一种残膜回收机防缠绕挑膜装置的制 一种秧草收获机用电力驱动行走机构

一种节能镀膜玻璃的制作方法

2022-09-01 10:16:39 来源:中国专利 TAG:

1200sccm。
12.在一优选的实施方式中,agoa层厚度为5-8nm,其中,agoa层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agoa层,靶材为纯ag,溅射电源功率为200-250w,电源电压为200-250v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为30-50sccm,氧气流量为800-1200sccm。
13.在一优选的实施方式中,agob层厚度为5-8nm,其中,agob层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agob层,靶材为纯ag,溅射电源功率为300-500w,电源电压为300-500v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为30-50sccm,氧气流量为300-500sccm。
14.在一优选的实施方式中,agom层厚度为5-8nm,其中,agom层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agom层,靶材为纯ag,溅射电源功率为200-250w,电源电压为200-250v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为30-50sccm,氧气流量为800-1200sccm。
15.在一优选的实施方式中,agon层厚度为5-8nm,其中,agon层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agon层,靶材为纯ag,溅射电源功率为600-800w,电源电压为300-500v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为30-50sccm,氧气流量为600-750sccm。
16.与现有技术相比,本发明具有如下优点:
17.现有的镀膜玻璃的耐候性较差,经过基于时温等效原理的模拟计算,如果在我国北方四季分明地区使用该玻璃,则该现有技术的镀膜玻璃可能在使用1-2年之后就会发生变色、透光率降低以及传热系数变劣的问题。玻璃变色将导致建筑外观发生颜色不一的问题,透光率降低可能导致室内采光效果降低,从而导致室内采光成本的增加,而传热系数变劣将导致室内采暖或者降温的成本增加。为了解决前述技术问题,本发明提出一种具有新结构的节能镀膜玻璃。
附图说明
18.图1是根据本发明的一个实施方式的膜层结构示意图。
19.图2是根据本发明的一个实施方式的膜层结构示意图。
20.图3是根据本发明的一个实施方式的膜层结构示意图。
21.图4是根据本发明的一个实施方式的tem截面图。
22.图5是根据本发明的一个实施方式的tem截面图。
具体实施方式
23.下面结合附图,对本发明的具体实施方式进行详细描述,但应当理解本发明的保护范围并不受具体实施方式的限制。
24.除非另有其它明确表示,否则在整个说明书和权利要求书中,术语“包括”或其变换如“包含”或“包括有”等等将被理解为包括所陈述的元件或组成部分,而并未排除其它元件或其它组成部分。
25.如

背景技术:
所述,现有的镀膜玻璃可能在使用1-2年之后就会发生变色、透光率降
低以及传热系数变劣的问题。由于玻璃的变色是由氧化、晶格结构发生变化等物理化学反应导致,所以玻璃变色不均匀,这就导致建筑外观发生颜色不一的问题,平时如果注意观察某些高层高档写字楼的玻璃幕墙可以发现,这些玻璃幕墙普遍存在外墙颜色不一的问题,该问题并非玻璃幕墙未擦拭干净导致,而往往是幕墙材料变性导致。此外,透光率降低可能导致室内采光效果降低,例如如果透光率降低10-20%,则室内照明功率就需要相应提升,或者至少需要补充光源来补充亮度的不足。而传热系数变劣将导致室内采暖或者降温的成本增加。经过我方研发团队的研究,目前低辐射玻璃的耐候性不足可能是膜层结构不合理导致,具体来说,目前低辐射玻璃的膜层一般由阻挡层、介质层和功能层组成,阻挡层理论上用于阻挡氧分子或者氧基团渗入内层,从而防止内层晶格结构改变或者化学成分改变,介质层理论上具有调光的作用,当然也具有一定的阻挡作用,因为介质层一般也是由氧化物构成。但是由于原子与原子间的空隙,氧基团甚至氧分子仍然有可能穿过阻挡层和介质层渗入到功能层中,尤其在紫外线、高温、高湿度的环境中,由于高能量的作用,氧气分子更容易与其它元素形成各类基团,从而在高能量的作用下渗入玻璃膜层。此外,目前绝大多数低辐射玻璃的阻挡层都使用氮化硅层,而氮化硅层中完全不含氧元素,这本身就导致氧元素的化学势向氮化硅层方向倾斜,氧元素天然的具有向氮化硅层扩散的趋势,这可能进一步促进了当前低辐射玻璃耐候性的较差表现。以上技术问题可能需要通过设计新型的膜层结构予以解决。
26.图1是根据本发明的一个实施方式的膜层结构示意图。如图所示,节能镀膜玻璃由内至外依次具有以下层:玻璃基片层11、第一si3n4层12、第一缓冲阻隔层13、第一ag层14、第二缓冲阻隔层15、第二ag层16、第三缓冲阻隔层17以及第二si3n4层18。
27.图2是根据本发明的一个实施方式的膜层结构示意图。图2示意性的图示第一缓冲阻隔层13附近的膜层结构。如图所示,第一缓冲阻隔层13附近的膜层结构为第一si3n4层12、ago
x
层21、agoy层22以及第一ag层14。
28.图3是根据本发明的一个实施方式的膜层结构示意图。图3示意性的图示第二缓冲阻隔层15附近的膜层结构。第二缓冲阻隔层15附近的膜层结构为第一ag层14、agoa层31、agob层32、azo层33以及第二ag层16。第三缓冲阻隔层17的结构与前述两个缓冲阻隔层结构类似,本领域技术人员基于前述图1-3的图示应当能够理解第三缓冲阻隔层17的结构,本发明不再赘述第三缓冲阻隔层17的结构。
29.本发明提供了一种节能镀膜玻璃,该节能镀膜玻璃由内至外依次具有以下层:
30.玻璃基片层、第一si3n4层、第一缓冲阻隔层、第一ag层、第二缓冲阻隔层、第二ag层、第三缓冲阻隔层以及第二si3n4层。在一个实施例中,该玻璃基片可以是用于玻璃幕墙的、任何种类的、公知的玻璃,例如浮法玻璃、石英玻璃、钢化玻璃等等;在一个实施例中,第一si3n4层厚度为30-50nm,应当理解的是,si3n4层厚度是低辐射玻璃领域的公知参数,一般低辐射玻璃中的si3n4层厚度在30-50nm的范围内,si3n4层的厚度变化实质上不影响本发明的性能(si3n4层越厚可能只会极轻微的影响透光率),为了保证本发明的实施例和比较例的结果可比性,本发明的实施例的第一si3n4层厚度为40nm;在一个实施例中,磁控溅射法制备si3n4层已经是本领域的公知技术,其工艺参数同样是公知常识,应当理解的是,si3n4层的具体制备方法不会实质的影响本发明的性能,在本发明中,为了保证结果的可比性,第一si3n4层的制备方法为:以si3n4靶为靶材,使用射频磁控溅射法进行溅射,电源功
率为500w,电源电压500v,溅射气体为氩气,气体流量为100-150sccm,基片温度设置为100℃;第二si3n4层的厚度与制备工艺与第一si3n4层的厚度与制备工艺相同,不再赘述。
31.在一个实施例中,第一ag层的厚度为10-15nm,应当理解的是,ag层厚度是低辐射玻璃领域的公知参数,ag层的厚度必定影响玻璃的隔热性能(ag层较厚时,玻璃透光率急剧降低,但是隔热性能有所提高,反之,ag厚度减小则玻璃透光率可以有一定改善,但是隔热性能将受到较大损失),但是本领域双银的低辐射玻璃中,ag层厚度一般均在10-15nm,本发明的核心也不在于ag层厚度的设计。为了保证本发明的实施例和比较例的结果可比性,本发明的实施例的第一ag层厚度为12nm;在一个实施例中,磁控溅射法制备ag层已经是本领域的公知技术,其工艺参数同样是公知常识,应当理解的是,ag层的具体制备方法不会实质的影响本发明的性能,在本发明中,为了保证结果的可比性,第一ag层的制备方法为:以纯银为靶材,使用直流磁控溅射方法制备,具体参数参考cn112366107b,偏流0.05a,偏压50v。第二ag层的厚度与制备工艺与第一ag层的厚度与制备工艺相同,不再赘述。
32.在一个实施例中,azo的厚度为5-15nm,应当理解的是,azo的厚度是低辐射玻璃领域的公知参数,为了保证本发明的实施例和比较例的结果可比性,本发明的实施例的azo的厚度为10nm;在一个实施例中,磁控溅射法制备azo层已经是本领域的公知技术,其工艺参数同样是公知常识,应当理解的是,azo层的具体制备方法不会实质的影响本发明的性能,在本发明中,为了保证结果的可比性,azo层的制备方法为:以表面贴铝的氧化锌为靶材,使用射频磁控溅射方法制备,电源功率为500w,电源电压500v,溅射气体为氩气,气体流量为100-150sccm,基片温度设置为100℃(本发明的各个膜层的制备过程中,基片温度都可以是100℃)。
33.在一优选的实施方式中,第一缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:ago
x
层以及agoy层,其中,第一缓冲阻隔层的厚度小于15nm。本领域技术人员应该理解的是,由于采用反应溅射方法,所以尽可以确定ago层中包括ag元素以及氧元素,但是该化合物是非化学计量比的化合物,其具体的配比无法准确测定(使用能谱测出的数值误差可能在30%以上,能谱读数对于确定具体成分没有参考价值;而使用化学分析方法确定只有几个nm厚的膜层的化学成分尚有较大困难,并且事实上,直至目前为止绝大多数纳米膜材料的各个层的化学组成都以名义组成而非实际组成的方式定义和命名,其基本原因也是实际成本确定具有难以克服的困难导致),但是虽然具体数值难以获知,不过基于物质守恒定律,每个氧化银层中的氧元素含量却必然由制备该层的具体工艺(尤其是氧气流量)确定。综上原因,本发明使用“x/y/a/b/m/n”的方式来代替具体氧的数值。
34.以下开始介绍本发明的具体实施例以及对比例,通过以下具体实施例和对比例的比较,本领域技术人员更能够理解本发明介绍的方案。
35.实施例1
36.节能镀膜玻璃由内至外依次具有以下层:玻璃基片层、第一si3n4层、第一缓冲阻隔层、第一ag层、第二缓冲阻隔层、第二ag层、第三缓冲阻隔层以及第二si3n4层。第一缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:ago
x
层以及agoy层。第二缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:agoa层、agob层以及azo层。第三缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:agom层以及agon层。
37.ago
x
层厚度为5nm,其中,ago
x
层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备ago
x
层,靶材为纯ag(以下制备ago层靶材均为纯ag,不一一赘述),溅射电源功率为300w,电源电压为300v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为30sccm,氧气流量为300sccm。
38.agoy层厚度为5nm,其中,agoy层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agoy层,溅射电源功率为250w,电源电压为250v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为50sccm,氧气流量为800sccm。
39.agoa层厚度为5nm,其中,agoa层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agoa层,溅射电源功率为200w,电源电压为200v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为30sccm,氧气流量为800sccm。
40.agob层厚度为5nm,其中,agob层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agob层,溅射电源功率为300w,电源电压为300v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为30sccm,氧气流量为300sccm。
