显示装置的制作方法

1.实施例一般提供显示装置。更具体地，实施例涉及一种减少泄漏电流的显示装置。


背景技术：

2.随着信息技术的发展，显示装置作为用户与信息之间的连接媒介的重要性日益凸显。因此，诸如液晶显示装置、有机发光显示装置和等离子显示装置的显示装置的使用正在增加。
3.可以根据各种驱动频率来驱动显示装置。当以60赫兹(hz)的驱动频率驱动显示装置时，例如，显示装置可以每秒显示60图像帧。当以30hz的驱动频率驱动显示装置时，例如，显示装置可以每秒显示30图像帧。


技术实现要素：

4.当显示装置以低频被驱动时，每个像素需要长时间保持关于每个图像帧的信息。在这种情况下，当在像素中的每一个中出现泄漏电流时，由于没有保持在图像帧上的信息，因此可能出现图像劣化或闪烁。即，为了以低频驱动显示装置，需要减少泄漏电流。
5.实施例提供一种减少泄漏电流的显示装置。
6.实施例中的显示装置包括：基底、第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极电极、第二栅极绝缘层、第二栅极电极和第一连接电极。所述第一有源层设置在所述基底上，并且包括第一源极区域、第一漏极区域、以及设置在所述第一源极区域与所述第一漏极区域之间的第一沟道区域。所述第一栅极绝缘层在所述基底上覆盖所述第一有源层。所述第一栅极电极在所述第一栅极绝缘层上分别设置在所述第一沟道区域的相对侧上。所述第二栅极绝缘层在所述第一栅极绝缘层上覆盖所述第一栅极电极。
7.所述第二栅极电极在所述第二栅极绝缘层上设置在所述第一沟道区域的中央部分上。所述第一连接电极设置在所述第二栅极电极上并且连接到所述第一栅极电极和所述第二栅极电极。
8.在实施例中，所述显示装置还可以包括：第二有源层、第三栅极电极、第四栅极电极和第二连接电极。所述第二有源层可以设置在所述基底上，并且包括第二源极区域、第二漏极区域、以及设置在所述第二源极区域与第二漏极区域之间的第二沟道区域。所述第三栅极电极可以在所述第一栅极绝缘层上设置在所述第二沟道区域的第一侧上。所述第四栅极电极可以在所述第二栅极绝缘层上设置在所述第二沟道区域的第二侧上。所述第二连接电极可以设置在所述第四栅极电极上，并且连接到所述第三栅极电极和所述第四栅极电极。
9.在实施例中，所述第一有源层、所述第一栅极电极和所述第二栅极电极以及所述第一连接电极可以被限定为第一晶体管。所述第二有源层、所述第三栅极电极和所述第四栅极电极以及所述第二连接电极可以被限定为第二晶体管。
10.在实施例中，所述第一晶体管可以是开关晶体管。所述第二晶体管可以是驱动晶
体管。
11.在实施例中，所述第一有源层和所述第二有源层中的每一个可以包括硅半导体。
12.在实施例中，所述第一源极区域和所述第二源极区域以及所述第一漏极区域和所述第二漏极区域中的每一个可以被掺杂有p型杂质离子或n型杂质离子。
13.在实施例中，所述第一有源层与所述第一栅极电极之间的最短距离可以小于所述第一有源层与所述第二栅极电极之间的最短距离。
14.在实施例中，所述第一栅极绝缘层可以包括氧化硅，并且所述第二栅极绝缘层包括氮化硅。
15.在实施例中，可以将相同的信号施加到所述第一栅极电极和所述第二栅极电极。
16.在实施例中，所述相同的信号可以是扫描信号。
17.在实施例中，所述显示装置还可以包括：第一电极，设置在所述连接电极上；发射层，设置在所述第一电极上；以及第二电极，设置在所述发射层上。
18.实施例中的一种显示装置，包括：基底、第一有源层、第一栅极绝缘层、第一栅极电极、第二栅极绝缘层、第二栅极电极和第一连接电极。所述第一有源层设置在所述基底上。所述第一有源层包括第一有源区域以及第二有源区域，所述第一有源区域包括第一源极区域、第一漏极区域以及第一沟道区域，并且所述第二有源区域包括第二源极区域、第二漏极区域以及第二沟道区域。所述第一栅极绝缘层在所述基底上覆盖所述第一有源层。所述第一栅极电极在所述第一栅极绝缘层上分别与所述第一沟道区域和所述第二沟道区域重叠。所述第二栅极绝缘层在所述第一栅极绝缘层上覆盖所述第一栅极电极。所述第二栅极电极在所述第二栅极绝缘层上分别与所述第一沟道区域和所述第二沟道区域重叠。所述第一连接电极设置在所述第二栅极电极上并且连接到所述第一栅极电极和所述第二栅极电极。
19.在实施例中，所述显示装置还可以包括第二有源层、第三栅极电极、第四栅极电极以及第二连接电极。所述第二有源层可以设置在所述基底上。所述第二有源层可以包括第三有源区域以及第四有源区域，所述第三有源区域包括第三源极区域、第三漏极区域以及第三沟道区域，所述第四有源区域包括第四源极区域、第四漏极区域以及第四沟道区域。第三栅极电极在所述第一栅极绝缘层上可以分别与所述第三沟道区域和所述第四沟道区域重叠。所述第四栅极电极在所述第二栅极绝缘层上可以与所述第四沟道区域重叠。所述第二连接电极可以设置在所述第四栅极电极上，并且连接到所述第三栅极电极和所述第四栅极电极。
20.在实施例中，所述第一有源层、所述第一栅极电极和所述第二栅极电极以及所述第一连接电极可以被限定为其中第一晶体管串联连接的第一双晶体管。所述第二有源层、所述第三栅极电极和所述第四栅极电极以及所述第二连接电极可以被限定为其中第二晶体管串联连接的第二双晶体管。
21.在实施例中，所述第一有源区域的所述第一漏极区域可以连接到所述第二有源区域的所述第二源极区域。所述第三有源区域的所述第三漏极区域可以连接到所述第四有源区域的所述第四源极区域。
22.在实施例中，所述第一有源层和所述第二有源层中的每一个可以包括硅半导体。
23.在实施例中，所述第一源极区域至所述第四源极区域和所述第一漏极区域至所述第四漏极区域中的每一个可以被掺杂有p型杂质离子或n型杂质离子。
24.在实施例中，所述第二栅极电极可以设置在所述第一栅极电极之间。所述第四栅极电极可以设置在所述第三栅极电极之间。
25.在实施例中，所述第一有源层与所述第一栅极电极之间的最短距离可以小于所述第一有源层与所述第二栅极电极之间的最短距离。
26.在实施例中，可以将相同的信号施加到所述第一栅极电极和所述第二栅极电极。
27.在本发明的实施例中的显示装置，可以包括：第一有源层，包括第一沟道区域；第一栅极电极，设置在所述第一有源层上的所述第一沟道区域的相对的侧中；第二栅极电极，设置在所述第一栅极上的所述第一沟道区域的中央部分中；以及第一连接电极，设置在所述第二栅极电极上并且连接所述第一栅极电极和所述第二栅极电极。因此，可以加强晶体管的老化并且可以减少流经晶体管的泄漏电流。
附图说明
28.从下面结合附图的详细描述中将更清楚地理解说明性的、非限制性的实施例。
29.图1是示出显示装置的实施例的框图。
30.图2是示出设置在图1的显示部分中的像素的电路图。
31.图3是示出包括在图2的像素中的晶体管的平面图。
32.图4是沿着图3的线i-i'截取的截面图。
33.图5是示出设置在显示装置的显示部分中的像素的另一实施例的电路图。
34.图6是示出包括在图5的像素中的晶体管和发射元件的截面图。
35.图7是示出设置在显示装置的显示部分中的像素的另一实施例的电路图。
36.图8是示出包括在图7的像素中的晶体管和发射元件的截面图。
37.图9是示出包括在图7的像素中的晶体管和发射元件的截面图。
38.图10是示出设置在显示装置的显示部分中的像素的另一实施例的电路图。
39.图11是示出包括在图10的像素中的晶体管和发射元件的截面图。
40.图12是示出包括在图10的像素中的晶体管和发射元件的截面图。
