较着说明实施方式的弹性波装置1的特性。
[0092]
首先，对比较例的弹性波装置进行说明。在压电体层是压电基板的情况下，如图8的特性a2所示，不产生高阶模式。另一方面，在压电体层比压电基板薄且是支承基板与压电体层的层叠构造的情况下，如图8的特性a1所示，产生高阶模式。如上所述，高阶模式是指在比在压电体层3传播的弹性波的主模式靠高频侧产生的杂散模式。
[0093]
在支承基板与压电体层的层叠构造的情况下，如图9所示，在压电体层的厚度比10λ大的范围内，高阶模式较小。在压电体层的厚度为10λ以下的范围内，产生高阶模式。当压电体层的厚度成为5λ以下时，高阶模式变大。在压电体层的厚度为1λ以下时，相位接近90
°
，弹性波装置的特性大幅劣化。
[0094]
于是，为了即便在压电体层为10λ以下的情况下也减小高阶模式，在实施方式的弹性波装置1中，多个电极指63的交叉宽度w1为5λ以下。在交叉宽度w1为5λ以下的情况下，如图3所示，能够提高高阶模式的相位特性。图3是示出相对于交叉宽度w1的高阶模式的相位特性的坐标图。在交叉宽度w1为5λ以下的范围内，高阶模式随着交叉宽度w1变小而变小。
[0095]
需要说明的是，得到图3的特性的弹性波装置1的条件如以下所述。idt电极6的厚度为0.05λ，压电体层3的厚度为0.2λ，低声速膜4的厚度为0.2λ，高声速膜5的厚度为0.3λ。idt电极6的材料是铝，压电体层3的材料是钽酸锂，低声速膜4的材料是氧化硅，高声速膜5的材料是氮化硅，支承基板2的材料是硅。
[0096]
然而，多个电极指63的交叉宽度w1优选为2λ以下。在交叉宽度w1为2λ以下的情况下，如图5a及图5b所示，能够减小基于横模的杂散。即，能够抑制横模。图5a示出交叉宽度w1为2λ的情况下的阻抗。图5b示出交叉宽度w1为1λ的情况下的阻抗。
[0097]
另一方面，在交叉宽度w1比2λ大的情况下，如图4a～图4c所示，在反谐振频率与谐振频率之间的频带中产生因横模引起的峰值。另外，在交叉宽度w1比5λ大的情况下，如图10所示，也在反谐振频率与谐振频率之间的频带中产生因横模引起的峰值。
[0098]
(4)效果
[0099]
在实施方式的弹性波装置1中，idt电极6的多个电极指63的交叉宽度w1为5λ以下。由此，在弹性波装置1用于滤波器的情况下，能够降低在滤波器的通带的高频侧的频带中产生的高阶模式的杂散。能够降低在比为了得到特性而使用的激励模式靠高频侧的频带中产生的高阶模式的杂散。
[0100]
在实施方式的弹性波装置1中，idt电极6的多个电极指63的交叉宽度w1为2λ以下。由此，能够抑制横模。
[0101]
在实施方式的弹性波装置1中，在支承基板2的厚度方向(第一方向d1)上，在支承基板2与压电体层3之间设置有低声速膜4。由此，能够提高弹性波装置1的q值。
[0102]
在实施方式的弹性波装置1中，在支承基板2的厚度方向(第一方向d1)上，在支承基板2与低声速膜4之间设置有高声速膜5。由此，能够进一步提高弹性波装置1的q值。
[0103]
(5)变形例
[0104]
以下，对实施方式的变形例进行说明。
[0105]
作为实施方式的变形例1，如图6所示，弹性波装置1a也可以不具备高声速膜5。另一方面，弹性波装置1a与实施方式的弹性波装置1同样地具备支承基板2、压电体层3、低声速膜4以及idt电极6。
[0106]
在变形例1的弹性波装置1a中，支承基板2是高声速支承基板。由此，能够进一步提高弹性波装置1的q值。
[0107]
作为实施方式的变形例2，如图7所示，在弹性波装置1b中，压电体层3也可以直接设置于支承基板2。即，弹性波装置1b也可以不具备低声速膜4及高声速膜5。另一方面，弹性波装置1b与实施方式的弹性波装置1同样地具备支承基板2、压电体层3以及idt电极6。
[0108]
在上述的变形例1的弹性波装置1a和变形例2的弹性波装置1b中，也起到与实施方式的弹性波装置1同样的效果。
[0109]
需要说明的是，弹性波装置1也可以具备紧贴层、电介质膜等，作为高声速膜5、低声速膜4及压电体层3以外的其他膜。
[0110]
需要说明的是，弹性波装置1也可以还具备经由布线部8的第一布线部81而与第一汇流条62a连接的第一端子、以及经由布线部8的第二布线部82而与第二汇流条62b连接的第二端子。另外，弹性波装置1也可以还具备与两个反射器7分别各连接的两个第三布线部。在该情况下，两个反射器7分别也可以至少经由第三布线部而与第三端子连接。包含第一端子、第二端子以及第三端子的多个外部连接端子在弹性波装置1中是用于与电路基板、封装用的安装基板(子安装基板)等进行电连接的电极。另外，弹性波装置1也可以还具备不与idt电极6进行电连接的多个虚设端子。多个虚设端子是用于提高弹性波装置1相对于电路基板、安装基板等的平行度的端子，与以电连接为目的的端子不同。即，虚设端子是用于抑
