一种半导体设备及半导体设备的控制系统的制作方法

1.本技术涉及集成电路制造技术领域，特别是涉及一种半导体设备及半导体设备的控制系统。


背景技术：

2.半导体制造工艺是一种平面制造工艺，该工艺结合光刻、刻蚀、沉积、离子注入多种工艺，需要在同一衬底上形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的电气性能。其中，任一工艺出现偏差，都会造成电路的性能参数偏离设计值。随着超大规模集成电路的器件特征尺寸不断缩小，集成度不断提高，对各步工艺的控制及其工艺结果的精确度提出了更高的要求。例如，在晶圆的制造过程中，往往需要进行抽真空，以防止空气对晶圆造成污染。
3.目前，对于大部分需要抽真空的机台而言，抽真空是通过一条管路连接腔体内外，一旦抽真空的泵关闭，往往使得外部气体反灌回腔体内部，从而对晶圆的质量造成不利影响，抽真空的效率较低。
4.因此，有必要提出一种新的方法，以克服半导体器件制作过程中存在的上述问题。


技术实现要素：

5.本公开实施例提供一种半导体设备及半导体设备的控制系统，在半导体器件制作过程中，对腔体抽真空时，防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
6.第一方面，本公开提供一种半导体设备，包括：
7.腔体；
8.主管路，所述主管路的一端与所述腔体连通，用于从所述腔体中抽取气体，以在所述腔体内形成真空；
9.至少一个副管路组，每个所述副管路组包括至少一个副管路；所述副管路包括分别与所述主管路相连通的进气段和出气段及连接所述进气段和所述出气段的中间段；所述进气段和出气段沿第一方向设置，所述第一方向为沿所述主管路由远离所述腔体的方向指向靠近所述腔体的方向；
10.所述进气段与所述第一方向之间的第一夹角为锐角；所述出气段与所述第一方向之间的第二夹角为锐角。
11.该实施例提供的半导体设备，包括腔体、主管路、至少一个副管路组；所述主管路的一端与所述腔体连通，用于从所述腔体中抽取气体，以在所述腔体内形成真空；每个所述副管路组包括至少一个副管路；所述副管路包括分别与所述主管路相连通的进气段和出气段及连接所述进气段和所述出气段的中间段；所述进气段和出气段沿第一方向设置，所述第一方向为沿所述主管路由远离所述腔体的方向指向靠近所述腔体的方向；所述进气段与所述第一方向之间的第一夹角为锐角；所述出气段与所述第一方向之间的第二夹角为锐角。该半导体设备与相关技术的通过一条连接箱体内外的主管路进行抽真空相比，当主管
路内发生气体回灌时，通过副管路的进气段从主管路的回灌气体中提取分支气流，通过副管路的中间段将分支气流转化成阻碍回灌的缓冲气流，并通过出气段向主管路吹送缓冲气流，阻碍气体反灌回腔体，从而可以防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
12.在一种可选的实施方式中，所述半导体设备包括第一副管路组和第二副管路组，所述第一副管路组和第二副管路组设置在不同平面。
13.上述设备，包括第一副管路组和第二副管路组，所述第一副管路组和第二副管路组设置在不同平面。该设备包括设置在不同平面的第一副管路组和第二副管路组，不同平面的副管路组中的副管路向主管路吹送的缓冲气流具有不同的方向，能够更有效地阻碍气体反灌回腔体，防止发生外部气体反灌，进一步提升抽真空的效率。
14.在一种可选的实施方式中，所述第一副管路组包括第一副管路和第二副管路；所述第一副管路与所述第二副管路关于所述主管路的中轴线对称设置。
15.上述设备，第一副管路组包括第一副管路和第二副管路；所述第一副管路与所述第二副管路关于所述主管路的中轴线对称设置。该设备，同一副管路组中的两个副管路分别向主管路吹送的缓冲气流具有不同的方向，能够更有效地阻碍气体反灌回腔体，防止发生外部气体反灌，进一步提升抽真空的效率。
16.在一种可选的实施方式中，所述第一副管路组和第二副管路组正交设置。
17.上述设备，所述第一副管路组和第二副管路组正交设置。该设备，包括正交设置的第一副管路组和第二副管路组，该两个副管路组中的副管路向主管路吹送的缓冲气流的方向位于正交的两个平面内，对气体反灌回腔体的阻碍效果更佳，防止发生外部气体反灌，进一步提升抽真空的效率。
