显示装置和电子设备的制作方法

1.本技术涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示装置和电子设备。


背景技术：

2.随着技术的发展，市场上主流显示装置对屏占比需求越来越高，向市场供应屏占比更高的产品，可以提高产品技术竞争力，故将摄像头隐藏显示屏幕的下方，使得显示装置的边框更窄，屏占比更高，更加的美观，但是受到偏光片的影响，光线穿透率的损失较大，会直接影响到摄像时成像的效果。
3.现有的技术通常采用去掉摄像头对应位置的偏光片，来保证摄像时成像的效果，但是这样无法隐藏摄像头，且不使用摄像头时不能正常显示画面。


技术实现要素：

4.本技术的目的是提供一种显示装置和电子设备，在使用摄像头时可以提高摄像头的入光量，保证摄像时成像的效果，在不使用摄像头时可以隐藏摄像头，保证画面的正常显示。
5.本技术公开了一种显示装置，所述显示装置包括显示面板、第一偏光片和第二偏光片，所述第一偏光片设置在所述显示面板出光面的一侧，所述第二偏光片设置在所述显示面板入光面的一侧，所述第一偏光片和/或所述第二偏光片上设置有用于与摄像头对应设置的采光孔，所述显示装置还包括至少一个取向解除结构和多条线性记忆结构，所述取向解除结构对应所述采光孔设置，且与所述采光孔位于所述显示面板的同一侧；多条所述线性记忆结构对应所述取向解除结构设置，且对应所述采光孔的位置；在所述取向解除结构未工作状态下，多条所述线性记忆结构规则排列形成取向狭缝；在所述取向解除结构工作状态下，多条所述线性记忆结构解除取向狭缝。
6.可选的，所述采光孔设置在所述第一偏光片或所述第二偏光片上，当所述采光孔设置在所述第一偏光片上时，多条所述线性记忆结构规则排列形成取向狭缝的取向状态与所述第一偏光片的取向状态一致；当所述采光孔设置在所述第二偏光片上时，多条所述线性记忆结构规则排列形成取向狭缝的取向状态与所述第二偏光片的取向状态一致。
7.可选的，所述取向解除结构和所述线性记忆结构堆叠设置在所述采光孔内，所述取向解除结构的厚度与所述线性记忆结构的厚度之和等于所述采光孔的厚度。
8.可选的，第一偏光片和第二偏光片均设有所述采光孔，所述第一偏光片上的所述采光孔和所述第二偏光片上的所述采光孔对应设置；所述显示装置包括两个所述取向解除结构；其中一个所述取向解除结构设置在所述显示面板远离所述第一偏光片的一侧，与所述第二偏光片上的采光孔对应设置；另外一个所述取向解除结构设置在所述显示面板远离所述第二偏光片的一侧，与所述第一偏光片上的采光孔对应设置；在两个所述取向解除结构未工作时，设置在所述显示面板远离所述第二偏光片的一侧的所述线性记忆结构规则排列形成的取向狭缝，与设置在所述显示面板远离所述第一偏光片的一侧的所述线性记忆结
构规则排列形成的取向狭缝互相垂直。
9.可选的，设置在所述显示面板远离所述第二偏光片的一侧的所述线性记忆结构规则排列形成的取向狭缝的取向状态，与所述第一偏光片上的取向状态一致；设置在所述显示面板远离所述第一偏光片的一侧的所述线性记忆结构规则排列形成的取向狭缝的取向状态，与所述第二偏光片上的取向状态一致。
10.可选的，所述取向解除结构包括透明电热薄膜和第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相对设置，且周向环绕所述透明电热薄膜，所述线性记忆结构设置在所述透明电热薄膜的表面；当所述第一电极和所述第二电极通过所述透明电热薄膜对所述线性记忆结构进行加热时，所述线性记忆结构弯曲解除取向狭缝。
11.可选的，所述透明电热薄膜的表面设置有卡槽，所述线性记忆结构分别设置在所述卡槽内。
12.可选的，所述显示装置还包括隔热膜，所述隔热膜设置在所述线性记忆结构远离所述取向解除结构的一侧。
13.可选的，所述线性记忆结构包括钛镍铜合金、钛镍铁合金、钛镍铬合金、镍铝合金、铁锰硅合金和铜锌合金中的至少一种材料制成。
