天线以及电子设备的制作方法

1.本技术涉及电磁波技术领域，具体涉及一种天线以及电子设备。


背景技术：

2.天线的应用范围极其广泛，例如，其可以应用于交通工具与卫星间的通讯、无人驾驶用数组雷达或安全防护数组雷达等。通过控制相位可以改变天线方向图最大值的指向，以达到波束扫描的目的。
3.目前的天线是机械式扫描的形式，该种天线形式体积大且需要机械转动结构，成本较高，不利于实现低成本。


技术实现要素：

4.本发明实施例提供一种天线以及电子设备，天线采用光控的形式实现移相，达到波束扫描的目的，成本更加低廉。
5.一方面，根据本发明实施例提出了一种天线，包括：接地电极层、传输电极层、介质层以及发光元件。传输电极层与接地电极层间隔且相对设置，传输电极层包括阵列分布的传输电极。接地电极层与传输电极层通过介质层电绝缘设置，介质层包括光致介变层，传输电极在接地电极层上的正投影至少部分被光致介变层在接地电极层上的正投影覆盖。发光元件设置于介质层并用于照射光致介变层，以调控光致介变层的介电常数。
6.另一个方面，根据本发明实施例提供一种电子设备，包括上述的天线。
7.根据本发明实施例提供的天线以及电子设备，天线的接地电极层与传输电极层之间通过介质层电绝缘设置，并使得介质层包括光致介变层，且传输电极层的传输电极在接地电极层上的正投影至少部分被光致介变层在接地电极层上的正投影覆盖，当位于介质层内的发光元件发光时能够照射到光致介变层，并对光致介变层的介电常数进行调控。由于天线的相位能够随光致介变层的介电常数的变化而变化，可利用发光元件与光致介变层的配合实现对天线的相位的调整，有利于实现低成本的天线。
附图说明
8.下面将参考附图来描述本发明示例性实施例的特征、优点和技术效果。
9.图1是本发明一个实施例的天线的俯视示意图；
10.图2是图1中沿a-a方向的剖视图；
11.图3是本发明一个实施例的发光元件的局部结构示意图；
12.图4是图3中沿b-b方向的剖视图；
13.图5是本发明另一个实施例的天线的辐射结构示意图；
14.图6是本发明又一个实施例的天线的俯视示意图；
15.图7是图6中沿d-d方向的剖视图；
16.图8是本发明再一个实施例的天线沿图1中的a-a所示位置的剖视图；
17.图9是本发明再一个实施例的天线的俯视图；
18.图10是图9中沿e-e方向的剖视图；
19.图11是本发明再一个实施例的天线沿图9中的e-e所示位置的剖视图；
20.图12是本发明再一个实施例的天线沿图6中的d-d所示位置的剖视图；
21.图13是本发明再一个实施例的天线的俯视图；
22.图14是图13中沿着f-f的剖视图；
23.图15是本发明再一个实施例的天线沿图13中的f-f所示位置的剖视图；
24.图16本发明再一个实施例的天线沿图13中的f-f所示位置的剖视图；
25.图17是本发明再一个实施例的天线的俯视图；
26.图18是图17中沿g-g方向的剖视图；
27.图19是图18中沿a-a方向的剖视图；
28.图20是图18中沿b-b方向的剖视图；
29.图21是图18中沿c-c方向的剖视图；
30.图22是本发明再一个实施例的天线沿图17中的g-g所示位置的剖视图；
31.图23本发明再一个实施例的天线的俯视图；
32.图24是图23中沿h-h方向的剖视图；
33.图25是图24中沿d-d方向的剖视图；
34.图26是图24中沿e-e方向的剖视图；
35.图27是图24中沿f-f方向的剖视图。
36.其中：
37.10-接地电极层；11-开口部；
38.20-传输电极层；21-传输电极；
39.30-介质层；31-光致介变层；32-固定介质层；
40.40-漏光光纤；41-纤芯；42-防护层；42a-包层；42b-涂敷层；43-透光孔；40a-第一线段；40b-第二线段；
41.50-辐射层；51-辐射体；
42.60-馈电网络层；
43.70-传输元件；71-光源矩阵；72-传输光纤。
44.在附图中，相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