18.在一种可选的实施方式中，所述第二副管路组包括第三副管路和第四副管路；所述第三副管路与所述第四副管路关于所述主管路的中轴线对称设置；所述第一副管路与所述第三副管路正交设置。
19.上述设备，所述第二副管路组包括第三副管路和第四副管路；所述第三副管路与所述第四副管路关于所述主管路的中轴线对称设置；所述第一副管路与所述第三副管路正交设置。该设备，包括正交的副管路组，且每个副管路组中包括关于所述主管路的中轴线对称设置的两个副管路，对气体反灌回腔体的阻碍效果进一步提升，有效防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
20.在一种可选的实施方式中，所述第一夹角小于或者等于所述第二夹角。
21.上述设备，所述第一夹角小于或者等于所述第二夹角。该设备，第一夹角小于或者等于所述第二夹角，使得气体沿第一方向在主管道流动时，更容易通过进气段进入副管路(与第一方向的夹角较小)，进入副管路的气体就相对更多；第二夹角比第一夹角大，使得进入副管路的气体不易流出副管路，从而使得气体回流更难(阻力更大)，能够更有效地防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
22.在一种可选的实施方式中，所述副管路组为多个，且多个所述副管路组沿所述主管路的中轴线方向按第一距离阈值等间距设置。
23.上述设备，副管路组为多个，且多个所述副管路组沿所述主管路的中轴线方向按第一距离阈值等间距设置。该设备能够通过沿所述主管路的中轴线方向按第一距离阈值等间距设置的多个副管路组，产生多个向主管路吹送缓冲气流，阻碍气体反灌回腔体的能力
更强，可以进一步防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
24.在一种可选的实施方式中，第一距离阈值为所述主管路的直径的3～6倍。
25.在一种可选的实施方式中，所述第一距离阈值为15～30cm。
26.在一种可选的实施方式中，所述进气段的直径大于或者等于所述出气段的直径。
27.上述设备，所述进气段的直径大于或者等于所述出气段的直径。该设备，使得气体沿第一方向在主管道流动时，更容易通过进气段进入副管路(进气段的直径较大)，进入副管路的气体就相对更多；进气段的直径比出气段的直径大，使得进入副管路的气体不易流出副管路，从而使得气体回流更难(阻力更大)，能够更有效地防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
28.在一种可选的实施方式中，所述进气段的直径为所述主管路的直径的50％～80％。
29.上述设备，所述进气段的直径为所述主管路的直径的50％～80％。该设备，进气段的直径设置的较大，使得气体沿第一方向在主管道流动时，较容易大量通过进气段进入副管路，进入副管路的气体就相对更多，从而使得气体回灌腔体更难，能够更有效地防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
30.在一种可选的实施方式中，所述腔体内设有压力传感器，所述主管路设有主开关，所述压力传感器与所述主开关信号连接，用于控制所述主开关的开启和关闭。
31.上述设备，所述腔体内设有压力传感器，所述主管路设有主开关，所述压力传感器与所述主开关信号连接，用于控制所述主开关的开启和关闭。该设备不但可以向主管路吹送的缓冲气流，还可以通过控制所述主开关的开启和关闭，从而根据压力传感器控制打开或关闭主管路，能够更有效地防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
32.第二方面，本公开提供一种半导体设备的控制系统，包括：
33.包括处理器和半导体设备；所述半导体设备包括腔体、主管路和至少一个副管路组；
34.所述主管路的一端与所述腔体连通；
35.每个所述副管路组包括至少一个副管路；所述副管路包括分别与所述主管路相连通的进气段和出气段及连接所述进气段和所述出气段的中间段；所述进气段和出气段沿第一方向设置，所述第一方向为沿所述主管路由远离所述腔体的方向指向靠近所述腔体的方向；所述进气段与所述第一方向之间的第一夹角为锐角；所述出气段与所述第一方向之间的第二夹角为锐角；
