半导体装置和半导体装置的制造方法与流程

技术特征：
1.一种半导体装置，该半导体装置包括：栅极结构，该栅极结构包括交替地层叠的多个导电层和多个绝缘层；沟道层，该沟道层穿透所述栅极结构；多个存储器图案，所述多个存储器图案分别位于所述沟道层和所述多个导电层之间；阻挡层，该阻挡层包括位于所述导电层和所述存储器图案之间的第一部分以及在所述多个存储器图案之间延伸的第二部分；以及多个气隙，所述多个气隙分别位于所述阻挡层和所述多个绝缘层之间。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述气隙被设置为比所述导电层的侧壁更靠近所述沟道层。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述阻挡层的所述第二部分位于所述气隙和所述沟道层之间。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，各个所述气隙包括面向所述绝缘层的第一表面和面向所述阻挡层的第二表面，并且所述第二表面包括弯曲表面。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，各个所述气隙包括面向所述绝缘层的第一表面和面向所述阻挡层的第二表面，并且所述第一表面与所述导电层的侧壁对齐。6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，各个所述气隙包括面向所述绝缘层的第一表面和面向所述阻挡层的第二表面，并且所述第一表面被设置为比所述导电层的侧壁距所述沟道层更远。7.根据权利要求1所述的半导体装置，该半导体装置还包括围绕所述沟道层的隧道绝缘层，该隧道绝缘层与所述存储器图案和所述阻挡层接触。8.一种半导体装置，该半导体装置包括：栅极结构，该栅极结构包括交替地层叠的多个导电层和多个绝缘层；沟道层，该沟道层穿透所述栅极结构；多个存储器图案，所述多个存储器图案分别位于所述沟道层和所述多个导电层之间；多个阻挡图案，所述多个阻挡图案分别位于所述导电层和所述存储器图案之间；多个密封层，所述多个密封层分别位于所述多个绝缘层和所述沟道层之间；以及多个气隙，所述多个气隙分别包括在位于绝缘层和所述沟道层之间的所述密封层中。9.根据权利要求8所述的半导体装置，该半导体装置还包括围绕所述沟道层的隧道绝缘层，该隧道绝缘层与所述存储器图案和所述密封层接触。10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述气隙与所述隧道绝缘层接触。11.一种制造半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：形成包括交替地层叠的多个第一材料层和多个第二材料层的层叠结构；形成穿透所述层叠结构的第一开口；在所述第二材料层上形成第一牺牲图案；在所述第一开口中形成围绕所述第一牺牲图案的牺牲衬垫；形成穿透所述牺牲衬垫的孔以暴露所述第一牺牲图案；通过经由所述孔去除所述第一牺牲图案来形成气隙；将所述孔密封；以及在所述第一开口中形成沟道层。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，在将所述孔密封的步骤中，通过使所述牺牲衬垫氧化来形成阻挡层。13.根据权利要求12所述的方法，该方法还包括以下步骤：分别在所述多个气隙之间形成存储器图案。14.根据权利要求13所述的方法，其中，分别在所述多个气隙之间形成所述存储器图案的步骤包括以下步骤：在所述第一开口中形成存储器层；以及蚀刻所述存储器层和所述阻挡层。15.根据权利要求14所述的方法，该方法还包括以下步骤：通过蚀刻所述阻挡层以形成阻挡图案并且蚀刻所述存储器层以形成存储器图案来使所述气隙敞开，并且通过在所述阻挡图案和所述存储器图案上形成隧道绝缘层来将所述气隙密封。16.根据权利要求11所述的方法，其中，在形成所述第一牺牲图案的步骤中，在所述第二材料层的侧壁上选择性地沉积所述第一牺牲图案。17.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述第一牺牲图案的步骤包括以下步骤：通过蚀刻所述第二材料层来形成多个第二开口；分别在所述多个第二开口中形成种子图案；以及通过使所述种子图案氧化来形成所述第一牺牲图案。18.根据权利要求11所述的方法，其中，所述牺牲衬垫包括氮化物和多晶硅中的一种。19.根据权利要求11所述的方法，其中，形成所述孔的步骤包括以下步骤：在多个所述第一牺牲图案之间形成第二牺牲图案；以及蚀刻所述牺牲衬垫的通过所述第二牺牲图案暴露的部分。

技术总结
本申请涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。一种半导体装置包括：栅极结构，其包括交替地层叠的多个导电层和多个绝缘层；沟道层，其穿透栅极结构；多个存储器图案，其分别位于沟道层和多个导电层之间；阻挡层，其包括位于导电层和存储器图案之间的第一部分以及在多个存储器图案之间延伸的第二部分；以及多个气隙，其分别位于阻挡层和多个绝缘层之间。其分别位于阻挡层和多个绝缘层之间。其分别位于阻挡层和多个绝缘层之间。


技术研发人员：姜仁求 金昶汉
受保护的技术使用者：爱思开海力士有限公司
技术研发日：2021.10.15
技术公布日：2022/8/29