45.下面将详细描述本技术的各个方面的特征和示例性实施例，为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及具体实施例，对本技术进行进一步详细描述。应理解，此处所描述的具体实施例仅被配置为解释本技术，并不被配置为限定本技术。对于本领域技术人员来说，本技术可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本技术的示例来提供对本技术更好的理解。
46.需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存
在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括
……”
限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
47.应当理解，在描述部件的结构时，当将一层、一个区域称为位于另一层、另一个区域“上面”或“上方”时，可以指直接位于另一层、另一个区域上面，或者在其与另一层、另一个区域之间还包含其它的层或区域。并且，如果将部件翻转，该一层、一个区域将位于另一层、另一个区域“下面”或“下方”。
48.本发明实施例提供一种新的天线，采用光控的形式实现天线的移相，达到波束扫描的目的，使得天线的成本更加低廉。为了更好地理解本发明，下面结合图1至图27根据本发明实施例的天线进行详细描述。
49.如图1以及图2所示，图1是本发明一个实施例的天线的俯视示意图，图2是图1中沿a-a方向的剖视图。
50.本发明实施例提供的天线，包括接地电极层10、传输电极层20、介质层30以及发光元件。传输电极层20与接地电极层10间隔且相对设置，传输电极层20包括阵列分布的传输电极21，传输电极21也可以称为微带线。接地电极层10与传输电极层20通过介质层30电绝缘设置，介质层30包括光致介变层31，传输电极21在接地电极层10上的正投影至少部分被光致介变层31在接地电极层10上的正投影覆盖。发光元件设置于介质层30并用于照射光致介变层31，以调控光致介变层31的介电常数。
51.可选地，本发明实施例提供的天线，其接地电极层10与传输电极层20配合以起到束缚电磁波的作用。
52.可选地，本发明实施例提供的天线，其传输电极层20所包括的传输电极21的数量可以为多个，多个传输电极21可以行列分布且彼此间隔，可选地，各传输电极层20在接地电极层10上的正投影的形状可以相同。
53.可选地，本发明实施例提供的天线，所包括的每个传输电极21在接地电极层10上的正投影可以至少部分被光致介变层31在接地电极层10上的正投影所覆盖，当然，可选地，每个传输电极21在接地电极层10上的正投影也可以完全被光致介变层31在接地电极层10上的正投影所覆盖。也即可以是，传输电极21与光致介变层31至少部分交叠。例如，传输电极21与光致介变层31完全交叠。
54.可选地，本发明实施例提供的天线，其发光元件可以设置于介质层30所包括的光致介变层31内，能够保证对光致介变层31的照射效果，当然，在有些示例中，当介质层30包括其它层结构时，也可以将发光元件设置于介质层30所包括其它层结构中，只要能够满足对光致介变层31的照射需求，进而保证对光致介变层31的介电常数的调控需求均可。
55.可选地，本发明实施例提供的天线，所提及的发光元件包括能够出射光线的所有元件，例如：其可以为获取电能后自发光的元件，也可以是具有导光功能且能够接收并传导外界光线，能够使得光线最终出射至光致介变层31的发光元件，并改变光致介变层31的介电常数均可。
56.每个传输电极21与对应区域的光致介变层31、接地电极层10共同组成的整体可以
称为移相器，天线移相主要是利用移相器改变电磁波的相位实现。电磁波经由移相器发生相位改变的方式主要包括改变电磁波在移相器中的传输路径长度或者改变移相器内相应介质层的传输常数。
57.由于移相器的对应的传输电极21、光致介变层31以及接地电极层10结构形式已经确定，电磁波在经由移相器时物理路径长度保持不变，可以通过改变移相器的光致介变层31的传输常数实现对经由移相器的电磁波的相位调节，而光致介变层31的传输常数与光致介变层31自身的介电常数相关。