36.所述处理器，用于通过所述主管路从所述腔体中抽取气体，以在所述腔体内形成真空。
37.在一种可选的实施方式中，所述半导体设备包括第一副管路组和第二副管路组，所述第一副管路组和第二副管路组设置在不同平面。
38.在一种可选的实施方式中，所述第一副管路组包括第一副管路和第二副管路；所述第一副管路与所述第二副管路关于所述主管路的中轴线对称设置。
39.在一种可选的实施方式中，所述第一副管路组和第二副管路组正交设置。
40.在一种可选的实施方式中，所述第二副管路组包括第三副管路和第四副管路；所述第三副管路与所述第四副管路关于所述主管路的中轴线对称设置；所述第一副管路与所
述第三副管路正交设置。
41.在一种可选的实施方式中，所述第一夹角小于或者等于所述第二夹角。
42.在一种可选的实施方式中，所述副管路组为多个，且多个所述副管路组沿所述主管路的中轴线方向按第一距离阈值等间距设置。
43.在一种可选的实施方式中，所述第一距离阈值为所述主管路的直径的3～6倍。
44.在一种可选的实施方式中，所述第一距离阈值为15～30cm。
45.在一种可选的实施方式中，所述进气段的直径大于或者等于所述出气段的直径。
46.在一种可选的实施方式中，所述进气段的直径为所述主管路的直径的50％～80％。
47.在一种可选的实施方式中，所述腔体内设有压力传感器，所述主管路设有主开关，所述压力传感器与所述主开关信号连接，用于控制所述主开关的开启和关闭；
48.所述处理器，具体用于控制所述主开关开启，并通过所述主管路从所述腔体中抽取气体，以在所述腔体内形成真空；
49.所述处理器，还用于当所述压力传感器的压力测量值相对于预设的压力阈值异常时，关闭所述主开关。
50.在一种可选的实施方式中，所述当所述压力传感器的压力测量值相对于预设的压力阈值异常时，关闭所述主开关，包括：
51.当停止通过所述主管路从所述腔体中抽取气体后，若监测到所述压力传感器的压力测量值高于所述压力阈值时，关闭所述主开关。
52.第二方面任意一种实现方式所带来的技术效果可参见第一方面的实现方式所带来的技术效果，此处不再赘述。
附图说明
53.为了更清楚地说明本公开实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简要介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域的普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
54.图1为本公开实施例提供的一种半导体器件的结构示意图；
55.图2为本公开实施例提供的一种半导体器件的主管路及副管路的简要俯视图；
56.图3为本公开实施例提供的另一种半导体器件的主管路及副管路的简要主视图；
57.图4为本公开实施例提供的另一种半导体器件的主管路及副管路的简要俯视图；
58.图5为本公开实施例提供的一种副管路组等间距设置的主管路及副管路的简要主视图；
59.图6为本公开实施例提供的一种设置有压力传感器和主开关的半导体器件的结构示意图；
60.图7为本公开实施例提供的一种半导体设备的控制系统的结构示意图；
61.图8为本公开实施例提供的一种设置有压力传感器和主开关的半导体设备的控制系统的结构示意图。
具体实施方式
62.为了使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术作进一步地详细描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部份实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
63.在本公开实施例中，所用的词语“示例性”的意思为“用作例子、实施例或说明性”。作为“示例性”所说明的任何实施例不必解释为优于或好于其它实施例。
64.文中的术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为明示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征，在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
