1.本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料及制备方法。
背景技术：
2.红外半导体材料是指通电后在一定电压后下向外辐射发出远红外线的半导体材料，广泛应用于医疗、光电信息领域。如cn201711096854.4公开的一种氧化亚铜半导体陶瓷材料及其制备方法，该专利半导体材料配方改变以往直接采用cu2o组分，在cu2o基础上添加其他金属氧化物组分作为组成的方法。改变半导体陶瓷材料的组成配方，并选择增加导电性金属氧化物，降低半导体陶瓷材料的体积电阻。然而，现有技术中半导体材料存在随时间辐射远红外线频率出现波动不稳定的技术问题，导致应用时影响红外辐射性能。
技术实现要素：
3.针对现有技术的半导体材料远红外线辐射频率不稳定的技术问题，本发明提供一种可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料及制备方法，在一定电压通电下可辐射稳定频率的远红外线，改善红外半导体材料的红外辐射性能。
4.第一方面，本发明提供一种可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料，包括如下重量份数的组分：
5.半导体陶瓷粉10～70份
6.莫来石粉10～60份
7.高铝粉10～50份
8.尖晶石粉10～40份
9.银粉5～20份
10.铜粉5～20份
11.粘合剂1～10份。
12.进一步的，所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料，包括如下重量份数的组分：
13.半导体陶瓷粉20～60份
14.莫来石粉30～50份
15.高铝粉20～40份
16.尖晶石粉20～30份
17.银粉5～15份
18.铜粉5～15份
19.粘合剂3～8份。
20.进一步的，所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料，包括如下重量份数的组分：
21.半导体陶瓷粉40份
22.莫来石粉35份
23.高铝粉30份
24.尖晶石粉25份
25.银粉5份
26.铜粉5份
27.粘合剂6份。
28.进一步的，粘合剂为水玻璃、甲基纤维素、羧丙基甲基纤维素或聚乙烯醇中的一种。
29.进一步的，各粉体组分粒径均≤200目。
30.进一步的，半导体材料在通电下辐射远红外线，远红外线波长为9～14μm。
31.第二方面，本发明提供一种可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料的制备方法，包括如下步骤：
32.(1)各组分按比例混合，搅拌均匀得混合料；
33.(2)将混合料置于模具中，压铸成型即得成品型材。
34.进一步的，成品型材为条形、正方形、圆形或多孔形。
35.本发明的有益效果在于：
36.(1)本发明提供的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料以半导体陶瓷粉成分中无机氧化物，及莫来石粉、高铝粉、尖晶石粉成分中金属氧化物形成半导体材料基体，同时在组分中掺杂少量银、铜，并通过调节各组分比例，提高半导体材料通电下的辐射频率稳定性；
37.(2)本发明提供的制备方法简单易操作，通过模具压铸成型制作形状不同的成品，适用范围广。
具体实施方式
38.为了使本技术领域的人员更好地理解本发明中的技术方案，下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
39.实施例1
40.本实施例所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料，包括如下重量份数的组分：
41.半导体陶瓷粉40份
42.莫来石粉35份
43.高铝粉30份
44.尖晶石粉25份
45.银粉5份
46.铜粉5份
47.水玻璃6份。
48.本实施例提供可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料的制备方法，包括如下步骤：
49.(1)各组分按比例混合，粉状组分粒径均为100目，搅拌均匀得混合料；
50.(2)将混合料置于模具中，模具为圆形，压铸成型即得成品型材，成品呈圆形，适合应用于具有圆形固定凹槽的理疗仪器中。
51.实施例2
52.本实施例所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料，包括如下重量份数的组分：
53.半导体陶瓷粉50份
54.莫来石粉40份
55.高铝粉30份
56.尖晶石粉30份
57.银粉5份
58.铜粉5份
59.水玻璃6份。
60.本实施例提供可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料的制备方法，包括如下步骤：
61.(1)各组分按比例混合，粉状组分粒径均为105目，搅拌均匀得混合料；
62.(2)将混合料置于模具中，模具为正方形，压铸成型即得成品型材，成品呈正方形，适合应用于具有正方形固定凹槽的理疗仪器中。
63.对比例
64.对比例与实施例1不同的是，对比例中不含银粉、铜粉。
65.对实施例1及对比例中所得成品通电，通电电压48v，每隔2h，检测其发出远红外线的频率及波长，见表1所示。
66.表1实施例及对比例辐射远红外线的频率及波长数据
[0067][0068]
由表1中数据经统计学计算，实施例1频率数据的方差的标准差σ1＝0.03，对比例频率数据的方差的标准差σ2＝0.16，可见，实施例1中所制得半导体材料辐射远红外线频率更加稳定。
[0069]
尽管通过优选实施例的方式对本发明进行了详细描述，但本发明并不限于此。在不脱离本发明的精神和实质的前提下，本领域普通技术人员可以对本发明的实施例进行各种等效的修改或替换，而这些修改或替换都应在本发明的涵盖范围内/任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的
保护范围之内。
技术特征：
1.一种可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料，其特征在于，包括如下重量份数的组分：半导体陶瓷粉10～70份莫来石粉10～60份高铝粉10～50份尖晶石粉10～40份银粉5～20份铜粉5～20份粘合剂1～10份。2.如权利要求1所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料，其特征在于，包括如下重量份数的组分：半导体陶瓷粉20～60份莫来石粉30～50份高铝粉20～40份尖晶石粉20～30份银粉5～15份铜粉5～15份粘合剂3～8份。3.如权利要求1所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料，其特征在于，包括如下重量份数的组分：半导体陶瓷粉40份莫来石粉35份高铝粉30份尖晶石粉25份银粉5份铜粉5份粘合剂6份。4.如权利要求1或2所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料，其特征在于，粘合剂为水玻璃、甲基纤维素、羧丙基甲基纤维素或聚乙烯醇中的一种。5.如权利要求1所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料，其特征在于，各粉体组分粒径均≤200目。6.如权利要求1所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料，其特征在于，半导体材料在通电下辐射远红外线，远红外线波长为9～14μm。7.一种权利要求1所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)各组分按比例混合，搅拌均匀得混合料；(2)将混合料置于模具中，压铸成型即得成品型材。8.如权利要求7所述的可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料的制备方法，其特征在于，成品型材为条形、正方形、圆形或多孔形。
技术总结
本发明涉及半导体材料技术领域，具体涉及一种可稳定辐射远红外线的远红外半导体材料及制备方法，半导体材料包括如下重量份数的组分：半导体陶瓷粉10～70份，莫来石粉10～60份，高铝粉10～50份，尖晶石粉10～40份，银粉5～20份，铜粉5～20份，粘合剂1～10份。本发明通过各组分按比例混合，搅拌均匀得混合料，然后将混合料置于模具中，压铸成型所得。本发明以半导体陶瓷粉成分中无机氧化物，及莫来石粉、高铝粉、尖晶石粉中金属氧化物形成半导体材料基体，掺杂少量银、铜，并通过调节组分比例，提高通电下的辐射频率稳定性；本发明制备方法简单易操作，通过模具压铸成型制作形状不同的成品，适用范围广。适用范围广。
技术研发人员：李明太
受保护的技术使用者：济南之羽医疗科技有限公司
技术研发日：2022.06.16
技术公布日：2022/9/2
再多了解一些
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