显示面板及其制作方法、以及显示装置与流程

1.本发明涉及显示技术领域。更具体地，涉及一种显示面板及其制作方法、以及显示装置。


背景技术：

2.近年来，硅基oled微型显示器作为近眼显示器广泛应用在vr和ar领域中，其多使用铝(al)作为反射层材料，然而以al材料作为阳极反射层的反射率通常仅有70％～88％，难以满足当下产品的高亮度及低功耗产品的性能需求。
3.银(ag)作为反射率最高的金属材料，其反射率高达99％，能够极大的提高微显示器的产品性能，因此开发一种ag作为反射层的结构迫在眉睫。然而，常规al反射电极的图案化方法无法应用在ag材料。但是，目前应用于al材料的图案化方法不能够直接应用在ag材料，因此，需要提供一种能够应用于微显示器的ag材料反射电极的制作方法。


技术实现要素：

4.本发明的目的在于提供一种，以解决现有技术存在的问题中的至少一个。
5.为达到上述目的，本发明采用下述技术方案：
6.本发明第一方面提供一种显示面板，包括：
7.基板；以及
8.形成在基板上的反射电极，
9.其中，反射电极包括依次层叠在基板上的第一反射电极层、第二反射电极层和第三反射电极层，第二反射电极层的侧壁未被第三反射电极层包覆。
10.在一些可选的实施例中，
11.其中，第一反射电极的侧壁自第二反射电极的侧壁凸出且第三反射电极的侧壁自第二反射电极的侧壁凸出。
12.在一些可选的实施例中，
13.第一反射电极的侧壁自第二反射电极的侧壁凸出的长度为：大于等于0.1倍的第二反射电极的厚度且小于等于1倍的第二反射电极的厚度。
14.在一些可选的实施例中，显示面板还包括：第一底切部，第一底切部围绕反射电极，
15.第一底切部的厚度大于反射电极的厚度，并且反射电极在基板上的正投影与第一底切部在基板上的正投影具有间隔。
16.本发明第二方面提供一种显示装置，包括上文所述的显示面板。
17.本发明第三方面提供了一种显示面板的制作方法，包括：
18.在基板上形成第一无机材料层和覆盖第一无机材料层的第二无机材料层；
19.对第二无机材料层进行图案化形成第二底切部，并且对第一无机材料层进行图案化形成第一底切部，第二底切部在基板上的正投影覆盖第一底切部在基板上的正投影且第
二底切部在基板上的正投影面积大于第一底切部在基板上的正投影面积；
20.在第二底切部上形成反射电极材料层，反射电极材料层包括第一子部和第二子部，第一子部覆盖第二底切部限定的开口露出的基板，第二子部覆盖第二底切部；
21.在反射电极材料层上形成填充层，填充层填充第一底切部和第二底切部限定的开口；
22.去除第二底切部和至少部分填充层以露出至少部分第一子部，以得到显示面板的反射电极。
23.在一些可选的实施例中，对第二无机材料层进行图案化形成第二底切部，并且对第一无机材料层进行图案化形成第一底切部进一步包括：
24.通过干法刻蚀对第二无机材料层进行图案化形成第二底切部并通过干法刻蚀对第一无机材料层进行图案化形成第一底切部，
25.其中，对第一无机材料层的刻蚀速率大于对第二无机材料层的刻蚀速率。
26.在一些可选的实施例中，第一底切部的厚度大于反射材料层的厚度，并且第一底切部的材料与第二底切部的材料不同，
27.去除第二底切部和至少部分填充层以露出至少部分第一子部，以得到显示面板的反射电极进一步包括：
28.通过化学机械平坦化方法去除第二子部、第二底切部以及部分填充层直至露出第一底切部；
29.在第一底切部上涂覆光刻胶并图案化；
30.基于图案化的光刻胶在填充层中形成开口露出至少部分第一子部，以得到显示面板的反射电极。
31.在一些可选的实施例中，填充层的材料为光刻胶，
32.去除第二底切部和至少部分填充层以露出至少部分第一子部，以得到显示面板的反射电极进一步包括：
33.对填充层进行灰化处理以露出第二子部；
34.湿法刻蚀去除第二子部；
35.去除灰化处理后的填充层、第二子部和第二底切部，以得到显示面板的反射电极。
36.在一些可选的实施例中，在基板上形成第一无机材料层和覆盖第一无机材料层的第二无机材料层之前，制作方法进一步包括：
37.在基板上形成接触层，
38.其中，接触层在基板上的正投影覆盖反射电极在基板上的正投影，接触层的材料为氮化钛。
39.在一些可选的实施例中，在反射电极材料层上形成填充层进一步包括：