65.以下对本公开实施例中的部分用语进行解释说明，以便于本领域技术人员理解。
66.半导体制造工艺是一种平面制造工艺，该工艺结合光刻、刻蚀、沉积、离子注入多种工艺，需要在同一衬底上形成大量各种类型的复杂器件，并将其互相连接以具有完整的器件性能。其中，任一工艺出现偏差，都会造成电路的性能参数偏离设计值。随着超大规模集成电路的器件特征尺寸不断缩小，集成度不断提高，对各步工艺的控制及其工艺结果的精确度提出了更高的要求。例如，在晶圆的制造过程中，往往需要进行抽真空，以防止空气对晶圆造成污染。
67.目前，对于大部分需要抽真空的机台而言，抽真空是通过一条管路连接腔体内外，一旦抽真空的泵关闭，气体会迅速反灌回腔体内部，腔体或者管道上的传感器未感应到或者做出反应时，反灌已发生，从而损坏晶圆，对质量造成不利影响，抽真空的效率较低。
68.本公开提供一种半导体设备及半导体设备的控制系统，解决在相关技术的半导体器件制作过程中，存在的对腔体抽真空时容易发生外部气体反灌，导致抽真空的效率较低的问题。其中，半导体设备，包括腔体、主管路、至少一个副管路组；主管路的一端与腔体连通，用于从腔体中抽取气体，以在腔体内形成真空；每个副管路组包括至少一个副管路；副管路包括分别与主管路相连通的进气段和出气段及连接进气段和出气段的中间段；进气段和出气段沿第一方向设置，第一方向为沿主管路由远离腔体的方向指向靠近腔体的方向；进气段与第一方向之间的第一夹角为锐角；出气段与第一方向之间的第二夹角为锐角。该半导体设备当主管路内发生气体回灌时，通过副管路的进气段从主管路的回灌气体中提取分支气流，通过副管路的中间段将分支气流转化成阻碍回灌的缓冲气流，并通过出气段向主管路吹送缓冲气流，阻碍气体反灌回腔体，从而可以减缓气体反灌进入腔体的速度，发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
69.为了进一步说明本公开实施例提供的技术方案，下面对本公开实施例提供的半导体设备作进一步说明。
70.图1示出了本公开实施例提供的一种半导体器件的结构示意图。半导体器件10，如图1所示，包括：
71.腔体100；
72.主管路200，主管路200的一端与腔体100连通，用于从腔体100中抽取气体，以在腔体100内形成真空；
73.至少一个副管路组300，每个副管路组300包括至少一个副管路301；副管路301包括分别与主管路200相连通的进气段3011和出气段3013及连接进气段3011和出气段3013的中间段3012；进气段3011和出气段3013沿第一方向r设置，第一方向r为沿主管路200由远离腔体100的方向指向靠近腔体100的方向；
74.进气段3011与第一方向r之间的第一夹角θ1为锐角；出气段3013与第一方向r之间的第二夹角θ2为锐角。
75.本公开的一些实施例中，主管路的一端与腔体100连通，用于从腔体中抽取气体，如图1所示。需要特别指出的是，在本技术的另外一些实施例中，还可以是主管路的一端设置有多个分支管路，该位于主管路的一端的多个分支管路与腔体100连通，用于从腔体中抽取气体。
76.该实施例提供的半导体设备10，包括腔体100、主管路200、至少一个副管路组300；主管路200的一端与腔体100连通，用于从腔体100中抽取气体，以在腔体100内形成真空；每个副管路组300包括至少一个副管路301；副管路301包括分别与主管路200相连通的进气段3011和出气段3013及连接进气段3011和出气段3013的中间段3012；进气段3011和出气段3013沿第一方向r设置，第一方向r为沿主管路200由远离腔体100的方向指向靠近腔体100的方向；进气段3011与第一方向r之间的第一夹角θ1为锐角；出气段3013与第一方向r之间的第二夹角θ2为锐角。该半导体设备与相关技术的通过一条连接箱体内外的主管路进行抽真空相比，当主管路200内发生气体回灌时，通过副管路的进气段从主管路的回灌气体中提取分支气流，通过副管路的中间段将分支气流转化成阻碍回灌的缓冲气流，并通过出气段向主管路吹送缓冲气流，减慢气体反灌速度，阻碍气体反灌回腔体，给管道关闭提供时间，从而可以防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
