一种天线、移相器及通信设备的制作方法

技术特征：
1.一种天线，其特征在于，包括：第一金属电极、第二金属电极和光致介电变化层；所述第一金属电极和所述第二金属电极分别位于所述光致介电变化层相对的两侧；所述第一金属电极包括多个传输电极；所述传输电极用于传输电信号；所述光致介电变化层包括至少一个光致介电变化单元，且所述光致介电变化单元与所述传输电极交叠。2.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述电信号的频率大于等于1ghz。3.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述第二金属电极被提供固定电位。4.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述传输电极的形状包括线状；所述线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交。5.根据权利要求4所述的天线，其特征在于，所述传输电极的线宽为w，其中，10μm≤w≤500μm。6.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述光致介电变化层包括多个光致介电变化单元；所述第二金属电极包括多个第一镂空区，所述第一镂空区包括至少一个第一镂空结构；所述至少一个第一镂空结构与所述光致介电变化单元交叠，且每一所述光致介电变化单元均与所述第一镂空结构交叠。7.根据权利要求6所述的天线，其特征在于，还包括透光导电层，位于所述光致介电变化层与所述第二金属电极之间。8.根据权利要求6所述的天线，其特征在于，所述第一镂空结构的尺寸大于等于2.5μm且小于等于25μm。9.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，还包括至少一层衬底基板；所述衬底基板与所述光致介电变化单元同层设置；和/或，所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠。10.根据权利要求9所述的天线，其特征在于，当所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠时，所述衬底基板包括透光衬底基板。11.根据权利要求9所述的天线，其特征在于，当所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠时，所述光致介电变化层的厚度大于所述衬底基板的厚度。12.根据权利要求9所述的天线，其特征在于，所述至少一层衬底基板包括两层衬底基板；所述两层衬底基板包括第一衬底基板和第二衬底基板；所述第一衬底基板与所述光致介电变化层异层设置且交叠，所述第二衬底基板与所述光致介电变化层异层设置且交叠，且所述第一衬底基板和所述第二衬底基板分别位于所述光致介电变化层的两侧。13.根据权利要求12所述的天线，其特征在于，还包括第一粘合层和第二粘合层；所述第一衬底基板和所述光致介电变化层之间设置有所述第一粘合层；所述第二衬底基板和所述光致介电变化层之间设置有所述第二粘合层。14.根据权利要求12所述的天线，其特征在于，还包括封框结构，位于所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间；所述第一衬底基板、所述第二衬底基板和所述封框结构形成容纳空间，所述容纳空间内设置有所述光致介电变化单元。
15.根据权利要求14所述的天线，其特征在于，所述第一衬底基板位于第一金属电极远离所述光致介电变化层的一侧；所述第二衬底基板位于第二金属电极远离所述光致介电变化层的一侧。16.根据权利要求9所述的天线，其特征在于，所述至少一层衬底基板包括两层衬底基板；所述两层衬底基板包括第三衬底基板和第四衬底基板；所述第三衬底基板与所述光致介电变化层同层设置，所述第四衬底基板位于所述光致介电变化层的一侧；所述第三衬底基板的材料包括聚酰亚胺，所述第四衬底基板的材料包括玻璃或液晶聚合物。17.根据权利要求9所述的天线，其特征在于，所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠；所述衬底基板位于所述第二金属电极背离所述第一金属电极的一侧；所述第二金属电极包括多个第二镂空结构，所述第二镂空结构在所述衬底基板所在平面的垂直投影位于所述传输电极在所述衬底基板所在平面的垂直投影内；还包括第三金属电极，位于所述衬底基板背离所述第二金属电极的一侧；所述第三金属电极包括多个辐射体；所述第二镂空结构在所述衬底基板所在平面的垂直投影位于所述辐射体在所述衬底基板所在平面的垂直投影内。18.根据权利要求9所述的天线，其特征在于，所述衬底基板与所述光致介电变化单元同层设置；所述第一金属电极还包括多个辐射体；所述辐射体在所述衬底基板所在平面的垂直投影位于所述衬底基板内。19.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，还包括馈电网络，所述馈电网络与所述传输电极同层设置，且所述馈电网络与所述传输电极电连接。20.