40.通过高密度等离子体淀积方法在反射电极材料层上形成填充层。
41.在一些可选的实施例中，在第二底切部上形成反射电极材料层进一步包括：
42.在第二底切部上依次形成第一反射电极材料层、第二反射电极材料层和第三反射电极材料层，
43.第一反射电极材料层和第三反射电极材料层的材料为氧化铟锡，并且第二反射电极材料层的材料为银。
44.在一些可选的实施例中，反射电极为阳极。
45.本发明的有益效果如下：
46.本发明针对目前现有的问题，制定一种显示面板及其制作方法、以及显示装置，并通过在基板上形成第一底切部和第二底切部过程底切结构，该第二底切部在基板上的正投影覆盖第一底切部在基板上的正投影且第二底切部在基板上的正投影面积大于第一底切部在基板上的正投影面积，使得反射材料层借助该底切结构断裂形成反射电极图案，图案化精度高，能够满足微显示器的精度要求；同时，该方法无需对反射电极材料层进行干法刻蚀，反射电极成膜反射率高，无粒子、刻蚀速率、以及刮伤等问题，提高了产品性能和良率，具有广泛的应用前景。
附图说明
47.下面结合附图对本发明的具体实施方式作进一步详细的说明。
48.图1示出本技术一个实施例的显示面板的制作方法流程图。
49.图2-8示出本技术一实施例的显示面板的制作流程主要步骤对应的结构截面图。
50.图9-14示出本技术另一实施例的显示面板的制作流程主要步骤对应的结构截面图。
具体实施方式
51.为了更清楚地说明本发明，下面结合实施例和附图对本发明做进一步的说明。附图中相似的部件以相同或相似的附图标记进行表示。本领域技术人员应当理解，下面所具体描述的内容是说明性的而非限制性的，不应以此限制本发明的保护范围。
52.需要说明的是，本发明中描述的“具有”、“包含”、“包括”等均为开式的含义，即，当描述模块“具有”、“包含”或“包括”第一元件、第二元件和/或第三元件时，表示该模块除了第一元件、第二元件和/或第三元件外还包括其他的元件。另外，本发明中“第一”、“第二”和“第三”等序数词并不旨在限定具体的顺序，而仅在于区分各个部分。
53.本发明中所述的“在
……
上”、“在
……
上形成”和“设置在
……
上”可以表示一层直接形成或设置在另一层上，也可以表示一层间接形成或设置在另一层上，即两层之间还存在其它的层。
54.另外，在本发明中，所采用的术语“同层设置”指的是两个层、部件、构件、元件或部分可以通过相同制备工艺(例如构图工艺等)形成，并且，这两个层、部件、构件、元件或部分一般由相同的材料形成。例如两个或更多个功能层同层设置指的是这些同层设置的功能层可以采用相同的材料层并利用相同制备工艺形成，从而可以简化显示基板的制备工艺。
55.现有技术中，al材料反射电极的常规图形化制程为：(1)镀膜(2)光刻(3)干法刻蚀。但是干法刻蚀ag材料时生成的不挥发的副产物会带来粒子问题(particle issue)、刻蚀速率不稳定等问题。目前显示产品中，存在对ag材料图案化的改进制程：(1)光刻(2)镀膜(3)剥离，但此方案存在诸多限制，如挥发性光刻材料难以进入高真空镀膜设备，从而难以获得高反射率的ag薄膜，ag材料不溶于剥离液使得粒子和刮伤问题频发。然而，若采用湿法刻蚀对ag材料进行图案化，精度仅为20至30μm，则无法满足微显示器需要的2至3μm精度要求。因此，ag材料的图案化采用常规工艺流程难以实现，现有技术无法实现ag材料反射电极
在微显示领域的量产阶段的应用。
56.基于以上问题之一，参照图1所示，本发明的实施例提供了一种显示面板的制作方法，包括：
57.s1、在基板上形成第一无机材料层和覆盖第一无机材料层的第二无机材料层；
58.s2、对第二无机材料层进行图案化形成第二底切部，并且对第一无机材料层进行图案化形成第一底切部，第二底切部在基板上的正投影覆盖第一底切部在基板上的正投影且第二底切部在基板上的正投影面积大于第一底切部在基板上的正投影面积；
59.s3、在第二底切部上形成反射电极材料层，反射电极材料层包括第一子部和第二子部，第一子部覆盖第二底切部限定的开口露出的基板，第二子部覆盖第二底切部；
60.s4、在反射电极材料层上形成填充层，填充层填充第一底切部和第二底切部限定的开口；