制弹性波装置1相对于电路基板、安装基板等倾斜安装的端子，根据外部连接端子的数量及配置、弹性波装置1的外周形状等，不一定必须设置。
[0111]
第一端子例如以与第一布线部81相同的材料且相同的厚度而与第一布线部81一体地形成。第二端子例如以与第二布线部82相同的材料且相同的厚度而与第二布线部82一体地形成。第三端子例如以与第三布线部相同的材料且相同的厚度而与第三布线部一体地形成。第三布线部例如以与第一布线部81及第二布线部82相同的材料且相同的厚度形成。
[0112]
以上说明的实施方式及变形例只不过是本发明的各种实施方式及变形例的一部分。另外，实施方式及变形例只要能够实现本发明的目的，则能够根据设计等进行各种变更。
[0113]
(方式)
[0114]
在本说明书中公开了以下的方式。
[0115]
第一方式的弹性波装置(1；1a；1b)具备支承基板(2)、压电体层(3)以及idt电极(6)。压电体层(3)在支承基板(2)的厚度方向(第一方向d1)上设置于支承基板(2)。idt电极(6)设置在压电体层(3)上。idt电极(6)具有多个电极指(63)。多个电极指(63)的交叉宽度(w1)为5λ以下。
[0116]
在第一方式的弹性波装置(1)中，idt电极(6)的多个电极指(63)的交叉宽度(w1)为5λ以下。由此，在弹性波装置(1)用于滤波器的情况下，能够降低在滤波器的通带的高频侧的频带中产生的高阶模式的杂散。能够降低在比为了得到特性而使用的激励模式靠高频侧的频带中产生的高阶模式的杂散。
[0117]
第二方式的弹性波装置(1；1a；1b)根据第一方式，多个电极指(63)的交叉宽度(w1)为2λ以下。
[0118]
在第二方式的弹性波装置(1；1a；1b)中，idt电极(6)的多个电极指(63)的交叉宽度(w1)为2λ以下。由此，能够抑制横模。
[0119]
第三方式的弹性波装置(1；1a)根据第一方式或第二方式，还具备低声速膜(4)。在低声速膜(4)中，在低声速膜(4)传播的体波的声速与在压电体层(3)传播的体波的声速相比为低速。低声速膜(4)在支承基板(2)的厚度方向(第一方向d1)上设置在支承基板(2)与压电体层(3)之间。
[0120]
根据第三方式的弹性波装置(1；1a)，能够提高弹性波装置(1；1a)的q值。
[0121]
第四方式的弹性波装置(1)根据第三方式，还具备高声速膜(5)。在高声速膜(5)中，在高声速膜(5)传播的体波的声速与在压电体层(3)传播的弹性波的声速相比为高速。高声速膜(5)在支承基板(2)的厚度方向(第一方向d1)上设置在支承基板(2)与低声速膜(4)之间。
[0122]
根据第四方式的弹性波装置(1)，能够进一步提高弹性波装置(1)的q值。
[0123]
第五方式的弹性波装置(1a)根据第三方式，支承基板(2)是高声速支承基板。在高声速支承基板中，在高声速支承基板传播的体波的声速与在压电体层(3)传播的弹性波的声速相比为高速。
[0124]
根据第五方式的弹性波装置(1a)，能够进一步提高弹性波装置(1a)的q值。
[0125]
第六方式的弹性波装置(1；1a；1b)根据第一方式～第五方式中的任意一个方式，压电体层(3)是钽酸锂。
[0126]
附图标记说明
[0127]
1、1a、1b 弹性波装置；
[0128]
2 支承基板；
[0129]
21 第一主面；
[0130]
22 第二主面；
[0131]
3 压电体层；
[0132]
31 第一主面；
[0133]
32 第二主面；
[0134]
4 低声速膜；
[0135]
5 高声速膜；
[0136]
6 idt电极；
[0137]
61 电极；
[0138]
61a 第一电极；
[0139]
61b 第二电极；
[0140]
62 汇流条；
[0141]
62a 第一汇流条；
[0142]
62b 第二汇流条；
[0143]
63 电极指；
[0144]
63a 第一电极指；
[0145]
63b 第二电极指；
[0146]
7 反射器；
[0147]
71 电极指；
[0148]
8 布线部；
[0149]
81 第一布线部；
[0150]
82 第二布线部；
[0151]
p1 电极指间距；
[0152]
w1 交叉宽度；
[0153]
a1、a2 特性；
[0154]
d1 第一方向(厚度方向)；
[0155]
d2 第二方向；
[0156]
d3 第三方向。