41.图13、图14、图15、图16和图17是示出制造显示装置的工艺的实施例的截面图。
具体实施方式
42.在下文中，将参照附图详细说明本发明的实施例。附图中相同的附图标记用于相同的组件，并且将省略对相同组件的重复说明。
43.将理解的是，当元件被称为“在”另一元件“上”时，所述元件可以直接“在”所述另一元件“上”，或者可以在所述元件与所述另一元件之间存在居间元件。相比之下，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在居间元件。
44.将理解的是，尽管在本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述各种元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在不脱离本文中的教导的情况下，下面讨论的“第一元件”、“第一组件”、“第一区域”、“第一层”或“第一部分”可以被称为“第二元件”、“第二组件”、“第二区域”、“第二层”或“第二部分”。
45.本文中使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，并非旨在进行限制。如本文中所使用的，除非上下文另有明确指示，否则单数形式“一个”、“一种”和“所述(该)”旨在包括复数形式，所述复数形式包括“至少一个(种)”。“或”意指“和/或”。如本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项的任何组合和所有组合。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括”和/或“包含”或者“含有”和/或“具有”时，说明存在所陈述的特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
46.此外，在本文中可以使用诸如“下”或“底部”和“上”或“顶部”的相对术语来描述如附图中所示的一个元件与另一元件的关系。将理解的是，除了附图中描绘的方位之外，相对术语还旨在涵盖装置的不同方位。在实施例中，当一幅附图中的装置被翻转，则描述为在其他元件“下”侧的元件随后将被定向为在其他元件“上”侧。因此，根据附图的具体方位，示例性术语“下”可以涵盖“下”和“上”两种方位。类似地，当一幅附图中的装置被翻转，则描述为在其他元件“下方”或“下面”的元件随后将被定向为在其他元件“上方”。因此，示例性术语“在
……
下方”或“在
……
下面”可以涵盖上方和下方两种方位。
47.考虑到讨论中的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，如本文中使用的“大约”或“近似”包括所陈述的值，并且是指在由本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内。例如，“大约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或者在所陈述的值的
±
30％、
±
20％、
±
10％、
±
5％以内。
48.除非另有定义，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，除非在这里明确地如此定义，否则术语(诸如在通用词典中定义的术语)应当被解释为具有与其在相关领域和本发明的背景中的含义相一致的含义，并且不应解释为理想化的或过于形式化的含义。
49.图1是示出显示装置的实施例的框图。
50.参照图1，显示装置1000可以包括显示部分110、时序控制器120、数据驱动器130、扫描驱动器140和发射驱动器150。
51.显示部分110可以包括多个像素px。多个像素px可以包括多条扫描线sl1、sl2、
……
、sln、多条数据线dl1、dl2、dl3、
……
、dlm、以及多条发射控制线el1、el2、
……
、eln(其中，n和m是大于1的自然数)。
52.数据线dl1、dl2、dl3、
……
、dlm可以连接到数据驱动器130并且将数据电压传输到像素px。扫描线sl1、sl2、
……
、sln可以连接到扫描驱动器140并且将扫描信号gw(例如参考图2)传输到像素px。发射控制线el1、el2、
……
、eln可以连接到发射驱动器150并且将发射控制信号em(例如参考图2)传输到像素px。
53.像素px可以接收驱动电压elvdd和公共电压elvss。像素px可以响应于扫描信号gw(例如参考图2)接收数据电压并且可以使用驱动电压elvdd和公共电压elvss产生与数据电压相对应的灰度级的光。
54.数据驱动器130可以响应于第一控制信号cont1将第一数据信号data1转换为数据电压，并且将数据电压输出到数据线dl1、dl2、dl3、
……
、dlm。
55.扫描驱动器140可以响应于第二控制信号cont2产生扫描信号gw(例如参考图2)。
56.发射驱动器150可以响应于第三控制信号cont3产生发射控制信号em(例如参考图2)。
57.时序控制器120可以从外部装置接收数据信号data和控制信号cont。在实施例中，例如，数据信号data可以包括红色图像数据、绿色图像数据和蓝色图像数据。控制信号cont可以包括水平同步信号、垂直同步信号或主时钟信号等。
58.时序控制器120可以基于控制信号cont产生用于驱动数据驱动器130的第一控制信号cont1。另外，时序控制器120可以基于控制信号cont产生用于驱动扫描驱动器140的第二控制信号cont2和用于驱动发射驱动器150的第三控制信号cont3。
59.图2是示出设置在图1的显示部分中的像素的电路图。在实施例中，例如，像素px中的每一个可以包括发射元件(例如，有机发光二极管oled)和用于驱动发射元件的像素电路pc。
60.参照图2，像素电路pc可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4_1和t4_2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7、存储电容器cst、被供应驱动电压elvdd的驱动电压线、被供应公共电压elvss的公共电压线、被供应初始化电压vint的初始化电压线、被供应数据信号data的数据信号线、被供应扫描信号gw的扫描信号线、被供应数据初始化信号gi的数据初始化信号线、被供应发光控制信号em的发光控制信号线或被供应二极管初始化信号gb的二极管初始化信号线等。
61.有机发光二极管oled可以基于驱动电流id输出光。有机发光二极管oled可以包括第一端子和第二端子。在实施例中，可以将公共电压elvss供应给有机发光二极管oled的第二端子。在实施例中，例如，有机发光二极管oled的第一端子可以是阳极端子，并且有机发光二极管oled的第二端子可以是阴极端子。在可替代的实施例中，有机发光二极管oled的第一端子可以是阴极端子，并且有机发光二极管oled的第二端子可以是阳极端子。
62.第一晶体管t1可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。在实施例中，第一晶体管t1的第一端子可以是源极端子，并且第一晶体管t1的第二端子可以是漏极端子。在可替代的实施例中，第一晶体管t1的第一端子可以是漏极端子，并且第一晶体管t1的第二端子可以是源极端子。