14.本技术还公开了一种电子设备，所述电子设备包括摄像头和上述所述的显示装置，所述摄像头与所述显示装置内的采光孔对应设置。
15.相对于直接在偏光片对应摄像头的位置开孔，使得摄像头可以获取到显示面板外足够的光线的方案来说，本技术通过先在偏光片对应摄像头位置处设置采光孔，之后再在对应采光孔位置设置线性记忆结构和取向解除结构，在用户未使用摄像头时，线性记忆结构规则排列形成取向狭缝，充当偏光片的功能，在用户打开摄像头时，通过取向解除结构控制形状记忆进行解除取向狭缝，线性记忆结构不充当偏光片的作用，实现线性记忆结构的偏光功能的可控操作。
附图说明
16.所包括的附图用来提供对本技术实施例的进一步的理解，其构成了说明书的一部分，用于例示本技术的实施方式，并与文字描述一起来阐释本技术的原理。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：
17.图1是本技术的一实施例的一种电子设备的结构示意图；
18.图2是本技术的一实施例的一种显示装置的结构示意图；
19.图3是本技术的一实施例的采光孔设置在第二偏光片上的示意图；
20.图4是本技术的一实施例的取向解除结构未工作示意图；
21.图5是本技术的一实施例的取向解除结构工作的示意图；
22.图6是本技术的一实施例的显示装置还包括隔热膜的示意图；
23.图7是本技术的一实施例的采光孔内设置线性记忆结构和取向解除结构的示意图。
24.其中，10、显示装置；110、第一偏光片；111、采光孔；120、显示面板；130、第二偏光片；140、摄像头；150、背光模组；160、线性记忆结构；170、取向解除结构；171、加热结构；
172、第一电极；173、第二电极；174、透明电热薄膜；175、卡槽；180、电磁结构；190、隔热膜；200、保护层；210、tac层；220、pva层；240、psa层；250、pet层；20、电子设备。
具体实施方式
25.需要理解的是，这里所使用的术语、公开的具体结构和功能细节，仅仅是为了描述具体实施例，是代表性的，但是本技术可以通过许多替换形式来具体实现，不应被解释成仅受限于这里所阐述的实施例。
26.在本技术的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示相对重要性，或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，除非另有说明，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；“多个”的含义是两个或两个以上。术语“包括”及其任何变形，意为不排他的包含，可能存在或添加一个或更多其他特征、单元、组件和/或其组合。
27.下面参考附图和可选的实施例对本技术作详细说明。
28.图1是本技术的一实施例的一种电子设备的结构示意图，如图1所示，公开了一种电子设备，包括显示装置和摄像头，所述摄像头设置在所述显示装置内，并与所述显示装置内的采光孔对应设置。本技术仅对所述显示装置进行了改进，以所述摄像头设置在显示装置的第二偏光片和背光模组之间为例进行说明，具体的：
29.图2是本技术的一实施例的一种显示装置的结构示意图，如图2所示，本技术公开了一种显示装置10，所述显示装置10包括显示面板120、第一偏光片110、第二偏光片130和背光模组150，所述第一偏光片110设置在所述显示面板120出光面的一侧，所述第二偏光片130设置在所述显示面板120入光面的一侧，即第一偏光片110和第二偏光片130贴合在显示面板120的上下表面，摄像头140设置在第二偏光片130和背光模组150之间，即第一偏光片110、显示面板120、第二偏光片130、摄像头140和背光模组150依次设置。