58.因此，基于上述移相器改变电磁波相位的原理，本发明实施例提供的天线，将接地电极层10与传输电极21层之间采用介质层电绝缘设置，并使得介质层包括光致介变层31，且传输电极层20的传输电极21在接地电极层10上的正投影至少部分被光致介变层31在接地电极层10上的正投影覆盖，当位于介质层内的发光元件发光时能够照射到光致介变层31，在不同光线照射下，光致介变层31的介电常数不同，因此可以通过调整发光元件出射的光线，来调控光致介变层31的介电常数。光致介变层31的介电常数变化将使得经过的电磁波的相位发生变化，使得天线的相位能够随光致介变层31的介电常数的变化而变化，也就是说，仅需调整发光元件出射的光线，即可实现对天线的相位的调整，以实现天线整体波束扫描的目的。与机械式相控阵天线相比，具有体积小、无需机械转动结构且扫描速度快等优点，有利于实现低成本的天线。
59.并且，发光元件是设置于介质层30内的，出射的光线能够快速传导至光致介变层31，实现对其介电常数的调节，反应灵敏且集成度高。
60.如图1至图4所示，图3是本发明一个实施例的发光元件的局部结构示意图，图4是图3中沿b-b方向的剖视图。作为一种可选地实施方式，本发明实施例提供的天线，其发光元件可以包括漏光光纤40，漏光光纤40设置于光致介变层31内。由于漏光光纤40能够接收并传导外界的光线，使得光线最终出射至光致介变层31，通过使得发光元件包括漏光光纤40，既能够满足对光致介变层31照射以调控其介电常数需求。同时，将漏光光纤40设置于光致介变层31，使得漏光光纤40出射的光线能够直接照射光致介变层31，减小出射的光线的光程，同时，能够增加出射光线的照射面积。
61.如图4所示，作为一种可选地实施方式，漏光光纤40包括纤芯41以及包覆纤芯41设置的防护层42，防护层42上设置有两个以上间隔分布的透光孔43，纤芯41显露于透光孔43，光线沿纤芯41的延伸方向传播并通过透光孔43出射至光致介变层31。外界提供的光线或者说光波进入漏光光纤40后，在纤芯41以及防护层42之间通过全反射向前传播，防护层42用于绝缘以及反射光线。光线可以在防护层42设置透光孔43的位置出射，满足对光致介变层31的调控需求。
62.在一些可选地实施例中，防护层42可以包括包层42a以及涂敷层42b，包层42a位于纤芯41与涂敷层42b之间，透光孔43贯穿包层42a以及涂敷层42b，光线在纤芯41与包层42a之间产生全反射并实现在纤芯41内传导，涂敷层42b主要用于保护包层42a以及纤芯41。
63.作为一种可选地实施方式，本发明实施例提供的天线，对应每个传输电极21均设置有发光元件，当发光元件包括漏光光纤40时，每个发光元件的漏光光纤40与其中一个传输电极21相对设置，即，传输电极21的数量与漏光光纤40的数量相同且一一对应。
64.可选地，本发明实施例提供的天线，其漏光光纤40在平行于接地电极层10的平面
内沿第一预定轨迹延伸，以在光致介变层31内形成面光源。通过使得漏光光纤40沿第一预定轨迹延伸并在光致介变层31内形成面光源，能够增加漏光光纤40出射的光线对光致介变层31的照射面积，优化对相应区域光致介变层31的介电常数的调控效果。
65.可选地，所提及的第一预定轨迹为非直线轨迹，通过使得第一预定轨迹采用非直线轨迹，使得两个以上透光孔43能够沿非直线轨迹间隔分布，利于面光源的形成，第一预定轨迹包括但不限于蛇形轨迹、螺旋轨迹、蛇形与螺旋轨迹的组合形式或者一些其它不规则延伸的非直线轨迹等，只要能够保证多个透光孔43出射的光线整体形成面光源的形式均可。
66.如图1至图4所示，一些可选地实施例中，第一预定轨迹可以包括蛇形轨迹，例如可以使得漏光光纤40包括相交设置的第一线段40a以及第二线段40b，第一线段40a以及第二线段40b交替分布且首尾相接，整体形成蛇形轨迹，保证面光源的形成。在有实施例中，也可以使得漏光光纤40由多段弧形线段交替设置并首尾相接，整体形成蛇形轨迹的形式，同样可以满足面光源的形成。
