一种基于SAW和BAW的滤波器芯片的制作方法

技术特征：
1.一种基于saw和baw的滤波器芯片，其特征在于，所述基于saw和baw的滤波器芯片包括衬底、baw模块、saw模块；所述衬底上设置有引脚；所述baw模块为多膜层的谐振结构，所述衬底和所述baw模块之间设置有第一空腔；所述saw模块包括saw谐振层，所述saw谐振层通过第一导线与所述baw模块连接，所述第一导线通过第二导线与所述引脚连接；所述saw模块和所述衬底之间设置有支撑柱，所述saw模块和所述baw模块之间设置第二空腔。2.根据权利要求1所述的基于saw和baw的滤波器芯片，其特征在于，所述baw模块为三膜层结构，包括依次设置的第一电极层、介质层和第二电极层；所述saw谐振层通过所述第一导线分别与所述第一电极层和所述第二电极层连接，所述第一电极层与所述衬底之间设置有所述第一空腔，所述第二电极层与所述saw模块之间设置有所述第二空腔。3.根据权利要求2所述的基于saw和baw的滤波器芯片，其特征在于，所述第一电极层上分离设置有电极层子块，所述第一导线串联连接所述saw谐振层的一端、所述电极层子块和所述第二电极层，且所述第一导线还连接所述saw谐振层的另一端和所述第一电极层。4.根据权利要求2所述的基于saw和baw的滤波器芯片，其特征在于，所述baw模块包括依次设置的高阻片、所述saw谐振层和钝化层；所述高阻片和所述衬底之间设置有所述支撑柱，所述高阻片和所述第二电极层之间设置有所述第二空腔。

技术总结
本实用新型适用于MEMS芯片制造技术领域，提供了一种基于SAW和BAW的滤波器芯片。一种基于SAW和BAW的滤波器芯片，其特征在于，所述基于SAW和BAW的滤波器芯片包括衬底、BAW模块、SAW模块；所述衬底上设置有引脚；所述BAW模块为多膜层的谐振结构，所述衬底和所述BAW模块之间设置有第一空腔；所述SAW模块包括SAW谐振层，所述SAW谐振层通过第一导线与所述BAW模块连接，所述第一导线通过第二导线与所述引脚连接；所述SAW模块和所述衬底之间设置有支撑柱，所述SAW模块和所述BAW模块之间设置第二空腔。本实用新型设置了一种混合结构滤波器的叠层滤波器芯片，通过搭塔楼的方式将BAW和SAW的核心工作区域混合叠放，可以同时满足不同滤波频段的需求。段的需求。段的需求。


技术研发人员：胡孝伟 代文亮 张竞颢 崔云辉 黄志远
受保护的技术使用者：上海芯波电子科技有限公司
技术研发日：2022.05.09
技术公布日：2022/8/15