61.s5、去除第二底切部和至少部分填充层以露出至少部分第一子部，以得到显示面板的反射电极。
62.在本实施例中，通过在基板上形成第一底切部和第二底切部过程底切结构，该第二底切部在基板上的正投影覆盖第一底切部在基板上的正投影且第二底切部在基板上的正投影面积大于第一底切部在基板上的正投影面积，使得反射材料层借助该底切结构断裂形成反射电极图案，图案化精度高，能够满足微显示器的精度要求；同时，该方法无需对反射电极材料层进行干法刻蚀，反射电极成膜反射率高，无粒子、刻蚀速率、以及刮伤等问题，提高了产品性能和良率，具有广泛的应用前景。
63.需要说明的是，本发明实施例中制作的显示面板的反射电极为oled(organic light emitting diode，有机发光二极管)显示面板中相对于有机发光层远离显示面板出光侧的电极，用于反射环境光并提高出光效率。目前常用的显示面板中的有机发光二极管多为顶发射器件且为共阴极结构，即，显示面板的整体结构为在基板上层叠设置驱动电路层、阳极、有机发光层、阴极，在这种结构的显示面板中，反射电极为设置在驱动电路层与有机发光层之间的阳极。
64.本领域技术人员应理解，本技术并不限于此，本技术实施例制作的显示面板的有机发光二极管也可以为底发射器件且共阴极结构，则显示面板的整体结构为在透明基板上层叠设置驱动电路层、阴极、有机发光层、阳极，基板为出光侧，则此时反射电极为有机发光层远离出光侧的图案化的阳极；当然，若满足图案化阴极作为反射电极的显示面板，对于顶发射器件，反射电极也可以为设置在驱动电路层与有机发光层之间的阴极，对于底发射器件，反射电极为有机发光层远离出光侧的图案化的阴极。
65.为了便于描述，下文中均以反射电极为设置在驱动电路层与有机发光层之间的阳极为例进行说明。下面参照图2至图8的一具体示例描述显示面板的制作方法的工艺流程。
66.参照图2所示，在步骤s1之前，在基板100上形成驱动电路层110，驱动电路层110包括驱动有机发光二极管的薄膜晶体管。
67.驱动电路层110中可以设置多个用于传递电信号的钨孔111，以将驱动电路层110中的薄膜晶体管中的电极的信号传输至待形成的反射电极。
68.这种情况下，较为优选地，在步骤s1之前还包括：在基板100上形成接触层120，其中，接触层120在基板100上的正投影覆盖待形成的反射电极在基板上的正投影，接触层120
的材料为氮化钛(tin)。当然，本领域技术人员应理解，因为基板100上已形成了驱动电路层110，参照图2所示，接触层120实质上也形成在驱动电路层110上。
69.这样设置的原因在于，通常ag作为反射电极，质地松软通常需要外加界面更稳定的金属氧化层，例如氧化铟锡(ito)，作为保护层，但是氧化铟锡与钨孔中的钨的接触界面不好，在微小尺寸的显示面板中可能存在信号不同的风险，通过设置氮化钛的接触层120，能够利用钛与钨的搭接优势，形成良好的接触界面，提高信号转接效果，从而提高显示面板的成品率。
70.参照图3所示，在步骤s1中，在基板100上形成第一无机材料层131和覆盖第一无机材料层131的第二无机材料层141。
71.具体地，当预先形成了接触层120时，可以通过化学气相淀积法(cvd)在接触层120上形成第一无机材料层131，并同样采用化学气相淀积法在第一无机材料层131形成第二无机材料层141。第一无机材料层131的材料可以为氮化硅(sinx)，第二无机材料层的材料可以为氧化硅(siox)。
72.需要说明的是，本技术并不旨在限制第一无机材料层131和第二无机材料层141的具体材料，只需要满足二者为材料不同的无机材料即可，通过使用不同的材料以便于后续图案化和去除步骤中的材料选择，具体内容将在下文描述，在此不作赘述。
73.另外，还需要说明的是，在本示例中，第一无机材料层131的厚度应大于待形成的反射电极的厚度，即，优选地，第一无机材料层131的厚度大于待形成的反射材料层的厚度，例如第一无机材料层131的厚度可以为反射材料层的厚度的2倍。换句话说，后续形成的第一底切部130的厚度应大于反射电极材料层的厚度，通过该设置，能够在后续去除步骤中保护反射电极的表面不被破坏，具体内容将在下文描述，在此不作赘述。
