显示装置的制作方法

技术特征：
1.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：基底；第一有源层，设置在所述基底上，并且包括第一源极区域、第一漏极区域、以及设置在所述第一源极区域与所述第一漏极区域之间的第一沟道区域；第一栅极绝缘层，在所述基底上覆盖所述第一有源层；第一栅极电极，在所述第一栅极绝缘层上分别设置在所述第一沟道区域的相对的侧上；第二栅极绝缘层，在所述第一栅极绝缘层上覆盖所述第一栅极电极；第二栅极电极，在所述第二栅极绝缘层上设置在所述第一沟道区域的中央部分上；以及第一连接电极，设置在所述第二栅极电极上并且连接到所述第一栅极电极和所述第二栅极电极。2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：第二有源层，设置在所述基底上，并且包括第二源极区域、第二漏极区域、以及设置在所述第二源极区域与所述第二漏极区域之间的第二沟道区域；第三栅极电极，在所述第一栅极绝缘层上设置在所述第二沟道区域的第一侧上；第四栅极电极，在所述第二栅极绝缘层上设置在所述第二沟道区域的第二侧上；以及第二连接电极，设置在所述第四栅极电极上，并且连接到所述第三栅极电极和所述第四栅极电极。3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一有源层、所述第一栅极电极和所述第二栅极电极、所述第一连接电极被限定为第一晶体管，并且其中，所述第二有源层、所述第三栅极电极和所述第四栅极电极以及所述第二连接电极被限定为第二晶体管。4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一晶体管是开关晶体管，并且所述第二晶体管是驱动晶体管。5.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一有源层和所述第二有源层中的每一个包括硅半导体。6.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一源极区域和所述第二源极区域以及所述第一漏极区域和所述第二漏极区域中的每一个被掺杂有p型杂质离子或n型杂质离子。7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一有源层与所述第一栅极电极之间的最短距离小于所述第一有源层与所述第二栅极电极之间的最短距离。8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一栅极绝缘层包括氧化硅，并且所述第二栅极绝缘层包括氮化硅。9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，将相同的信号施加到所述第一栅极电极和所述第二栅极电极。10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述相同的信号是扫描信号。11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：第一电极，设置在所述第一连接电极上；发射层，设置在所述第一电极上；以及
第二电极，设置在所述发射层上。12.一种显示装置，其中，所述显示装置包括：基底；第一有源层，设置在所述基底上，并且包括第一有源区域以及第二有源区域，所述第一有源区域包括第一源极区域、第一漏极区域以及第一沟道区域，并且所述第二有源区域包括第二源极区域、第二漏极区域以及第二沟道区域；第一栅极绝缘层，在所述基底上覆盖所述第一有源层；第一栅极电极，在所述第一栅极绝缘层上分别与所述第一沟道区域和所述第二沟道区域重叠；第二栅极绝缘层，在所述第一栅极绝缘层上覆盖所述第一栅极电极；第二栅极电极，在所述第二栅极绝缘层上分别与所述第一沟道区域和所述第二沟道区域重叠；以及第一连接电极，设置在所述第二栅极电极上，并且连接到所述第一栅极电极和所述第二栅极电极。13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述显示装置还包括：第二有源层，设置在所述基底上，并且包括第三有源区域以及第四有源区域，所述第三有源区域包括第三源极区域、第三漏极区域以及第三沟道区域，所述第四有源区域包括第四源极区域、第四漏极区域以及第四沟道区域；第三栅极电极，在所述第一栅极绝缘层上分别与所述第三沟道区域和所述第四沟道区域重叠；第四栅极电极，在所述第二栅极绝缘层上与所述第四沟道区域重叠；以及第二连接电极，设置在所述第四栅极电极上，并且连接到所述第三栅极电极和所述第四栅极电极。14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一有源层、所述第一栅极电极和所述第二栅极电极以及所述第一连接电极被限定为其中第一晶体管串联连接的第一双晶体管，并且其中，所述第二有源层、所述第三栅极电极和所述第四栅极电极以及所述第二连接电极被限定为其中第二晶体管串联连接的第二双晶体管。15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一有源区域的所述第一漏极区域连接到所述第二有源区域的所述第二源极区域，并且其中，所述第三有源区域的所述第三漏极区域连接到所述第四有源区域的所述第四源极区域。16.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一有源层和所述第二有源层中的每一个包括硅半导体。17.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第一源极区域至所述第四源极区域和所述第一漏极区域至所述第四漏极区域中的每一个被掺杂有p型杂质离子或n型杂质离子。18.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第二栅极电极设置在所述第一栅极电极之间，并且所述第四栅极电极设置在所述第三栅极电极之间。19.根据权利要求12所述的显示装置，其中，所述第一有源层与所述第一栅极电极之间
的最短距离小于所述第一有源层与所述第二栅极电极之间的最短距离。20.根据权利要求12所述的显示装置，其中，将相同的信号施加到所述第一栅极电极和所述第二栅极电极。

技术总结
一种显示装置可以包括：基底；第一有源层，设置在所述基底上并且包括第一源极区域、第一漏极区域和设置在所述第一源极区域与所述第一漏极区域之间的第一沟道区域；第一栅极绝缘层，覆盖所述基底上的所述第一有源层；第一栅极电极，在所述第一栅极绝缘层上设置在所述第一沟道区域的相对的侧上；第二栅极绝缘层，覆盖所述第一栅极绝缘层上的所述第一栅极电极；第二栅极电极，在所述第二栅极绝缘层上设置在所述第一沟道区域的中央部分上；以及第一连接电极，设置在所述第二栅极电极上并且连接到所述第一栅极电极和所述第二栅极电极。述第一栅极电极和所述第二栅极电极。述第一栅极电极和所述第二栅极电极。


技术研发人员：金根佑
受保护的技术使用者：三星显示有限公司
技术研发日：2022.02.17
技术公布日：2022/8/26