41.agom层厚度为5nm,其中,agom层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agom层,溅射电源功率为200w,电源电压为200v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为30sccm,氧气流量为800sccm。
42.agon层厚度为5nm,其中,agon层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agon层,溅射电源功率为600w,电源电压为300v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为30sccm,氧气流量为600sccm。
43.图4是根据本发明的一个实施方式的tem截面图。图4展示的是根据实施例1制备的镀膜玻璃的agob层以及azo层之间的截面图。首先测试实施例1制备之后的透过率1和传热系数1,随后将实施例1制备的玻璃在空气气氛下、温度65℃、湿度85%、飞利浦uv-c紫外线线形消毒灯以额定功率直射的条件下放置100天,随后再测试处理后的透过率2和传热系数2;参数定义为公知定义,其中,透过率为可见光下测得;传热系数u值,是指在稳定传热条件下,玻璃两侧空气温差为1度(k),单位时间通过单位面积传递的热量,单位是瓦/(平方米
·
度)(w/

·
k)。测试前后,肉眼观察玻璃表面无可观察到的颜色变化,结果如表1所示:
44.表1
45.透过率1传热系数1透过率2传热系数272%1.668%1.55
46.实施例2
47.节能镀膜玻璃由内至外依次具有以下层:玻璃基片层、第一si3n4层、第一缓冲阻隔层、第一ag层、第二缓冲阻隔层、第二ag层、第三缓冲阻隔层以及第二si3n4层。第一缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:ago
x
层以及agoy层。第二缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:agoa层、agob层以及azo层。第三缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:agom层以及agon层。
48.ago
x
层厚度为8nm,其中,ago
x
层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备ago
x
层,溅射电源功率为500w,电源电压为500v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为50sccm,氧气流量为500sccm。
49.agoy层厚度为6nm,其中,agoy层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agoy层,溅射电源功率为250w,电源电压为250v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流
量为50sccm,氧气流量为1200sccm。
50.agoa层厚度为8nm,其中,agoa层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agoa层,溅射电源功率为250w,电源电压为250v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为50sccm,氧气流量为1200sccm。
51.agob层厚度为8nm,其中,agob层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agob层,溅射电源功率为500w,电源电压为500v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为50sccm,氧气流量为500sccm。
52.agom层厚度为8nm,其中,agom层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agom层,溅射电源功率为250w,电源电压为250v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为50sccm,氧气流量为1200sccm。
53.agon层厚度为6nm,其中,agon层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agon层,溅射电源功率为800w,电源电压为500v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为50sccm,氧气流量为750sccm。图5是根据本发明的一个实施方式的tem截面图。图5展示的是根据实施例1制备的镀膜玻璃的agom层的截面图。测试前后,肉眼观察玻璃表面无可观察到的颜色变化,其它测试结果如表2所示,参数定义参见实施例1。
54.表2
55.透过率1传热系数1透过率2传热系数266%1.6765%1.63
56.实施例3
57.节能镀膜玻璃由内至外依次具有以下层:玻璃基片层、第一si3n4层、第一缓冲阻隔层、第一ag层、第二缓冲阻隔层、第二ag层、第三缓冲阻隔层以及第二si3n4层。第一缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:ago
x
层以及agoy层。第二缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:agoa层、agob层以及azo层。第三缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:agom层以及agon层。
58.ago
x
层厚度为6nm,其中,ago
x
层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备ago
x
层,靶材为纯ag,溅射电源功率为400w,电源电压为400v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为400sccm。