63.第一晶体管t1可以产生驱动电流id。在实施例中，第一晶体管t1可以在饱和区域中操作。在这种情况下，第一晶体管t1可以基于栅极端子与源极端子之间的电压差产生驱动电流id。另外，例如，可以基于供应到有机发光二极管oled的驱动电流id的大小来表示灰度。在可替代的实施例中，第一晶体管t1可以在线性区域中操作。在这种情况下，可以基于在一帧内将驱动电流id供应到有机发光二极管oled的期间的时间之和来表示灰度。
64.第二晶体管t2可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第二晶体管t2的栅极端子可以接收扫描信号gw。第二晶体管t2的第一端子可以接收数据信号data。第二晶体管t2的第二端子可以连接到第一晶体管t1的第一端子。在实施例中，第二晶体管t2的第一端子可以是源极端子，并且第二晶体管t2的第二端子可以是漏极端子。在可替代的实施例中，第二晶体管t2的第一端子可以是漏极端子，并且第二晶体管t2的第二端子可以是源极端子。
65.第二晶体管t2可以在扫描信号gw的激活时段期间将数据信号data供应到第一晶体管t1的第一端子。在这种情况下，第二晶体管t2可以在线性区域中操作。
66.第三晶体管t3可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第三晶体管t3的栅极端
子可以接收扫描信号gw。第三晶体管t3的第一端子可以连接到第一晶体管t1的第二端子。第三晶体管t3的第二端子可以连接到第一晶体管t1的栅极端子。在实施例中，第三晶体管t3的第一端子可以是源极端子，并且第三晶体管t3的第二端子可以是漏极端子。在可替代的实施例中，第三晶体管t3的第一端子可以是漏极端子，并且第三晶体管t3的第二端子可以是源极端子。
67.第三晶体管t3可以在扫描信号gw的激活时段期间连接第一晶体管t1的栅极端子和第一晶体管t1的第二端子。在这种情况下，第三晶体管t3可以在扫描信号gw的激活时段期间二极管连接第一晶体管t1。由于第一晶体管t1被二极管连接，因此在第一晶体管t1的第一端子与第一晶体管t1的栅极端子之间可能出现等于第一晶体管t1的阈值电压的电压差。结果，在扫描信号gw的激活时段期间，可以将通过将电压差(即，阈值电压)与供应到第一晶体管t1的第一端子的数据信号data的电压相加而获得的电压施加到第一晶体管t1的栅极端子。即，数据信号data可以由第一晶体管t1的阈值电压补偿，并且可以将补偿后的数据信号data供应到第一晶体管t1的栅极端子。
68.被供应初始化电压vint的初始化电压线可以连接到第四晶体管t4_2的第一端子和第七晶体管t7的第一端子。在数据初始化信号gi的激活时段期间，初始化电压vint可以从第四晶体管t4_1的第二端子输出并且被供应到存储电容器cst的第一端子。
69.第四晶体管t4_1和t4_2中的每一个可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。在实施例中，例如，第四晶体管t4_1和t4_2可以串联连接并且可以作为双晶体管操作。在实施例中，例如，当双晶体管断开时，可以减少泄漏电流。在数据初始化信号gi的激活时段期间，第四晶体管t4_1和t4_2中的每一个的第一端子可以接收初始化电压vint。第四晶体管t4_1和t4_2中的每一个的栅极端子可以接收数据初始化信号gi。第四晶体管t4_1的第二端子可以连接到第一晶体管t1的栅极端子。在实施例中，第四晶体管t4_1和t4_2中的每一个的第一端子可以是源极端子并且第四晶体管t4_1和t4_2中的每一个的第二端子可以是漏极端子。在可替代的实施例中，第四晶体管t4_1和t4_2中的每一个的第一端子可以是漏极端子并且第四晶体管t4_1和t4_2中的每一个的第二端子可以是源极端子。
70.第四晶体管t4_1和t4_2中的每一个可以在数据初始化信号gi的激活时段期间将初始化电压vint供应到第一晶体管t1的栅极端子。在这种情况下，第四晶体管t4_1和t4_2中的每一个可以在线性区域中操作。即，第四晶体管t4_1和t4_2中的每一个可以在数据初始化信号gi的激活时段期间将第一晶体管t1的栅极端子初始化为初始化电压vint。
71.在实施例中，数据初始化信号gi可以与一个水平时间之前的扫描信号gw基本上相同。在实施例中，例如，供应到多个子像素之中的第n行中的子像素(其中n为大于或等于2且等于或小于n的整数，这里n为大于2的自然数)的数据初始化信号gi可以与供应到多个子像素之中的第(n-1)行中的子像素的扫描信号gw基本上相同。即，通过将激活的扫描信号gw供应到第(n-1)行中的子像素，可以将激活的数据初始化信号gi供应到第n行中的子像素。结果，可以将数据信号data供应到子像素之中的第(n-1)行的子像素，并且可以将包括在子像素之中的第n行的子像素的第一晶体管t1的栅极端子初始化为初始化电压vint。
72.第五晶体管t5可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。栅极端子可以接收发射控制信号em。第一端子可以连接到被供应驱动电压elvdd的驱动电压线。第二端子可以连接到第一晶体管t1的第一端子。在实施例中，第五晶体管t5的第一端子可以是源极端子，并且
第五晶体管t5的第二端子可以是漏极端子。在可替代的实施例中，第五晶体管t5的第一端子可以是漏极端子，并且第五晶体管t5的第二端子可以是源极端子。
73.第五晶体管t5可以在发射控制信号em的激活时段期间将驱动电压elvdd供应到第一晶体管t1的第一端子。反过来，第五晶体管t5可以在发射控制信号em的失活时段期间阻断驱动电压elvdd的供应。在这种情况下，第五晶体管t5可以在线性区域中操作。当第五晶体管t5在发射控制信号em的激活时段期间将驱动电压elvdd供应到第一晶体管t1的第一端子时，第一晶体管t1可以产生驱动电流id。另外，当第五晶体管t5在发射控制信号em的失活时段期间阻断驱动电压elvdd的供应时，供应到第一晶体管t1的第一端子的数据信号data可以供应到第一晶体管t1的栅极端子。
74.第六晶体管t6可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第六晶体管t6的栅极端子可以接收发射控制信号em。第六晶体管t6的第一端子可以连接到第一晶体管t1的第二端子。第六晶体管t6的第二端子可以连接到有机发光二极管oled的第一端子。在实施例中，第六晶体管t6的第一端子可以是源极端子，并且第六晶体管t6的第二端子可以是漏极端子。在可替代的实施例中，第六晶体管t6的第一端子可以是漏极端子，并且第六晶体管t6的第二端子可以是源极端子。
75.在发射控制信号em的激活时段期间，第六晶体管t6可以将由第一晶体管t1产生的驱动电流id供应到有机发光二极管oled。在这种情况下，第六晶体管t6可以在线性区域中操作。即，当第六晶体管t6在发射控制信号em的激活时段期间将由第一晶体管t1产生的驱动电流id供应到有机发光二极管oled时，有机发光二极管oled可以输出光。另外，当第六晶体管t6在发射控制信号em的非激活时段期间将第一晶体管t1和有机发光二极管oled彼此电分离时，可以将供应到第一晶体管t1的第二端子的数据信号data(更准确地说，补偿阈值电压的数据信号)供应到第一晶体管t1的栅极端子。