根据权利要求19所述的天线，其特征在于，所述第一金属电极还包括多个辐射体；所述辐射体、所述传输电极和馈电网络同层设置，且所述传输电极与所述辐射体电连接。21.根据权利要求3所述的天线，其特征在于，所述第二金属电极接地设置。22.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述光致介电变化单元的材料包括偶氮染料或偶氮聚合物。23.根据权利要求1所述的天线，其特征在于，所述光致介电变化层的厚度为h，其中，10μm≤h≤1000μm。24.一种移相器，其特征在于，包括：第一金属电极、第二金属电极和光致介电变化层；所述第一金属电极和所述第二金属电极分别位于所述光致介电变化层相对的两侧；所述第一金属电极包括至少一个传输电极；所述传输电极用于传输电信号；所述光致介电变化层包括至少一个光致介电变化单元，且所述光致介电变化单元与所述传输电极交叠。25.根据权利要求24所述的移相器，其特征在于，所述电信号的频率大于等于1ghz。26.根据权利要求24所述的移相器，其特征在于，所述第二金属电极被提供固定电位。27.根据权利要求24所述的移相器，其特征在于，所述传输电极的形状包括线状；所述
线状包括相互连接的多段，至少两段的延伸方向相交。28.根据权利要求27所述的移相器，其特征在于，所述传输电极的线宽为w，其中，10μm≤w≤500μm。29.根据权利要求24所述的移相器，其特征在于，所述光致介电变化层包括多个光致介电变化单元；所述第二金属电极包括多个第一镂空区，所述第一镂空区包括至少一个第一镂空结构；所述至少一个第一镂空结构与所述光致介电变化单元交叠，且每一所述光致介电变化单元均与所述第一镂空结构交叠。30.根据权利要求29所述的移相器，其特征在于，还包括透光导电层，位于所述光致介电变化层与所述第二金属电极之间。31.根据权利要求29所述的移相器，其特征在于，所述第一镂空结构的尺寸大于等于2.5μm且小于等于25μm。32.根据权利要求24所述的移相器，其特征在于，还包括至少一层衬底基板；所述衬底基板与所述光致介电变化单元同层设置；和/或，所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠。33.根据权利要求32所述的移相器，其特征在于，当所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠时，所述衬底基板包括透光衬底基板。34.根据权利要求32所述的移相器，其特征在于，当所述衬底基板与所述光致介电变化单元异层设置且交叠时，所述光致介电变化层的厚度大于所述衬底基板的厚度。35.根据权利要求32所述的移相器，其特征在于，所述至少一层衬底基板包括两层衬底基板；所述两层衬底基板包括第一衬底基板和第二衬底基板；所述第一衬底基板与所述光致介电变化层异层设置且交叠，所述第二衬底基板与所述光致介电变化层异层设置且交叠，且所述第一衬底基板和所述第二衬底基板分别位于所述光致介电变化层的两侧。36.根据权利要求35所述的移相器，其特征在于，还包括第一粘合层和第二粘合层；所述第一衬底基板和所述光致介电变化层之间设置有所述第一粘合层；所述第二衬底基板和所述光致介电变化层之间设置有所述第二粘合层。37.根据权利要求35所述的移相器，其特征在于，还包括封框结构，位于所述第一衬底基板和所述第二衬底基板之间；所述第一衬底基板、所述第二衬底基板和所述封框结构形成容纳空间，所述容纳空间内设置有所述光致介电变化单元。38.根据权利要求37所述的移相器，其特征在于，所述第一衬底基板位于第一金属电极远离所述光致介电变化层的一侧；所述第二衬底基板位于第二金属电极远离所述光致介电变化层的一侧。39.根据权利要求35所述的移相器，其特征在于，所述至少一层衬底基板包括两层衬底基板；所述两层衬底基板包括第三衬底基板和第四衬底基板；所述第三衬底基板与所述光致介电变化层同层设置，所述第四衬底基板位于所述光致介电变化层的一侧；所述第三衬底基板的材料包括聚酰亚胺，所述第四衬底基板的材料包括玻璃或液晶聚合物。
40.根据权利要求26所述的移相器，其特征在于，所述第二金属电极接地设置。41.根据权利要求24所述的移相器，其特征在于，所述光致介电变化单元的材料包括偶氮染料或偶氮聚合物。42.根据权利要求24所述的移相器，其特征在于，所述光致介电变化层的厚度为h，其中，10μm≤h≤1000μm。43.一种通信设备，其特征在于，包括光源以及权利要求1-23任一项所述的天线或权24-42任一项所述的移相器；所述光源用于发出照射至所述光致介电变化层的光线，以使所述光致介电变化层的介电常数改变。

技术总结
本发明实施例公开了一种天线、移相器及通信设备。天线包括：第一金属电极、第二金属电极和光致介电变化层；第一金属电极和第二金属电极分别位于光致介电变化层相对的两侧；第一金属电极包括多个传输电极；传输电极用于传输电信号；光致介电变化层包括至少一个光致介电变化单元，且光致介电变化单元与传输电极交叠。本发明实施例提供的天线，为大规模商业化提供更多的可能。更多的可能。更多的可能。


技术研发人员：席克瑞 彭旭辉 秦锋 崔婷婷 林柏全
受保护的技术使用者：上海天马微电子有限公司
技术研发日：2021.03.02
技术公布日：2022/9/1