59.agoy层厚度为6nm,其中,agoy层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agoy层,靶材为纯ag,溅射电源功率为230w,电源电压为230v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为1000sccm。
60.agoa层厚度为6nm,其中,agoa层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agoa层,靶材为纯ag,溅射电源功率为230w,电源电压为230v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为1000sccm。
61.agob层厚度为6nm,其中,agob层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agob层,靶材为纯ag,溅射电源功率为400w,电源电压为400v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为400sccm。
62.agom层厚度为6nm,其中,agom层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agom层,靶材为纯ag,溅射电源功率为230w,电源电压为230v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为1000sccm。
63.agon层厚度为6nm,其中,agon层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agon层,靶材为纯ag,溅射电源功率为700w,电源电压为400v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为700sccm。测试前后,肉眼观察玻璃表面无可观察到的颜色变化,其它测试结果如表3所示,参数定义参见实施例1。
64.表3
65.透过率1传热系数1透过率2传热系数269%1.6267%1.58
66.对比例1
67.向中国建材国际工程集团有限公司购买双银低辐射玻璃。据该司销售人员宣传介绍,该购买的双银低辐射玻璃是按照cn110092593a中某实施例制造的。经我方测试,测试前后,肉眼观察对比例1代表的玻璃表面可以观察到轻微的颜色变化,其它对比例1测试结果如表4所示,测试方法和参数定义参见实施例1。
68.表4
69.透过率1传热系数1透过率2传热系数275%1.6262%1.42
70.该对比例1在高温、高湿、紫外线环境下性能快速变劣的原因在本发明的背景技术以及前面部分已经介绍。实施例1-3的高温、高湿、紫外线性能有比较显著提高的原因可能在于:第一缓冲阻隔层本身是氧化物成分,并且其并非符合化学配比的标准氧化物,本发明的ago层内部可能存在以各种价态和形式存在的各种氧基团,这使得缓冲阻隔层本身的化学势增高,氧元素穿过ago层内部扩散如功能层的能力降低;第二ago层本身的晶格结构可能具有某种防止氧元素穿层扩散的能力;第三ago层和ag层之间具有较好的界面形态,这种连接紧密的界面防止了氧气从界面处扩散。本领域技术人员应该理解的是,由于缺乏相关表征手段,性能快速变劣的原因仅是我司研发团队基于专业技术知识和实验结果做出的合理推断,真正的微观机制需要专门的科研机构进行研究,这种微观机制的探究并非我方面向生产的机构所应负责的事项。
71.对比例2
72.节能镀膜玻璃由内至外依次具有以下层:玻璃基片层、第一si3n4层、第一氧化物层、第一ag层、第二氧化物层、第二ag层、第三氧化物层以及第二si3n4层。第一氧化物层由内至外依次具有以下层:zno
x
层以及znoy层。第二氧化物层由内至外依次具有以下层:znoa层、znob层以及azo层。第三氧化物层由内至外依次具有以下层:znom层以及znon层。
73.zno
x
层厚度为6nm,其中,zno
x
层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备zno
x
层,靶材为纯zn,溅射电源功率为400w,电源电压为400v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为400sccm。
74.znoy层厚度为6nm,其中,znoy层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备znoy层,靶材为纯zn,溅射电源功率为230w,电源电压为230v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为1000sccm。
75.znoa层厚度为6nm,其中,znoa层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备znoa层,靶材为纯zn,溅射电源功率为230w,电源电压为230v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为1000sccm。
76.znob层厚度为6nm,其中,znob层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备znob层,靶材为纯zn,溅射电源功率为400w,电源电压为400v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为400sccm。
77.znom层厚度为6nm,其中,znom层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备znom层,靶材为纯zn,溅射电源功率为230w,电源电压为230v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为1000sccm。