30.其中，所述第一偏光片110和/或所述第二偏光片130上对应所述摄像头140的位置处设置有采光孔111，外界的光线通过采光孔111进入显示装置10内，并传到摄像头140上，所述显示装置10还包括至少一个取向解除结构170和多条线性记忆结构160，所述取向解除结构170对应所述采光孔11设置，且与所述采光孔111位于所述显示面板120的同一侧；多条所述线性记忆结构160对应所述取向解除结构170设置，且对应所述采光孔111的位置；在所述取向解除结构170未工作状态下，多条所述线性记忆结构160规则排列形成取向狭缝，在所述取向解除结构170工作状态下，多条所述线性记忆结构160解除取向狭缝。
31.即在取向解除结构170未工作时，所述线性记忆结构160规则排列形成取向狭缝，形成的取向狭缝相当于光栅，穿过线性记忆结构160的光，光波与取向狭缝垂直的光波会被过滤，此时线性记忆结构160充当光栅的作用，形成偏振光；在取向解除结构170工作状态下，取向解除结构170可以对应线性记忆结构160进行加热或电磁操作，使得线性记忆结构160的排列弯曲变得混乱，解除取向狭缝，此时线性记忆结构160失去光栅的作用。
32.其中，所述线性记忆结构160包括钛镍铜合金、钛镍铁合金、钛镍铬合金、镍铝合金、铁锰硅合金、铜锌合金中的至少一中材料制成；采光孔111的正投影面积大于摄像头140的正投影面积，比例为1：1.2，当然采光孔111的正投影面积也可以等于摄像头140的正投影面积。
33.相对于直接在偏光片对应摄像头140的位置开孔，使得摄像头140可以获取到显示面板120外足够的光线的方案来说，本技术通过先在偏光片对应摄像头140位置处开孔即采光孔111，之后再在对应采光孔111位置印压线性记忆结构160和取向解除结构170，通过取向解除结构170控制形状记忆进行解除取向狭缝，实现线性记忆结构160的偏光功能的可控操作，在用户未使用摄像头140时，线性记忆结构160规则排列，在用户需要使用摄像头140的时候打开摄像头140时，取向解除结构170便开始对线性记忆结构160开始工作，使得线性记忆结构160完成解除取向狭缝。
34.其中的线性记忆结构160和取向解除结构170可以设置在采光孔111内，线性记忆结构160和取向解除结构170两者的厚度和，与偏光片相等，保证偏光片的平整度，当然，也可以将线性记忆结构160和取向解除结构170设置在与采光孔111同于竖直方向上，即采光孔111的上方或者下方。
35.进一步的，当采光孔111在第一偏光片110上时，所述线性记忆结构160规则排列形成取向狭缝的取向状态与所述第一偏光片110的取向状态一致。当采光孔111在第二偏光片130上时，所述线性记忆结构160规则排列形成取向狭缝的取向状态与所述第二偏光片130的取向状态一致。
36.这样使得所述线性记忆结构160的取向状态和线性记忆结构160所对应的偏光片上的取向状态一致，可以理解为，以光栅型偏光片为例，即线性记忆结构160规则排列形成取向狭缝，取向狭缝的方向与线性记忆结构160对应的偏光片上的取向狭缝的方向一致。这样就不需要对线性记忆结构160对应的液晶偏转进行单独的调整，保证了画面的一致性，不会影响显示面板120的显示效果。
37.所述采光孔111即可以设置在第一偏光片110上，也可以设置在第二偏光片130上，对应的线性记忆结构160和取向解除结构170可以设置在第一偏光片110的采光孔111内，也可以设置在第二偏光片130的采光孔111内，当所述取向解除结构170和所述线性记忆结构160堆叠设置在所述采光孔内，所述取向解除结构170的厚度与所述线性记忆结构160的厚度之和等于所述采光孔111的厚度，保证了偏光片的平整度。
38.如图3所示，所述采光孔111仅设置在所述第二偏光片130上。即所述线性记忆结构160和取向解除结构170设置在与所述第二偏光片130同一侧，由于第一偏光片110对应显示面板120出光面的一侧，如果将线性记忆结构160和取向解除结构170设置在于第一偏光片同一侧，用户可以直接观察到；而将线性记忆结构160和取向解除结构170设置在第二偏光片130上，第二偏光片130位于显示面板120和背光模组150之间，在第二偏光片130上开孔并设置线性记忆结构160和取向解除结构170，用户不易察觉，不会在显示面板120上光看到明显的改动痕迹，使得显示面板120更加的美观。