76.第七晶体管t7可以包括栅极端子、第一端子和第二端子。第七晶体管t7的栅极端子可以接收二极管初始化信号gb。第七晶体管t7的第一端子可以接收初始化电压vint。第七晶体管t7的第二端子可以连接到有机发光二极管oled的第一端子。在实施例中，第七晶体管t7的第一端子可以是源极端子，并且第七晶体管t7的第二端子可以是漏极端子。在可替代的实施例中，第七晶体管t7的第一端子可以是漏极端子，并且第七晶体管t7的第二端子可以是源极端子。
77.在二极管初始化信号gb的激活时段期间，第七晶体管t7可以将初始化电压vint供应到有机发光二极管oled的第一端子。在这种情况下，第七晶体管t7可以在线性区域中操作。即，第七晶体管t7可以在二极管初始化信号gb的激活时段期间将有机发光二极管oled的第一端子初始化为初始化电压vint。
78.在可替代的实施例中，数据初始化信号gi和二极管初始化信号gb可以是彼此基本上相同的信号。初始化第一晶体管t1的栅极端子的操作和初始化有机发光二极管oled的第一端子的操作可以彼此不影响。即，初始化第一晶体管t1的栅极端子的操作和初始化有机发光二极管oled的第一端子的操作可以彼此独立。因此，可以不单独产生二极管初始化信号gb。
79.存储电容器cst可以包括第一端子和第二端子。存储电容器cst可以连接在被供应驱动电压elvdd的驱动电压线与第一晶体管t1的栅极端子之间。在实施例中，例如，存储电
容器cst的第一端子可以连接到第一晶体管t1的栅极端子，并且存储电容器cst的第二端子可以连接到被供应驱动电压elvdd的驱动电压线。存储电容器cst可以在扫描信号gw的失活时段期间维持第一晶体管t1的栅极端子的电压电平。扫描信号gw的失活时段可以与发射控制信号em的激活时段重叠，并且可以将由第一晶体管t1产生的驱动电流id在发射控制信号em的激活时段期间供应到有机发光二极管oled。因此，可以基于由存储电容器cst保持的电压电平将由第一晶体管t1产生的驱动电流id供应到有机发光二极管oled。
80.尽管本发明的像素px中的每一个已被描述为包括七个晶体管和一个存储电容器，但是本发明的配置不限于此。在实施例中，例如，像素px中的每一个可以具有包括至少一个晶体管和至少一个存储电容器的配置。
81.图3是示出包括在图2的像素中的晶体管的平面图。图4是沿着图3的线i-i'截取的截面图。在实施例中，例如，图3和图4的晶体管可以与图2的第三晶体管t3相对应。在实施例中，第三晶体管t3可以限定为开关晶体管。
82.参照图3和图4，像素px中的每一个可以包括基底210、缓冲层220、第一栅极绝缘层240a、第二栅极绝缘层240b、第三晶体管t3、中间绝缘层260、平坦化层280、像素限定层pdl、发射元件300或封装层330等。第三晶体管t3可以包括第一有源层230a、第一栅极电极251a、第二栅极电极252a和第一连接电极270a。发射元件300可以包括下电极290、发射层310和上电极320。
83.基底210可以包括透明或不透明材料。在实施例中，基底210可以包括例如柔性透明树脂基底。在实施例中，基底210可以包括聚酰亚胺基底，所述聚酰亚胺基底包括第一聚酰亚胺层、第一阻挡层、第二聚酰亚胺层或第二阻挡层等。在可替代的实施例中，基底210可以包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、钠钙玻璃基底或无碱玻璃基底等。
84.缓冲层220可以设置在基底210上。缓冲层220可以防止金属原子或杂质从基底210扩散到晶体管(例如，第三晶体管t3)。在实施例中，例如，缓冲层220可以包括诸如氧化物或氮化物的无机材料。
85.第一有源层230a可以设置在缓冲层220上。第一有源层230a可以包括氧化物半导体、无机半导体或有机半导体。在实施例中，第一有源层230a可以包括硅半导体。在实施例中，例如，第一有源层230a可以包括多晶硅。
86.第一有源层230a可以包括第一源极区域231a、第一漏极区域232a和第一沟道区域233a。第一沟道区域233a可以设置在第一源极区域231a与第一漏极区域232a之间。在实施例中，第一源极区域231a和第一漏极区域232a中的每一个均可以被掺杂有p型杂质离子。在可替代的实施例中，第一源极区域231a和第一漏极区域232a中的每一个可以被掺杂有n型杂质离子。
87.第一栅极绝缘层240a可以设置在缓冲层220和第一有源层230a上。第一栅极绝缘层240a可以覆盖第一有源层230a，并且可以以沿着垂直于基底210的主延伸方向的厚度方向(例如，图4中的垂直方向)具有均匀的厚度地沿着第一有源层230a的轮廓设置。在可替代的实施例中，第一栅极绝缘层240a可以充分地覆盖第一有源层230a，并且可以具有基本上平坦的顶表面，而不在第一有源层230a周围形成台阶。在实施例中，例如，第一栅极绝缘层240a可以包括氧化硅(sio
x
)或氮化硅(sin
x
)等。在实施例中，第一栅极绝缘层240a可以具有包括氧化硅的单层结构。在可替代的实施例中，第一栅极绝缘层240a可以具有包括氧化硅
和氮化硅的多层结构。
88.在下文中，假设第一有源层230a的第一源极区域231a和第一漏极区域232a被掺杂有p型杂质离子。
89.第一栅极绝缘层240a的与第一漏极区域232a相邻的区域可以具有比第一栅极绝缘层240a的与第一源极区域231a相邻的区域更高的电子密度。在实施例中，例如，电荷捕获区域241可以存在于第一栅极绝缘层240a的与第一漏极区域232a相邻的区域中。在电荷捕获区域241中，可以存在通过被捕获在第一栅极绝缘层240a的晶格中而具有固定位置的电子。
90.两个第一栅极电极251a可以设置在第一栅极绝缘层240a上。第一栅极电极251a可以与第一有源层230a的第一沟道区域233a重叠。在实施例中，第一栅极电极251a可以分别设置在基底210上的第一沟道区域233a的相对的侧上。在实施例中，例如，第一栅极电极251a中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
91.第二栅极绝缘层240b可以设置在第一栅极绝缘层240a和第一栅极电极251a上。第二栅极绝缘层240b可以覆盖第一栅极电极251a，并且可以沿着第一栅极电极251a的轮廓设置以具有均匀的厚度。在可替代的实施例中，第二栅极绝缘层240b可以充分覆盖第一栅极电极251a，并且可以具有基本上平坦的顶表面，而不在第一栅极电极251a周围形成台阶。在实施例中，例如，第二栅极绝缘层240b可以包括氧化硅或氮化硅等。在实施例中，第二栅极绝缘层240b可以具有包括氮化硅的单层结构。
92.在实施例中，第二栅极电极252a可以设置在第二栅极绝缘层240b上。第二栅极电极252a可以与第一有源层230a的第一沟道区域233a重叠。在实施例中，第二栅极电极252a可以设置在基底210上的第一沟道区域233a的中央部分上。在实施例中，例如，第二栅极电极252a可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
93.在实施例中，第二栅极电极252a可以不与第一栅极电极251a重叠。在可替代的实施例中，第二栅极电极252a可以与第一栅极电极251a的至少一部分重叠。在实施例中，例如，第一栅极电极251a中的每一个可以与第一源极区域231a或第一漏极区域232a相邻设置。