74.参照图4所示，在步骤s2中，对第二无机材料层141进行图案化形成第二底切部140，并且对第一无机材料层131进行图案化形成第一底切部130，第二底切部140在基板100上的正投影覆盖第一底切部130在基板100上的正投影且第二底切部140在基板100上的正投影面积大于第一底切部130在基板100上的正投影面积。
75.具体地，因为第一无机材料层131和第二无机材料层141的材料不同，通过选择干法刻蚀的刻蚀选择比，先后对第二无机材料层141和第一无机材料层131进行干法刻蚀，形成第二底切部140和第一底切部130。其中，对第一无机材料层131的刻蚀速率大于对第二无机材料层141的刻蚀速率，从而使得第一底切部130的侧壁位于第二底切部140之内，即第二底切部140在基板100上的正投影覆盖第一底切部130在基板100上的正投影且第二底切部140在基板100上的正投影面积大于第一底切部130在基板100上的正投影面积构成底切(undercut)结构。
76.较为优选地，当第一无机材料层131的材料为氮化硅(sinx)，第二无机材料层141的材料可以为氧化硅(siox)时，干法刻蚀的刻蚀速率满足：对第一无机材料层131的刻蚀速率与第二无机材料层141的刻蚀速率的比值大于等于5。较为优选地，第一无机材料层131的刻蚀速率与第二无机材料层141的刻蚀速率的比值为5、7或者20。
77.当然，第一无机材料层131和第二无机材料层141的材料可采用其他tga参数较好的材料进行替代，例如硅氧烷/氮化硅、硅氧烷/氧化硅等材料，在此不作赘述。
78.当然，形成第一底切部130和第二底切部140的方法并不局限于干法刻蚀，也可以
先利用干法刻蚀在第二无机材料层141上刻蚀形成一开口，再利用湿法刻蚀，同样通过设置合理的刻蚀选择比形成图4所示的第一底切部130和第二底切部140。
79.通过该设置，利用不同材质的第一无机材料层和第二无机材料层，只需要合理设置刻蚀选择比就可以形成由第一底切部和第二底切部构成的底切结构，方法简单。
80.参照图5所示，在步骤s3中，在第二底切部140上形成反射电极材料层150，反射电极材料层包括第一子部和第二子部，第一子部覆盖第二底切部限定的开口露出的基板100，第二子部覆盖第二底切部140。
81.具体地，通过化学气相淀积方法在第二底切部140上形成反射电极材料层150。可以采用溅射方法形成反射电极材料层150。
82.当反射电极的主体材料为ag时，反射电极优选为多层结构。例如，反射电极可以为ito、ag和ito组成的三明治结构。此时，在第二底切部140上形成反射电极材料层150的步骤进一步包括：在第二底切部140上依次形成第一反射电极材料层151、第二反射电极材料层152和第三反射电极材料层153，第一反射电极材料层151和第三反射电极材料层153的材料为ito，并且第二反射电极材料层152的材料为ag。
83.通过该设置，能够利用界面稳定的ito保护质地松软的ag，同时又能够借助ag的强反射性提高待形成的反射电极的反射性能；此外，ito能够与有机发光层的接触功函数匹配，ito可以同时作为有机发光二极管的注入层，降低工艺难度，一举多得。
84.通过该步骤，能够利用第一底切部130和第二底切部140构成的底切结构，形成反射电极材料层150在溅射时自然断裂形成覆盖第二底切部140限定的开口露出的基板，当基板上形成基础层140时直接覆盖接触层140的表面。本技术中，通过构成底切结构，再利用底切结构的结构特点断裂反射电极材料层，相当于构成了大马士革的阴刻工艺结构，反射电极材料层150的第一子部直接形成了待形成的反射电极的图案，此过程精度高，图案化反射电极材料层的实际步骤中无直接刻蚀步骤，从而不存在任何刻蚀副产物，保证了ag材料层的成膜效果；此外利用底切结构连续镀膜工艺，ag反射电极的反射率普遍大于99％，且不存在ag镀膜后的多次工艺，从而降低后续工艺导致ag的氧化带来反射率下降的问题。
85.优选地，当反射电极材料层150的厚度：第一底切部130的厚度：第二底切部140的厚度为：1:2:8时，该比例下能够有效避免反射电极材料层150在底切结构的开口处粘连，从而能够借助第一底切部130和第二底切部140有效断裂反射电极材料层150的金属材料，从而达到图案化反射电极材料层150的效果。