78.znon层厚度为6nm,其中,znon层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备znon层,靶材为纯zn,溅射电源功率为700w,电源电压为400v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为700sccm。测试前后,肉眼观察对比例2代表的玻璃表面无可观察到的颜色变化,其它测试结果如表5所示,参数定义参见实施例1。
79.表5
80.透过率1传热系数1透过率2传热系数277%1.6369%1.51
81.通过比对实施例与对比例2可知,如果使用氧化锌替代氧化银,则耐高温、高湿、紫外线能力有所降低。
82.对比例3
83.节能镀膜玻璃由内至外依次具有以下层:玻璃基片层、第一si3n4层、第一缓冲阻隔层、第一ag层、第二缓冲阻隔层、第二ag层、第三缓冲阻隔层以及第二si3n4层。第一缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:ago
x
层。第二缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:agoa层azo层。第三缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:agom层。
84.ago
x
层厚度为15nm,其中,ago
x
层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备ago
x
层,溅射电源功率为500w,电源电压为500v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为50sccm,氧气流量为500sccm。
85.agoa层厚度为15nm,其中,agoa层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agoa层,溅射电源功率为250w,电源电压为250v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为50sccm,氧气流量为1200sccm。
86.agom层厚度为15nm,其中,agom层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agom层,溅射电源功率为250w,电源电压为250v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为50sccm,氧气流量为1200sccm。测试前后,肉眼观察对比例3代表的玻璃表面无可观察到的颜色变化,其它测试结果如表6所示,参数定义参见实施例1。
87.表6
88.透过率1传热系数1透过率2传热系数273%1.6467%1.54
89.可见,本发明的ago的梯度复合结构有利于玻璃耐高温、高湿、紫外线能力的提升。
90.对比例4
91.节能镀膜玻璃由内至外依次具有以下层:玻璃基片层、第一si3n4层、第一缓冲阻隔层、第一ag层、第二缓冲阻隔层、第二ag层、第三缓冲阻隔层以及第二si3n4层。第一缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:ago
x
层以及agoy层。第二缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:agoa层、agob层以及azo层。第三缓冲阻隔层由内至外依次具有以下层:agom层以及
agon层。
92.ago
x
层厚度为6nm,其中,ago
x
层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备ago
x
层,靶材为纯ag,溅射电源功率为1000w,电源电压为1000v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为800sccm。
93.agoy层厚度为6nm,其中,agoy层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agoy层,靶材为纯ag,溅射电源功率为800w,电源电压为800v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为2000sccm。
94.agoa层厚度为6nm,其中,agoa层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agoa层,靶材为纯ag,溅射电源功率为800w,电源电压为800v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为2000sccm。
95.agob层厚度为6nm,其中,agob层由以下工艺制备:使用射频磁控溅射法制备agob层,靶材为纯ag,溅射电源功率为1000w,电源电压为100v,溅射气氛为氩气与氧气的组合气,其中,氩气流量为40sccm,氧气流量为1000sccm。剩余参数与实施例3相同。测试前后,肉眼观察对比例4代表的玻璃表面可以观察到轻微的颜色变化,其它测试结果如表7所示,参数定义参见实施例1。
96.表7
97.透过率1传热系数1透过率2传热系数265%1.6150%1.37
98.性能下降原因可能是膜层之间缺陷增多,甚至出现微观裂缝,这导致氧元素的通路增多,因此耐高温、高湿、紫外线能力显著下降,并且由于缺陷增多,光线传播过程中经历的散射和折射增多,这又导致透光率的下降。
99.应当理解的是,在本发明的各种实施例中,上述各过程的撰写的先后顺序并不意味着执行顺序的先后,各过程的执行顺序应以其功能和内在逻辑确定,而不应对本发明实施例的实施过程构成任何限定。
100.应当理解的是,本发明的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本发明的原理,而不构成对本发明的限制。因此,在不偏离本发明的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。此外,本发明所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。
再多了解一些

本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。

发表评论 共有条评论
用户名: 密码:
验证码: 匿名发表

相关文献