94.在实施例中，第一栅极绝缘层240a的厚度可以大于第二栅极绝缘层240b的厚度。在可替代的实施例中，第一栅极绝缘层240a的厚度可以与第二栅极绝缘层240b的厚度相同。在此，第一栅极绝缘层240a的厚度可以被限定为第一厚度d1，并且第二栅极绝缘层240b的厚度可以被限定为第二厚度d2。在实施例中，例如，第一厚度d1可以为大约800埃至大约1,200埃，并且第二厚度d2可以为大约500埃至大约800埃。换言之，第一有源层230a与第一栅极电极251a之间的最短距离可以小于第一有源层230a与第二栅极电极252a之间的最短距离。
95.如稍后将描述的，当第一厚度d1和第二厚度d2满足上述条件时，可以增强由电荷捕获区域241产生的电场，并且可以增强第三晶体管t3的老化。
96.在实施例中，可以将相同的信号施加到第一栅极电极251a和第二栅极电极252a。在实施例中，例如，可以将图2中示出的扫描信号gw施加到第一栅极电极251a和第二栅极电极252a。
97.中间绝缘层260可以设置在第二栅极绝缘层240b和第二栅极电极252a上。中间绝
缘层260可以覆盖第二栅极电极252a并且可以以均匀的厚度沿着第二栅极电极252a的轮廓设置。在可替代的实施例中，中间绝缘层260可以充分地覆盖第二栅极电极252a并且可以具有基本上平坦的顶表面而不在第二栅极电极252a周围产生台阶。在实施例中，中间绝缘层260可以包括例如氧化硅或氮化硅等。在实施例中，中间绝缘层260可以具有包括氧化硅和氮化硅的多层结构。
98.第一连接电极270a可以设置在中间绝缘层260上。在实施例中，第一连接电极270a可以连接第一栅极电极251a和第二栅极电极252a。换言之，第一连接电极270a可以通过由去除第二栅极绝缘层240b和中间绝缘层260而限定的第一接触孔cnt1分别连接到第一栅极电极251a。另外，第一连接电极270a可以通过由去除中间绝缘层260的一部分而限定的第二接触孔cnt2连接到第二栅极电极252a。在实施例中，例如，第一连接电极270a可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
99.平坦化层280可以设置在中间绝缘层260和第一连接电极270a上。平坦化层280可以充分地覆盖第一连接电极270a。平坦化层280可以包括有机材料或无机材料。在实施例中，例如，平坦化层280可以包括有机材料，诸如聚酰亚胺基树脂、光刻胶、丙烯酸树脂、聚酰胺基树脂或硅氧烷基树脂等。
100.下电极290可以设置在平坦化层280上。下电极290可以电连接到图2中示出的第六晶体管t6的漏极电极。在实施例中，例如，下电极290可以包括诸如金属或透明导电氧化物等的导电材料。
101.像素限定层pdl可以设置在平坦化层280上。可以在像素限定层pdl中限定暴露下电极290的一部分的开口。在实施例中，例如，像素限定层pdl可以包括诸如聚酰亚胺的有机材料。
102.发射层310可以设置在下电极290上。发射层310可以设置在由开口暴露的下电极290上。发射层310可以具有包括有机发射层、空穴注入层、空穴传输层、电子传输层或电子注入层等的多层结构。可以使用能够发射红光、绿光或蓝光等的发射材料中的至少一种来形成或提供有机发射层。在可替代的实施例中，有机发光层可以通过堆叠能够产生不同颜色的光(诸如红光、绿光和蓝光)的多种发光材料而整体发射白光。
103.上电极320可以设置在像素限定层pdl和发射层310上。即，上电极320可以完全设置在图1中示出的显示部分110上。在实施例中，例如，上电极320可以包括诸如金属或透明导电氧化物等的导电材料。
104.封装层330可以设置在上电极320上。封装层330可以包括至少一层无机层和至少一层有机层。在实施例中，例如，无机层可以包括氧化硅或氮化硅等。有机层可以包括诸如聚丙烯酸酯(“par”)的固化聚合物。
105.在下文中，将描述第三晶体管t3的老化方法。
106.当晶体管被连续使用时，晶体管的特性在初始预定时段期间可以迅速改变。即使当持续使用晶体管时，晶体管的特性在预定时段之后的时间也几乎不可能改变。
107.老化工艺是通过在显示装置的制造阶段预先将应力施加到晶体管来防止即使当用户使用显示装置时晶体管的特性改变的工艺。
108.在实施例中，第三晶体管t3的老化方法可以通过将高于第一漏极区域232a的偏压的偏压施加到与第一漏极区域232a相邻设置的第一栅极电极251a来执行。在实施例中，例
如，可以将大约15伏(v)至大约30v的偏压施加到与第一漏极区域232a相邻设置的第一栅极电极251a。此后，电子可以被捕获在第一栅极绝缘层240a的晶格中并且可以形成或提供电荷捕获区域241。因此，当由电荷捕获区域241产生的电场部分地抵消第三晶体管t3的栅极绝缘层与漏极电极之间的电场时，可以减小泄漏电流。
109.尽管参照图4描述的老化工艺是其中第一有源层230a被掺杂有p型杂质离子的情况，但即使当第一有源层230a被掺杂有n型杂质离子时，也可以应用相同的原理。
110.在实施例中，例如，当第一有源层230a被掺杂有n型杂质离子时，第三晶体管t3的老化方法可以通过将低于第一漏极区域232a的偏置电压的偏置电压施加到与第一漏极区域232a相邻设置的第一栅极电极251a来执行。因此，可以在第一栅极绝缘层240a的晶格中捕获空穴，并且可以形成或提供电荷捕获区域241。
111.在这种情况下，第一栅极绝缘层240a的与第一漏极区域232a相邻的区域可以具有高于第一栅极绝缘层240a的与第一源极区域231a相邻的区域的空穴密度。
112.传统显示装置可能不直接将电压施加到第三晶体管的漏极电极，所以第三晶体管不易老化。
113.在实施例中，显示装置1000的第三晶体管t3可以包括包含第一沟道区域233a的第一有源层230a、设置在第一有源层230a上并且与第一沟道区域233a重叠的两个第一栅极电极251a、设置在第一栅极电极251a上并且与第一沟道区域233a重叠的第二栅极电极252a以及设置在第二栅极电极252a上并且连接第一栅极电极251a和第二栅极电极252a的第一连接电极270a。因此，可以加强第三晶体管t3的老化，并且可以减小流经第三晶体管t3的泄漏电流。
114.上述相同原理的老化工艺可以应用于下述晶体管(例如，第一晶体管t1、第三晶体管t3和第四晶体管t4)。
115.图5是示出设置在显示装置的显示部分中的像素的另一实施例的电路图。在实施例中，例如，像素px中的每一个可以包括发射元件(例如，有机发光二极管oled)和用于驱动发射元件的像素电路pc。
116.参照图5，像素电路pc可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3、第四晶体管t4、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7、存储电容器cst、被供应驱动电压elvdd的驱动电压线、被供应公共电压elvss的公共电压线、被供应初始化电压vint的初始化电压线、被供应数据信号data的数据信号线、被供应扫描信号gw的扫描信号线、被供应数据初始化信号gi的数据初始化信号线、被供应发射控制信号em的发射控制信号线或被供应二极管初始化信号gb的二极管初始化信号线等。除了第一晶体管t1和第四晶体管t4的结构之外，图5的像素px可以与参照图2描述的像素px基本上相同或相似。在下文中，将省略重叠描述。
117.如后文所述，除了截面结构之外，图5中示出的第一晶体管t1与图2中示出的第一晶体管t1基本上相同或相似。另外，与图2中示出的第四晶体管t4_1和t4_2不同，图5中示出的第四晶体管t4可以作为单个晶体管操作。