77.在一种可选的实施例中，半导体设备包括第一副管路组和第二副管路组，第一副管路组和第二副管路组设置在不同平面。
78.示例性地，图2示出了本公开实施例提供的一种半导体器件的主管路及副管路的俯视图。参见图2，半导体设备10中包括第一副管路组300a和第二副管路组300b，第一副管路组300a和第二副管路组300b设置在不同平面。图2中的第一副管路组300a的主视图与图1中示出的副管路组300相同，图2中的主管路200’的主视图与图1中示出的主管路200相同，由图2可见，第一副管路组300a所在的平面flat1和第二副管路组300b所在的平面flat2具有一定的夹角θ
ang
。该夹角θ
ang
可以是任意角度值，例如，可以为30度、45度或60度等。
79.该实施例的设备，包括第一副管路组和第二副管路组，第一副管路组和第二副管路组设置在不同平面。该设备包括设置在不同平面的第一副管路组和第二副管路组，不同平面的副管路组中的副管路向主管路吹送的缓冲气流具有不同的方向，能够更有效地阻碍气体反灌回腔体，防止发生外部气体反灌，进一步提升抽真空的效率。
80.在一种可能的实现方式中，第一副管路组包括第一副管路和第二副管路；第一副管路与第二副管路关于主管路的中轴线对称设置。
81.示例性地，如图3所示，第一副管路组300a包括第一副管路301a和第二副管路302a；第一副管路301a与第二副管路302a关于主管路200’的中轴线对称设置。
82.上述设备，第一副管路组包括第一副管路和第二副管路；第一副管路与第二副管路关于主管路的中轴线对称设置。该设备，同一副管路组中的两个副管路分别向主管路吹
送的缓冲气流具有不同的方向，能够更有效地阻碍气体反灌回腔体，防止发生外部气体反灌，进一步提升抽真空的效率。
83.在一种可选的实施例中，第一副管路组和第二副管路组正交设置。
84.示例性地，参见图2，半导体设备10中包括第一副管路组300a和第二副管路组300b，第一副管路组300a和第二副管路组300b设置在不同平面。图2中的第一副管路组300a的主视图与图1中示出的副管路组300相同，图2中的主管路200’的主视图与图1中示出的主管路200相同，图2中第一副管路组300a所在的平面flat1和第二副管路组300b所在的平面flat2的夹角θ
ang
可以设置为直角，从而第一副管路组300a和第二副管路组300b正交。
85.上述设备，第一副管路组和第二副管路组正交设置。该设备，包括正交设置的第一副管路组和第二副管路组，该两个副管路组中的副管路向主管路吹送的缓冲气流的方向位于正交的两个平面内，对气体反灌回腔体的阻碍效果更佳，防止发生外部气体反灌，进一步提升抽真空的效率。
86.在一种可选的实施例中，第二副管路组包括第三副管路和第四副管路；第三副管路与第四副管路关于主管路的中轴线对称设置；第一副管路与第三副管路正交设置。
87.示例性地，参见图4，第二副管路组300b包括第三副管路301b和第四副管路302b；第三副管路301b与第四副管路302b关于主管路200’的中轴线对称设置；第一副管路301a与第三副管路301b正交设置。
88.上述设备，第二副管路组包括第三副管路和第四副管路；第三副管路与第四副管路关于主管路的中轴线对称设置；第一副管路与第三副管路正交设置。该设备，包括正交的副管路组，且每个副管路组中包括关于主管路的中轴线对称设置的两个副管路，对气体反灌回腔体的阻碍效果进一步提升，有效防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
89.在一种可能的实现方式中，第一夹角小于或者等于第二夹角。
90.示例性地，参见图1，进气段3011与第一方向r之间的第一夹角θ1为锐角；出气段3013与第一方向r之间的第二夹角θ2为锐角，且第一夹角θ1小于或者等于第二夹角θ2。
91.上述设备，第一夹角小于或者等于第二夹角。该设备，第一夹角小于或者等于第二夹角，使得气体沿第一方向在主管道流动时，更容易通过进气段进入副管路(与第一方向的夹角较小)，进入副管路的气体就相对更多；第二夹角比第一夹角大，使得进入副管路的气体不易流出副管路，从而使得气体回流更难(阻力更大)，能够更有效地防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