39.当然采光孔111还可以即设置在第二偏光片130上，也设置在第一偏光片110上。
40.所述第一偏光片110上设置有采光孔111，所述第二偏光片130上也设置有采光孔111，所述第一偏光片110上的采光孔111和所述第二偏光片130上的采光孔111对应设置；所述显示装置10包括两个线性记忆结构160和两个取向解除结构170；其中一个线性记忆结构160和一个取向解除结构170设置在所述显示面板120远离所述第一偏光片110的一侧，与所述第二偏光片130上的采光孔111对应设置；另外一个线性记忆结构160和另外一个取向解除结构170设置在所述显示面板120远离所述第二偏光片130的一侧，与所述第一偏光片110
上的采光孔111对应设置；在两个所述线性记忆结构160未工作时，设置在所述显示面板120远离所述第二偏光片130的一侧的所述线性记忆结构160规则排列形成的取向狭缝，与设置在所述显示面板120远离所述第一偏光片110的一侧的所述线性记忆结构160规则排列形成的取向狭缝互相垂直。
41.在摄像头140对应第一偏光片110和第二偏光片130的位置处同时开设采光孔111，并在第一偏光片110上的采光孔111和第二偏光片130上的采光孔111上均设置线性记忆结构160和取向解除结构170，在取向解除结构170未工作的状态下，显示装置10对应摄像头140位置的遮光性更好，外界的光不会通过采光孔111进入显示面板120内；在取向解除结构170工作状态下，摄像头140对应第一偏光片110和第二偏光片130的位置的线性记忆结构160均解除取向狭缝，不充当偏光片的作用，摄像头140可以接收到外界更多的光线。
42.进一步的，设置在所述显示面板120远离所述第二偏光片130的一侧的所述线性记忆结构160规则排列形成的取向狭缝的取向状态，与所述第一偏光片110上的取向状态一致；设置在所述显示面板120远离所述第一偏光片110的一侧的所述线性记忆结构160规则排列形成的取向狭缝的取向状态，与所述第二偏光片130上的取向状态一致。这样不需要对线性记忆结构160对应的显示面板120上的驱动进行改动，不会造成局部显示差异。
43.结合图4和图5所示，所述取向解除结构170包括加热结构171，在所述取向解除装置170工作状态下，所述加热结构171对线性记忆结构160进行加热，使得线性记忆结构160发生弯曲，进而解除线性记忆结构160的取向狭缝。具体的，加热结构171包括透明电热薄膜174和设置在透明电热薄膜174两侧的第一电极172和第二电极173，所述线性记忆结构160转印在所述透明电热薄膜174的表面，所述第一电极172和所述第二电极173相对设置，对所述透明电热薄膜174进行加热；当所述第一电极172和所述第二电极173通过所述透明电热薄膜174对所述线性记忆结构160进行加热时，所述线性记忆结构160解除取向狭缝。
44.其中，所述透明电热薄膜174的材料包括聚对苯二甲酸乙二醇酯、透明石墨烯膜、聚碳酸酯中的至少一种材料制成。所述透明电热薄膜174的表面还包括卡槽175，所述线性记忆结构160设置在所述卡槽175内，通过卡槽175固定所述线性记忆结构160，卡槽175的材质与透明电热薄膜174相同，因此不会影响遮挡光线，也不会影响热的传导。
45.第一电极172和第二电极173对透明电热薄膜174进行加热，透明电热薄膜174的热量传到线性记忆结构160上，当温度达到45度以上时，线性记忆结构160从笔直条状结构规则排列形成取向狭缝，变得弯曲从而解除取向狭缝；当用户关闭摄像头140后第一电极172和第二电极173停止加热，线性记忆结构160快速降温，当温度下降到45度以下时，线性记忆结构160从弯曲的形状又再次变回笔直条状结构规则排列形成取向狭缝，恢复偏光片的功能。