86.需要说明的是，本技术的实施例中，因为通过连续溅射三层反射电极材料层并通过底切结构断裂各层反射电极材料层，相较于现有技术中利用多次工艺形成的三层反射电极，不可能在层与层的侧壁形成包覆。也就是说，本技术实施例的显示面板中的反射电极相较于现有技术的工艺制作的反射电极具有明显的、自然断裂的断面不会形成任何包覆的结构特点，即位于第一子部的第二反射电极材料层的侧壁不会被第三反射电极材料层的侧壁包覆。
87.参照图6所示，在步骤s4中，在反射电极材料层150上形成填充层160，填充层160填充第一底切部130和第二底切部140限定的开口。
88.具体地，填充层160的材料可以为无机材料，例如氧化硅(siox)，填充层160旨在对将要形成反射电极的第一子部形成正面保护。
89.优选地，可以通过高密度等离子体淀积(hdp)方法在反射电极材料层150上形成填充层160。高密度等离子体淀积方法具有卓越的填孔能力，从而能够将第一底切部130限定的更大的开口空间内均足量充满填充层，确保为将要形成反射电极的第一子部提供有效的保护。
90.在步骤s5中，去除第二底切部和部分填充层以露出至少部分第一子部，以得到显示面板的反射电极。
91.具体地，参照图7所示，在本示例中，通过化学机械平坦化(cmp)方法去除反射电极材料层150的第二子部、第二底切部140以及部分填充层160直至露出第一底切部；
92.在第一底切部130上涂覆光刻胶并图案化；
93.基于图案化的光刻胶在填充层160中形成开口露出至少部分第一子部，如图8所示，以得到显示面板的反射电极。
94.正是因为第一底切部130和第二底切部140的材料不同，从而能够通过控制机械研磨的速率，在利用化学机械平坦化方法去除第二子部、第二底切部140和部分填充层160后，化学机械研磨设备自动停止在第一底切部130上方；也正是因为第一底切部130的厚度大于反射电极材料层150的厚度，进而当进行机械研磨时不会误伤反射电极材料层150的表面，此外填充层160也能够发挥保护作用。
95.以上各结构与各参数的合理配合，能够显著提高反射电极的制作良率，从而能够提供显示面板的良率，具有广泛的应用前景。
96.需要说明的是，在本示例中，因为借助第一底切部和第二底切部的材料不同的特点，利用化学机械研磨进行平坦化，最后需要对填充层进一步图案化形成开口露出反射电极材料层的至少部分第一子部，露出第一子部后则等于完成反射电极的制作过程。
97.在实际的显示面板制作过程中，当第一底切部的高度允许时，第一底切部和剩余的填充层可以直接作为像素界定层，只需要在开口中形成有机发光层并进一步形成光取出电极即可。当然，当第一底切部的高度不足以限定像素时，也可以进一步形成像素界定层、有机发光层和光取出电极，在此不作赘述。
98.在另一可选的示例中，参照图9所示，可以采用与以上示例不同的方法进行步骤s3以后的步骤，仍采用以上示例中的方法制作第一底切部130和第二底切部140以构成底切结构，然后通过整面溅射反射电极材料层150，并利用该底切结构断裂反射电极材料层，从而反射电极材料层150包括第一子部和第二子部，第一子部覆盖第二底切部限定的开口露出的基板，第二子部覆盖第二底切部140，当然，预先形成了接触层120，则第一子部直接覆盖第二底切部140限定的开口露出的接触层120。
99.下面参照图10至图14描述该示例的后续制作流程。
100.特别的是，在本示例的步骤s4中，填充层170的材料为光刻胶。则，参照图10所示，在反射电极材料层上形成填充层170，填充层170填充第一底切部130和第二底切部40限定的开口。
101.在步骤s5中，去除第二底切部140和填充层170以露出第一子部，以得到显示面板的反射电极。
102.具体地，参照图11所示，对填充层170进行灰化处理以露出第二子部，得到灰化处理后的填充层171。
103.参照图12所示，湿法刻蚀去除第二子部140。随后，参照图13所示，去除灰化处理后的填充层171、第二子部和第二底切部140，以得到显示面板的反射电极。
104.具体地，通过调试干刻工艺，调节c/h/f气体的配比、压力和功率来适配光刻胶材料和氧化硅(sio)的选择比接近1:1，从而去除灰化处理后的填充层171、第二子部和第二底切部140。
105.之后参照图14所示，进一步去除第一底切部130，则得到反射电极。