118.图6是示出包括在图5的像素中的晶体管和发射元件的截面图。在实施例中，例如，图6的晶体管tr可以与图5中示出的第一晶体管t1或第四晶体管t4相对应。第一晶体管t1可以是驱动晶体管，并且第四晶体管t4可以是开关晶体管。
119.参照图5和图6，像素px中的每一个可以包括基底210、缓冲层220、第一栅极绝缘层240a、第二栅极绝缘层240b、晶体管tr、中间绝缘层260、平坦化层280、像素限定层pdl、发射元件300或封装层330等。晶体管tr可以包括第二有源层340a、第三栅极电极253a、第四栅极电极254a和第二连接电极271a。发射元件300可以包括下电极290、发射层310和上电极320。除了晶体管tr的结构之外，参照图6描述的像素px可以与参照图4描述的像素px基本上相同或相似。在下文中，将省略重叠描述。
120.第二有源层340a可以设置在缓冲层220上。第二有源层340a可以包括氧化物半导体、无机半导体或有机半导体。在实施例中，第二有源层340a可以包括硅半导体。在实施例中，例如，第二有源层340a可以包括多晶硅。
121.第二有源层340a可以包括第二源极区域341a、第二漏极区域342a和第二沟道区域343a。第二沟道区域343a可以设置在第二源极区域341a与第二漏极区域342a之间。在实施例中，第二源极区域341a和第二漏极区域342a中的每一个可以被掺杂有p型杂质离子。在可替代的实施例中，第二源极区域341a和第二漏极区域342a中的每一个可以被掺杂有n型杂质离子。
122.第三栅极电极253a可以设置在第一栅极绝缘层240a上。第三栅极电极253a可以与第二有源层340a的第二沟道区域343a重叠。在实施例中，第三栅极电极253a可以设置在基底210上的第二沟道区域343a的第一侧上。在实施例中，例如，第三栅极电极253a可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
123.第四栅极电极254a可以设置在第二栅极绝缘层240b上。第四栅极电极254a可以与第二有源层340a的第二沟道区域343a重叠。在实施例中，第四栅极电极254a可以设置在基底210上的第二沟道区域343a的第二侧上。在实施例中，例如，第四栅极电极254a可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
124.在实施例中，第四栅极电极254a可以不与第三栅极电极253a重叠。在可替代的实施例中，第四栅极电极254a可以与第三栅极电极253a的至少一部分重叠。在实施例中，例如，第三栅极电极253a和第四栅极电极254a可以彼此相邻设置。即，第三栅极电极253a可以与第二有源层340a的第二漏极区域342a相邻设置，并且第四栅极电极254a可以与第二有源层340a的第二源极区域341a相邻设置。
125.第二连接电极271a可以设置在中间绝缘层260上。在实施例中，第二连接电极271a可以连接第三栅极电极253a和第四栅极电极254a。即，第二连接电极271a可以通过由去除第二栅极绝缘层240b和中间绝缘层260而限定的接触孔连接到第三栅极电极253a。另外，第二连接电极271a可以通过由去除中间绝缘层260的一部分而限定的接触孔连接到第四栅极电极254a。在实施例中，例如，第二连接电极271a可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
126.图7是示出设置在显示装置的显示部分中的像素的另一实施例的电路图。在实施例中，例如，图7的像素px可以包括发射元件(例如，有机发光二极管oled)和用于驱动发射元件的像素电路pc。
127.参照图7，像素电路pc可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3_1和t3_2、第四晶体管t4_1和t4_2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7、存储电容器cst、被供应驱动电压elvdd的驱动电压线、被供应公共电压elvss的公共电压线、被供应初
始化电压vint的初始化电压线、被供应数据信号data的数据信号线、被供应扫描信号gw的扫描信号线、被供应数据初始化信号gi的数据初始化信号线、被供应发射控制信号em的发射控制信号线或被供应二极管初始化信号gb的二极管初始化信号线等。除了第三晶体管t3_1和t3_2以及第四晶体管t4_1和t4_2的结构之外，参照图7描述的像素px可以与参照图2和图5描述的像素px基本上相同或相似。在下文中，将省略重叠描述。
128.与图2和图5中示出的第三晶体管t3不同，图7中示出的第三晶体管t3_1和t3_2可以作为双晶体管操作。在实施例中，例如，当双晶体管断开时，可以减小泄漏电流。另外，除了截面结构之外，图7中示出的第四晶体管t4_1和t4_2可以与图2中示出的第四晶体管t4_1和t4_2基本上相同或相似。
129.图8是示出包括在图7的像素中的晶体管和发射元件的截面图。图9是示出包括在图7的像素中的晶体管和发射元件的截面图。在实施例中，例如，图8的晶体管可以与图7中示出的第三晶体管t3_1和t3_2相对应，并且图9的晶体管可以与图7中示出的第四晶体管t4_1和t4_2相对应。
130.参照图7至图9，像素px中的每一个可以包括基底210、缓冲层220、第一栅极绝缘层240a、第二栅极绝缘层240b、第三晶体管t3_1和t3_2、第四晶体管t4_1和t4_2、中间绝缘层260、平坦化层280、像素限定层pdl、发射元件300或封装层330等。第三晶体管t3_1和t3_2可以包括第一有源层230b、第一栅极电极251b、第二栅极电极252b和第一连接电极270b，并且第四晶体管t4_1和t4_2可以包括第二有源层340b、第三栅极电极253b、第四栅极电极254b和第二连接电极271b。另外，发射元件300可以包括下电极290、发射层310和上电极320。除了第三晶体管t3_1和t3_2以及第四晶体管t4_1和t4_2的结构之外，参照图8和图9描述的像素px可以与参照图4和图6描述的像素px基本上相同或相似。在下文中，将省略重叠描述。
131.参照图8，第一有源层230b可以设置在缓冲层220上。第一有源层230b可以包括氧化物半导体、无机半导体或有机半导体。在实施例中，第一有源层230b可以包括硅半导体。在实施例中，例如，第一有源层230b可以包括多晶硅。
132.第一有源层230b可以包括第一有源区域10a和第二有源区域10b。第一有源区域10a可以包括第一源极区域231b、第一漏极区域232b和第一沟道区域235b。另外，第二有源区域10b可以包括第二源极区域233b、第二漏极区域234b和第二沟道区域236b。在实施例中，例如，第一有源区域10a的第一漏极区域232b可以延伸到第二有源区域10b的第二源极区域233b。
133.在实施例中，第一源极区域231b和第二源极区域233b以及第一漏极区域232b和第二漏极区域234b可以被掺杂有p型杂质离子。在可替代的实施例中，第一源极区域231b和第二源极区域233b以及第一漏极区域232b和第二漏极区域234b可以被掺杂有n型杂质离子。