92.在一种可选的实施例中，副管路组为多个，且多个副管路组沿主管路的中轴线方向按第一距离阈值等间距设置。
93.示例性地，如图5所示，副管路组为多个，分别为300a’、300b’和300c’，且多个副管路组沿主管路200’的中轴线方向按第一距离阈值length_1等间距设置。
94.上述设备，副管路组为多个，且多个副管路组沿主管路的中轴线方向按第一距离阈值等间距设置。该设备能够通过沿主管路的中轴线方向按第一距离阈值等间距设置的多个副管路组，产生多个向主管路吹送缓冲气流，阻碍气体反灌回腔体的能力更强，可以进一步防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
95.在一种可选的实施例中，第一距离阈值为主管路的直径的3～6倍。
96.示例性地，第一距离阈值length_1为主管路的直径d_main的3～6倍，其中，第一距
离阈值length_1可以为20cm，主管路的直径d_main可以为5cm。
97.在一种可选的实施例中，第一距离阈值为15～30cm。
98.示例性地，第一距离阈值length_1可以为20cm，其取值满足介于15cm与30cm之间。
99.在一种可选的实施例中，进气段的直径d_in大于或者等于出气段的直径d_out。
100.示例性地，进气段的直径d_in为4cm，出气段的直径d_out为3cm。
101.上述设备，进气段的直径大于或者等于出气段的直径。该设备，使得气体沿第一方向在主管道流动时，更容易通过进气段进入副管路(进气段的直径较大)，进入副管路的气体就相对更多；进气段的直径比出气段的直径大，使得进入副管路的气体不易流出副管路，从而使得气体回流更难(阻力更大)，能够更有效地防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
102.在一种可选的实施例中，进气段的直径d_in为主管路的直径d_main的50％～80％。
103.示例性地，进气段的直径d_in为主管路的直径d_main的80％，其中，进气段的直径d_in为4cm，主管路的直径d_main可以为5cm。
104.上述设备，进气段的直径为主管路的直径的50％～80％。该设备，进气段的直径设置的较大，使得气体沿第一方向在主管道流动时，较容易大量通过进气段进入副管路，进入副管路的气体就相对更多，从而使得气体回灌腔体更难，能够更有效地防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
105.在一种可选的实施例中，腔体内设有压力传感器，主管路设有主开关，压力传感器与主开关信号连接，用于控制主开关的开启和关闭。
106.示例性地，如图6所示，腔体100内设有压力传感器601，主管路200设有主开关602，压力传感器601与主开关602信号连接，用于控制主开关602的开启和关闭。
107.对于现有技术的需要抽真空的机台而言，抽真空是通过一条管路连接腔体内外，一旦抽真空的泵关闭，往往使得外部气体反灌回腔体内部，该气体回灌腔体在0.5秒内就完成，来不及对传感器作出反应，回灌就已经完成，从而对晶圆造成不利影响，抽真空的效率较低。上述设备，由于设置了副管路组，延长了气体回灌腔体的时间，在本公开的一些实施例中，气体回灌腔体的时间可以大于5s，通过腔体内设有压力传感器，主管路设有主开关，压力传感器与主开关信号连接，用于控制主开关的开启和关闭。该设备不但可以向主管路吹送的缓冲气流，还可以通过控制主开关的开启和关闭，例如。可以实现在气体回灌腔体之前根据压力传感器控制关闭主管路，该设备能够更有效地防止发生外部气体反灌，提升抽真空的效率。
108.基于与图1所示的半导体设备基于同一发明构思，本公开实施例中还提供了一种半导体设备的控制系统。由于该系统是本公开半导体设备对应的系统，并且该系统解决问题的原理与该半导体设备相似，因此该系统的实施可以参见上述方法的实施，重复之处不再赘述。
109.图7示出了本公开实施例提供的一种半导体设备的控制系统的结构示意图，如图7所示，该半导体设备的控制系统，包括存储器701，通讯模块703、一个或多个处理器702以及半导体设备700。