67.如图5所示，图5是本发明另一个实施例的天线的俯视结构示意图。作为一种可选地实施方式，第一预定轨迹也可以包括螺旋轨迹，当为螺旋轨迹时，可以采用图5所示的多边形状的螺旋轨迹。当然，在有些示例中，也可以采用圆环状的螺旋轨迹，只要能够满足面光源的形成均可。
68.在一些可选地实施例中，本发明实施例提供的天线，传输电极21在平行于接地电极层10的平面沿第二预定轨迹延伸，第二预定轨迹包括蛇形轨迹和/或螺旋轨迹，所提及的蛇形轨迹以及螺旋轨迹的形状同上述在第一预定轨迹中的限定，此处不再重复赘述。漏光光纤40在接地电极层10上的正投影与传输电极21在接地电极层10上的正投影部分交叠。通过使得漏光光纤40在接地电极层10上的正投影与传输电极21在接地电极层10上的正投影部分交叠，能够将漏光光纤40在接地电极层10上的正投影与传输电极21在接地电极层10上的正投影限制在同一区域，利于实现天线的移相目的。
69.在一些可选地实施例中，漏光光纤40在平行于接地电极层10的平面的延伸轨迹至少部分与传输电极21的延伸轨迹相垂直，以减少微波损失。
70.作为一种可选地实施方式，本发明实施例提供的天线，光致介变层31的介电常数的变化量与光致介变层31接收的光通量呈正比，利于对光致介变层31的介电常数的调控。
71.如图1至图5所示，可选地，本发明实施例提供的天线，还包括传输元件70，传输元件70被配置为向发光元件传输能量，以使发光元件出射光线。通过设置传输元件70，更利于发光元件的光线发射需求。
72.可选地，当发光元件为获取电能后自发光的元件时，传输元件70可以为传输电能的导电元件，而当发光元件为具有导光功能且能够接收并传导外界光线，使得光线最终出射至光致介变层31的发光元件时，传输元件70可以为能够产生并传导光波的元件。
73.一些可选地实施例中，传输元件70可以包括光源矩阵71以及与发光元件的漏光光纤40连接的传输光纤72，光源矩阵71能够产生光波，可选地。光源矩阵71通过传输光纤72与相应的漏光光纤40连接，可以通过控制芯片控制光源矩阵71，使得发射至各漏光光纤40位置的光单独控制，最终实现天线的移相目的。
74.如图6以及图7所示，图6是本发明又一个实施例的天线的俯视示意图，图7是图6中
沿d-d方向的剖视图。本发明实施例提供的天线，介质层30可以仅包括光致介变层31，所包括的光致介变层31可以为一整层的结构形式，能够可靠的满足天线的移相位需求。
75.作为一种可选地实施方式，请继续参见图1、图2以及图6、图7。本发明实施例提供的天线还包括设置于介质层30的辐射层50，辐射层50包括阵列分布的辐射体51，每个辐射体51与其中一个传输电极21连接，辐射体51与接地电极层10通过介质层30电绝缘设置。辐射体51与接地电极层10通过介质层30电绝缘设置，能够保证天线的性能要求，且能够保证天线的安全需求。
76.作为一种可选地实施方式，辐射体51的数量可以与传输电极21的数量相同并一一对应设置，每个辐射体51与其中一个传输电极21连接。可选地，辐射体51的形状可以根据要求设置，辐射体51在接地电极层10上的正投影可以为多边形，如四边形。
77.本发明实施例提供的天线，当包括辐射体51时，其工作原理为：电磁波进入天线后进入相应的移相器，在移相器对应的光致介变层31内根据相应的传输电极的延伸轨迹震荡传输并最终传输至辐射体51，由于光致介变层31受到发光元件出射的光线照射后，其介电常数将发生变化，从而使得电磁波通过光致介变层31后相位发生变化，通过辐射体51能够可靠的将相位发生变化的电磁波辐射出去。
78.如图1以及图2所示，在一些其它的示例中，本发明实施例提供的天线，介质层30还可以包括固定介质层32，至少部分固定介质层32位于辐射层50及接地电极层10之间。通过设置固定介质层32，利于天线的成型，同时，固定介质层32能够对辐射体51起到支撑的作用以及对辐射体51与接地电极层10之间的电绝缘作用。
79.一些可选地实施例中，固定介质层32可以采用玻璃材质或者pcb板等结构形式。可选地，光致介变层31的材料可以包括偶氮基团，也可以理解为，光致介变层31是由具有偶氮基团的液晶材料形成的。由于偶氮基团具有光致异构的特性，使得光致介变层31在对应光线的照射下，其介电常数能够发生相应变化，实现改变射频信号的相位可控，达到相控阵天线的移相的目的。当然，光致介变层31也可以由其它材料形成，只要光致介变层31的介电常数可受光线的控制即可，本技术对光致介变层31的具体材料不作限定。
