高导热率的陶瓷基板的制作方法

1.本实用新型涉及陶瓷基板领域技术，尤其是指一种高导热率的陶瓷基板。


背景技术：

2.陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(al2o3)或氮化铝(aln)陶瓷基片表面(单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像pcb板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。
3.目前，微电子工业技术发展迅速，电子器件、电子设备向着高度集成化、小型化发展，对基板的性能要求也越来越高。氧化铝陶瓷基板由于具有优良的绝缘性能、较好的热导率、较低的热膨胀系数及较强的机械强度等显著特点，在厚膜集成电路、led封装等电子工业封装领域被广泛应用。
4.目前使用的陶瓷基板一般都为单层，其仅仅依靠陶瓷材质进行导热，导热效率很低，无法满足高功率器件的散热要求。因此，有必要对目前的陶瓷基板进行改进。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本实用新型针对现有技术存在之缺失，其主要目的是提供一种高导热率的陶瓷基板，其能有效解决现有之陶瓷基板导热效率低的问题。
6.为实现上述目的，本实用新型采用如下之技术方案：
7.一种高导热率的陶瓷基板，包括有陶瓷本体、上线路层、下线路层、上石墨烯导热层以及下石墨烯导热层；该陶瓷本体的上下表面贯穿形成有导电孔，该导电孔中填充金属形成有导电柱，该陶瓷本体的上表面凹设有凹位，该凹位的底面开设有多个导热孔，该多个导热孔均向下贯穿至陶瓷本体的下表面，且每一导热孔中均填充有石墨烯材料而形成有导热柱；该上线路层和下线路层分别设置于陶瓷本体的上下表面，上线路层与导电柱的上端连接，该下线路层与导电柱的下端连接；该上石墨烯导热层嵌设于凹位中，上石墨烯导热层与各导热柱的上端一体成型连接；该下石墨烯导热层设置于陶瓷本体的下表面，下石墨烯导热层与各导热柱的下端一体成型连接。
8.作为一种优选方案，所述陶瓷本体的上表面周缘成型有金属围板，该金属围板围构形成一容置腔，该上线路层和上石墨烯导热层均位于容置腔中。
9.作为一种优选方案，所述上线路层包括有上镍钒合金镀膜层、上镍铜合金镀膜层和上纯银镀膜层，该上镍钒合金镀膜层溅镀成型在陶瓷本体的上表面，该上镍铜合金镀膜层溅镀成型在上镍钒合金镀膜层的上表面，该上纯银镀膜层溅镀成型在上镍铜合金镀膜层的上表面。
10.作为一种优选方案，所述上线路层还包括有上纯铜板，该上纯铜板的下表面热浸镀形成有上锡镀层，该上锡镀层与上纯银镀膜层热压叠合在一起。
11.作为一种优选方案，所述下线路层包括有下镍钒合金镀膜层、下镍铜合金镀膜层
和下纯银镀膜层，该下镍钒合金镀膜层溅镀成型在陶瓷本体的下表面，该下镍铜合金镀膜层溅镀成型在下镍钒合金镀膜层的下表面，该下纯银镀膜层溅镀成型在下镍铜合金镀膜层的下表面。
12.作为一种优选方案，所述下线路层还包括有下纯铜板，该下纯铜板的上表面热浸镀形成有下锡镀层，该下锡镀层与下纯银镀膜层热压叠合在一起。
13.本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果，具体而言，由上述技术方案可知：
14.通过在多个导热孔中均填充有石墨烯材料而形成有导热柱，并配合设置上石墨烯导热层和下石墨烯导热层，利用石墨烯高导热的特性，使得设置在上石墨烯导热层上的电子器件产生的热量能够快速传递至下石墨烯导热层上，再由外部散热器进行散热，散热效果更好，完全满足高功率器件的散热要求。
15.为更清楚地阐述本实用新型的结构特征和功效，下面结合附图与具体实施例来对本实用新型进行详细说明。
附图说明
16.图1是本实用新型之较佳实施例的截面图。
17.附图标识说明：
18.10、陶瓷本体
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11、导电孔
19.12、凹位
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13、导热孔
20.20、上线路层
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21、上镍钒合金镀膜层
21.22、上镍铜合金镀膜层
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23、上纯银镀膜层