46.以线性记忆结构160为钛镍铜合金为例，将钛镍铜放置于1000～1300℃的高温炉中熔融成液体状态，然后浇注于有多个s型凹槽的模具上，此时线性记忆结构160的形状为解除取向的形状，在温度为800℃～1000℃时，钛镍铜处于凝固状态，但受轻微外力作用可发生变形。将模具迅速放置于0℃～5℃的冰水中，并迅速将s型模具凹槽转换为直线型凹槽。通过急速降温并定型，使得线性记忆结构160记忆冷却之前的形状，即常温40以下℃左右保持直线状态，加热至45℃以上会恢复s型，温度降至40℃以下又会转变直线型即规则排列的取向结构。之后将透明电热薄膜174固化成膜后，在透明电热薄膜174的表面制备微小
卡槽175，用以固定形状记忆单元，线性记忆结构160转印至透明电热薄膜上，并通过压制固定于卡槽175中。
47.其中，第一偏光片110上的加热结构171和第二偏光片130上的加热结构171串联设置，保证了第一偏光片110上的线性记忆结构160和第二偏光片130上的线性记忆结构160的温度的一致性，保证了形成取向狭缝和解除取向狭缝的同步。
48.当然取向解除结构170话还包括电磁结构180，通过电磁铁结构产生磁场对线性记忆结构160进行取向设定，在需要使用摄像头140时通过对电磁结构180断电操作控制电磁结构180不产生磁场，线性记忆结构160恢复到杂乱排列的状态，即为非取向状态，与上述的解除取向狭缝等同，从而解除该对应的线性记忆结构160的偏振功能，增加透光率，实现屏下摄像头140的正常使用；当不需要使用摄像头140时，对电磁结构180进行通电，电磁结构180产生磁场，线性记忆结构160规则排列形成取向狭缝。其中的线性记忆结构160的材料包括铁、镍、铁钴合金、软磁铁氧体、铁铝合金等。
49.如图6所示，所述显示装置10还包括隔热膜190，所述隔热膜190设置在所述线性记忆结构160远离所述取向解除结构170的一侧。在第二偏光片130对应的线性记忆结构160靠近背光模组150的一侧设置隔热膜190，防止背光模组150产生的热量使得线性记忆结构160发生解除取向狭缝；在第一偏光片110对应的线性记忆结构160靠经显示面板120的一侧设置隔热膜190，防止加热结构171产生的热量传导到显示面板120的滤光层上，防止滤光层产生气体和水汽，使得滤光层胀气导致膜层不平整，从而影响显示效果。
50.如图7所示，所述线性记忆结构160和取向解除结构170设置在采光孔111内，以第一偏光片110为例，偏光片包括堆叠设置的保护层200、tac(三醋酸纤维素)层210、pva(聚乙烯醇)层220、tac层210、psa(压敏胶)层240、pet(离型层)层250和采光孔111，采光孔111贯穿tac层210、pva层220、tac层210和psa层240，所述线性记忆结构160和取向解除结构170设置在所述采光孔111内，所述透明电热薄膜174设置在线性记忆结构160远离所述pet层250的一侧，所述隔热膜190设置在所述线性记忆结构160远离所述保护层200的一侧，所述透明电热薄膜174、线性记忆结构160和隔热膜190堆叠设置，且厚度等于采光孔111的深度，保证了偏光片膜层的平整度。
51.本技术的技术方案可以广泛用于各种显示面板，如tn(twisted nematic，扭曲向列型)显示面板、ips(in-plane switching，平面转换型)显示面板、va(vertical alignment，垂直配向型)显示面板、mva(multi-domain vertical alignment，多象限垂直配向型)显示面板，当然，也可以是其他类型的显示面板，如oled(organic light-emitting diode，有机发光二极管)显示面板，均可适用上述方案。
52.以上内容是结合具体的可选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换，都应当视为属于本技术的保护范围。