80.在一些可选的实施例中，在光致介变层31的材料包括偶氮基团的情况下，发光元件出射的光线的波长范围可以是390nm～577nm。其中，绿色光线的波长范围是492nm～577nm，蓝紫色光线的波长范围是390nm～492nm，也就是说，发光元件能够出射绿色光线和蓝紫色光线。本技术的发明人发现，发光元件出射的光线的波长范围390nm～492nm与波长范围492nm～577nm的占空比为100:0时，含有偶氮基团的光致介变层31的介电常数向终态ee变化，发光元件出射的光线的波长范围390nm～492nm与波长范围492nm～577nm的占空比为0:100时，含有偶氮基团的光致介变层31的介电常数向终态eo变化，发光元件出射的光线的波长范围390nm～492nm与波长范围492nm～577nm的占空比为n1:n2时，含有偶氮基团的光致介变层31的介电常数维持不变，其中，ee＞eo，n1＞0，n2＞0且n1 n2＝100。
81.也就是说，发光元件仅出射蓝紫色光线时，含有偶氮基团的光致介变层31的介电常数增大，发光元件仅出射绿色光线时，含有偶氮基团的光致介变层31的介电常数减小，发光元件同时发射满足一定的占空比条件的蓝紫色光线和绿色光线时，含有偶氮基团的光致介变层31的介电常数维持不变。因此，可以通过控制发光元件发射的各波长范围的光线的占空比，来调控光致介变层31的介电常数，进而实现相控阵天线的移相的目的。
82.如图1以及图2所示，在一些可选地实施例中，本发明实施例提供的天线，其固定介质层32的层数可以为一层，固定介质层32设置有镂空孔，光致介变层31包括填充于各镂空孔内的光致介变单元。通过上述设置，可以利用发光元件调控相应的光致介变单元的介电常数，进而满足天线的相位调控需求。
83.一些可选地实施例中，光致介变单元的数量可以与传输电极21的数量相同并一一对应设置，每个光致介变单元在接地电极层10上的正投影覆盖相对设置的传输电极21的正投影。
84.如图1、图8所示，图8是本发明再一个实施例的天线沿图1中的a-a所示位置的剖视图。可以理解的是，限定固定介质层32的数量为一层只是一种可选地实施方式，在有些实施例中，固定介质层32的数量也可以为至少两层，当为至少两层时，各层固定介质层32彼此层叠设置，可以在其中一层固定介质层32上设置镂空孔，并使得光致介变层31包括填充于各镂空孔内的光致介变单元，以满足天线的性能要求。
85.可选地，当固定介质层32为至少两层时，其具体可以为两层、三层甚至更多层，可以根据天线的成型要求，形成接地电极层10、传输电极层20以及辐射层50的金属层结构之间的电绝缘要求等设置即可。
86.作为一种可选地实施方式，本发明实施例提供的天线，其传输电极层20与辐射层50同层设置，当固定介质层32为至少两层时，各固定介质层32层叠设置于接地电极层10与辐射层50之间。
87.示例性地，固定介质层32的数量可以为两层，两层固定介质层32相互层叠，可以在其中一层固定介质层32上设置有镂空孔，光致介变层31包括填充于各镂空孔内的光致介变单元。如图8所示，当固定介质层32的层数为两层时，可以使得远离接地电极层10设置的固定介质层32上设置有镂空孔。
88.如图9以及图10所示，图9是本发明再一个实施例的天线的俯视图，图10是图9中沿e-e方向的剖视图。在有些实施例中，固定介质层32的数量为两层时，也可以使得靠近接地电极层10设置的固定介质层32上设置有镂空孔。
89.如图11所示，图11是本发明再一个实施例的天线沿图9中的e-e所示位置的剖视图。可选地，固定介质层32不限于为两层，也可以多于两层，如图11所示，固定介质层32的数量也可以为三层，三层固定介质层32层叠设置，可以使得三层固定介质层32中位于中间层的固定介质层32上设置有镂空孔，光致介变层31包括填充于各镂空孔内的光致介变单元。