22.24、上纯铜板
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25、上锡镀层
23.30、下线路层
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31、下镍钒合金镀膜层
24.32、下镍铜合金镀膜层
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33、下纯银镀膜层
25.34、下纯铜板
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35、下锡镀层
26.40、上石墨烯导热层
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50、下石墨烯导热层
27.61、导电柱
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62、导热柱
28.70、金属围板
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71、容置腔。
具体实施方式
29.请参照图1所示，其显示出了本实用新型之较佳实施例的具体结构，包括有陶瓷本体10、上线路层20、下线路层30、上石墨烯导热层40以及下石墨烯导热层50。
30.该陶瓷本体10的上下表面贯穿形成有导电孔11，该导电孔11中填充金属形成有导电柱61，该导电柱61为纯铜材质，该陶瓷本体10的上表面凹设有凹位12，该凹位12的底面开设有多个导热孔13，该多个导热孔13均向下贯穿至陶瓷本体10的下表面，且每一导热孔13中均填充有石墨烯材料而形成有导热柱62，该陶瓷本体10为氧化铝陶瓷材质。
31.该上线路层20和下线路层30分别设置于陶瓷本体10的上下表面，上线路层20与导电柱61的上端连接，该下线路层30与导电柱61的下端连接；具体而言：
32.该上线路层20包括有上镍钒合金镀膜层21、上镍铜合金镀膜层22和上纯银镀膜层
23，该上镍钒合金镀膜层21溅镀成型在陶瓷本体10的上表面，该上镍铜合金镀膜层22溅镀成型在上镍钒合金镀膜层21的上表面，该上纯银镀膜层23溅镀成型在上镍铜合金镀膜层22的上表面。并且，该上线路层20还包括有上纯铜板24，该上纯铜板24的下表面热浸镀形成有上锡镀层25，该上锡镀层25与上纯银镀膜层23热压叠合在一起。
33.该下线路层30包括有下镍钒合金镀膜层31、下镍铜合金镀膜层32和下纯银镀膜层33，该下镍钒合金镀膜层31溅镀成型在陶瓷本体10的下表面，该下镍铜合金镀膜层32溅镀成型在下镍钒合金镀膜层31的下表面，该下纯银镀膜层33溅镀成型在下镍铜合金镀膜层32的下表面。并且，该下线路层30还包括有下纯铜板34，该下纯铜板34的上表面热浸镀形成有下锡镀层35，该下锡镀层35与下纯银镀膜层33热压叠合在一起。
34.该上石墨烯导热层40嵌设于凹位12中，上石墨烯导热层40与各导热柱62的上端一体成型连接；在本实施例中，该上石墨烯导热层40向上凸出陶瓷本体10的上表面。
35.该下石墨烯导热层50设置于陶瓷本体10的下表面，下石墨烯导热层50与各导热柱62的下端一体成型连接。
36.以及，该陶瓷本体10的上表面周缘成型有金属围板70，该金属围板70围构形成一容置腔71，该上线路层20和上石墨烯导热层40均位于容置腔71中。
37.使用时，将电子器件贴合在上石墨烯导热层40上固定并与上线路层20导通连接，接着，将下石墨烯导热层40与外部散热器贴合，并使下线路层30与外部线路导通连接即可。在工作过程中，电子器件工作产生的热量依次经过上石墨烯导热层40、导热柱62和下石墨烯导热层50快速传递至散热器上，实现了高效散热。
38.本实用新型的设计重点在于：通过在多个导热孔中均填充有石墨烯材料而形成有导热柱，并配合设置上石墨烯导热层和下石墨烯导热层，利用石墨烯高导热的特性，使得设置在上石墨烯导热层上的电子器件产生的热量能够快速传递至下石墨烯导热层上，再由外部散热器进行散热，散热效果更好，完全满足高功率器件的散热要求。
39.以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例而已，并非对本实用新型的技术范围作任何限制，故凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何细微修改、等同变化与修饰，均仍属于本实用新型技术方案的范围内。