阵列基板及其制备方法、显示面板与流程

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底层；绝缘层，位于所述衬底层上，所述绝缘层远离所述衬底层的一侧设置有多个凹槽；多个第一电极，位于多个所述凹槽内；多个第二电极，位于多个所述凹槽外的所述绝缘层远离所述衬底层的一侧表面，多个所述第二电极与多个所述第一电极绝缘设置。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，多个所述第一电极和多个所述第二电极由同一道金属沉积工艺形成。3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极包括一个第一主干电极和多个平行设置的第一分支电极，多个所述第一分支电极与所述第一主干电极电连接；所述第二电极包括一个第二主干电极和多个平行设置的第二分支电极，多个所述第二分支电极与所述第二主干电极电连接；其中，所述第一分支电极在所述衬底层上的正投影与相邻的所述第二分支电极在所述衬底层上的正投影之间的间距大于或等于0且小于或等于0.5微米。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，位于中间区域的所述第一分支电极在所述衬底层上的正投影与所述第二主干电极在所述衬底层上的正投影之间的间距大于位于边缘区域的所述第一分支电极在所述衬底层上的正投影与所述第二主干电极在所述衬底层上的正投影之间的间距；和/或位于中间区域的所述第二分支电极在所述衬底层上的正投影与所述第一主干电极在所述衬底层上的正投影之间的间距大于位于边缘区域的所述第二分支电极在所述衬底层上的正投影与所述第一主干电极在所述衬底层上的正投影之间的间距。5.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在垂直于所述衬底层至所述绝缘层的方向上，位于边缘区域的所述第一分支电极的宽度大于位于中间区域的所述第一分支电极的宽度；和/或位于边缘区域的所述第二分支电极的宽度大于位于中间区域的所述第二分支电极的宽度。6.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述衬底层至所述绝缘层的方向上，位于中间区域的所述第一分支电极与相邻的所述第二分支电极之间的间距大于位于边缘区域的所述第一分支电极与相邻的所述第二分支电极之间的间距。7.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在所述衬底层至所述绝缘层的方向上，所述第一电极与相邻的所述第二电极之间的间距为第一值，所述第一电极的膜层厚度为第二值，所述第一值与所述第二值的比值大于10。8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述凹槽的侧壁与所述凹槽的底面之间形成的夹角大于0且小于或等于90度。9.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底层上制备绝缘层；在所述绝缘层远离所述衬底层的一侧制备多个凹槽；在所述绝缘层上制备金属层，所述金属层包括相互绝缘的多个第一电极和多个第二电极，其中，多个所述第一电极位于多个所述凹槽内，多个所述第二电极位于多个所述凹槽外
的所述绝缘层远离所述衬底层的一侧表面。10.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板和如权利要求1至8任一项所述的阵列基板，所述彩膜基板与所述阵列基板相对设置。

技术总结
本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，阵列基板包括衬底层、绝缘层、多个第一电极以及多个第二电极，多个第一电极位于多个凹槽内，多个第二电极位于多个凹槽外的绝缘层远离衬底层的一侧表面，多个第二电极与多个第一电极绝缘设置；本发明通过在多个凹槽内形成多个第一电极，在多个凹槽外的绝缘层远离衬底层的一侧表面形成多个第二电极，位于凹槽内的第一电极与相邻的位于凹槽外的第二电极在垂直于阵列基板所在平面的方向上具有一定的间距，从而在垂直于阵列基板所在平面的方向上实现第一电极与第二电极分离，从而可以减小甚至取消第一电极在衬底层上的正投影与相邻的第二电极在衬底层上的正投影之间的线距，从而可以大大提高透过率。以大大提高透过率。以大大提高透过率。


技术研发人员：于靖
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.04.25
技术公布日：2022/7/29