90.本发明实施例提供的天线，通过将固定介质层32设置为两层以上，能够利于接地电极层10、传输电极层20以及辐射层50的成型，减少用于形成接地电极层10、传输电极层20以及辐射层50的金属层与光致介变层31分离的风险。
91.可以理解的是，当固定介质层32的数量为两层以上时，也可以使得每层固定介质层32上均设置有镂空孔，光致介变层31包括填充于各镂空孔内的光致介变单元。
92.作为一种可选地实施方式，本发明上述各实施例提供的天线，当介质层30包括固定介质层32时，均是以固定介质层32设置有镂空孔，光致介变层31包括填充于各镂空孔内的光致介变单元为例进行举例说明。也就是说，均是以光致介变层31与至少一层固定介质层32同层设置为例进行举例说明，此为一种可选地实施方式，在有些实施例中，也可以使得光致介变层31与固定介质层32分层设置，同样能够满足天线各金属层的成型要求。
93.在一些可选地实施例中，当固定介质层32与光致介变层31分层设置时，接地电极层10与传输电极层20的排布方向，固定介质层32以及光致介变层31相互层叠。
94.如图12所示，图12是本发明再一个实施例的天线沿图6中的d-d所示位置的剖视图。
95.示例性地，当固定介质层32与光致介变层31分层设置时，所包括的固定介质层32的层数可以为一层，固定介质层32与光致介变层31层叠，传输电极层20与接地电极层10之间通过层叠设置的固定介质层32以及光致介变层31电绝缘设置，辐射层50与接地电极层10之间通过层叠设置的固定介质层32以及光致介变层31电绝缘设置。如图12所示，一层固定介质层32可以位于光致介变层31与接地电极层10之间。
96.如图13以及图14所示，图13是本发明再一个实施例的天线的俯视图，图14是图13中沿着f-f的剖视图。可以理解的是，当固定介质层32与光致介变层31分层设置时，所包括的固定介质层32的层数为一层时，也可以使得光致介变层31位于固定介质层32与接地电极层10之间
97.如图15以及图16所示，图15是本发明再一个实施例的天线沿图13中的f-f所示位置的剖视图，图16是本发明再一个实施例的天线沿图13中的f-f所示位置的剖视图。可以理解的是，当固定介质层32与光致介变层31分层设置时，所包括的固定介质层32的层数不限于为一层，也可以为至少两层。当固定介质层32为至少两层时，各层固定介质层32以及光致介变层31可以层叠设置并位于传输电极层20以及接地电极层10之间。一些可选地实施例中，可以使得光致介变层31设置于相邻两层固定介质层32之间。
98.如图15所示，示例性地，以固定介质层32的层数为两层为例，在接地电极层10与传输电极层20的排布方向，两层固定介质层32以及光致介变层31相互层叠，可以将光致介变层31设置于两层固定介质层32之间。
99.在有些实施例中，也可以使得固定介质层32的层数多于两层，示例性地，如图16所示，可以使得固定介质层32的层数为三层，三层固定介质层32与光致介变层31层叠设置，光致介变层31位于任意两层固定介质层32之间，同样利于减小用于形成接地电极层10、传输电极层20以及辐射层50的金属层与光致介变层31分离的风险。
100.可以理解的是，上述各实施例均是以传输电极层20与辐射层50同层设置为例进行举例说明，此为一种可选地实施方式，传输电极层20与辐射层50不限于同层设置。
101.如图17至图21所示，图17是本发明再一个实施例的天线的俯视图，图18是图17中沿g-g方向的剖视图，图19是图18中沿a-a方向的剖视图，图20是图18中沿b-b方向的剖视图，图21是图18中沿c-c方向的剖视图。在有些实施例中，也可以根据产品需要，使得传输电极层20、接地电极层10以及辐射层50三者分层设置，所提及的分层设置指代传输电极层20、接地电极层10以及辐射层50各自所在层结构彼此间隔。一些可选地示例中，当传输电极层20、接地电极层10以及辐射层50三者分层设置时，接地电极层10与辐射层50之间可以通过固定介质层32电绝缘设置，接地电极层10与传输电极层20之间可以通过光致介变层31电绝缘设置。
102.通过将传输电极层20、接地电极层10以及辐射层50分层设置，能够使得天线整体在同等的辐射面积条件下，集成度更高，同时，能够避免传输电极21辐射泄露对天线的辐射方向图产生影响。并且，将传输电极层20分层设置，能够使其所包括的各传输电极21的形状
