阵列基板及其制备方法与流程

技术特征：
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；有源层，所述有源层设置于所述衬底上方；第一金属层，所述第一金属层设置于所述有源层远离所述衬底的一侧；阻隔层，所述阻隔层设置于所述第一金属层远离所述衬底的一侧；钝化层，所述钝化层设置于所述阻隔层远离所述衬底的一侧；其中，在膜层厚度方向上，所述阻隔层至少覆盖所述有源层、所述第一金属层设置。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层为源漏极层，所述源漏极层包括源极，所述钝化层远离所述衬底的一侧还设置有第二金属层，所述第二金属层为像素电极层，所述像素电极层包括像素电极，所述阵列基板包括至少贯穿所述钝化层设置的过孔，所述阻隔层包括设置于所述过孔内的第一导通结构，所述源极与所述像素电极通过所述第一导通结构电连接，在膜层厚度方向上，所述阻隔层至少覆盖所述有源层、所述源漏极层设置。3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阻隔层在所述过孔内呈镂空设置，所述第一导通结构包括镂空设置的镂空部，在膜层厚度方向上，所述镂空部贯穿所述阻隔层设置，所述镂空部内设置有所述像素电极，所述像素电极与所述源极在所述镂空部处搭接。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，在膜层厚度方向上，所述过孔还贯穿所述阻隔层以形成所述镂空部，所述镂空部与所述过孔重合设置。5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导通结构为导电部，所述阻隔层还包括与所述导电部同层设置的阻挡部，所述阻挡部的制备材料为绝缘材料，所述阻挡部分别与所述导电部的两端连接，所述导电部的膜层厚度与所述阻挡部的膜层厚度相同。6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡部包括第一部分和第二部分，所述第一部分覆盖所述有源层、所述源漏极层，所述第二部分未覆盖所述有源层、所述源漏极层，所述第一部分的厚度大于所述第二部分的厚度。7.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括显示区、围绕所述显示区设置的非显示区，所述过孔包括设置于所述显示区的第一过孔、设置于所述非显示区的第二过孔，所述源漏极层还包括设置于所述非显示区的第一图案，所述像素电极层还包括设置于所述非显示区的第二图案，所述像素电极通过所述第一过孔与所述源极电连接；所述第一图案通过所述第二过孔与所述第二图案电连接。8.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层为栅极层，所述钝化层远离所述衬底的一侧还设置有第三金属层，所述第二金属层为源漏极层，所述源漏极层包括源极、漏极，所述阵列基板包括至少贯穿所述钝化层设置的第三过孔、第四过孔，所述阻隔层包括设置于所述第三过孔、第四过孔内的第二导通结构，所述源极、所述漏极分别与所述有源层通过所述第二导通结构电连接，在膜层厚度方向上，所述阻隔层至少覆盖所述有源层、所述栅极层设置。9.如权利要求2或8所述的阵列基板，其特征在于，所述阻隔层的制备材料包括金属氧化物，所述第一金属层的制备材料包括铜。10.一种阵列基板制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；在所述衬底上方制备得到有源层；在所述有源层远离所述衬底的一侧制备得到第一金属层；在所述第一金属层远离所述衬底的一侧制备得到阻隔层，在膜层厚度方向上，所述阻隔层至少覆盖所述有源层、所述第一金属层；在所述阻隔层远离所述衬底的一侧制备得到钝化层。

技术总结
本申请实施例公开了一种阵列基板、一种阵列基板制备方法，该阵列基板包括衬底、有源层、第一金属层、阻隔层，有源层设置于衬底上方，第一金属层设置于有源层远离衬底的一侧，阻隔层设置于第一金属层远离衬底的一侧，其中，在膜层厚度方向上，阻隔层至少覆盖有源层、第一金属层设置；通过在第一金属层远离衬底的一侧设置一阻隔层，且阻隔层至少覆盖有源层、第一金属层设置；不仅保护了第一金属层不被氧化，同时防止水、氧入侵有源层，还提升了TFT器件的稳定性。定性。定性。


技术研发人员：张羿
受保护的技术使用者：广州华星光电半导体显示技术有限公司
技术研发日：2022.04.06
技术公布日：2022/7/29