134.两个第一栅极电极251b可以设置在第一栅极绝缘层240a上。在实施例中，第一栅极电极251b可以分别与第一有源区域10a和第二有源区域10b重叠。换言之，第一栅极电极251b可以分别与第一有源区域10a的第一沟道区域235b和第二有源区域10b的第二沟道区域236b重叠。在实施例中，例如，第一栅极电极251b中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
135.两个第二栅极电极252b可以设置在第二栅极绝缘层240b上。在实施例中，第二栅极电极252b可以分别与第一有源区域10a和第二有源区域10b重叠。换言之，第二栅极电极
252b可以分别与第一有源区域10a的第一沟道区域235b和第二有源区域10b的第二沟道区域236b重叠。在实施例中，例如，第二栅极电极252b中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
136.在实施例中，第二栅极电极252b可以不与第一栅极电极251b重叠。在可替代的实施例中，第二栅极电极252b可以与第一栅极电极251b的至少一部分重叠。在实施例中，例如，第二栅极电极252b可以设置在第一栅极电极251b之间。即，第一栅极电极251b中的每一个可以与第一源极区域231b或第二漏极区域234b相邻设置，并且第二栅极电极252b中的每一个可以与第一漏极区域232b或第二源极区域233b相邻设置。
137.在实施例中，可以将相同的信号施加到第一栅极电极251b和第二栅极电极252b。在实施例中，例如，可以将图7中示出的扫描信号gw施加到第一栅极电极251b和第二栅极电极252b。
138.第一连接电极270b可以设置在中间绝缘层260上。在实施例中，第一连接电极270b可以将第一栅极电极251b和第二栅极电极252b彼此连接。即，第一连接电极270b可以通过由去除第二栅极绝缘层240b和中间绝缘层260而限定的接触孔分别连接到第一栅极电极251b。另外，第一连接电极270b可以通过由去除中间绝缘层260的一部分而限定的接触孔分别连接到第二栅极电极252b。在实施例中，例如，第一连接电极270b可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
139.在实施例中，第一有源层230b、第一栅极电极251b、第二栅极电极252b和第一连接电极270b可以被限定为其中两个晶体管串联连接的第一双晶体管。即，第一双晶体管可以与图7中示出的第三晶体管t3_1和t3_2相对应。在实施例中，例如，第三晶体管t3_1可以由第一有源层230b的第一有源区域10a形成或提供，并且第三晶体管t3_2可以由第一有源层230b的第二有源区域10b形成或提供。
140.参照图9，第二有源层340b可以设置在缓冲层220上。第二有源层340b可以包括无机半导体、有机半导体或氧化物半导体。在实施例中，第二有源层340b可以包括硅半导体。在实施例中，例如，第二有源层340b可以包括多晶硅。
141.第二有源层340b可以包括第三有源区域11a和第四有源区域11b。第三有源区域11a可以包括第三源极区域341b、第三漏极区域342b和第三沟道区域345b。另外，第四有源区域11b可以包括第四源极区域343b、第四漏极区域344b和第四沟道区域346b。在实施例中，例如，第三有源区域11a的第三漏极区域342b可以延伸到第四有源区域11b的第四源极区域343b。在实施例中，第三源极区域341b和第四源极区域343b以及第三漏极区域342b和第四漏极区域344b可以被掺杂有p型杂质离子。在可替代的实施例中，第三源极区域341b和第四源极区域343b以及第三漏极区域342b和第四漏极区域344b可以被掺杂有n型杂质离子。
142.两个第三栅极电极253b可以设置在第一栅极绝缘层240a上。在实施例中，第三栅极电极253b可以分别与第三有源区域11a和第四有源区域11b重叠。换言之，第三栅极电极253b可以分别与第三有源区域11a的第三沟道区域345b和第四有源区域11b的第四沟道区域346b重叠。在实施例中，例如，第三栅极电极253b中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
143.第四栅极电极254b可以设置在第二栅极绝缘层240b上。在实施例中，第四栅极电
极254b可以与第四有源区域11b重叠。换言之，第四栅极电极254b可以与第四有源区域11b的第四沟道区域346b重叠。在实施例中，例如，第四栅极电极254b中的每一个可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
144.在实施例中，第四栅极电极254b可以不与第三栅极电极253b重叠。在可替代的实施例中，第四栅极电极254b可以与第三栅极电极253b的至少一部分重叠。在实施例中，例如，第四栅极电极254b可以设置在第三栅极电极253b之间。即，第三栅极电极253b中的每一个可以与第三源极区域341b或第四漏极区域344b相邻设置，并且第四栅极电极254b可以与第四源极区域343b相邻设置。
145.第二连接电极271b可以设置在中间绝缘层260上。在实施例中，第二连接电极271b可以将第三栅极电极253b和第四栅极电极254b彼此连接。即，第二连接电极271b可以通过由去除第二栅极绝缘层240b和中间绝缘层260而限定的接触孔分别连接到第三栅极电极253b。另外，第二连接电极271b可以通过由去除中间绝缘层260的一部分而限定的接触孔连接到第四栅极电极254b。在实施例中，例如，第二连接电极271b可以包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物或透明导电材料等。
146.在实施例中，第二有源层340b、第三栅极电极253b、第四栅极电极254b和第二连接电极271b可以被限定为其中两个晶体管串联连接的第二双晶体管。即，第二双晶体管可以与图7中示出的第四晶体管t4_1和t4_2相对应。在实施例中，例如，第四晶体管t4_1可以由第二有源层340b的第三有源区域11a形成或提供，并且第四晶体管t4_2可以由第二有源层340b的第四有源区域11b形成或提供。
147.图10是示出设置在显示装置的显示部分中的像素的另一实施例的电路图。在实施例中，例如，图10的像素px可以包括发射元件(例如，有机发光二极管oled)和用于驱动发射元件的像素电路pc。
148.参照图10，像素电路pc可以包括第一晶体管t1、第二晶体管t2、第三晶体管t3_1和t3_2、第四晶体管t4_1和t4_2、第五晶体管t5、第六晶体管t6和第七晶体管t7、存储电容器cst、被供应驱动电压elvdd的驱动电压线、被供应公共电压elvss的公共电压线、被供应初始化电压vint的初始化电压线、被供应数据信号data的数据信号线、被供应扫描信号gw的扫描信号线、被供应数据初始化信号gi的数据初始化信号线、被供应发射控制信号em的发射控制信号线或被供应二极管初始化信号gb的二极管初始化信号线等。除了第三晶体管t3_1和t3_2以及第四晶体管t4_1和t4_2的结构之外，参照图10描述的像素px可以与参照图2、图5和图7描述的像素px基本上相同或相似。在下文中，将省略重叠描述。
149.除了截面结构外，图10中示出的第三晶体管t3_1和t3_2与图7中示出的第三晶体管t3_1和t3_2基本上相同或相似。另外，除了截面结构之外，图10中示出的第四晶体管t4_1和t4_2可以与图7中示出的第四晶体管t4_1和t4_2基本上相同或相似。