不受与辐射层50对应辐射体51连接条件限制，使得传输电极21的形状可以有更多的选择方式，利于传输电极21的形成。
103.如图17至图21所示，可选地，当传输电极层20、接地电极层10以及辐射层50分层设置时，光致介变层31与固定介质层32也可以采用分层设置形式，接地电极层10与传输电极层20的各传输电极21之间可以通过一整层光致介变层31电绝缘设置，接地电极层10与辐射层50的各辐射体51之间通过固定介质层32电绝缘设置，同样能够满足天线的性能要求。
104.可以理解的是，当传输电极层20、接地电极层10以及辐射层50分层设置时，光致介变层31不限于与固定介质层32分层设置，也可以使得光致介变层31与固定介质层32同层设置，具体可以与位于接地电极层10以及传输电极层20之间的固定介质层32同层设置。作为一种可选地实施方式，可以在传输电极层20、接地电极层10以及辐射层50任意二者所在层结构之间分别设置有固定介质层32，在接地电极层10与传输电极层20的固定介质层32上设置有镂空孔，光致介变层31包括填充至镂空孔内的光致介变单元，通过各光致介变单元电绝缘传输电极层20与接地电极层10。
105.在一些可选地实施例中，当传输电极层20、接地电极层10以及辐射层50三者分层设置时，接地电极层10位于传输电极层20以及辐射层50之间，接地电极层10上对应各传输电极21设置有开口部11，传输电极21在接地电极层10上的正投影覆盖相对设置的开口部11。通过将接地电极层10设置于传输电极层20与辐射层50之间，能够有效的保证接地电极层10与传输电极层20之间的配合以及接地电极层10与辐射层50之间的配合，减少传输电极层20与辐射层50之间的辐射影响。
106.如图22所示，图22是本发明再一个实施例的天线沿图17中的g-g所示位置的剖视图。在一些可选地实施例中，当传输电极层20、接地电极层10以及辐射层50三者分层设置时，传输电极层20背离接地电极层10的一侧设置有固定介质层32，利于传输电极层20的成型以及传输电极层20与光致介变层31之间的连接强度。
107.如图1至图22所示，作为一种可选地实施方式，本发明上述各实施例提供的天线，还包括馈电网络层60，各传输电极21通过馈电网络层60连接至同一射频信号端，馈电网络层60与传输电极层20以及辐射层50中的至少一者同层设置。
108.示例性地，如图17至图21所示，当传输电极层20、接地电极层10以及辐射层50三者分层设置时，馈电网络层60可以与辐射层50同层设置。
109.如图23至图27所示，图23是本发明再一个实施例的天线的俯视图，图24是图23中沿h-h方向的剖视图，图25是图24中沿d-d方向的剖视图，图26是图24中沿e-e方向的剖视图，图27是图24中沿f-f方向的剖视图。示例性地，当传输电极层20、接地电极层10以及辐射层50三者分层设置时，馈电网络层60也可以与传输电极层20同层设置。
110.基于相同的发明构思，本技术还提供了一种电子设备，本发明实施例提供的电子设备包括本技术上述任一实施例提供的天线。实施例仅以手机为例，对电子设备进行说明，可以理解的是，本技术实施例提供的电子设备，可以是可穿戴产品、电脑、车载电子设备等，本技术对此不作具体限制。本技术实施例提供的电子设备，具有本技术实施例提供的天线的有益效果，具体可以参考上述各实施例对于天线的具体说明，本实施例在此不再赘述。
111.虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述，但在不脱离本发明的范围的情况下，可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是，只要不存在结构冲
突，各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例，而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。