110.存储器701，用于存储处理器702执行的计算机程序。存储器701可主要包括存储程
序区和存储数据区，其中，存储程序区可存储操作系统，以及运行即时通讯功能所需的程序等；存储数据区可存储各种即时通讯信息和操作指令集等。
111.存储器701可以是易失性存储器(volatile memory)，例如随机存取存储器(random-access memory，ram)；存储器701也可以是非易失性存储器(non-volatile memory)，例如只读存储器，快闪存储器(flash memory)，硬盘(hard disk drive，hdd)或固态硬盘(solid-state drive，ssd)、或者存储器701是能够用于携带或存储具有指令或数据结构形式的期望的程序代码并能够由计算机存取的任何其他介质，但不限于此。存储器701可以是上述存储器的组合。
112.半导体设备700包括腔体100、主管路200和至少一个副管路组300；主管路200的一端与腔体100连通；每个副管路组300包括至少一个副管路301；副管路301包括分别与主管路200相连通的进气段和出气段及连接进气段和出气段的中间段；进气段和出气段沿第一方向r设置，第一方向r为沿主管路200由远离腔体100的方向指向靠近腔体100的方向；进气段与第一方向r之间的第一夹角为锐角；出气段与第一方向r之间的第二夹角为锐角。
113.处理器702，可以包括一个或多个中央处理单元(central processing unit，cpu)或者为数字处理单元等等。
114.处理器702，用于：
115.通过主管路从腔体中抽取气体，以在腔体内形成真空。
116.在一种可选的实施例中，半导体设备包括第一副管路组和第二副管路组，第一副管路组和第二副管路组设置在不同平面。
117.在一种可选的实施例中，第一副管路组包括第一副管路和第二副管路；第一副管路与第二副管路关于主管路的中轴线对称设置。
118.在一种可选的实施例中，第一副管路组和第二副管路组正交设置。
119.在一种可选的实施例中，第二副管路组包括第三副管路和第四副管路；第三副管路与第四副管路关于主管路的中轴线对称设置；第一副管路与第三副管路正交设置。
120.在一种可选的实施例中，第一夹角小于或者等于第二夹角。
121.在一种可选的实施例中，副管路组为多个，且多个副管路组沿主管路的中轴线方向按第一距离阈值等间距设置。
122.在一种可选的实施例中，第一距离阈值为主管路的直径的3～6倍。
123.在一种可选的实施例中，第一距离阈值为15～30cm。
124.在一种可选的实施例中，进气段的直径大于或者等于出气段的直径。
125.在一种可选的实施例中，进气段的直径为主管路的直径的50％～80％。
126.通讯模块703用于与数据库、半导体设备700和其他终端进行通信。
127.本公开实施例中不限定上述存储器701、通讯模块703和处理器702之间的具体连接介质。本公开实施例在图7中以存储器701和处理器702之间通过总线704连接，总线704在图7中以粗线表示，其它部件之间的连接方式，仅是进行示意性说明，并不引以为限。总线704可以分为地址总线、数据总线、控制总线等。为便于表示，图7中仅用一条粗线表示，但并不表示仅有一根总线或一种类型的总线。
128.在一种可选的实施例中，如图8所示，腔体100内设有压力传感器801，主管路200设有主开关802，压力传感器801与主开关802信号连接，用于控制主开关802的开启和关闭；处
理器701，具体用于控制主开关802开启，并通过主管路200从腔体100中抽取气体，以在腔体内形成真空；处理器701，还用于当压力传感器801的压力测量值相对于预设的压力阈值异常时，关闭主开关802。
129.在一种可选的实施例中，当压力传感器801的压力测量值相对于预设的压力阈值异常时，关闭主开关802，具体为：当停止通过主管路200从腔体100中抽取气体后，若监测到压力传感器801的压力测量值高于该压力阈值时，关闭主开关802。
130.显然，本领域的技术人员可以对本技术进行各种改动和变型而不脱离本技术的精神和范围。这样，倘若本技术的这些修改和变型属于本技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本技术也意图包含这些改动和变型在内。