150.图11是示出包括在图10的像素中的晶体管和发射元件的截面图。图12是示出包括在图10的像素中的晶体管和发射元件的截面图。在实施例中，例如，图11的晶体管可以与图10中示出的第三晶体管t3_1和t3_2相对应，并且图12的晶体管可以与图10中示出的第四晶体管t4_1和t4_2相对应。
151.参照图10、图11和图12，像素px中的每一个可以包括基底210、缓冲层220、第一栅极绝缘层240a、第二栅极绝缘层240b、第三晶体管t3_1和t3_2、第四晶体管t4_1和t4_2、中
间绝缘层260、平坦化层280、像素限定层pdl、发射元件300或封装层330等。第三晶体管t3_1和t3_2可以包括第一有源层230b、第一栅极电极251c、第二栅极电极252c和第一连接电极270c。第四晶体管t4_1和t4_2可以包括第二有源层340b、第三栅极电极253c、第四栅极电极254c和第二连接电极271c。另外，发射元件300可以包括下电极290、发射层310和上电极320。然而，除了第三晶体管t3_1和t3_2以及第四晶体管t4_1和t4_2的结构之外，参照图11和图12描述的像素px可以与参照图8和图9描述的像素px基本上相同或相似。在下文中，将省略重叠描述。
152.参照图11，在实施例中，第二栅极电极252c可以不与第一栅极电极251c重叠。在可替代的实施例中，第二栅极电极252c可以与第一栅极电极251c的至少一部分重叠。在实施例中，例如，第一栅极电极251c可以设置在第二栅极电极252c之间。即，第一栅极电极251c中的每一个可以与第一漏极区域232b或第二源极区域233b相邻设置，并且第二栅极电极252c中的每一个可以与在第一源极区域231b或第二漏极区域234b相邻设置。
153.参照图12，第四栅极电极254c可以与第二有源层340b的第三有源区域11a重叠。即，第四栅极电极254c可以与第三有源区域11a的第三沟道区域345b重叠。
154.在实施例中，第四栅极电极254c可以不与第三栅极电极253c重叠。在可替代的实施例中，第四栅极电极254c可以与第三栅极电极253c的至少一部分重叠。在实施例中，例如，第三栅极电极253c中的每一个可以与第三漏极区域342b或第四漏极区域344b相邻设置，并且第四栅极电极254c可以与第三源极区域341b相邻设置。
155.图13、图14、图15、图16和图17是示出制造显示装置的工艺的实施例的截面图。
156.参照图13，可以提供包括透明或不透明材料的基底210。缓冲层220可以形成或提供在基底210上。在实施例中，例如，缓冲层220可以包括无机材料。第一有源层230a可以形成或提供在缓冲层220上。第一有源层230a可以包括硅半导体。在实施例中，例如，在非晶硅层被形成或被提供在缓冲层220上之后，非晶硅层结晶，并且可以形成或提供多晶硅层。
157.第一栅极绝缘层240a可以形成或提供在缓冲层220和第一有源层230a上。第一栅极绝缘层240a可以覆盖第一有源层230a。在实施例中，例如，第一栅极绝缘层240a可以具有包括氧化硅的单层结构。
158.两个第一栅极电极251a可以形成或提供在第一栅极绝缘层240a上。可以形成或提供第一栅极电极251a以与第一有源层230a重叠。第一栅极电极251a中的每一个可以包括金属或合金等。在实施例中，例如，第一栅极电极251a中的每一个可以包括钼(mo)。
159.第二栅极绝缘层240b可以形成或提供在第一栅极绝缘层240a和第一栅极电极251a上。第二栅极绝缘层240b可以覆盖第一栅极电极251a。在实施例中，例如，第二栅极绝缘层240b可以具有包括氮化硅的单层结构。
160.参照图14，第二栅极电极252a可以形成或提供在第二栅极绝缘层240b上。可以形成或提供第二栅极电极252a以与第一有源层230a重叠。即，可以形成或提供第二栅极电极252a以与第一有源层230a的中央部分重叠。第二栅极电极252a可以被形成为不与第一栅极电极251a重叠。在可替代的实施例中，可以形成或提供第二栅极电极252a以与第一栅极电极251a的至少一部分重叠。第二栅极电极252a可以包括金属或合金等。在实施例中，例如，第二栅极电极252a可以包括钼。
161.在实施例中，第一有源层230a可以被掺杂有p型杂质离子。即，不与第一栅极电极
251a和第二栅极电极252a重叠的第一有源层230a的第一源极区域231a和第一漏极区域232a可以被掺杂有p型杂质离子。在可替代的实施例中，第一有源层230a可以被掺杂有n型杂质离子。
162.参照图15，中间绝缘层260可以形成或提供在第二栅极绝缘层240b上。中间绝缘层260可以覆盖第二栅极电极252a。例如，中间绝缘层260可以包括氧化硅或氮化硅等。在实施例中，例如，中间绝缘层260可以具有包括氧化硅和氮化硅的多层结构。
163.在实施例中，暴露第一栅极电极251a中的每一个的一部分的第一接触孔cnt1可以通过由蚀刻工艺去除第二栅极绝缘层240b和中间绝缘层260来限定。暴露第二栅极电极252a的一部分的第二接触孔cnt2可以通过由蚀刻工艺去除中间绝缘层260的一部分来限定。在这种情况下，可以同时限定第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2。
164.参照图16，第一连接电极270a可以形成或提供在中间绝缘层260上。即，可以在填充第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2的同时形成或提供第一连接电极270a。第一连接电极270a可以通过第一接触孔cnt1和第二接触孔cnt2分别连接到第一栅极电极251a和第二栅极电极252a。第一连接电极270a可以包括金属或合金等。在实施例中，例如，第一连接电极270a可以包括钛(ti)和铝(al)。
165.参照图17，平坦化层280可以形成或提供在第一连接电极270a上。平坦化层280可以充分地覆盖第一连接电极270a。下电极290和像素限定层pdl可以形成或提供在平坦化层280上。像素限定层pdl可以形成暴露下电极290的至少一部分的开口。发射层310可以形成或提供在下电极290上。即，发射层310可以形成或提供在由开口暴露的下电极290上。上电极320可以形成或提供在像素限定层pdl和发射层310上。
166.参照回图4，封装层330可以形成或提供在上电极320上。封装层330可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。
167.因此，可以制造图4中示出的显示装置1000(参照图1)。
168.本发明的实施例可以应用于显示装置和包括显示装置的电子装置。在实施例中，例如，本发明可以应用于高分辨率智能电话、移动电话、智能平板、智能手表、平板计算机(“pc”)、车辆导航系统、电视、计算机监视器或笔记本计算机等。
169.前述内容是对实施例的说明，并且不应解释为对实施例的限制。尽管已经描述了一些实施例，但是本领域技术人员将容易理解是，在不实质上背离本发明的新颖教导和优点的情况下，在实施例中可以进行许多修改。因此，所有这些修改旨在被包括在权利要求中限定的本发明的范围内。所以，将理解的是，前述内容是对各种实施例的说明，并且不应被解释为限于所公开的特定实施例，并且对所公开的实施例以及其他实施例的修改旨在被包括在所附权利要求的范围内。