图形化掩膜层的制备方法和半导体结构的制备方法与流程

技术特征：
1.一种图形化掩膜层的制备方法，其特征在于，所述图形化掩膜层的制备方法包括：提供基底；于所述基底的表面形成图形化光阻层，所述图形化光阻层内具有第一开口，所述第一开口暴露出所述基底的表面；于所述开口内及所述图形化光阻层的表面形成化学修整涂层；对所得结构进行处理，使部分所述图形化光阻层与所述化学修整涂层反应，以形成光阻反应层；显影去除所述化学修整涂层及所述光阻反应层，以得到所述图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内具有第二开口，所述第二开口暴露出所述基底的表面。2.根据权利要求1所述的图形化掩膜层的制备方法，其特征在于，所述对所得结构进行处理，使部分所述图形化光阻层与所述化学修整涂层反应，以形成光阻反应层，包括：对所得结构进行烘烤，使部分所述图形化光阻层与所述化学修整涂层反应，以形成光阻反应层。3.根据权利要求2所述的图形化掩膜层的制备方法，其特征在于，对所得结构进行烘烤的烘烤温度为50℃～150℃；对所得结构进行烘烤的烘烤时间为1min～3h。4.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有源区；于所述基底的表面形成图形化光阻层，所述图形化光阻层内具有第一开口，所述第一开口暴露出所述有源区；基于所述图形化光阻层对所述有源区进行第一离子注入，以于所述有源区内形成阱区；于所述开口内及所述图形化光阻层的表面形成化学修整涂层；对所得结构进行处理，使部分所述图形化光阻层与所述化学修整涂层反应，以形成光阻反应层；显影去除所述化学修整涂层及所述光阻反应层，以得到所述图形化掩膜层，所述图形化掩膜层内具有第二开口，所述第二开口暴露出所述基底的表面；基于所述图形化掩膜层对所述有源区进行第二离子注入，以于所述阱区内形成轻掺杂区。5.根据权利要求4所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述对所得结构进行处理，使部分所述图形化光阻层与所述化学修整涂层反应，以形成光阻反应层，包括：对所得结构进行烘烤，使部分所述图形化光阻层与所述化学修整涂层反应，以形成光阻反应层。6.根据权利要求5所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所得结构进行烘烤的烘烤温度为50℃～150℃；对所得结构进行烘烤的烘烤时间为1min～3h。7.根据权利要求4至6中任一项所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述于所述基底的表面形成图形化光阻层之前，还包括：于所述基底的表面形成介质层；于所述介质层远离所述基底的表面形成栅极；所述图形化光阻层位于所述介质层远离所述基底的表面，所述第一开口还暴露出所述栅极。
8.根据权利要求7所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述轻掺杂区包括源区及漏区，所述源区及所述漏区分别位于所述栅极相对的两侧。9.根据权利要求8所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述基底包括掺杂基底，所述基底的掺杂类型及所述轻掺杂区的掺杂类型均为第一掺杂类型；所述阱区的掺杂类型为第二掺杂类型。10.根据权利要求9所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂类型包括p型，所述第二掺杂类型包括n型；或所述第一掺杂类型包括n型，所述第二掺杂类型包括p型。

技术总结
本发明提供一种图形化掩膜层的制备方法和半导体结构的制备方法。图形化掩膜层的制备方法包括：提供基底；于基底的表面形成图形化光阻层，图形化光阻层内具有第一开口，第一开口暴露出基底的表面；于开口内及图形化光阻层的表面形成化学修整涂层；对所得结构进行处理，使部分图形化光阻层与化学修整涂层反应，以形成光阻反应层；显影去除化学修整涂层及光阻反应层，以得到图形化掩膜层，图形化掩膜层内具有第二开口，第二开口暴露出基底的表面。本发明的图形化掩膜层的制备方法不需要刻蚀工艺便能获得图形化掩膜层，因此不会损伤基底，进而不会损伤基底内的源区等结构，可以提升器件性能，降低器件的缺陷数量，提高产品良率。率。率。


技术研发人员：李乐 叶蕾 胡林辉 黄永彬 王峰
受保护的技术使用者：上海积塔半导体有限公司
技术研发日：2022.04.29
技术公布日：2022/8/4