一种C波段低噪声放大器的制作方法

技术特征：
1.一种c波段低噪声放大器，其特征在于，包括：输入电路、第一级放大器电路、第二级放大器电路、第一级偏置电路以及第二级偏置电路；所述输入电路包括第一电感、第一电容以及第二电感，输入端分别与所述第一电感、所述第二电感以及所述第一电容的一端相连，所述第一电感的另一端以及所述第一电容的另一端接地，所述第二电感的另一端与所述第一级放大器电路相连，所述第一级放大器电路、所述第一级偏置电路、所述第二级放大器电路以及所述第二级偏置电路依次相连。2.根据权利要求1所述的一种c波段低噪声放大器，其特征在于，所述第一级放大器电路具体包括：第一晶体管、第三电感、第二电阻、第二电容组成；所述第一晶体管的一端与所述第二电感的另一端相连，所述第一晶体管的源极与所述第三电感的一端相连，所述第一晶体管的漏极与所述第一偏置电路相连，所述第三电感的另一端通过并联的所述第二电阻以及所述第二电容接地。3.根据权利要求2所述的一种c波段低噪声放大器，其特征在于，所述第一级偏置电路具体包括：第四电容、第一电阻、第四电感以及第三电容；所述第四电容的一端与所述第一晶体管的漏极相连，所述第四电容的另一端与所述第二级放大器电路相连，所述第一电阻的一端与所述第一晶体管的漏极相连，所述第一电阻的另一端与所述第四电感的一端相连，所述第四电感的另一端与所述第三电容的一端相连，所述第三电容的另一端接地。4.根据权利要求3所述的一种c波段低噪声放大器，其特征在于，所述所述第二级放大器电路具体包括：第五电容、第五电感、第四电阻、第二晶体管、第六电感、第三电阻以及第六电容；所述第四电容的另一端分别与所述第五电容的一端以及所述第二晶体管的栅极相连，所述第五电容的另一端与所述第五电感的一端相连，所述第五电感的另一端与所述第四电阻的一端相连，所述第二晶体管的漏极与所述第六电感的一端相连，所述第六电感的另一端与所述第二级偏置电路相连，所述第二晶体管的源极通过并联的第三电阻以及第六电容接地。5.根据权利要求4所述的一种c波段低噪声放大器，其特征在于，所述第二级偏置电路包括：第七电感、第七电容以及第八电容；所述第四电阻的另一端分别与所述第七电感的一端以及所述第七电容的一端相连，所述第七电感的另一端分别与所述第八电容的一端以及所述第四电感的另一端相连，所述第八电容的另一端接地，所述第七电容的另一端接输出。

技术总结
本发明涉及微波单片集成电路领域，尤其涉及到一种C波段低噪声放大器。该放大器包括包括：输入电路、第一级放大器电路、第二级放大器电路、第一级偏置电路以及第二级偏置电路；所述输入电路包括第一电感、第一电容以及第二电感，输入端分别与所述第一电感、所述第二电感以及所述第一电容的一端相连，所述第一电感的另一端以及所述第一电容的另一端接地，所述第二电感的另一端与所述第一级放大器电路相连，所述第一级放大器电路、所述第一级偏置电路、所述第二级放大器电路以及所述第二级偏置电路依次相连。通过本发明能够达到拓展匹配带宽改善输出驻波的效果。改善输出驻波的效果。改善输出驻波的效果。


技术研发人员：吴君松 李泰成
受保护的技术使用者：北京航天微电科技有限公司
技术研发日：2022.04.28
技术公布日：2022/8/30