106.需要说明的是，在本示例中，因为采用光刻胶作为填充层的材料，在最后完全去除了剩余的光刻胶，而第一底切部130与反射电极之间存在空隙，因此，在本示例中，第一底切部130对于后续结构是无用的，也需要去除。
107.当然，本技术并不限定最终去除灰化后的填充层、第二底切部和第一底切部的顺序，也可以合理选择c/h/f气体的配比、压力和功率来适配光刻胶材料和氧化硅(sio)的选择比，在一次一并去除，在此不作赘述。
108.基于同一发明构思，本发明的实施例还提供一种显示面板，包括上文实施例制作的显示面板。
109.显示面板包括：基板；以及形成在基板上的反射电极，
110.其中，反射电极包括依次层叠在基板上的第一反射电极层、第二反射电极层和第三反射电极层，第二反射电极层的侧壁未被第三反射电极层包覆。
111.本方法制作的具有三明治结构的反射电极，因为采用底切结构连续镀膜工艺，反射电机的反射率普遍大于99％，且不存在ag镀膜后的多次工艺，从而降低后续工艺导致ag的氧化带来反射率下降的问题，因此形成的ito/ag/ito具备断面平齐的显著结构特点。ito无多次工艺带来的ito包覆现象，也无normal ito/ag/ito dry etch带来的profile齐平现象。
112.不过，还需要说明的是，因ag和ito金属延展性差异，实际制作的显示面板产品中反射电极的三层结构略微有底切形貌特点，即第一反射电极和第三反射电极的侧边略伸出第二反射电极的侧边，也就是，第一反射电极、第二反射电极和第三反射电极的侧壁不齐平。
113.具体地，在一些可选的实施例中，如图8所示，第一反射电极的侧壁自第二反射电极的侧壁凸出且第三反射电极的侧壁自第二反射电极的侧壁凸出。
114.可选地，由于第一反射电极的侧壁自第二反射电极的侧壁凸出的长度为：大于等于0.1倍的第二反射电极的厚度且小于等于1倍的第二反射电极的厚度。
115.进一步可选地，当通过图2至图8所示的流程制作的实施例时，显示面板中保留第一底切部130。这种情况下，显示面板具备由本技术实施例中的底切结构制作反射电极的更特殊的结构特征。具体地，如图8所示，显示面板还包括：第一底切部130，第一底切部130围绕反射电极，
116.第一底切部的厚度大于反射电极的厚度，并且反射电极在基板上的正投影与第一底切部在基板上的正投影具有间隔。
117.综上，本技术实施例制作的显示面板，反射电极相对于现有技术不存在反射电极多次工艺带来的ito包覆现象，也不遵从常规ito/ag/ito干法刻蚀带来的侧边齐平现象。此外，在一些实施例中，更不具备由高度大于反射电极的第一底切部具有间隔、且围绕反射电
极的结构特征。
118.基于同一发明构思，本发明的实施例还提供一种显示装置，包括上文实施所述的显示面板。
119.由于本技术实施例提供的显示装置中包括的显示面板与上述几种实施例提供的显示面板相对应，因此在前实施方式也适用于本实施例，在本实施例中不再详细描述。
120.在本实施例中，显示装置可以为vr或ar近眼微型显示器，以及其他应用微显示器的应用场景，特别是对反射电极的反射率具有较高要求且要求显示器的像素尺寸极小的应用领域，具有良好的产品良率和稳定性。
121.本发明针对目前现有的问题，制定一种显示面板及其制作方法、以及显示装置，并通过在基板上形成第一底切部和第二底切部过程底切结构，该第二底切部在基板上的正投影覆盖第一底切部在基板上的正投影且第二底切部在基板上的正投影面积大于第一底切部在基板上的正投影面积，使得反射材料层借助该底切结构断裂形成反射电极图案，图案化精度高，能够满足微显示器的精度要求；同时，该方法无需对反射电极材料层进行干法刻蚀，反射电极成膜反射率高，无粒子、刻蚀速率、以及刮伤等问题，提高了产品性能和良率，具有广泛的应用前景。
122.显然，本发明的上述实施例仅仅是为清楚地说明本发明所作的举例，而并非是对本发明的实施方式的限定，对于本领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动，这里无法对所有的实施方式予以穷举，凡是属于本发明的技术方案所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之列。